JPS61106497A - 燐化砒化ガリウムエピタキシヤル膜の成長方法 - Google Patents
燐化砒化ガリウムエピタキシヤル膜の成長方法Info
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- JPS61106497A JPS61106497A JP22495684A JP22495684A JPS61106497A JP S61106497 A JPS61106497 A JP S61106497A JP 22495684 A JP22495684 A JP 22495684A JP 22495684 A JP22495684 A JP 22495684A JP S61106497 A JPS61106497 A JP S61106497A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
りに１匁」■公！
本発明は発光ダイオード用間接遷移型三元系化合物半導
体燐化砒化ガリウム（Ｇ ａ Ａ 、ｓ １−ｘ Ｐ
Ｘ）エピタキシャル膜の気相成長方法に関するものであ
る。
体燐化砒化ガリウム（Ｇ ａ Ａ 、ｓ １−ｘ Ｐ
Ｘ）エピタキシャル膜の気相成長方法に関するものであ
る。
従速四ＪＬ術
従来、黄色発光ダイオード（中心発光波長５８５０人）
、橙色発光ダイオード（中心発光波長６３００λ）等の
ためのエピタキシャルウェーハは、ＧａＰ単結晶基板上
にＧａＰ暦、格子定数の相異による格子不整歪を緩和す
るために混晶率Ｘを徐々に変化させたＧａＡＳｌ−ＸＰ
ｘ混晶率Ｘ変化層（以下Ｘ変化層という）をエピタキシ
ャル成長させ、さらに所望の混晶率Ｘ一定層を得た後、
その混晶率Ｘのままエピタキシャル成長を継続し、同時
に一定濃度の窒素原子を添加する。モして混晶率Ｘ一定
層が所望の厚さに到達したらエピタキシャル成長を停止
してつくるという方法がとられる。かかる方法によるウ
ェーハよりつくられた発光ダイオードからは満足すべき
発光強度が得られなかった。
、橙色発光ダイオード（中心発光波長６３００λ）等の
ためのエピタキシャルウェーハは、ＧａＰ単結晶基板上
にＧａＰ暦、格子定数の相異による格子不整歪を緩和す
るために混晶率Ｘを徐々に変化させたＧａＡＳｌ−ＸＰ
ｘ混晶率Ｘ変化層（以下Ｘ変化層という）をエピタキシ
ャル成長させ、さらに所望の混晶率Ｘ一定層を得た後、
その混晶率Ｘのままエピタキシャル成長を継続し、同時
に一定濃度の窒素原子を添加する。モして混晶率Ｘ一定
層が所望の厚さに到達したらエピタキシャル成長を停止
してつくるという方法がとられる。かかる方法によるウ
ェーハよりつくられた発光ダイオードからは満足すべき
発光強度が得られなかった。
この従来法によるＧ ａＡ ｓｌ−、Ｐｘ膜のエピタキ
シャル成長方法について以下に図面で説明する。ｉｍＺ
図（＆）は貧色発光ダイオード用ＧａＡ ｓ １−ｘｐ
Ｘ エピタキシャルウェーハの断面を、第２図（ｂ）
はその窒素濃度分布をそれぞれ一例をあげて示したもの
である。１１は厚さ約３００牌のＧａＰ単結晶基板、１
２は厚さ約５１ＬのＧａＰエピタキシャル層、１３は結
晶不整歪緩和技術を用いて混晶率Ｘを１から約０．８５
まで変化させた厚さ約３５棒のＸ変化層、１４および１
５はＸが約０．８５を保つＸ一定暦である。ただし１４
は厚さ約１０ｇ、１５は窒素原子が添加された厚さ約２
５勝のＸ一定層である。
シャル成長方法について以下に図面で説明する。ｉｍＺ
図（＆）は貧色発光ダイオード用ＧａＡ ｓ １−ｘｐ
Ｘ エピタキシャルウェーハの断面を、第２図（ｂ）
はその窒素濃度分布をそれぞれ一例をあげて示したもの
である。１１は厚さ約３００牌のＧａＰ単結晶基板、１
２は厚さ約５１ＬのＧａＰエピタキシャル層、１３は結
晶不整歪緩和技術を用いて混晶率Ｘを１から約０．８５
まで変化させた厚さ約３５棒のＸ変化層、１４および１
５はＸが約０．８５を保つＸ一定暦である。ただし１４
は厚さ約１０ｇ、１５は窒素原子が添加された厚さ約２
５勝のＸ一定層である。
が −ロ
しかしこの方法では、ＧａＡＳｌ−ＸＰｘの混晶率Ｘ一
定層に窒素原子を所望の濃度に添加させ、この結果生ず
る結晶品質劣化層から発光ダイオードを形成するため、
その発光強度は、必ずしも満足すべきものではなかうた
。
定層に窒素原子を所望の濃度に添加させ、この結果生ず
る結晶品質劣化層から発光ダイオードを形成するため、
その発光強度は、必ずしも満足すべきものではなかうた
。
。 古 。
本発明はかかる欠点を解消すべく、下記の事実（１）
ＧａＡｓ Ｐ 結晶中に窒素原子を添加１−ｘ
ｘ する場合、結晶欠陥はその添加初期において急増するが
、成長反応が進むに従ってすなわちエピタキシャル層が
厚くなるに従って減少する。
ＧａＡｓ Ｐ 結晶中に窒素原子を添加１−ｘ
ｘ する場合、結晶欠陥はその添加初期において急増するが
、成長反応が進むに従ってすなわちエピタキシャル層が
厚くなるに従って減少する。
（２） ＧａＡＳｌ−ＸＰＸエピタキシャル層が厚くな
ると、ＧａＰ基板とＧａＡＳｌ−ｘＰ）Ｃ結晶との格子
定数の相異によりエピタキシャルウェーハの反りが大き
くなり、同時にエピタキシャル膜の結晶品質が悪化する
ので、エピタキシャル層の厚さに限界がある。
ると、ＧａＰ基板とＧａＡＳｌ−ｘＰ）Ｃ結晶との格子
定数の相異によりエピタキシャルウェーハの反りが大き
くなり、同時にエピタキシャル膜の結晶品質が悪化する
ので、エピタキシャル層の厚さに限界がある。
を種々検討した結果到 達したものである。それは単結
晶基板表面上に 、燐化砒化ガリウム（ＧａＡＳ、−Ｘ
ＰＸ）よりなるエピタキシャル膜を気相成長させる方法
において、該エピタキシャル膜を基板と同一成分からな
る層、混晶率Ｘ変化層、混晶率Ｘ一定層（ただし、 ０
．４ ”； ｘ＜ １）の順に成長させると共に、アイ
ソエレクトロニック・トラップとなる窒素原子の添加を
基板と同一成分からなる層および混晶率Ｘ変化層の任意
の点から開始し、混晶率Ｘ変化層と混晶率Ｘ一定暦の変
換点の近傍で所望の値となるようにすることを特徴とす
る燐化砒化ガリウムエピタキシャル膜の成長方法である
。
晶基板表面上に 、燐化砒化ガリウム（ＧａＡＳ、−Ｘ
ＰＸ）よりなるエピタキシャル膜を気相成長させる方法
において、該エピタキシャル膜を基板と同一成分からな
る層、混晶率Ｘ変化層、混晶率Ｘ一定層（ただし、 ０
．４ ”； ｘ＜ １）の順に成長させると共に、アイ
ソエレクトロニック・トラップとなる窒素原子の添加を
基板と同一成分からなる層および混晶率Ｘ変化層の任意
の点から開始し、混晶率Ｘ変化層と混晶率Ｘ一定暦の変
換点の近傍で所望の値となるようにすることを特徴とす
る燐化砒化ガリウムエピタキシャル膜の成長方法である
。
以下にこれを図面によって詳しく説明する。第１図（ａ
）は本発明による負色発光ダイオード用ＧａＡｓ１−ｘ
Ｐｘエピタキシャルウェーハの断面を、第１図（ｂ）は
その窒素濃度分布をそれぞれ一例をあげて示したもので
ある。ｌは厚さ約３００＝のＧａＰ単結晶基板、２は厚
さ約５ルのＧａＰエピタキシャル層、３は混晶率Ｘを１
から約０．９まで変化させた厚さ約１８ルのＸ変化層、
４は混晶率Ｘを約０．８から約０．８５まで変化させ。
）は本発明による負色発光ダイオード用ＧａＡｓ１−ｘ
Ｐｘエピタキシャルウェーハの断面を、第１図（ｂ）は
その窒素濃度分布をそれぞれ一例をあげて示したもので
ある。ｌは厚さ約３００＝のＧａＰ単結晶基板、２は厚
さ約５ルのＧａＰエピタキシャル層、３は混晶率Ｘを１
から約０．９まで変化させた厚さ約１８ルのＸ変化層、
４は混晶率Ｘを約０．８から約０．８５まで変化させ。
同時に窒素原子を零から所望の濃度まで徐々に増加させ
た厚さ約１７ｐのＸ変化層、５はＸが約０．８５と一定
かつ窒素原子が所望の濃度に添加された厚さ約３０１Ｌ
のＸ一定層である。前記Ｘ変化層４への窒素原子の添加
は、同層の始めから行うかまたは途中から行ってもよい
。
た厚さ約１７ｐのＸ変化層、５はＸが約０．８５と一定
かつ窒素原子が所望の濃度に添加された厚さ約３０１Ｌ
のＸ一定層である。前記Ｘ変化層４への窒素原子の添加
は、同層の始めから行うかまたは途中から行ってもよい
。
これによりＸ一定暦を厚くすることなく結晶品質が改善
され１発光ダイオード特性の顕著な向上をはかることが
できる。
され１発光ダイオード特性の顕著な向上をはかることが
できる。
本発明において、混晶率Ｘ一定層のＸの値は０．４以上
１未満の間で選ぶことができるが、Ｘが０．４未満では
直接遷移型発光メカニズムによる赤色発光であり、アイ
ソエレクトロニック・トラップによるエキシトン発光は
行われないので窒素原子の添加は不要となる。
１未満の間で選ぶことができるが、Ｘが０．４未満では
直接遷移型発光メカニズムによる赤色発光であり、アイ
ソエレクトロニック・トラップによるエキシトン発光は
行われないので窒素原子の添加は不要となる。
混晶率Ｘが０．４以上１未満の範囲では、窒素原子の添
加が必要で、これがないとこれからつくられる発光ダイ
オードの発光強度は実用的に充分なものではない、この
ように混晶率Ｘを０．４以上１未満の範囲で選ぶことに
よって発光スペクトルを赤色から緑色まで任意に選ぶこ
とができる。
加が必要で、これがないとこれからつくられる発光ダイ
オードの発光強度は実用的に充分なものではない、この
ように混晶率Ｘを０．４以上１未満の範囲で選ぶことに
よって発光スペクトルを赤色から緑色まで任意に選ぶこ
とができる。
次に実施例および比較例をあげて本発明を説明するが、
ここにあげた実施例によって本発明が限定されるもので
はない。
ここにあげた実施例によって本発明が限定されるもので
はない。
丈轟薯
下記の方法により、第１図（ａ）および第１図（ｂ）に
示す構造の黄色発光ダイオード用ＧａＡ Ｓ ？ −ｘ
ｐＸエピタキシャルウェーハを製造した。テルル（Ｔ
ｅ）を２．５ｘ１０１７原子／ｃ１３添加した結晶方位
＜ｉｏｏ＞のＧａＰ単結晶棒を、（１００）より＜１１
０＞の方向に５偏位させて厚さ約３５０終にスライスし
、通常の化学エツチングと機械化学研摩を施して、厚さ
約３００１ＬのＧａＰ鏡面ウェつ八をへ、これを基板と
して用いた。
示す構造の黄色発光ダイオード用ＧａＡ Ｓ ？ −ｘ
ｐＸエピタキシャルウェーハを製造した。テルル（Ｔ
ｅ）を２．５ｘ１０１７原子／ｃ１３添加した結晶方位
＜ｉｏｏ＞のＧａＰ単結晶棒を、（１００）より＜１１
０＞の方向に５偏位させて厚さ約３５０終にスライスし
、通常の化学エツチングと機械化学研摩を施して、厚さ
約３００１ＬのＧａＰ鏡面ウェつ八をへ、これを基板と
して用いた。
また、反応ガスとしては、水素（Ｎ２） 、 Ｎ２希釈
した濃度５０ｐｐｍの硫化水素（Ｎ２ Ｓ ｎ型不純
物）、Ｎ２希釈の１％砒化水素（Ａ ｓ Ｈ３）、Ｎ２
希釈の１０％の燐化水素（ＰＨ３）、高純度塩化水素（
ＨＣｌ）および高純度アンモニアガス（ＮＨ）を使用し
た（以後上記ガスを各＃Ｈ２，Ｈ２Ｓ／Ｈ，，，ＡｓＨ
３／Ｈ２，ＰＨ３／Ｈ２、ＨＣｆＬおよびＮＨ３と略記
する）、まず縦型石英製反応機内の所定の場所に洗浄し
た前記ＧａＰ単結晶基板と高純度Ｇａを収容した石英容
器とをセットした。
した濃度５０ｐｐｍの硫化水素（Ｎ２ Ｓ ｎ型不純
物）、Ｎ２希釈の１％砒化水素（Ａ ｓ Ｈ３）、Ｎ２
希釈の１０％の燐化水素（ＰＨ３）、高純度塩化水素（
ＨＣｌ）および高純度アンモニアガス（ＮＨ）を使用し
た（以後上記ガスを各＃Ｈ２，Ｈ２Ｓ／Ｈ，，，ＡｓＨ
３／Ｈ２，ＰＨ３／Ｈ２、ＨＣｆＬおよびＮＨ３と略記
する）、まず縦型石英製反応機内の所定の場所に洗浄し
た前記ＧａＰ単結晶基板と高純度Ｇａを収容した石英容
器とをセットした。
反応機内に高純度窒素ガス（Ｎ２）、つづいてキャリア
ガスとしての高純度水素ガス（Ｎ２）を導入して機内を
充分に置換した後、昇温を始めた。上記ＧａＰ基板領域
の温度が８８０℃に達したならば、その温度をさらに１
０分間保持した後、黄色発光ダイオード用ＧａＡｓ１−
ｘＰ、エピタキシャル膜の気相成長を以下の手順により
開始した。
ガスとしての高純度水素ガス（Ｎ２）を導入して機内を
充分に置換した後、昇温を始めた。上記ＧａＰ基板領域
の温度が８８０℃に達したならば、その温度をさらに１
０分間保持した後、黄色発光ダイオード用ＧａＡｓ１−
ｘＰ、エピタキシャル膜の気相成長を以下の手順により
開始した。
まず始めに、ＨＳ／Ｉ（２を毎分１０ｃｃの流量で導入
し、他方ＨＣＪＩを毎分５８ｃｃの流量で導入して石英
容器内のＧａと反応させＧａ０文を形成し、同時に導入
した流量が毎分２５０ｃｃのＰＨ３／Ｈ２とによりＧａ
Ｐ単結晶基板１上に厚さ約５ルのＧａＰエピタキシャル
ＭＩ２を成長させた。
し、他方ＨＣＪＩを毎分５８ｃｃの流量で導入して石英
容器内のＧａと反応させＧａ０文を形成し、同時に導入
した流量が毎分２５０ｃｃのＰＨ３／Ｈ２とによりＧａ
Ｐ単結晶基板１上に厚さ約５ルのＧａＰエピタキシャル
ＭＩ２を成長させた。
次に上記層ｚ上に、Ｘ変化層を次の方法によりエピタキ
シャル成長させた。
シャル成長させた。
最初に前記ＨＳ／Ｎ２、ＨＣｌおよびＰＨ３／Ｈ２の毎
分の流量を各々１０ｃｃ、５８ｃｃおよび２５０ｃｃに
保ちながら、ＡｓＨ／Ｈ）流量を毎分Ｏｃｃから１７０
ｃｃまで徐々に変化させて、混晶率Ｘが１から約０．８
まで変化する厚さ約１８終のＸ変化層３を形成した−
Ａ ｓ Ｈ３／Ｈ２の流量が毎分Ｏｃｃから１７０ｃｃ
に変化する間、基板領域の温度を８８０℃から８２０℃
に徐々に低下させた。以後この基板領域の温度は全エピ
タキシャルＩ！！１ＩＩＩｔ長終了まで８２０℃に固定
した。つぎにＨＳ／Ｎ２．ＨＣｌおよびＰＨ３７Ｎ２の
流量を各々毎分１０ｃｃ、５８ｃｃおよび２５０ｃｃに
保ちながら、ＡＳＨ３／Ｈ２の流量を毎分１７０ｃｃか
ら２６０ｃｃまで徐々に増加させ（この間Ｘが約０．９
から約０．８５まで変化）。
分の流量を各々１０ｃｃ、５８ｃｃおよび２５０ｃｃに
保ちながら、ＡｓＨ／Ｈ）流量を毎分Ｏｃｃから１７０
ｃｃまで徐々に変化させて、混晶率Ｘが１から約０．８
まで変化する厚さ約１８終のＸ変化層３を形成した−
Ａ ｓ Ｈ３／Ｈ２の流量が毎分Ｏｃｃから１７０ｃｃ
に変化する間、基板領域の温度を８８０℃から８２０℃
に徐々に低下させた。以後この基板領域の温度は全エピ
タキシャルＩ！！１ＩＩＩｔ長終了まで８２０℃に固定
した。つぎにＨＳ／Ｎ２．ＨＣｌおよびＰＨ３７Ｎ２の
流量を各々毎分１０ｃｃ、５８ｃｃおよび２５０ｃｃに
保ちながら、ＡＳＨ３／Ｈ２の流量を毎分１７０ｃｃか
ら２６０ｃｃまで徐々に増加させ（この間Ｘが約０．９
から約０．８５まで変化）。
同時にＮＨ３の流量も毎分Ｏｃｃから４００ｃｃまで徐
々に増加させ、窒素添加量を増しながら厚さ約１７μの
Ｘ変化層４を形成した。
々に増加させ、窒素添加量を増しながら厚さ約１７μの
Ｘ変化層４を形成した。
最後にＮ２Ｓ／Ｈ２、ＨＣｌ、ＰＨ３／Ｈ，。
ＡｓＨ／ＨおよびＮＨ３の流量を各々毎分１０ｃｃ、５
８ｃｃ、２５０ｃｃ、２６０ｃｃおよび４００ｃｃに固
定して所望の濃度Ｎ１ を保つよう窒素原子を添加した
厚さ約３０１ＬのＸ一定理５を形成し、黄色発光ダイオ
ード用間接遷移盟ＧａＡｓ Ｐ エピタキシャル
膜、すなわちＧａ１−ｘ × Ａｓ Ｐ エピタキシャル膜の成長を終了し０
．１５ ０．８５ た。
８ｃｃ、２５０ｃｃ、２６０ｃｃおよび４００ｃｃに固
定して所望の濃度Ｎ１ を保つよう窒素原子を添加した
厚さ約３０１ＬのＸ一定理５を形成し、黄色発光ダイオ
ード用間接遷移盟ＧａＡｓ Ｐ エピタキシャル
膜、すなわちＧａ１−ｘ × Ａｓ Ｐ エピタキシャル膜の成長を終了し０
．１５ ０．８５ た。
よ蚊１
下記の方法により、第２図（＆）および第２図（ｂ）に
示す構造の従来技術による強色発光ダイオード用ＧａＡ
Ｓ１−ＸＰｘエピタキシャルウェー八を製造した。
示す構造の従来技術による強色発光ダイオード用ＧａＡ
Ｓ１−ＸＰｘエピタキシャルウェー八を製造した。
実施例と同じ方法で、ＧａＰ単結晶基板１１上に、Ｇａ
Ｐエピタキシャル層１２、Ｘ変化層１３（実施例の３．
４に相当する。ただし窒素原子は添加しない、）を成長
させた後、Ｎ２Ｓ／Ｈ２、ＨＣｕ、ＰＨ／ＨおよびＡＳ
Ｈ３／Ｈ２の３ ２ゝ 流量を各々毎分１０ｃｃ、５８ＣＣ，２５０ｃｃおよび
２６０ｃｃに固定し、厚さ約１０１ＬのＸ−定理１４を
成長させた。最後にＨ３／Ｈ２，ＨＣＬ ＰＨ３／Ｈ２
，およびＡｓＨ３／Ｈ２の流量を各々毎分１０ｃｃ、５
８ＣＣ，２５０ｃｃおよび２６０ｃｃに保ちなからＮＨ
の流量を毎分０ｃｃから４００ｃｃに増加し、ついでＨ
２ＳｌＨ２，ＨＣｆｆｉ、ＰＨ３７Ｈ２，Ａｓ）Ｉ３／
Ｈ２およびＮＨ３の流量を各々毎分１０ｃｃ、５８０Ｃ
１２５０ｃｃ、２６０ｃｃおよび４００ｃｃに固定して
、所望の濃度Ｎ に窒素原子を添加し厚さ約２５路の窒
素添加Ｘ一定暦１５を形成し、数色発光ダイオード用間
接遷移型ＧａＡｓ ＰＯ，１５０，８５ エピタキシャルウェーハを製造した。
Ｐエピタキシャル層１２、Ｘ変化層１３（実施例の３．
４に相当する。ただし窒素原子は添加しない、）を成長
させた後、Ｎ２Ｓ／Ｈ２、ＨＣｕ、ＰＨ／ＨおよびＡＳ
Ｈ３／Ｈ２の３ ２ゝ 流量を各々毎分１０ｃｃ、５８ＣＣ，２５０ｃｃおよび
２６０ｃｃに固定し、厚さ約１０１ＬのＸ−定理１４を
成長させた。最後にＨ３／Ｈ２，ＨＣＬ ＰＨ３／Ｈ２
，およびＡｓＨ３／Ｈ２の流量を各々毎分１０ｃｃ、５
８ＣＣ，２５０ｃｃおよび２６０ｃｃに保ちなからＮＨ
の流量を毎分０ｃｃから４００ｃｃに増加し、ついでＨ
２ＳｌＨ２，ＨＣｆｆｉ、ＰＨ３７Ｈ２，Ａｓ）Ｉ３／
Ｈ２およびＮＨ３の流量を各々毎分１０ｃｃ、５８０Ｃ
１２５０ｃｃ、２６０ｃｃおよび４００ｃｃに固定して
、所望の濃度Ｎ に窒素原子を添加し厚さ約２５路の窒
素添加Ｘ一定暦１５を形成し、数色発光ダイオード用間
接遷移型ＧａＡｓ ＰＯ，１５０，８５ エピタキシャルウェーハを製造した。
つぎに、前記実施例および比較例に示す方法によって得
た黄色発光ダイオード用エピタキシャルウェーハにＺｎ
拡散を行ってＰ−Ｎ接合を形成し、強色発光ダイオード
を製作した。こうして得た実施例、比較例による負色発
光ダイオード（樹脂コートなし）の発光輝度（ミリカン
デラｍｃｄ）は次表の如くであった。
た黄色発光ダイオード用エピタキシャルウェーハにＺｎ
拡散を行ってＰ−Ｎ接合を形成し、強色発光ダイオード
を製作した。こうして得た実施例、比較例による負色発
光ダイオード（樹脂コートなし）の発光輝度（ミリカン
デラｍｃｄ）は次表の如くであった。
注：輝度は順方向電流をＩＯＡ／ｃｒｎ’に保ったとき
の５ランの平均値である。
の５ランの平均値である。
以上は基板として燐化ガリウム（ＧａＰ）を使った場合
について述べたが、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）を使って
もよい。
について述べたが、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）を使って
もよい。
及且ｎ羞】
表に示す如く１本発明の方法により得られるＧ ａＡ
Ｓｌ−ｘ ｐｘエピタキシャル膜を用Ｉ１１た発光ダイ
オードは、従来の方法によるものに比べ約３０％の一度
向上が達成された。したがって本発明により製造したＧ
ａＡｓ、ＸＰｘエピタキシャル膜を有するウェー／−は
、発光ダイオード用材料として産業上有為なものである
。
Ｓｌ−ｘ ｐｘエピタキシャル膜を用Ｉ１１た発光ダイ
オードは、従来の方法によるものに比べ約３０％の一度
向上が達成された。したがって本発明により製造したＧ
ａＡｓ、ＸＰｘエピタキシャル膜を有するウェー／−は
、発光ダイオード用材料として産業上有為なものである
。
第１図（ａ）は本発明による黄色発光ダイオ−Ｆ 用Ｇ
ａ Ａ ｓ １−ＸＰ ｘエピタキシャルウェーハ＼
を例示した断面図、第１図（ｂ）はそのウヱーノ＼の窒
素濃度分布を示す説明図を示し、第２図Ｃりは従来法に
よる黄色発光ダイオード用Ｇａ”１−ｘＰｘエピタキシ
ャルウェーハの断面図、第２図（ｂ）はそのウェーハの
窒素濃度分布を示す説明図である。 １．１１・・・ＧａＰ単結晶基板。 ２．１２・・・ＧａＰエピタキシャル層、３．１３・・
・Ｘ変化層。 ４・φ・窒素添加Ｘ変化層、 １４・Φ拳Ｘ一定月１゜ ５．１５−争・窒素添加Ｘ一定定理 Ｎ 、Ｎ ・・・所望の窒素濃度値。 特許出即人 信越半導体株式会社 手続補正帯 昭和６０年２月８日
ａ Ａ ｓ １−ＸＰ ｘエピタキシャルウェーハ＼
を例示した断面図、第１図（ｂ）はそのウヱーノ＼の窒
素濃度分布を示す説明図を示し、第２図Ｃりは従来法に
よる黄色発光ダイオード用Ｇａ”１−ｘＰｘエピタキシ
ャルウェーハの断面図、第２図（ｂ）はそのウェーハの
窒素濃度分布を示す説明図である。 １．１１・・・ＧａＰ単結晶基板。 ２．１２・・・ＧａＰエピタキシャル層、３．１３・・
・Ｘ変化層。 ４・φ・窒素添加Ｘ変化層、 １４・Φ拳Ｘ一定月１゜ ５．１５−争・窒素添加Ｘ一定定理 Ｎ 、Ｎ ・・・所望の窒素濃度値。 特許出即人 信越半導体株式会社 手続補正帯 昭和６０年２月８日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、単結晶基板表面上に、燐化砒化ガリウム（ＧａＡｓ
＿１＿−＿ｘＰ＿ｘ）よりなるエピタキシャル膜を気相
成長させる方法において、該エピタキシャル膜を基板と
同一成分からなる層、混晶率ｘ変化層、混晶率ｘ一定層
（ただし、０．４≦ｘ＜１）の順に成長させると共に、
アイソエレクトロニック・トラップとなる窒素原子の添
加を基板と同一成分からなる層および混晶率ｘ変化層の
任意の点から開始し、混晶率ｘ変化層と混晶率ｘ一定層
の変換点の近傍で所望の値となるようにすることを特徴
とする燐化砒化ガリウムエピタキシャル膜の成長方法。 ２、窒素原子の添加を所望の濃度まで徐々に増加して行
うことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項
記載の方法。 ３、単結晶基板は燐化ガリウム（ＧａＰ）または砒化ガ
リウム（ＧａＡｓ）より選ばれることを特徴とする特許
請求の範囲第１項または第２項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22495684A JPS61106497A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 燐化砒化ガリウムエピタキシヤル膜の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22495684A JPS61106497A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 燐化砒化ガリウムエピタキシヤル膜の成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61106497A true JPS61106497A (ja) | 1986-05-24 |
| JPH0463040B2 JPH0463040B2 (ja) | 1992-10-08 |
Family
ID=16821823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22495684A Granted JPS61106497A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 燐化砒化ガリウムエピタキシヤル膜の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61106497A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6048397A (en) * | 1997-01-06 | 2000-04-11 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | GaAsP epitaxial wafer and a method for manufacturing it |
| US7928424B2 (en) * | 2004-03-11 | 2011-04-19 | Epistar Corporation | Nitride-based light-emitting device |
| US8562738B2 (en) | 2004-03-11 | 2013-10-22 | Epistar Corporation | Nitride-based light-emitting device |
| US9524869B2 (en) | 2004-03-11 | 2016-12-20 | Epistar Corporation | Nitride-based semiconductor light-emitting device |
| US10483306B2 (en) * | 2016-03-30 | 2019-11-19 | Sony Corporation | Photoelectric conversion element and photoelectric conversion device |
-
1984
- 1984-10-25 JP JP22495684A patent/JPS61106497A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6048397A (en) * | 1997-01-06 | 2000-04-11 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | GaAsP epitaxial wafer and a method for manufacturing it |
| US7928424B2 (en) * | 2004-03-11 | 2011-04-19 | Epistar Corporation | Nitride-based light-emitting device |
| US8536565B2 (en) | 2004-03-11 | 2013-09-17 | Epistar Corporation | Nitride-based light-emitting device |
| US8562738B2 (en) | 2004-03-11 | 2013-10-22 | Epistar Corporation | Nitride-based light-emitting device |
| US9524869B2 (en) | 2004-03-11 | 2016-12-20 | Epistar Corporation | Nitride-based semiconductor light-emitting device |
| US10553749B2 (en) | 2004-03-11 | 2020-02-04 | Epistar Corporation | Nitride-based semiconductor light-emitting device |
| US10483306B2 (en) * | 2016-03-30 | 2019-11-19 | Sony Corporation | Photoelectric conversion element and photoelectric conversion device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0463040B2 (ja) | 1992-10-08 |
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