JPH0728080B2 - 半導体超格子構造体 - Google Patents
半導体超格子構造体Info
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- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 14
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は発光材料等への利用が可能な半導体超格子構造
体に関する。
体に関する。
(従来技術とその問題点) III−V化合物半導体を用いた半導体レーザの最短発光
波長は、厚さ数100Å以上の均一な半導体層を活性層と
して用いる通常型の半導体レーザでは、直接遷移型エネ
ルギーギャップEgの最大値で制限されている。すなわち
Al0.45In0.55PにおけるEg=2.3eVに対応する波長λg
〜540nmが最短波長である。現実にはGaAs基板に格子定
数を一致させた型のAlxGayIn1-x-yPがIII−V化合物半
導体を用いて実現しうる最短波長の材料として考えられ
ている(エレクトロニクスレターズ(Electron.Lett.)
18巻,1982年,62ページ)。この場合直接遷移型エネルギ
ーギャップの最大値は2.2eVであり、発光最短波長は緑
色の560nmに相当する。
波長は、厚さ数100Å以上の均一な半導体層を活性層と
して用いる通常型の半導体レーザでは、直接遷移型エネ
ルギーギャップEgの最大値で制限されている。すなわち
Al0.45In0.55PにおけるEg=2.3eVに対応する波長λg
〜540nmが最短波長である。現実にはGaAs基板に格子定
数を一致させた型のAlxGayIn1-x-yPがIII−V化合物半
導体を用いて実現しうる最短波長の材料として考えられ
ている(エレクトロニクスレターズ(Electron.Lett.)
18巻,1982年,62ページ)。この場合直接遷移型エネルギ
ーギャップの最大値は2.2eVであり、発光最短波長は緑
色の560nmに相当する。
一方半導体レーザの用途としてはより短波長の青緑色な
いし青色領域の利用が考えられるが、上記の理由でIII
−V化合物半導体によることが困難とされている。
いし青色領域の利用が考えられるが、上記の理由でIII
−V化合物半導体によることが困難とされている。
(発明の目的) 本発明の目的は、上に述べた困難を除去し、III−V化
合物半導体を用いてλg<560nmの短波長可視光レーザ
を実現しうる半導体の構造体を提供することにある。
合物半導体を用いてλg<560nmの短波長可視光レーザ
を実現しうる半導体の構造体を提供することにある。
(発明の構成) 本発明の半導体超格子構造体は異なる半導体材料を周期
的に積層してなる半導体超格子構造であって、前記半導
体超格子構造は、1〜10原子層以下の層厚のAlP,GaP,In
Pからなる単位構造の数10〜数100単位より形成され、そ
の平均組成であるAlXGaYIn1-X-YP混晶が間接遷移型であ
ることを特徴とする。
的に積層してなる半導体超格子構造であって、前記半導
体超格子構造は、1〜10原子層以下の層厚のAlP,GaP,In
Pからなる単位構造の数10〜数100単位より形成され、そ
の平均組成であるAlXGaYIn1-X-YP混晶が間接遷移型であ
ることを特徴とする。
(発明の作用・原理) 本発明は半導体超格子構造体のエネルギーギャップが、
同一組成の均一な混晶もしくは二元化合物のエネルギー
ギャップが間接遷移型であっても、超格子構造の導入に
よる周期的構造のために直接遷移型になりうることに基
づいている。AlxGayIn1-x-yPの均一な混晶はGaAsに格子
定数が一致する組成において、x0.21では電子エネル
ギーの伝導帯下端と価電子帯上端がともに波数ベクトル
空間(ブリルアン域)の にあり直接遷移型であるのに対し、x>0.21では伝導帯
下端が に移るために間接遷移型となって発光材料として不適当
となる。これに対し結晶構造に格子定数aの整数倍から
成る周期構造が導入された場合には波数ベクトル空間は
周期の大きさに応じて縮小を受けることになる。例えば
周期が格子定数のN倍であれば周期構造の形成された方
向の波数ベクトル空間の大きさは1/Nに縮小される。と
くに周期構造が結晶の<100>方向に沿って形成されか
つ超周期Nが偶数であればいわゆるバンドフォールディ
ング効果によりX点のエネルギーはΓ点に移ることにな
る。これはエネルギーギャップがその大きさを変えない
まま直接遷移型に変換されることに外ならない。
同一組成の均一な混晶もしくは二元化合物のエネルギー
ギャップが間接遷移型であっても、超格子構造の導入に
よる周期的構造のために直接遷移型になりうることに基
づいている。AlxGayIn1-x-yPの均一な混晶はGaAsに格子
定数が一致する組成において、x0.21では電子エネル
ギーの伝導帯下端と価電子帯上端がともに波数ベクトル
空間(ブリルアン域)の にあり直接遷移型であるのに対し、x>0.21では伝導帯
下端が に移るために間接遷移型となって発光材料として不適当
となる。これに対し結晶構造に格子定数aの整数倍から
成る周期構造が導入された場合には波数ベクトル空間は
周期の大きさに応じて縮小を受けることになる。例えば
周期が格子定数のN倍であれば周期構造の形成された方
向の波数ベクトル空間の大きさは1/Nに縮小される。と
くに周期構造が結晶の<100>方向に沿って形成されか
つ超周期Nが偶数であればいわゆるバンドフォールディ
ング効果によりX点のエネルギーはΓ点に移ることにな
る。これはエネルギーギャップがその大きさを変えない
まま直接遷移型に変換されることに外ならない。
従ってAlxGayIn1-x-yPにおいても<100>方向に超周期
構造を導入してやることにより、均一混晶相において間
接遷移型であるようなエネルギー域においても直接遷移
型とすることができる。実際には混晶材料のままよく定
義された周期構造を形成することは困難であるのでAlP,
GapおよびInPを積層した周期構造を用いるのが有利であ
る。さらに周期の一単位は二元化合物の特性が顕著とな
らない大きさ、すなわち電子のドーブロイ波長以下であ
るような1〜10原子層程度であることが要求される。
構造を導入してやることにより、均一混晶相において間
接遷移型であるようなエネルギー域においても直接遷移
型とすることができる。実際には混晶材料のままよく定
義された周期構造を形成することは困難であるのでAlP,
GapおよびInPを積層した周期構造を用いるのが有利であ
る。さらに周期の一単位は二元化合物の特性が顕著とな
らない大きさ、すなわち電子のドーブロイ波長以下であ
るような1〜10原子層程度であることが要求される。
(実施例) 以下本発明の有利な特性を用いた実施例について説明す
る。
る。
図は、本発明による<100>方向に超周期構造を有するG
aAs基板上に形成した超格子構造体である。InP(2A)−
AlP(3A)−InP(2B)−GaP(4)−InP(2C)−AlP(3
B)を単位構造とする超格子であり、各層は単原子層か
ら成っている。超格子構造体は少なくとも数10〜数100
単位より形成される。組成的にはAl0.33Ga0.17In0.5P
に一致し、混晶であれば間接遷移型となるが超周期構造
のためにEg=2.35eVの直接遷移型となる。単位構造とし
ては数原子層程度の2元化合物層を種々の仕方で積層し
たものが考えられるが、いずれにせよ超周期構造による
直接遷移型エネルギーギャップへの変換効果を利用する
ことには変わりはない。
aAs基板上に形成した超格子構造体である。InP(2A)−
AlP(3A)−InP(2B)−GaP(4)−InP(2C)−AlP(3
B)を単位構造とする超格子であり、各層は単原子層か
ら成っている。超格子構造体は少なくとも数10〜数100
単位より形成される。組成的にはAl0.33Ga0.17In0.5P
に一致し、混晶であれば間接遷移型となるが超周期構造
のためにEg=2.35eVの直接遷移型となる。単位構造とし
ては数原子層程度の2元化合物層を種々の仕方で積層し
たものが考えられるが、いずれにせよ超周期構造による
直接遷移型エネルギーギャップへの変換効果を利用する
ことには変わりはない。
(発明の効果) 以上説明したように、各層がAlP,GaP,InPの1ないし10
原子層程度の一定の層厚を有しているような半導体超格
子構造体を半導体レーザの活性層として用いることによ
り、波長560nm以下の短波長発光を有する半導体レーザ
を実現できる。
原子層程度の一定の層厚を有しているような半導体超格
子構造体を半導体レーザの活性層として用いることによ
り、波長560nm以下の短波長発光を有する半導体レーザ
を実現できる。
図は本発明における超格子構造体の一実施例を示す図で
ある。図において、1……GaAs基板,2Aないし2C……InP
単原子層,3Aないし3B……AlP単原子層,4……GaP単原子
層,5……2ないし4より成る単位構造の繰り返しによる
超格子の他の周期部分。
ある。図において、1……GaAs基板,2Aないし2C……InP
単原子層,3Aないし3B……AlP単原子層,4……GaP単原子
層,5……2ないし4より成る単位構造の繰り返しによる
超格子の他の周期部分。
Claims (1)
- 【請求項1】異なる半導体材料を周期的に積層してなる
半導体超格子構造であって、前記半導体超格子構造は、
1〜10原子層以下の層厚のAlP,GaP,InPからなる単位構
造の数10〜数100単位より形成され、その平均組成であ
るAlXGaYIn1-X-YP混晶が間接遷移型であることを特徴と
する半導体超格子構造体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59200207A JPH0728080B2 (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 半導体超格子構造体 |
EP85112133A EP0176087B1 (en) | 1984-09-25 | 1985-09-24 | Semiconductor superlattice structure |
DE85112133T DE3587451T2 (de) | 1984-09-25 | 1985-09-24 | Halbleiterübergitterstruktur. |
US06/779,756 US4675708A (en) | 1984-09-25 | 1985-09-24 | Semiconductor superlattice structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59200207A JPH0728080B2 (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 半導体超格子構造体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6178189A JPS6178189A (ja) | 1986-04-21 |
JPH0728080B2 true JPH0728080B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=16420584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59200207A Expired - Lifetime JPH0728080B2 (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 半導体超格子構造体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4675708A (ja) |
EP (1) | EP0176087B1 (ja) |
JP (1) | JPH0728080B2 (ja) |
DE (1) | DE3587451T2 (ja) |
Families Citing this family (15)
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---|---|---|---|---|
JPH0669109B2 (ja) * | 1984-12-07 | 1994-08-31 | シャ−プ株式会社 | 光半導体装置 |
JPS61136803A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-24 | 極東開発工業株式会社 | 塵芥収集車の押込機構 |
JPS61210679A (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-18 | Sony Corp | 半導体装置 |
JPS61244086A (ja) * | 1985-04-22 | 1986-10-30 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
KR900002687B1 (ko) * | 1985-12-16 | 1990-04-23 | 후지쓰가부시끼가이샤 | Mbe법에 의한 기판에 격자 정합시키는 4원 또는 5원 흔정 반도체의 성장방법 |
JPS63153887A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-06-27 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
US4769341A (en) * | 1986-12-29 | 1988-09-06 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Method of fabricating non-silicon materials on silicon substrate using an alloy of Sb and Group IV semiconductors |
JP2544378B2 (ja) * | 1987-03-25 | 1996-10-16 | 株式会社日立製作所 | 光半導体装置 |
JP2612572B2 (ja) * | 1987-04-14 | 1997-05-21 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子 |
EP0323249B1 (en) * | 1987-12-29 | 1993-11-03 | Nec Corporation | Semiconductor crystal structure and a process for producing the same |
US4905056A (en) * | 1988-09-30 | 1990-02-27 | Berndt Dale F | Superlattice precision voltage reference |
JPH11509047A (ja) * | 1996-04-24 | 1999-08-03 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 放射放出半導体ダイオード及びその製造方法 |
US6570179B1 (en) | 1998-01-14 | 2003-05-27 | Mp Technologies, Llc | III-V semiconductors separate confinement superlattice optoelectronic devices |
GB2344932A (en) * | 1998-12-15 | 2000-06-21 | Sharp Kk | Semiconductor Laser with gamma and X electron barriers |
US6586762B2 (en) | 2000-07-07 | 2003-07-01 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device with improved lifetime and high output power |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4205329A (en) * | 1976-03-29 | 1980-05-27 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Periodic monolayer semiconductor structures grown by molecular beam epitaxy |
US4261771A (en) * | 1979-10-31 | 1981-04-14 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method of fabricating periodic monolayer semiconductor structures by molecular beam epitaxy |
JPH0669109B2 (ja) * | 1984-12-07 | 1994-08-31 | シャ−プ株式会社 | 光半導体装置 |
-
1984
- 1984-09-25 JP JP59200207A patent/JPH0728080B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-09-24 DE DE85112133T patent/DE3587451T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1985-09-24 EP EP85112133A patent/EP0176087B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-09-24 US US06/779,756 patent/US4675708A/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JapaneseJournalofAppliedPhysicsVol.22No.11November1983PP.L680〜L682 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3587451T2 (de) | 1994-01-20 |
JPS6178189A (ja) | 1986-04-21 |
EP0176087A2 (en) | 1986-04-02 |
DE3587451D1 (de) | 1993-08-19 |
EP0176087A3 (en) | 1988-06-01 |
EP0176087B1 (en) | 1993-07-14 |
US4675708A (en) | 1987-06-23 |
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