JPH11204834A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子の製造方法Info
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- JPH11204834A JPH11204834A JP2537298A JP2537298A JPH11204834A JP H11204834 A JPH11204834 A JP H11204834A JP 2537298 A JP2537298 A JP 2537298A JP 2537298 A JP2537298 A JP 2537298A JP H11204834 A JPH11204834 A JP H11204834A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 より長寿命で、より信頼性の高い半導体発光
素子を得ることができるようにする。 【解決手段】 本発明による半導体発光素子の製造方
法は、ＩＩ族としてＺｎ、Ｂｅ、Ｍｇ、ＣｄまたはＨｇ
のうち少なくとも１種類以上の元素と、ＶＩ族としてＳ
ｅ、Ｓ、Ｔｅのうちの少なくとも１種類以上の元素を用
いたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体より成り、第１および第
２導電型クラッド層と活性層を有する半導体発光素子の
製造方法において、その活性層の成膜時のＶＩ族元素と
ＩＩ族元素との供給比ＶＩ／ＩＩ比を、１．１より大に
選定して、上記活性層の成膜を行う。
素子を得ることができるようにする。 【解決手段】 本発明による半導体発光素子の製造方
法は、ＩＩ族としてＺｎ、Ｂｅ、Ｍｇ、ＣｄまたはＨｇ
のうち少なくとも１種類以上の元素と、ＶＩ族としてＳ
ｅ、Ｓ、Ｔｅのうちの少なくとも１種類以上の元素を用
いたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体より成り、第１および第
２導電型クラッド層と活性層を有する半導体発光素子の
製造方法において、その活性層の成膜時のＶＩ族元素と
ＩＩ族元素との供給比ＶＩ／ＩＩ比を、１．１より大に
選定して、上記活性層の成膜を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子特
に緑色ないしは青色で発光がなされるＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体発光素子の製造方法に関する。
に緑色ないしは青色で発光がなされるＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体発光素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ディスクや光磁気ディスクに対
する記録／再生の高密度、高解像度の要求、あるいは高
輝度ディスプレー装置、低損失光ファイバー通信装置、
さらにはＤＮＡあるいは特定化学物質の光学式解析装置
などの開発の気運が高まっており、光源として緑色ない
しは青色で発光可能な半導体発光素子の開発が求められ
ている。
する記録／再生の高密度、高解像度の要求、あるいは高
輝度ディスプレー装置、低損失光ファイバー通信装置、
さらにはＤＮＡあるいは特定化学物質の光学式解析装置
などの開発の気運が高まっており、光源として緑色ない
しは青色で発光可能な半導体発光素子の開発が求められ
ている。
【０００３】このように緑色ないしは青色で発光可能な
半導体発光素子を構成する材料としては、ＩＩ族元素の
亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂ
ｅ）、カドミウム（Ｃｄ）、水銀（Ｈｇ）のうち少なく
とも１種とＶＩ族元素の酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、セレ
ン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）のうちの少なくとも１種と
から成るＩＩ−ＶＩ族化合物半導体が有望である。その
うち、クラッド層としてはＺｎＭｇＳＳｅ系を用いた材
料が、特に有望であり、電極をオーミックコンタクトす
るコンタクト層としてはＺｎＴｅ層およびＺｎＴｅ層を
含む超格子構造（たとえば、ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ超格子
によるもの、ＺｎＳｅＴｅの混晶により形成されること
が一般に行なわれている。
半導体発光素子を構成する材料としては、ＩＩ族元素の
亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂ
ｅ）、カドミウム（Ｃｄ）、水銀（Ｈｇ）のうち少なく
とも１種とＶＩ族元素の酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、セレ
ン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）のうちの少なくとも１種と
から成るＩＩ−ＶＩ族化合物半導体が有望である。その
うち、クラッド層としてはＺｎＭｇＳＳｅ系を用いた材
料が、特に有望であり、電極をオーミックコンタクトす
るコンタクト層としてはＺｎＴｅ層およびＺｎＴｅ層を
含む超格子構造（たとえば、ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ超格子
によるもの、ＺｎＳｅＴｅの混晶により形成されること
が一般に行なわれている。
【０００４】これらの構造は、例えば、ＭＢＥ（Molecu
lar Beam Epitaxy法：分子線結晶成長法）により成長さ
れる。
lar Beam Epitaxy法：分子線結晶成長法）により成長さ
れる。
【０００５】したがって、従来は、結晶性の不完全、も
しくは劣化の抑制の不十分性から、レーザー発振時に素
子が劣化し、長寿命たり得ないという問題点があった。
しくは劣化の抑制の不十分性から、レーザー発振時に素
子が劣化し、長寿命たり得ないという問題点があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来は、半導体発光素
子例えば半導体レーザーの劣化の１つには、主に活性層
内部またはその周辺の劣化もしくは破壊によるものがあ
り、より長寿命の寿命が得られないという問題点があっ
た。そこで、本発明は、上記問題点を解決するために、
特に、新たに活性層の成長条件を提供することにある。
子例えば半導体レーザーの劣化の１つには、主に活性層
内部またはその周辺の劣化もしくは破壊によるものがあ
り、より長寿命の寿命が得られないという問題点があっ
た。そこで、本発明は、上記問題点を解決するために、
特に、新たに活性層の成長条件を提供することにある。
【０００７】すなわち、半導体レーザー構造成長中の特
に活性層およびその周辺の成長条件をより最適化するこ
とにより、より高い結晶性の素子を提供することにあ
る。
に活性層およびその周辺の成長条件をより最適化するこ
とにより、より高い結晶性の素子を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体発光
素子の製造方法は、ＩＩ族としてＺｎ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃ
ｄまたはＨｇのうち少なくとも１種類以上の元素と、Ｖ
Ｉ族としてＳｅ、Ｓ、Ｔｅのうちの少なくとも１種類以
上の元素を用いたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体より成り、
第１および第２導電型クラッド層と活性層を有する半導
体発光素子の製造方法において、その活性層の成膜時の
ＶＩ族元素とＩＩ族元素との供給比ＶＩ／ＩＩ比を、
１．１より大に選定して、上記活性層の成膜を行う。
素子の製造方法は、ＩＩ族としてＺｎ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃ
ｄまたはＨｇのうち少なくとも１種類以上の元素と、Ｖ
Ｉ族としてＳｅ、Ｓ、Ｔｅのうちの少なくとも１種類以
上の元素を用いたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体より成り、
第１および第２導電型クラッド層と活性層を有する半導
体発光素子の製造方法において、その活性層の成膜時の
ＶＩ族元素とＩＩ族元素との供給比ＶＩ／ＩＩ比を、
１．１より大に選定して、上記活性層の成膜を行う。
【０００９】本発明における、成膜時におけるＶＩ族元
素とＩＩ族元素との供給比ＶＩ／ＩＩ比とは、後に詳細
に説明するが、この成膜に用いられる成膜装置におい
て、その成膜、特に活性層成長時に供給される分子線強
度の比を、ストイキオメトリーな条件を、ＶＩ／ＩＩ比
が１と定義するものである。
素とＩＩ族元素との供給比ＶＩ／ＩＩ比とは、後に詳細
に説明するが、この成膜に用いられる成膜装置におい
て、その成膜、特に活性層成長時に供給される分子線強
度の比を、ストイキオメトリーな条件を、ＶＩ／ＩＩ比
が１と定義するものである。
【００１０】上述したように、本発明製造方法において
は、活性層の成膜において、そのＶＩ／ＩＩ比を、１か
らプラス方向にずらすことに特徴を有し、これによって
従来の半導体発光素子に比し、その寿命が格段に改善す
ることができた。すなわち、従来の思想においては、Ｖ
Ｉ／ＩＩ比が１であることが最も良い結晶性を示し、か
つ、その場合に最も長い寿命の半導体発光素子が得られ
るものであるとされていたものであるが、本発明方法に
おいては、この考えを覆したものである。
は、活性層の成膜において、そのＶＩ／ＩＩ比を、１か
らプラス方向にずらすことに特徴を有し、これによって
従来の半導体発光素子に比し、その寿命が格段に改善す
ることができた。すなわち、従来の思想においては、Ｖ
Ｉ／ＩＩ比が１であることが最も良い結晶性を示し、か
つ、その場合に最も長い寿命の半導体発光素子が得られ
るものであるとされていたものであるが、本発明方法に
おいては、この考えを覆したものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明による半導体発光素子の製
造方法の実施の形態を説明する。本発明による半導体発
光素子例えば半導体レーザの製造方法において、前述し
たように、ＩＩ族としてＺｎ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃｄまたは
Ｈｇのうち少なくとも１種類以上の元素と、ＶＩ族とし
てＳｅ、Ｓ、Ｔｅのうちの少なくとも１種類以上の元素
を用いたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体より成り、第１およ
び第２導電型クラッド層と活性層を有する半導体発光素
子の製造方法において、その活性層の成膜時のＶＩ族元
素とＩＩ族元素との供給比ＶＩ／ＩＩ比を、１．１より
大に選定して、上記活性層の成膜を行うものである。
造方法の実施の形態を説明する。本発明による半導体発
光素子例えば半導体レーザの製造方法において、前述し
たように、ＩＩ族としてＺｎ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃｄまたは
Ｈｇのうち少なくとも１種類以上の元素と、ＶＩ族とし
てＳｅ、Ｓ、Ｔｅのうちの少なくとも１種類以上の元素
を用いたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体より成り、第１およ
び第２導電型クラッド層と活性層を有する半導体発光素
子の製造方法において、その活性層の成膜時のＶＩ族元
素とＩＩ族元素との供給比ＶＩ／ＩＩ比を、１．１より
大に選定して、上記活性層の成膜を行うものである。
【００１２】この活性層の成膜におけるＶＩ／ＩＩ比
は、１．１より大に選定するものであるが、より好まし
くは１．５より大、なかんづく１．５〜１０に選定す
る。ここに、ＶＩ／ＩＩ比を１．１より大、特に１．５
以上とするとき、よりすぐれた寿命の向上がはかられる
ものであり、さらにＶＩ／ＩＩ比の範囲を１．５〜３．
０の間で成長することによってさらに長寿命であり、信
頼性の高い半導体発光素子を作製することができる。そ
して、成膜装置の上から、ＶＩ／ＩＩ比が１０として
も、寿命向上の効果はさほど高まらず、原料特にＶＩ族
元素の無駄が大きくなるにすぎないことが認められた。
は、１．１より大に選定するものであるが、より好まし
くは１．５より大、なかんづく１．５〜１０に選定す
る。ここに、ＶＩ／ＩＩ比を１．１より大、特に１．５
以上とするとき、よりすぐれた寿命の向上がはかられる
ものであり、さらにＶＩ／ＩＩ比の範囲を１．５〜３．
０の間で成長することによってさらに長寿命であり、信
頼性の高い半導体発光素子を作製することができる。そ
して、成膜装置の上から、ＶＩ／ＩＩ比が１０として
も、寿命向上の効果はさほど高まらず、原料特にＶＩ族
元素の無駄が大きくなるにすぎないことが認められた。
【００１３】そして、この本発明方法によって製造する
半導体発光素子としては、その活性層が、ＺｎＣｄＳｅ
またはＺｎＣｄＳＳｅ層、あるいはＺｎＣｄＢｅＳｅ層
による場合において特に、効果的であることが確認され
た。
半導体発光素子としては、その活性層が、ＺｎＣｄＳｅ
またはＺｎＣｄＳＳｅ層、あるいはＺｎＣｄＢｅＳｅ層
による場合において特に、効果的であることが確認され
た。
【００１４】図１を参照して、本発明による半導体発光
素子の一例を説明する。図１は、半導体発光素子のＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体による青色半導体レーザーの場合
一例の概略断面図を示す。この例では、活性層が、単一
量子井戸構造とした場合であるが、単一量子井戸構造に
限られるものではなく、多重量子井戸構造とすることも
できる。そのほか、本発明による半導体発光素子は、こ
の図１で説明する例に限られるものではない。
素子の一例を説明する。図１は、半導体発光素子のＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体による青色半導体レーザーの場合
一例の概略断面図を示す。この例では、活性層が、単一
量子井戸構造とした場合であるが、単一量子井戸構造に
限られるものではなく、多重量子井戸構造とすることも
できる。そのほか、本発明による半導体発光素子は、こ
の図１で説明する例に限られるものではない。
【００１５】図１の例の例においては、第１導電型例え
ばｎ型の基板１上に、順次例えば分子線エピタキシー
（Molecular Beam Epitaxy：ＭＢＥ）法により、第１導
電型のバッファ層２、第１導電型クラッド層３、第１の
ガイド層４、量子井戸構造による活性層５、第２のガイ
ド層６、第２導電型例えばｐ型クラッド層７、第２導電
型の第１の半導体層８、第２導電型の第２の半導体層
９、第２導電型の超格子層１０、および第１導電型のコ
ンタクト層１１をエピタキシャル成長する。このエピタ
キシャル成長された積層半導体層のコンタクト層１１と
超格子層１０とを、その厚さ方向に横切ってストライプ
状の電流通路部を挟んでその両側にメサ溝をエッチング
液による化学的エッチング、あるいはドライエッチング
によって形成し、ここにＡｌ2 Ｏ3 等の絶縁層１２が埋
め込まれてなる。そして、コンタクト層１２上に一方の
電極１３がオーミックに被着され、基板の裏面に他方の
電極１４がオーミックに被着されてなる。
ばｎ型の基板１上に、順次例えば分子線エピタキシー
（Molecular Beam Epitaxy：ＭＢＥ）法により、第１導
電型のバッファ層２、第１導電型クラッド層３、第１の
ガイド層４、量子井戸構造による活性層５、第２のガイ
ド層６、第２導電型例えばｐ型クラッド層７、第２導電
型の第１の半導体層８、第２導電型の第２の半導体層
９、第２導電型の超格子層１０、および第１導電型のコ
ンタクト層１１をエピタキシャル成長する。このエピタ
キシャル成長された積層半導体層のコンタクト層１１と
超格子層１０とを、その厚さ方向に横切ってストライプ
状の電流通路部を挟んでその両側にメサ溝をエッチング
液による化学的エッチング、あるいはドライエッチング
によって形成し、ここにＡｌ2 Ｏ3 等の絶縁層１２が埋
め込まれてなる。そして、コンタクト層１２上に一方の
電極１３がオーミックに被着され、基板の裏面に他方の
電極１４がオーミックに被着されてなる。
【００１６】基板１は、例えば厚さが１００〜３５０μ
ｍであり、ｎ型不純物として珪素（Ｓｉ）を添加したｎ
型ＧａＡｓにより構成されている。バッファ層２は、例
えばＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体によるバッファ層２Ａ
と、第１および第２のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体による
バッファ層２Ｂおよび２Ｃとによって構成される。バッ
ファ層２Ａは、積層方向の厚さ（以下単に厚さという）
が２００ｎｍであり、ｎ型不純物として珪素を添加した
ｎ型ＧａＡｓにより、第１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層２
Ｂは、例えは厚さが２０ｎｍのｎ型不純物として塩素
（Ｃｌ）を添加したｎ型ＺｎＳｅにより、第２のＩＩ−
ＶＩ族バッファ層２Ｃは、例えば厚さが２００ｎｍのｎ
型不純物として塩素（Ｃｌ）を添加したｎ型ＺｎＳＳｅ
により構成される。第１導電型クラッド層３は、例え
ば、厚さが１μｍであり、ｎ型不純物として塩素を添加
したｎ型ＺｎＭｇＳＳｅ混晶により構成される。
ｍであり、ｎ型不純物として珪素（Ｓｉ）を添加したｎ
型ＧａＡｓにより構成されている。バッファ層２は、例
えばＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体によるバッファ層２Ａ
と、第１および第２のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体による
バッファ層２Ｂおよび２Ｃとによって構成される。バッ
ファ層２Ａは、積層方向の厚さ（以下単に厚さという）
が２００ｎｍであり、ｎ型不純物として珪素を添加した
ｎ型ＧａＡｓにより、第１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層２
Ｂは、例えは厚さが２０ｎｍのｎ型不純物として塩素
（Ｃｌ）を添加したｎ型ＺｎＳｅにより、第２のＩＩ−
ＶＩ族バッファ層２Ｃは、例えば厚さが２００ｎｍのｎ
型不純物として塩素（Ｃｌ）を添加したｎ型ＺｎＳＳｅ
により構成される。第１導電型クラッド層３は、例え
ば、厚さが１μｍであり、ｎ型不純物として塩素を添加
したｎ型ＺｎＭｇＳＳｅ混晶により構成される。
【００１７】第１のガイド層４は、例えば、厚さが１０
０ｎｍであり、例えばｎ型不純物として塩素を添加した
あるいは何も添加しないすなわちノンドープのＺｎＳＳ
ｅ混晶により構成される。このガイド層４を構成するＺ
ｎＳＳｅ混晶のＶＩ族元素における組成比は例えばＳ
（硫黄）が６％、Ｓｅ（セレン）が９４％とされる。活
性層５は、例えば、厚さが３．３ｎｍの単一量子井戸構
造を有したＺｎＣｄＳｅ混晶により構成される。そのＩ
Ｉ族元素の組成比はたとえば亜鉛が６７％、カドミウム
が３３％であり、格子定数が基板１の格子定数ａ
sub （ＧａＡｓの格子定数）よりも若干大きくなってい
る。第２のガイド層６は、例えば、厚さが１００ｎｍで
あり、例えばｐ型不純物として窒素（Ｎ）を添加したあ
るいは何も添加しないＺｎＳＳｅ混晶により構成されて
いる。このガイド層を構成するＺｎＳＳｅ混晶のＶＩ族
元素における組成比は硫黄が６％、セレンが９４％であ
る。第２導電型クラッド層７は、例えば、厚さが１μｍ
であり、ｐ型不純物として窒素を添加したｐ型ＺｎＭｇ
ＳＳｅ混晶により構成される。第１の半導体層８は、例
えば、厚さが２μｍであり、ｐ型不純物として窒素を添
加したｐ型ＺｎＳＳｅ混晶により構成される。第２の半
導体層９は、例えば、厚さが１００ｎｍであり、ｐ型不
純物として窒素を添加したｐ型ＺｎＳｅにより構成され
る。さらにその上に超格子層１０は、例えばｐ型のＺｎ
Ｓｅ層とｐ型のＺｎＴｅとの積層による超格子層によっ
て形成される。コンタクト層１１は、例えば、厚さ５０
ｎｍのｐ型のＺｎＴｅ層により構成される。
０ｎｍであり、例えばｎ型不純物として塩素を添加した
あるいは何も添加しないすなわちノンドープのＺｎＳＳ
ｅ混晶により構成される。このガイド層４を構成するＺ
ｎＳＳｅ混晶のＶＩ族元素における組成比は例えばＳ
（硫黄）が６％、Ｓｅ（セレン）が９４％とされる。活
性層５は、例えば、厚さが３．３ｎｍの単一量子井戸構
造を有したＺｎＣｄＳｅ混晶により構成される。そのＩ
Ｉ族元素の組成比はたとえば亜鉛が６７％、カドミウム
が３３％であり、格子定数が基板１の格子定数ａ
sub （ＧａＡｓの格子定数）よりも若干大きくなってい
る。第２のガイド層６は、例えば、厚さが１００ｎｍで
あり、例えばｐ型不純物として窒素（Ｎ）を添加したあ
るいは何も添加しないＺｎＳＳｅ混晶により構成されて
いる。このガイド層を構成するＺｎＳＳｅ混晶のＶＩ族
元素における組成比は硫黄が６％、セレンが９４％であ
る。第２導電型クラッド層７は、例えば、厚さが１μｍ
であり、ｐ型不純物として窒素を添加したｐ型ＺｎＭｇ
ＳＳｅ混晶により構成される。第１の半導体層８は、例
えば、厚さが２μｍであり、ｐ型不純物として窒素を添
加したｐ型ＺｎＳＳｅ混晶により構成される。第２の半
導体層９は、例えば、厚さが１００ｎｍであり、ｐ型不
純物として窒素を添加したｐ型ＺｎＳｅにより構成され
る。さらにその上に超格子層１０は、例えばｐ型のＺｎ
Ｓｅ層とｐ型のＺｎＴｅとの積層による超格子層によっ
て形成される。コンタクト層１１は、例えば、厚さ５０
ｎｍのｐ型のＺｎＴｅ層により構成される。
【００１８】このようにして構成された、積層半導体層
に対し、フォトリソグラフィによるパターンエッチング
を行って、ストライプ状パターンを残してその両側にメ
サ溝を形成する。すなわち、コンタクト層１１上に、フ
ォトレジストの塗布、パターン露光、現像処理を行っ
て、幅が例えば１０μｍのストライプ状のフォトレジス
ト層を形成し、これをエッチングマスクとして、例えば
エッチング液によって、図示のように、コンタクト層１
１と超格子層１０とを横切る深さに、あるいは図示しな
いが、第２導電型クラッド層７に至る深さにエッチング
する。
に対し、フォトリソグラフィによるパターンエッチング
を行って、ストライプ状パターンを残してその両側にメ
サ溝を形成する。すなわち、コンタクト層１１上に、フ
ォトレジストの塗布、パターン露光、現像処理を行っ
て、幅が例えば１０μｍのストライプ状のフォトレジス
ト層を形成し、これをエッチングマスクとして、例えば
エッチング液によって、図示のように、コンタクト層１
１と超格子層１０とを横切る深さに、あるいは図示しな
いが、第２導電型クラッド層７に至る深さにエッチング
する。
【００１９】その後、たとえば、アルミナ（Ａｌ
2 Ｏ3 ）等を蒸着して絶縁層１２を形成し、その後、表
面のレジスト層を除去し、電極１３、この例ではｐ側電
極１３を蒸着する。この電極１３は、例えば厚さが１０
ｎｍのチタン（Ｔｉ）、例えば厚さが３００ｎｍの金
（Ａｕ）を順次積層して形成する。また、基板１の裏面
には、インジウム（Ｉｎ）により形成された電極１４、
この例ではｎ側電極１４を形成する。
2 Ｏ3 ）等を蒸着して絶縁層１２を形成し、その後、表
面のレジスト層を除去し、電極１３、この例ではｐ側電
極１３を蒸着する。この電極１３は、例えば厚さが１０
ｎｍのチタン（Ｔｉ）、例えば厚さが３００ｎｍの金
（Ａｕ）を順次積層して形成する。また、基板１の裏面
には、インジウム（Ｉｎ）により形成された電極１４、
この例ではｎ側電極１４を形成する。
【００２０】上述した各半導体層２〜１１のエピタキシ
ャル成長は、図２で概略構成を示すＭＢＥ装置を用いる
ことができる。このＭＢＥ装置は、真空容器３１内に、
成膜を行う基板１を保持する基板ホルダー３２が配置さ
れている。そして、この基板ホルダー３２に保持された
基板１に対して、例えば、Ｓ、Ｓｅ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃ
ｄ、Ｃｌ、Ｂｅ等の各分子線を発射する複数の分子線源
３７が配列される。これら分子線源３７は、特にＶＩ族
の分子線源はバルブクラッキングセルを用いることが望
ましい。分子線源３７の前方にはシャッター４７が配置
される。また、Ｎ2 をプラスマ化して供給するプラズマ
セル３３が配置される。
ャル成長は、図２で概略構成を示すＭＢＥ装置を用いる
ことができる。このＭＢＥ装置は、真空容器３１内に、
成膜を行う基板１を保持する基板ホルダー３２が配置さ
れている。そして、この基板ホルダー３２に保持された
基板１に対して、例えば、Ｓ、Ｓｅ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃ
ｄ、Ｃｌ、Ｂｅ等の各分子線を発射する複数の分子線源
３７が配列される。これら分子線源３７は、特にＶＩ族
の分子線源はバルブクラッキングセルを用いることが望
ましい。分子線源３７の前方にはシャッター４７が配置
される。また、Ｎ2 をプラスマ化して供給するプラズマ
セル３３が配置される。
【００２１】更に、真空容器には、例えば四重極質量分
析計３４と、ＲＨＥＥＤ（Reflection High Energy Ele
ctron Diffraction ：高エネルギー反射電子回折）電子
３５と、基板１からの反射電子を受ける蛍光スクリーン
３６が配置される。また、基板１の配置部前方に対し進
退自在に移動する真空ゲージ３８が設けられる。
析計３４と、ＲＨＥＥＤ（Reflection High Energy Ele
ctron Diffraction ：高エネルギー反射電子回折）電子
３５と、基板１からの反射電子を受ける蛍光スクリーン
３６が配置される。また、基板１の配置部前方に対し進
退自在に移動する真空ゲージ３８が設けられる。
【００２２】この装置を用いて、超高真空中に配置され
た、分子線源３７においてそれぞれの材料を所望の分子
線強度を得るのに必要な温度で加熱して、所要の温度に
加熱された基板１に向かって、成膜に必要とされる原料
分子線を、複数同時に、または交互に供給し、基板１上
に、目的とする上述した半導体層２〜１１を、エピタキ
シャル成長する。すなわち単結晶薄膜として成長させる
ものである。
た、分子線源３７においてそれぞれの材料を所望の分子
線強度を得るのに必要な温度で加熱して、所要の温度に
加熱された基板１に向かって、成膜に必要とされる原料
分子線を、複数同時に、または交互に供給し、基板１上
に、目的とする上述した半導体層２〜１１を、エピタキ
シャル成長する。すなわち単結晶薄膜として成長させる
ものである。
【００２３】本発明方法においては、上述したＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体の成膜、特に活性層の成膜において、
ＶＩ／ＩＩ比を特定するものであるが、実際には、ＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体の成膜に関与する実質的なＶＩ／
ＩＩ比は、装置毎に真空ゲージの配置等、また、その感
度が材料毎に異なることから、装置毎に異なった値が求
められる。そこで成膜に先立って、各成膜装置に関して
前述のＶＩ／ＩＩ比の較正を行う。つまり、各装置に関
して、ＶＩ／ＩＩ＝１の基準化を行う。
Ｉ族化合物半導体の成膜、特に活性層の成膜において、
ＶＩ／ＩＩ比を特定するものであるが、実際には、ＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体の成膜に関与する実質的なＶＩ／
ＩＩ比は、装置毎に真空ゲージの配置等、また、その感
度が材料毎に異なることから、装置毎に異なった値が求
められる。そこで成膜に先立って、各成膜装置に関して
前述のＶＩ／ＩＩ比の較正を行う。つまり、各装置に関
して、ＶＩ／ＩＩ＝１の基準化を行う。
【００２４】この較正方法の１つは、まず目的とする半
導体発光素子に用いる基板１に代えて、同様の基板をホ
ルダー３２に配置して、ＩＩ族およびＶＩ族から選定さ
れた分子線源を所要の温度に加熱して、これらからの分
子線を基板に照射して成膜を行う。この成膜中に、ＲＨ
ＥＥＤパターンの観察を行う。そして、このパターン
が、（２×１）パターンとｃ（２×２）パターンとの再
配列構造が同時に混在して観察されるときのＶＩ／ＩＩ
比を１とする。因みに、ＩＩ族分子線強度が強い場合
は、ｃ（２×２）パターンのみが観察され、ＶＩ族分子
線強度が強い場合は、（２×１）パターンのみが観察さ
れる。そして、このときの分子線強度、すなわちフラッ
クス量を、真空ゲージを基板前方に進出させて真空度測
定を行うことによって測定する。
導体発光素子に用いる基板１に代えて、同様の基板をホ
ルダー３２に配置して、ＩＩ族およびＶＩ族から選定さ
れた分子線源を所要の温度に加熱して、これらからの分
子線を基板に照射して成膜を行う。この成膜中に、ＲＨ
ＥＥＤパターンの観察を行う。そして、このパターン
が、（２×１）パターンとｃ（２×２）パターンとの再
配列構造が同時に混在して観察されるときのＶＩ／ＩＩ
比を１とする。因みに、ＩＩ族分子線強度が強い場合
は、ｃ（２×２）パターンのみが観察され、ＶＩ族分子
線強度が強い場合は、（２×１）パターンのみが観察さ
れる。そして、このときの分子線強度、すなわちフラッ
クス量を、真空ゲージを基板前方に進出させて真空度測
定を行うことによって測定する。
【００２５】このようにして、ＶＩ／ＩＩ比を１とする
較正を行って後、本発明においては、活性層５の成膜に
おいて、前述したように、１．１より大に、好ましくは
１．５より大、なかんづく１．５〜１０に、さらに１．
５〜３．０の間に選定することが望ましい。尚、活性層
５以外の半導体層、例えばクラッド層３，７、ガイド層
４，６、第１および第２の半導体層８，９、超格子層１
０、コンタクト層等については、ＶＩ／ＩＩ比をおおむ
ね１とする条件でエピタキシャル成長を行うことができ
る。
較正を行って後、本発明においては、活性層５の成膜に
おいて、前述したように、１．１より大に、好ましくは
１．５より大、なかんづく１．５〜１０に、さらに１．
５〜３．０の間に選定することが望ましい。尚、活性層
５以外の半導体層、例えばクラッド層３，７、ガイド層
４，６、第１および第２の半導体層８，９、超格子層１
０、コンタクト層等については、ＶＩ／ＩＩ比をおおむ
ね１とする条件でエピタキシャル成長を行うことができ
る。
【００２６】また、他の較正方法としては、エピタキシ
ャル成長された成膜の組成を解析し、例えば図３に示す
ように、ＺｎＣｄＳｅにおける供給したＣｄの分子線中
のＣｄの量に対する結晶中に取り込まれたＣｄの比、す
なわちＣｄの取り込み率が、ピークを示す、分子線照射
において、同様に真空ゲージ３８によって、分子線強度
を測定し、その測定されたＩＩ族とＶＩ族の分子線強度
の比、例えばＳｅ／（Ｚｎ＋Ｃｄ））を、ＶＩ／ＩＩ＝
１とする。
ャル成長された成膜の組成を解析し、例えば図３に示す
ように、ＺｎＣｄＳｅにおける供給したＣｄの分子線中
のＣｄの量に対する結晶中に取り込まれたＣｄの比、す
なわちＣｄの取り込み率が、ピークを示す、分子線照射
において、同様に真空ゲージ３８によって、分子線強度
を測定し、その測定されたＩＩ族とＶＩ族の分子線強度
の比、例えばＳｅ／（Ｚｎ＋Ｃｄ））を、ＶＩ／ＩＩ＝
１とする。
【００２７】図４は、活性層をＺｎＣｄＳｅとした上述
の半導体レーザーにおいて、２０℃および４０℃下で、
自動パワー制御によって、その出力を１ｍＷに保持した
ときの、ＶＩ／ＩＩ比、すなわちＳｅ／（Ｚｎ＋Ｃｄ）
に対する、レーザーの寿命の測定結果をプロットしたも
のである。これによりＶＩ／ＩＩ比が１．１より大で、
ピークもしくは飽和する傾向を示している。そして、更
に好ましくはＶＩ／ＩＩ比が１．５以上で特に寿命の向
上がはかられ、さらにはＶＩ／ＩＩ比が１．５〜３．０
にて、より寿命の改善がはかられている。
の半導体レーザーにおいて、２０℃および４０℃下で、
自動パワー制御によって、その出力を１ｍＷに保持した
ときの、ＶＩ／ＩＩ比、すなわちＳｅ／（Ｚｎ＋Ｃｄ）
に対する、レーザーの寿命の測定結果をプロットしたも
のである。これによりＶＩ／ＩＩ比が１．１より大で、
ピークもしくは飽和する傾向を示している。そして、更
に好ましくはＶＩ／ＩＩ比が１．５以上で特に寿命の向
上がはかられ、さらにはＶＩ／ＩＩ比が１．５〜３．０
にて、より寿命の改善がはかられている。
【００２８】尚、上述した例では、クラッド層がＺｎＭ
ｇＳＳｅ系の半導体発光素子において、活性層がＺｎＣ
ｄＳｅである場合であるが、ＺｎＣｄＳＳｅとすること
もでき、また、本発明は、上述の例に限られるものでは
なく、例えばクラッド層がＺｎＭｇＢｅＳＳｅ系の半導
体発光素子による半導体発光素子に適用して同様の効果
を奏することができる。この場合の一例を図５に例示す
る。この例においても、第１導電型例えばｎ型のＧａＡ
ｓ基板１上に、順次例えばＭＢＥ法により、第１導電型
のバッファ層２、第１導電型クラッド層３、第１のガイ
ド層４、量子井戸構造による活性層５、第２のガイド層
６、第２導電型例えばｐ型クラッド層７、第２導電型の
第１の半導体層８、第２導電型の第２の半導体層９、第
２導電型の超格子層１０、および第１導電型のコンタク
ト層１１をエピタキシャル成長し、コンタクト層１１と
超格子層１０とを、その厚さ方向に横切ってストライプ
状の電流通路部を挟んでその両側にメサ溝をエッチング
し、ここにＡｌ2 Ｏ3 等の絶縁層１２が埋め込まれてな
る。そして、コンタクト層１２上に一方の電極１３がオ
ーミックに被着され、基板の裏面に他方の電極１４がオ
ーミックに被着される。
ｇＳＳｅ系の半導体発光素子において、活性層がＺｎＣ
ｄＳｅである場合であるが、ＺｎＣｄＳＳｅとすること
もでき、また、本発明は、上述の例に限られるものでは
なく、例えばクラッド層がＺｎＭｇＢｅＳＳｅ系の半導
体発光素子による半導体発光素子に適用して同様の効果
を奏することができる。この場合の一例を図５に例示す
る。この例においても、第１導電型例えばｎ型のＧａＡ
ｓ基板１上に、順次例えばＭＢＥ法により、第１導電型
のバッファ層２、第１導電型クラッド層３、第１のガイ
ド層４、量子井戸構造による活性層５、第２のガイド層
６、第２導電型例えばｐ型クラッド層７、第２導電型の
第１の半導体層８、第２導電型の第２の半導体層９、第
２導電型の超格子層１０、および第１導電型のコンタク
ト層１１をエピタキシャル成長し、コンタクト層１１と
超格子層１０とを、その厚さ方向に横切ってストライプ
状の電流通路部を挟んでその両側にメサ溝をエッチング
し、ここにＡｌ2 Ｏ3 等の絶縁層１２が埋め込まれてな
る。そして、コンタクト層１２上に一方の電極１３がオ
ーミックに被着され、基板の裏面に他方の電極１４がオ
ーミックに被着される。
【００２９】バッファ層２は、図５に示すように、例え
ばＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＧａＡｓによるバッファ
層２Ａと、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の例えば厚さ２０
ｎｍのＺｎＢｅＳｅによるバッファ層２Ｂによって構成
するとか、あるいはＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のバッフ
ァ層を例えば厚さ２０ｎｍのＺｎＳｅによるバッファ層
と同様に例えば厚さ２０ｎｍのＺｎＢｅＳｅによるバッ
ファ層とによって構成することができる。第１導電型ク
ラッド層３は、例えば、厚さ１μｍのｎ型のＺｎＭｇＢ
ｅＳｅ混晶により構成される。
ばＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＧａＡｓによるバッファ
層２Ａと、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の例えば厚さ２０
ｎｍのＺｎＢｅＳｅによるバッファ層２Ｂによって構成
するとか、あるいはＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のバッフ
ァ層を例えば厚さ２０ｎｍのＺｎＳｅによるバッファ層
と同様に例えば厚さ２０ｎｍのＺｎＢｅＳｅによるバッ
ファ層とによって構成することができる。第１導電型ク
ラッド層３は、例えば、厚さ１μｍのｎ型のＺｎＭｇＢ
ｅＳｅ混晶により構成される。
【００３０】第１のガイド層４は、例えば、厚さ１００
ｎｍのｎ型もしくはノンドープのＺｎＢｅＳｅ混晶によ
り構成される。活性層５は、例えば、厚さが３．３ｎｍ
の単一量子井戸構造のＺｎＣｄＳｅ混晶もしくはＺｎＣ
ｄＢｅＳｅ混晶により構成される。この場合において
も、その格子定数が基板１の格子定数（ＧａＡｓの格子
定数）よりも若干大きくなっている。第２のガイド層６
は、例えば、厚さ１００ｎｍのｐ型もしくはノンドープ
のＺｎＢｅＳｅ混晶により構成されている。第２導電型
クラッド層７は、例えば、厚さ１μｍのｐ型のＺｎＭｇ
ＢｅＳｅ混晶により構成される。第１の半導体層８は、
例えば、厚さ１μｍのｐ型のＺｎＢｅＳｅ混晶により構
成される。第２の半導体層９は、例えば、厚さ１００ｎ
ｍのｐ型のｐ型ＺｎＳｅにより構成される。さらにその
上に超格子層１０は、例えばｐ型のＺｎＳｅ層とｐ型の
ＢｅＴｅとの積層による超格子層によって形成される。
コンタクト層１１は、例えば、厚さ５０ｎｍのｐ型のＢ
ｅＴｅ層により構成される。
ｎｍのｎ型もしくはノンドープのＺｎＢｅＳｅ混晶によ
り構成される。活性層５は、例えば、厚さが３．３ｎｍ
の単一量子井戸構造のＺｎＣｄＳｅ混晶もしくはＺｎＣ
ｄＢｅＳｅ混晶により構成される。この場合において
も、その格子定数が基板１の格子定数（ＧａＡｓの格子
定数）よりも若干大きくなっている。第２のガイド層６
は、例えば、厚さ１００ｎｍのｐ型もしくはノンドープ
のＺｎＢｅＳｅ混晶により構成されている。第２導電型
クラッド層７は、例えば、厚さ１μｍのｐ型のＺｎＭｇ
ＢｅＳｅ混晶により構成される。第１の半導体層８は、
例えば、厚さ１μｍのｐ型のＺｎＢｅＳｅ混晶により構
成される。第２の半導体層９は、例えば、厚さ１００ｎ
ｍのｐ型のｐ型ＺｎＳｅにより構成される。さらにその
上に超格子層１０は、例えばｐ型のＺｎＳｅ層とｐ型の
ＢｅＴｅとの積層による超格子層によって形成される。
コンタクト層１１は、例えば、厚さ５０ｎｍのｐ型のＢ
ｅＴｅ層により構成される。
【００３１】また、この場合においても、活性層５の成
膜においては、ＶＩ／ＩＩ比を１．１より大の好ましく
は１．５以上とする。また、活性層５の成膜において
は、さらにＶＩ／ＩＩ比を１．５〜３．０にすることが
望ましい。
膜においては、ＶＩ／ＩＩ比を１．１より大の好ましく
は１．５以上とする。また、活性層５の成膜において
は、さらにＶＩ／ＩＩ比を１．５〜３．０にすることが
望ましい。
【００３２】また、上述した各例においては、活性層が
単一量子井戸構造とした場合であるが、多重量子井戸構
造による半導体発光素子に本発明を適用して同様の効果
を奏することができる。
単一量子井戸構造とした場合であるが、多重量子井戸構
造による半導体発光素子に本発明を適用して同様の効果
を奏することができる。
【００３３】上述したように、本発明製造方法によれ
ば、活性層の成膜におけるＶＩ／ＩＩ比の特定によっ
て、得られた半導体発光素子における長寿命化を図るこ
とができる。
ば、活性層の成膜におけるＶＩ／ＩＩ比の特定によっ
て、得られた半導体発光素子における長寿命化を図るこ
とができる。
【００３４】
【発明の効果】上述したように、本発明方法によれば、
従来の半導体発光素子例えばレーザーあるいは発光ダイ
オード等においては、奏することのできなかった程度の
長寿命化、したがって、信頼性の向上をはかることがで
きる。
従来の半導体発光素子例えばレーザーあるいは発光ダイ
オード等においては、奏することのできなかった程度の
長寿命化、したがって、信頼性の向上をはかることがで
きる。
【図１】本発明製造方法によって得る半導体発光素子の
一例の概略断面図である。
一例の概略断面図である。
【図２】本発明製造方法を実施するＭＢＥ装置の一例の
概略構成図である。
概略構成図である。
【図３】ＺｎＣｄＳｅにおけるＶＩ／ＩＩ比と、Ｃｄ
の、ＺｎＣｄＳｅへの取り込み量との関係の測定結果を
示す図である。
の、ＺｎＣｄＳｅへの取り込み量との関係の測定結果を
示す図である。
【図４】本発明製造方法によって得た半導体発光素子の
ＶＩ／ＩＩ比と寿命の関係の測定結果を示す図である。
ＶＩ／ＩＩ比と寿命の関係の測定結果を示す図である。
【図５】本発明製造方法によって得た半導体発光素子の
他の一例の概略断面図である。
他の一例の概略断面図である。
１・・・基板、２・・・バッファ層、３・・・第１導電
型クラッド層、４・・・第１のガイド層、５・・・活性
層、６・・・第２のガイド層、７・・・第２導電型クラ
ッド層、８・・・第１の半導体層、９・・・第２の半導
体層、１０・・・超格子層、１１・・・コンタクト層、
１２・・・絶縁層、１３，１４・・・電極、３１・・・
真空容器、３２・・・基板ホルダー、３３・・・プラズ
マセル、３４・・・四重極質量分析計、３５・・・ＲＨ
ＥＥＤ電子銃、３６・・・スクリーン、３７・・・分子
線源、３８・・・真空ゲージ、４７・・・シャッター
型クラッド層、４・・・第１のガイド層、５・・・活性
層、６・・・第２のガイド層、７・・・第２導電型クラ
ッド層、８・・・第１の半導体層、９・・・第２の半導
体層、１０・・・超格子層、１１・・・コンタクト層、
１２・・・絶縁層、１３，１４・・・電極、３１・・・
真空容器、３２・・・基板ホルダー、３３・・・プラズ
マセル、３４・・・四重極質量分析計、３５・・・ＲＨ
ＥＥＤ電子銃、３６・・・スクリーン、３７・・・分子
線源、３８・・・真空ゲージ、４７・・・シャッター
Claims (6)
- 【請求項１】 ＩＩ族としてＺｎ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃｄま
たはＨｇのうち少なくとも１種類以上の元素と、ＶＩ族
としてＳｅ、Ｓ、Ｔｅのうちの少なくとも１種類以上の
元素を用いたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体より成り、第１
および第２導電型クラッド層と活性層を有する半導体発
光素子の製造方法において、 上記活性層の成膜時のＶＩ族元素とＩＩ族元素との供給
比ＶＩ／ＩＩ比を、１．１より大に選定して、上記活性
層の成膜を行うことを特徴とする半導体発光素子の製造
方法。 - 【請求項２】 上記活性層の成膜時のＶＩ族元素と、Ｉ
Ｉ族元素との供給比ＶＩ／ＩＩ比を、１．５以上に選定
して、上記活性層の成膜を行うことを特徴とする請求項
１に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項３】 上記活性層の成膜時のＶＩ族元素と、Ｉ
Ｉ族元素との供給比ＶＩ／ＩＩ比を、１．５〜１０に選
定して、上記活性層の成膜を行うことを特徴とする請求
項１に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項４】 上記活性層の成膜時のＶＩ族元素と、Ｉ
Ｉ族元素との供給比ＶＩ／ＩＩ比を、１．５〜３．０に
選定して、上記活性層の成膜を行うことを特徴とする請
求項１に記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項５】 上記活性層を、ＺｎＣｄＳｅまたはＺｎ
ＣｄＳＳｅ層によって形成することを特徴とする請求項
１に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項６】 上記活性層を、ＺｎＣｄＢｅＳｅ層によ
って形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体
発光素子の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2537298A JPH11204834A (ja) | 1997-11-14 | 1998-02-06 | 半導体発光素子の製造方法 |
| TW087118626A TW389012B (en) | 1997-11-14 | 1998-11-09 | Manufacture of semiconductor light emitting device |
| US09/189,680 US6069020A (en) | 1997-11-14 | 1998-11-13 | Method of manufacturing semiconductor light-emitting device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31407297 | 1997-11-14 | ||
| JP9-314072 | 1997-11-14 | ||
| JP2537298A JPH11204834A (ja) | 1997-11-14 | 1998-02-06 | 半導体発光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204834A true JPH11204834A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=26362968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2537298A Pending JPH11204834A (ja) | 1997-11-14 | 1998-02-06 | 半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6069020A (ja) |
| JP (1) | JPH11204834A (ja) |
| TW (1) | TW389012B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100895056B1 (ko) * | 2002-11-06 | 2009-04-30 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 레이저장치 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7622322B2 (en) * | 2001-03-23 | 2009-11-24 | Cornell Research Foundation, Inc. | Method of forming an AlN coated heterojunction field effect transistor |
| US8298856B2 (en) * | 2008-07-17 | 2012-10-30 | Uriel Solar, Inc. | Polycrystalline CDTE thin film semiconductor photovoltaic cell structures for use in solar electricity generation |
| EP2481094A4 (en) * | 2009-12-10 | 2017-08-09 | Uriel Solar Inc. | HIGH POWER EFFICIENCY POLYCRYSTALLINE CdTe THIN FILM SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC CELL STRUCTURES FOR USE IN SOLAR ELECTRICITY GENERATION |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2784093B2 (ja) * | 1991-02-21 | 1998-08-06 | 星和電機株式会社 | 半導体装置 |
| JPH07153700A (ja) * | 1993-11-26 | 1995-06-16 | Sony Corp | 有機金属気相成長法及び発光素子作製方法 |
| US5705831A (en) * | 1994-04-07 | 1998-01-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and production method thereof, and crystal-growing method suitable for the production method |
| JPH08115877A (ja) * | 1994-10-17 | 1996-05-07 | Sony Corp | 半導体エピタキシャル成長方法 |
| JPH0997803A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Sony Corp | カドミウムを含むｉｉ−ｖｉ族化合物半導体層およびその成長方法 |
-
1998
- 1998-02-06 JP JP2537298A patent/JPH11204834A/ja active Pending
- 1998-11-09 TW TW087118626A patent/TW389012B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-11-13 US US09/189,680 patent/US6069020A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100895056B1 (ko) * | 2002-11-06 | 2009-04-30 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 레이저장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW389012B (en) | 2000-05-01 |
| US6069020A (en) | 2000-05-30 |
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