JPH11150337A - 半導体発光素子および光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来とは異なる材料を用いることにより特性
を向上させ寿命を延長させることができる半導体発光素
子および光装置を提供する。 【解決手段】 ｎ型ＧａＰよりなる基板１の上にｎ型ク
ラッド層２，活性層３，ｐ型クラッド層４を順次積層す
る。ｎ型クラッド層２はｎ型ＺｎＢｅＳＳｅ混晶により
構成し、活性層３はＺｎＯＳＳｅ混晶により構成し、ｐ
型クラッド層４はｐ型ＺｎＢｅＳＳｅ混晶により構成す
る。活性層３はＯを含み、ｎ型クラッド層２およびｐ型
クラッド層４はＢｅを含んでいるので、格子定数および
バンドギャップを広い範囲から選択できる。よって、活
性層３が歪みを有さないように構成できる。また、ｐ型
クラッド層４はＢｅを含んでいるので、キャリア濃度を
高くすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体よりそれぞれなる第１導電型クラッド層，活性
層および第２導電型クラッド層を備えた半導体発光素子
およびそれを用いた光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、光を利用した各種技術分野におい
ては、例えば、光ディスクや光磁気ディスクに対する記
録・再生の高密度化および高解像度化の要求が高まって
いる。また、高輝度ディスプレー装置，低損失光ファイ
バ通信装置さらにはＤＮＡあるいは特定化学物質の光学
式解析装置などの開発の気運も高まっている。そこで、
これらの光原として緑色ないしは青色で発光可能な半導
体発光素子の開発が求められている。

【０００３】このように緑色ないしは青色で発光可能な
半導体素子を構成する材料としては、ＩＩ族元素の亜鉛
（Ｚｎ），マグネシウム（Ｍｇ），ベリリウム（Ｂ
ｅ），カドミウム（Ｃｄ），水銀（Ｈｇ）およびマンガ
ン（Ｍｎ）のうち少なくとも１種とＶＩ族元素の酸素
（Ｏ），硫黄（Ｓ），セレン（Ｓｅ），テルル（Ｔｅ）
のうち少なくとも１種とから成るＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体が有望である。特に、ＺｎＭｇＳＳｅ混晶は、結晶
性に優れかつ入手が容易なＧａＡｓやＺｎＳｅよりなる
基板に対して格子整合させることができるので、半導体
発光素子のガイド層やクラッド層を構成する材料として
知られている（例えば、Electronics Letters28(1992)
p.1798）。

【０００４】そこで、従来は、このようなＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体を用いた半導体発光素子の１つとして、例
えば、ＧａＡｓよりなる基板の上に、ＺｎＭｇＳＳｅ混
晶よりなるｎ型クラッド層，ＺｎＣｄＳｅ混晶よりなる
活性層およびＺｎＭｇＳＳｅ混晶よりなるｐ型クラッド
層を積層したものが用いられていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この半
導体発光素子では、活性層を構成するＺｎＣｄＳｅ混晶
が基板を構成するＧａＡｓに対して１〜２％もの格子不
整を有しているので、この大きな歪みが素子の劣化の原
因となり、寿命を延長できないという問題があった。ま
た、クラッド層を構成するＺｎＭｇＳＳｅ混晶は高濃度
にｐ型不純物を添加することが難しく、ｐ型導電層のキ
ャリア濃度を高めることが難しかった。よって、動作電
圧を低くすることができず、寿命を延長することができ
ないという問題があった。なお、ＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体のなかではベリリウムを含むものの方がｐ型導電層
のキャリア濃度を高めることができるという報告もあ
る。

【０００６】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、従来とは異なる材料を用いることに
より、特性を向上させ、寿命を延長させることができる
半導体発光素子を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明による半導体発光
素子は、亜鉛，マグネシウム，カドミウム，ベリリウ
ム，マンガンおよび水銀からなる群のうちの少なくとも
１種のＩＩ族元素と、酸素，硫黄，セレンおよびテルル
からなる群のうちの少なくとも１種のＶＩ族元素とを含
むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体よりそれぞれなる第１導電
型クラッド層，活性層，第２導電型クラッド層を備えた
ものであって、活性層はＶＩ族元素として少なくとも酸
素を含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体よりなるものであ
る。

【０００８】本発明による他の半導体発光素子は、亜
鉛，マグネシウム，カドミウム，ベリリウム，マンガン
および水銀からなる群のうちの少なくとも１種のＩＩ族
元素と、酸素，硫黄，セレンおよびテルルからなる群の
うちの少なくとも１種のＶＩ族元素とを含むＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体よりそれぞれなる第１導電型クラッド
層，活性層，第２導電型クラッド層を備えたものであっ
て、活性層はＩＩ族元素として少なくともベリリウムを
含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体よりなるものである。

【０００９】本発明による更に他の半導体発光素子は、
亜鉛，マグネシウム，カドミウム，ベリリウム，マンガ
ンおよび水銀からなる群のうちの少なくとも１種のＩＩ
族元素と、酸素，硫黄，セレンおよびテルルからなる群
のうちの少なくとも１種のＶＩ族元素とを含むＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体よりそれぞれなる第１導電型クラッド
層，活性層，第２導電型クラッド層を備えたものであっ
て、活性層はＩＩ族元素として少なくともマグネシウム
とカドミウムと水銀とを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
よりなるものである。

【００１０】本発明による更に他の半導体発光素子は、
亜鉛，マグネシウム，カドミウム，ベリリウム，マンガ
ンおよび水銀からなる群のうちの少なくとも１種のＩＩ
族元素と、酸素，硫黄，セレンおよびテルルからなる群
のうちの少なくとも１種のＶＩ族元素とを含むＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体よりそれぞれなるｎ型導電層，活性
層，ｐ型導電層を備えたものであって、ｐ型導電層はＶ
Ｉ族元素として少なくともテルルを含むＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体よりなるものである。

【００１１】本発明による光装置は、本発明の半導体発
光素子を備えたものである。

【００１２】本発明による半導体発光素子では、ｐ型ク
ラッド層とｎ型クラッド層との間に電圧が印加される
と、活性層に電流が注入され発光が起こる。ここでは、
活性層がＶＩ族元素として少なくとも酸素を含むＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体により構成されているので、またＩ
Ｉ族元素として少なくともベリリウムあるいは少なくと
もマグネシウムとカドミウムと水銀とを含むＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体により構成されているので、活性層のバ
ンドギャップおよび格子定数は広い範囲におい選択され
る。よって、活性層は歪みを有さないように構成され、
電流が注入されても劣化が起こらない。

【００１３】本発明による他の半導体発光素子では、ｐ
型導電層とｎ型導電層との間に電圧が印加されると、活
性層に電流が注入され発光が起こる。ここでは、ｐ型導
電層がＶＩ族元素として少なくともテルルを含むＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体により構成されているので、ｐ型導
電層のキャリア濃度が高くなり、動作電圧が低くなる。

【００１４】本発明による光装置は、本発明の半導体発
光素子を適用したものであり、半導体発光素子に電圧が
印加されると動作し、活性層において発光する。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００１６】（第１の実施の形態）図１は本発明の第１
の実施の形態に係る半導体発光素子の構成を表すもので
ある。この半導体発光素子は、基板１の一面側に、ＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体よりそれぞれなる第１導電型クラ
ッド層としてのｎ型クラッド層２，活性層３，第２導電
型クラッド層としてのｐ型クラッド層４，第１の半導体
層５，第２の半導体層６，超格子層７およびコンタクト
層８が順次積層されている。すなわち、ｎ型クラッド層
２よりなるｎ型導電層と、ｐ型クラッド層４，第１の半
導体層５，第２の半導体層６，超格子層７およびコンタ
クト層８よりなるｐ型導電層とが活性層３により接合さ
れている。

【００１７】基板１は、例えば、積層方向における厚さ
（以下、単に厚さという）が１００〜３５０μｍであ
り、ケイ素（Ｓｉ）などのｎ型不純物を添加したｎ型Ｇ
ａＰにより構成されている。

【００１８】ｎ型クラッド層２は、例えば、厚さが７０
０ｎｍであり、ＩＩ族元素のＺｎおよびＢｅと、ＶＩ族
元素のＳおよびＳｅのうちの少なくとも１種とからなる
ｎ型不純物が添加されたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体によ
り構成されている。すなわち、ｎ型クラッド層２はｎ型
ＺｎＢｅＳＳｅ混晶，ｎ型ＺｎＢｅＳｅ混晶あるいはｎ
型ＺｎＢｅＳ混晶により構成されている。これらの混晶
は、図２に示した格子定数とバンドギャップとの関係図
からも分かるように、Ｂｅを含むことにより格子定数の
領域が高い方に広がっている。よって、ｎ型クラッド層
２では、これらの組成を調整することにより基板１を構
成するＧａＰに格子整合させることができるようになっ
ている。なお、ｎ型不純物は、例えば、塩素（Ｃｌ），
フッ素（Ｆ），臭素（Ｂｒ）およびヨウ素（Ｉ）などの
いずれでもよい。

【００１９】活性層３は、例えば、厚さが６０ｎｍであ
り、ＩＩ族元素のＺｎと、ＶＩ族元素のＯ，ＳおよびＳ
ｅのうちの少なくともＯとからなるＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体により構成されている。すなわち、活性層３はＺ
ｎＯＳＳｅ混晶，ＺｎＯＳｅ混晶あるいはＺｎＯＳ混晶
により構成されている。これらの混晶は、図２に示した
関係図からも分かるように、Ｏを含むことにより格子定
数の領域が低い方に広がっている。よって、活性層３で
は、これらの組成を調整することにより選択できる格子
定数およびバンドギャップの幅が広くなっており、広い
範囲のバンドギャップにおいて基板１を構成するＧａＰ
に格子整合させることができるようになっている。な
お、この活性層３は単一量子井戸構造または多重量子井
戸構造を有している。

【００２０】ｐ型クラッド層４は、例えば、厚さが１μ
ｍであり、ＩＩ族元素のＺｎおよびＢｅと、ＶＩ族元素
のＳおよびＳｅのうちの少なくとも１種とからなるｐ型
不純物が添加されたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により構
成されている。すなわち、ｐ型クラッド層４はｎ型クラ
ッド層２と同様に、ｐ型ＺｎＢｅＳＳｅ混晶，ｐ型Ｚｎ
ＢｅＳｅ混晶あるいはｐ型ＺｎＢｅＳ混晶により構成さ
れており、基板１を構成するＧａＰに格子整合させるこ
とができるようになっている。また、このｐ型クラッド
層４は、Ｂｅを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により構
成されているので、キャリア濃度を比較的高くすること
ができるようにもなっている。なお、ｐ型不純物は、例
えば、窒素（Ｎ），砒素（Ａｓ），アンチモン（Ｓｂ）
およびナトリウム（Ｎａ）などのいずれでもよい。

【００２１】これらｎ型クラッド層２，活性層３および
ｐ型クラッド層４をそれぞれ構成する混晶の組成は、ｎ
型クラッド層２，活性層３およびｐ型クラッド層４それ
ぞれのバンドギャップが２．７〜３．５ｅＶとなり、活
性層３とｎ型クラッド層２およびｐ型クラッド層４との
バンドギャップの差が０．３ｅＶ程度となるような範囲
内において適宜選択される。

【００２２】第１の半導体層５は、例えば、厚さが５０
０ｎｍであり、ｐ型不純物を添加したｐ型ＺｎＢｅＳｅ
混晶により構成されている。第２の半導体層６は、例え
ば、厚さが１００ｎｍであり、ｐ型不純物を添加したｐ
型ＺｎＳｅにより構成されている。超格子層７は、ｐ型
不純物を添加したｐ型ＺｎＳｅとｐ型不純物を添加した
ｐ型ＺｎＴｅとが交互に積層された構造となっている。
コンタクト層８は、例えば、厚さが１０ｎｍであり、ｐ
型不純物を添加したｐ型ＺｎＴｅにより構成されてい
る。なお、これら第１の半導体層５，第２の半導体層
６，超格子層７およびコンタクト層８は、ｐ側電極と良
好なオーミックコンタクトをとるためのものである。

【００２３】また、コンタクト層８，超格子層７および
第２の半導体層６は、幅が例えば１０μｍの帯状となっ
ており、電流狭窄をするようになっている。なお、これ
らコンタクト層８，超格子層７および第２の半導体層６
は、図１においては図面に対して垂直方向に延長されい
る。コンタクト層８，超格子層７および第２の半導体層
６が形成されていない第１の半導体層５のコンタクト層
８側の領域には、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ
₂ Ｏ₃ ）などの絶縁材料よりなる絶縁層９が形成されて
いる。

【００２４】絶縁層９およびコンタクト層８の上にはｐ
側電極１０が設けられている。このｐ側電極１０は、例
えば、パラジウム（Ｐｄ）と白金（Ｐｔ）と金（Ａｕ）
とをコンタクト層８の側から順次積層して形成されてい
る。基板１の他面側には例えばインジウム（Ｉｎ）より
なるｎ側電極１１が設けられている。

【００２５】このような構成を有する半導体発光素子
は、次のようにして製造することができる。

【００２６】まず、基板１の一面側に、分子線エピタキ
シー（Molecular Beam Epitaxy；ＭＢＥ）法により、ｎ
型クラッド層２，活性層３，ｐ型クラッド層４，第１の
半導体層５，第２の半導体層６，超格子層７およびコン
タクト層８をそれぞれ成長させる。

【００２７】図３はここで用いるＭＢＥ結晶成長装置の
構造を表すものである。このＭＢＥ結晶成長装置は、内
部に基板１を保持するための基板ホルダ２２が設けられ
た真空容器２１を備えている。真空容器２１には、基板
１に対向するように複数の粒子線源セル２２（例えばク
ヌーゼンセル（Ｋセル））が配設されている。真空容器
２１には、また、ｐ型不純物である窒素をプラズマ化し
て基板１に向かって照射するためのプラズマ発生室２４
が配設されている。このプラズマ発生室２４は、例えば
ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）セルやＲＦ
（Radio Frequency ）セルにより構成されている。各粒
子線源セル２３およびプラズマ発生室２４の照射口近傍
にはシャッター２５がそれぞれ配設されており、各粒子
線の照射を制御するようになっている。

【００２８】すなわち、ここでは、このようなＭＢＥ結
晶成長装置を用い、各層をそれぞれ構成する化合物半導
体の組成に応じて原料の粒子線を各粒子線源セル２３か
らそれぞれ照射してエピタキシャル成長させる。ｎ型ク
ラッド層２に対するｎ型不純物（例えば塩素）の添加
は、ｎ型不純物の粒子線を原料の各粒子線と共に粒子線
源セル２３から照射することにより行う。一方、ｐ型ク
ラッド層４，第１の半導体層５，第２の半導体層６，超
格子層７およびコンタクト層８それぞれに対するｐ型不
純物の添加は、ｐ型不純物として窒素を用いる場合に
は、原料の各粒子線に加え、プラズマ発生室２４によっ
てプラズマ化した窒素を照射することにより行う。ま
た、ｐ型不純物としてその他のナトリウムや砒素を用い
る場合には、ｐ型不純物の粒子線を原料の各粒子線と共
に粒子線源セル２３から照射することにより行う。

【００２９】次いで、コンタクト層８の上に図示しない
レジスト膜を塗布しフォトリソグラフィによって帯状の
マスクパターン（図示せず）を形成したのち、このマス
クパターンをマスクとしてウエットエッチングまたはド
ライエッチングを行いコンタクト層８，超格子層７およ
び第２の半導体層６を選択的に除去して帯状とする。続
いて、コンタクト層１２などが選択的に除去された第１
の半導体層５の上および図示しないレジスト膜の上に酸
化アルミニウムなどの絶縁材料を被着し、図しないレジ
スト膜をこのレジスト膜の上に蒸着された絶縁材料と共
に除去して（リフトオフ）、絶縁層９を形成する。

【００３０】そののち、コンタクト層８および絶縁層９
の上に例えばパラジウム，白金および金を順次蒸着して
ｐ側電極１０を形成すると共に、基板１の他面側に例え
ばインジウムを蒸着してｎ側電極１１を形成する。これ
により、図１に示した半導体発光素子が形成される。

【００３１】このようにして製造した半導体発光素子
は、次のように作用する。

【００３２】この半導体発光素子では、ｎ側電極１１と
ｐ側電極１０との間に所定の電圧が印加されると活性層
６に電流が注入され、活性層６において電子−正孔再結
合により発光が起こる。ここでは、活性層３がＯを含む
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により構成されているので、
活性層３のバンドギャップおよび格子定数は広い範囲か
ら選択される。よって、活性層３は歪みを有さないよう
に構成され、電流が注入されても劣化が起こらない。ま
た、ここでは、ｐ型クラッド層４がＢｅを含むＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体により構成されているので、ｐ型クラ
ッド層４のキャリア濃度が比較的高くなっている。よっ
て、動作電圧が低くなる。

【００３３】このように本実施の形態に係る半導体発光
素子によれば、活性層３をＩＩ族元素のＺｎと、ＶＩ族
元素のＯ，ＳおよびＳｅのうちの少なくともＯとからな
るＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により構成するようにした
ので、活性層３のバンドギャップおよび格子定数を広い
範囲から選択することができる。すなわち、活性層３と
ｎ型クラッド層２およびｐ型クラッド層４との間のバン
ドギャップの差を十分に広くでき、かつ活性層３を基板
１に対して格子整合させることができる。よって、活性
層３が歪みを有さないように構成することができ、活性
層３の歪みによる劣化を防止することができる。従っ
て、寿命を延長することができる。

【００３４】また、ｎ型クラッド層２およびｐ型クラッ
ド層４をＩＩ族元素のＺｎおよびＢｅと、ＶＩ族元素の
ＳおよびＳｅのうちの少なくとも１種とからなるＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体により構成するようにしたので、そ
れらのバンドギャップおよび格子定数を広い範囲から選
択することができる。すなわち、ｎ型クラッド層２およ
びｐ型クラッド層４と活性層３との間のバンドギャップ
の差を十分に広くでき、かつｎ型クラッド層２およびｐ
型クラッド層４を基板１に対して格子整合させることが
できる。よって、高い結晶性を有しかつ高い発光効率を
有する半導体発光素子を得ることができる。更に、ｐ型
クラッド層４においてはキャリア濃度を高くすることが
できるので、動作電圧を低くすることができ、寿命を延
長させることができる。

【００３５】（第２の実施の形態）図４は本発明の第２
の実施の形態に係る半導体発光素子を表すものである。
この第２の実施の形態は、ｎ型クラッド層２，ｐ型クラ
ッド層４，第１の半導体層５，超格子層７およびコンタ
クト層８をそれぞれ構成するＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
について、第１の実施の形態と異なる具体的一例を示す
ものである。よって、ここでは、同一の構成要素には同
一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

【００３６】ここで、ｎ型クラッド層２は、ＩＩ族元素
のＺｎと、ＶＩ族元素のＳおよびＳｅのうちの少なくと
も１種とからなるｎ型不純物が添加されたＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体により構成されている。すなわち、ｎ型ク
ラッド層２はｎ型ＺｎＳＳｅ混晶，ｎ型ＺｎＳｅあるい
はｎ型ＺｎＳにより構成されている。ｐ型クラッド層４
も、ｎ型クラッド層２と同様に、ＩＩ族元素のＺｎと、
ＶＩ族元素のＳおよびＳｅのうちの少なくとも１種とか
らなるｐ型不純物が添加されたＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体により構成されている。

【００３７】なお、ｎ型クラッド層２，活性層３および
ｐ型クラッド層４をそれぞれ構成する材料および組成
は、ｎ型クラッド層２，活性層３およびｐ型クラッド層
４それぞれのバンドギャップが２．７〜３．５ｅＶとな
り、活性層３とｎ型クラッド層２およびｐ型クラッド層
４とのバンドギャップの差が０．３ｅＶ程度となるよう
な範囲内において適宜選択される。

【００３８】第１の半導体層５は、例えば、ｐ型不純物
を添加したｐ型ＺｎＳＳｅ混晶により構成されている。
超格子層７は、例えば、ｐ型不純物を添加したｐ型Ｚｎ
Ｓｅとｐ型不純物を添加したｐ型ＺｎＴｅとを交互に積
層した構成とされている。コンタクト層８は、例えば、
ｐ型不純物を添加したｐ型ＺｎＴｅにより構成されてい
る。

【００３９】このような構成を有する半導体発光素子
は、第１の実施の形態と同様にして製造することがで
き、同様に作用する。また、本実施の形態に係る半導体
発光素子によれば、活性層３を第１の実施の形態と同様
に構成するようにしたので、第１の実施の形態と同一の
効果を得ることができる。

【００４０】なお、本実施の形態においては、ｎ型クラ
ッド層２およびｐ型クラッド層４をＺｎＳＳｅ混晶，Ｚ
ｎＳｅあるいはＺｎＳにより構成する場合について説明
したが、図４に示したように、ｐ型クラッド層４をＢｅ
を含む混晶により構成するようにしてもよい。すなわ
ち、ｎ型クラッド層２をｎ型ＺｎＳＳｅ混晶，ｎ型Ｚｎ
Ｓｅあるいはｎ型ＺｎＳにより構成し、ｐ型クラッド層
４を第１の実施の形態と同様にｐ型ＺｎＢｅＳＳｅ混
晶，ｐ型ＺｎＢｅＳｅ混晶あるいはｐ型ＺｎＢｅＳ混晶
により構成するようにしてもよい。この場合、第１の半
導体層５，超格子層７およびコンタクト層８について
も、第１の実施の形態と同様に構成する。このようにｐ
型クラッド層４をＢｅを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
によって構成すれば、第１の実施の形態と同様に、ｐ型
クラッド層４のキャリア濃度を比較的高くすることがで
きるので、好ましい。

【００４１】（第３の実施の形態）図６は本発明の第３
の実施の形態に係る半導体発光素子を表すものである。
この第３の実施の形態は、基板１，ｎ型クラッド層２，
活性層３およびｐ型クラッド層４それぞれ構成する材料
について、第１の実施の形態と異なる具体的一例を示す
ものである。よって、ここでは、同一の構成要素には同
一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

【００４２】ここで、基板１は、例えばＳｉなどのｎ型
不純物が添加されたｎ型ＧａＡｓにより構成されてい
る。ｎ型クラッド層２は、ＩＩ族元素のＺｎ，Ｍｇ，Ｃ
ｄおよびＢｅのうちの少なくとも１種と、ＶＩ族元素の
ＳおよびＳｅのうちの少なくとも１種とからなるｎ型不
純物が添加されたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により構成
されている。よって、ｎ型クラッド層２では、図２に示
した関係図から分かるように、これらの材料および組成
を調整することにより選択できる格子定数およびバンド
ギャップの幅が広くなっており、特に、基板１を構成す
るＧａＡｓの格子定数においてバンドギャップを広い範
囲から選択できるようになっている。なお、バンドギャ
ップを選択できる幅はＢｅにより特に広がるので、ｎ型
クラッド層２はＢｅを含むように構成することがより好
ましい。

【００４３】活性層３は、ＩＩ族元素のＺｎおよびＣｄ
のうちの少なくとも１種と、ＶＩ族元素のＯおよびＳｅ
のうちの少なくともＯとからなるＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体により構成されている。よって、活性層３では、図
２に示した関係図から分かるように、Ｏを含むことによ
り選択できる格子定数およびバンドギャップの幅が広く
なっており、特に、基板１を構成するＧａＡｓの格子定
数においてバンドギャップを広い範囲から選択できるよ
うになっている。

【００４４】ｐ型クラッド層４は、ｎ型クラッド層２と
同様に、ＩＩ族元素のＺｎ，Ｍｇ，ＣｄおよびＢｅのう
ちの少なくとも１種と、ＶＩ族元素のＳおよびＳｅのう
ちの少なくとも１種とからなるｐ型不純物が添加された
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により構成されている。な
お、ｐ型クラッド層４においては、Ｂｅを含むように構
成すればバンドギャップの選択の幅が広がると共に、キ
ャリア濃度を高めることができるので好ましい。

【００４５】なお、ｎ型クラッド層２，活性層３および
ｐ型クラッド層４をそれぞれ構成する材料および組成
は、活性層３のバンドギャップが２．０〜２．７ｅＶ、
ｎ型クラッド層２およびｐ型クラッド層４のバンドギャ
ップがそれぞれ２．７〜４．０ｅＶ、活性層３とｎ型ク
ラッド層２およびｐ型クラッド層４とのバンドギャップ
の差が０．３ｅＶ以上となるような範囲内において適宜
選択される。また、これらの材料を調節することによ
り、活性層３とｎ型クラッド層２およびｐ型クラッド層
４との伝導帯および価電子帯の不連続をそれぞれ調整す
ることもできる。

【００４６】このような構成を有する半導体発光素子
は、第１の実施の形態と同様にして製造することがで
き、同様に作用する。また、本実施の形態に係る半導体
発光素子によれば、活性層３をＩＩ族元素のＺｎおよび
Ｃｄのうちの少なくとも１種と、ＶＩ族元素のＯおよび
Ｓｅのうちの少なくともＯとからなるＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体により構成するようにしたので、活性層３のバ
ンドギャップおよび格子定数を広い範囲から選択するこ
とができる。更に、ｎ型クラッド層２およびｐ型クラッ
ド層４をＩＩ族元素のＺｎ，Ｍｇ，ＣｄおよびＢｅのう
ちの少なくとも１種と、ＶＩ族元素のＳおよびＳｅのう
ちの少なくとも１種とからなるＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体によりそれぞれ構成するようにしたので、それらのバ
ンドギャップおよび格子定数を広い範囲から選択するこ
とができる。よって、第１の実施の形態と同一の効果を
有する。

【００４７】（第４の実施の形態）図７は本発明の第４
の実施の形態に係る半導体発光素子を表すものである。
この第４の実施の形態は、基板１，ｎ型クラッド層２，
活性層３およびｐ型クラッド層４それぞれ構成する材料
について、第１の実施の形態と異なる具体的一例を示す
ものである。よって、ここでは、同一の構成要素には同
一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

【００４８】ここで、基板１は、例えばＳｉなどのｎ型
不純物が添加されたｎ型ＩｎＰにより構成されている。
ｎ型クラッド層２は、ＩＩ族元素のＺｎ，ＭｇおよびＢ
ｅのうちの少なくともＢｅと、ＶＩ族元素のＴｅとから
なるｎ型不純物が添加されたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
により構成されている。また、ｎ型クラッド層２は、Ｉ
Ｉ族元素のＺｎ，Ｍｇ，ＣｄおよびＢｅのうちの少なく
ともＢｅと、ＶＩ族元素のＳｅとからなるｎ型不純物が
添加されたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により構成されて
いてもよい。このｎ型クラッド層２では、図２に示した
関係図から分かるように、Ｂｅを含むことにより選択で
きる格子定数およびバンドギャップの幅が広くなってお
り、特に、基板１を構成するＩｎＰの格子定数において
バンドギャップを広い範囲から選択できるようになって
いる。

【００４９】活性層３は、ＩＩ族元素のＺｎ，Ｃｄおよ
びＢｅのうちの少なくともＢｅと、ＶＩ族元素のＴｅと
からなるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により構成されてい
る。よって、活性層３でも、図２に示した関係図から分
かるように、Ｂｅを含むことにより選択できる格子定数
およびバンドギャップの幅が広くなっており、特に、基
板１を構成するＩｎＰの格子定数においてバンドギャッ
プを広い範囲から選択できるようになっている。

【００５０】ｐ型クラッド層４は、ｎ型クラッド層２と
同様に、ＩＩ族元素のＺｎ，ＭｇおよびＢｅのうちの少
なくともＢｅと、ＶＩ族元素のＴｅとからなるｐ型不純
物が添加されたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体、あるいはＩ
Ｉ族元素のＺｎ，Ｍｇ，ＣｄおよびＢｅのうちの少なく
ともＢｅと、ＶＩ族元素のＳｅとからなるｐ型不純物が
添加されたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により構成されて
いる。すなわち、ｐ型クラッド層４においては、Ｂｅを
含むことによりバンドギャップの選択の幅が広がると共
に、キャリア濃度を高めることができるようになってい
る。

【００５１】なお、ｎ型クラッド層２，活性層３および
ｐ型クラッド層４をそれぞれ構成する材料および組成
は、ｎ型クラッド層２，活性層３およびｐ型クラッド層
４のバンドギャップがそれぞれ２．３〜２．８ｅＶで、
活性層３とｎ型クラッド層２およびｐ型クラッド層４と
のバンドギャップの差が０．３ｅＶ程度となるような範
囲内において適宜選択される。

【００５２】このような構成を有する半導体発光素子
は、第１の実施の形態と同様にして製造することがで
き、同様に作用する。また、本実施の形態に係る半導体
発光素子によれば、活性層３をＩＩ族元素のＺｎ，Ｃｄ
およびＢｅのうちの少なくともＢｅと、ＶＩ族元素のＴ
ｅとからなるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により構成によ
り構成するようにしたので、活性層３のバンドギャップ
および格子定数を広い範囲から選択することができる。
更に、ｎ型クラッド層２およびｐ型クラッド層４をＩＩ
族元素のＺｎ，ＭｇおよびＢｅのうちの少なくともＢｅ
と、ＶＩ族元素のＴｅとからなるＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体あるいはＩＩ族元素のＺｎ，Ｍｇ，ＣｄおよびＢｅ
のうちの少なくともＢｅと、ＶＩ族元素のＳｅとからな
るＩＩ−ＶＩ族化合物半導体によりそれぞれ構成するよ
うにしたので、それらのバンドギャップおよび格子定数
を広い範囲から選択することができると共に、ｐ型クラ
ッド層４のキャリア濃度を高くすることができる。よっ
て、第１の実施の形態と同一の効果を得ることができ
る。なお、ＶＩ族元素としてＳｅを含むＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体によりｎ型クラッド層２を構成すればそのキ
ャリア濃度を高くすることができ、ＶＩ族元素としてＴ
ｅを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体によりｐ型クラッド
層４を構成すればそのキャリア濃度を高くすることがで
きる。

【００５３】（第５の実施の形態）図８は本発明の第５
の実施の形態に係る半導体発光素子を表すものである。
この第５の実施の形態は、基板１，ｎ型クラッド層２，
活性層３およびｐ型クラッド層４それぞれ構成する材料
について、第１の実施の形態と異なる具体的一例を示す
ものである。よって、ここでは、同一の構成要素には同
一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

【００５４】ここで、基板１は、例えばＳｉなどのｎ型
不純物が添加されたｎ型ＩｎＰまたはｎ型ＧａＡｓまた
はｎ型ＧａＰにより構成されている。ｎ型クラッド層２
は、ＩＩ族元素のＺｎ，Ｍｇ，Ｃｄ，ＢｅおよびＨｇの
うちの少なくともＢｅおよびＨｇと、ＶＩ族元素のＳｅ
とからなるｎ型不純物が添加されたＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体により構成されている。よって、ｎ型クラッド層
２では、図２に示した関係図から分かるように、Ｂｅと
Ｈｇとを含むことにより選択できる格子定数およびバン
ドギャップの幅が広くなっている。

【００５５】活性層３は、ＩＩ族元素のＺｎ，Ｍｇ，Ｃ
ｄ，ＢｅおよびＨｇのうちの少なくともＢｅと、ＶＩ族
元素のＳｅとからなるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により
構成されている。よって、活性層３でも、図２に示した
関係図から分かるように、Ｂｅを含むことにより選択で
きる格子定数およびバンドギャップの幅が広くなってい
る。なお、バンドギャップを選択できる幅はＨｇによっ
ても広がるので、活性層３はＨｇも含むように構成する
ことがより好ましい。

【００５６】ｐ型クラッド層４は、ｎ型クラッド層２と
同様に、ＩＩ族元素のＺｎ，Ｍｇ，Ｃｄ，ＢｅおよびＨ
ｇのうちの少なくともＢｅおよびＨｇと、ＶＩ族元素の
Ｓｅとからなるｎ型不純物が添加されたＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体により構成されている。すなわち、ｐ型クラ
ッド層４においては、Ｂｅを含むことによりバンドギャ
ップの選択の幅が広がると共に、キャリア濃度を高める
ことができるようになっている。

【００５７】なお、ｎ型クラッド層２，活性層３および
ｐ型クラッド層４をそれぞれ構成する材料および組成
は、基板１をＩｎＰにより構成する場合には、ｎ型クラ
ッド層２，活性層３およびｐ型クラッド層４のバンドギ
ャップがそれぞれ１．０〜３．６ｅＶで、活性層３とｎ
型クラッド層２およびｐ型クラッド層４とのバンドギャ
ップの差が０．３ｅＶ以上となるような範囲内において
適宜選択される。また、基板１をＧａＡｓにより構成す
る場合には、ｎ型クラッド層２，活性層３およびｐ型ク
ラッド層４のバンドギャップがそれぞれ２．０〜３．８
ｅＶで、活性層３とｎ型クラッド層２およびｐ型クラッ
ド層４とのバンドギャップの差が０．３ｅＶ以上となる
ような範囲内において適宜選択される。更に、基板１を
ＧａＰにより構成する場合には、ｎ型クラッド層２，活
性層３およびｐ型クラッド層４のバンドギャップがそれ
ぞれ２．７〜４．０ｅＶで、活性層３とｎ型クラッド層
２およびｐ型クラッド層４とのバンドギャップの差が
０．３ｅＶ以上となるような範囲内において適宜選択さ
れる。また、これらの材料を調節することにより、活性
層３とｎ型クラッド層２およびｐ型クラッド層４の伝導
帯および価電子帯の不連続をそれぞれ調整することもで
きる。

【００５８】このような構成を有する半導体発光素子
は、第１の実施の形態と同様にして製造することがで
き、同様に作用する。また、本実施の形態に係る半導体
発光素子によれば、活性層３をＩＩ族元素のＺｎ，Ｍ
ｇ，Ｃｄ，ＢｅおよびＨｇのうちの少なくともＢｅと、
ＶＩ族元素のＳｅとからなるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
により構成するようにしたので、活性層３のバンドギャ
ップおよび格子定数を広い範囲から選択することができ
る。更に、ｎ型クラッド層２およびｐ型クラッド層４を
ＩＩ族元素のＺｎ，Ｍｇ，Ｃｄ，ＢｅおよびＨｇのうち
の少なくともＢｅおよびＨｇと、ＶＩ族元素のＳｅとか
らなるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体によりそれぞれ構成す
るようにしたので、それらのバンドギャップおよび格子
定数を広い範囲から選択することができると共に、ｐ型
クラッド層４のキャリア濃度を高くすることができる。
よって、第１の実施の形態と同一の効果を得ることがで
きる。

【００５９】（第６の実施の形態）図９は本発明の第６
の実施の形態に係る半導体発光素子を表すものである。
この第６の実施の形態は、基板１，ｎ型クラッド層２，
活性層３，ｐ型クラッド層４，第１の半導体層５，超格
子層７およびコンタクト層８をそれぞれ構成する材料に
ついて、第１の実施の形態と異なる具体的一例を示すも
のである。よって、ここでは、同一の構成要素には同一
の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

【００６０】ここで、基板１は、例えばＳｉなどのｎ型
不純物が添加されたｎ型ＩｎＰまたはｎ型ＧａＡｓまた
はｎ型ＧａＰにより構成されている。ｎ型クラッド層２
は、ＩＩ族元素のＺｎ，Ｍｇ，Ｃｄ，ＢｅおよびＨｇの
うちの少なくとも１種と、ＶＩ族元素のＳｅとからなる
ｎ型不純物が添加されたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体によ
り構成されている。よって、ｎ型クラッド層２では、図
２に示した関係図から分かるように、これらの材料およ
び組成を調整することにより選択できる格子定数および
バンドギャップの幅が広くなっている。なお、バンドギ
ャップを選択できる幅はＭｇおよびＨｇにより特に広が
るので、ｎ型クラッド層２はＭｇとＨｇとを含むように
構成することがより好ましい。

【００６１】活性層３は、ＩＩ族元素のＺｎ，Ｍｇ，Ｃ
ｄ，ＢｅおよびＨｇのうちの少なくともＭｇとＣｄとＨ
ｇと、ＶＩ族元素のＳｅとからなるＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体により構成されている。よって、活性層３では、
図２に示した関係図から分かるように、ＭｇとＣｄとＨ
ｇとを含むことにより選択できる格子定数およびバンド
ギャップの幅が広くなっている。

【００６２】ｐ型クラッド層４は、ｎ型クラッド層２と
同様に、ＩＩ族元素のＺｎ，Ｍｇ，Ｃｄ，ＢｅおよびＨ
ｇのうちの少なくとも１種と、ＶＩ族元素のＳｅとから
なるｐ型不純物が添加されたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
により構成されている。

【００６３】なお、ｎ型クラッド層２，活性層３および
ｐ型クラッド層４をそれぞれ構成する材料および組成
は、基板１をＩｎＰにより構成する場合には、ｎ型クラ
ッド層２，活性層３およびｐ型クラッド層４のバンドギ
ャップがそれぞれ１．０〜３．６ｅＶで、活性層３とｎ
型クラッド層２およびｐ型クラッド層４とのバンドギャ
ップの差が０．３ｅＶ以上となるような範囲内において
適宜選択される。また、基板１をＧａＡｓにより構成す
る場合には、ｎ型クラッド層２，活性層３およびｐ型ク
ラッド層４のバンドギャップがそれぞれ２．０〜３．８
ｅＶで、活性層３とｎ型クラッド層２およびｐ型クラッ
ド層４とのバンドギャップの差が０．３ｅＶ以上となる
ような範囲内において適宜選択される。更に、基板１を
ＧａＰにより構成する場合には、ｎ型クラッド層２，活
性層３およびｐ型クラッド層４のバンドギャップがそれ
ぞれ２．７〜４．０ｅＶで、活性層３とｎ型クラッド層
２およびｐ型クラッド層４とのバンドギャップの差が
０．３ｅＶ以上となるような範囲内において適宜選択さ
れる。また、これらの材料を調節することにより、活性
層３とｎ型クラッド層２およびｐ型クラッド層４の伝導
帯および価電子帯の不連続をそれぞれ調整することもで
きる。

【００６４】また、第１の半導体層５は、例えば、ｐ型
不純物を添加したｐ型ＺｎＳＳｅ混晶により構成されて
いる。超格子層７は、例えば、ｐ型不純物を添加したｐ
型ＺｎＳｅとｐ型不純物を添加したｐ型ＺｎＴｅとを交
互に積層した構成とされている。コンタクト層８は、例
えば、ｐ型不純物を添加したｐ型ＺｎＴｅにより構成さ
れている。

【００６５】このような構成を有する半導体発光素子
は、第１の実施の形態と同様にして製造することがで
き、同様に作用する。また、本実施の形態に係る半導体
発光素子によれば、活性層３をＩＩ族元素のＺｎ，Ｍ
ｇ，Ｃｄ，ＢｅおよびＨｇのうちの少なくともＭｇとＣ
ｄとＨｇと、ＶＩ族元素のＳｅとからなるＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体により構成するようにしたので、活性層３
のバンドギャップおよび格子定数を広い範囲から選択す
ることができる。更に、ｎ型クラッド層２およびｐ型ク
ラッド層４をＩＩ族元素のＺｎ，Ｍｇ，Ｃｄ，Ｂｅおよ
びＨｇのうちの少なくとも１種と、ＶＩ族元素のＳｅと
からなるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体によりそれぞれ構成
するようにしたので、それらのバンドギャップおよび格
子定数を広い範囲から選択することができる。よって、
第１の実施の形態に係る半導体発光素子と同一の効果を
得ることができる。

【００６６】（第７の実施の形態）図１０は本発明の第
７の実施の形態に係る半導体発光素子を表すものであ
る。この第７の実施の形態は、基板１，ｎ型クラッド層
２，活性層３，ｐ型クラッド層４，第１の半導体層５，
超格子層７およびコンタクト層８をそれぞれ構成する材
料について、第１の実施の形態と異なる具体的一例を示
すものである。よって、ここでは、同一の構成要素には
同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

【００６７】ここで、基板１は、例えばＳｉなどのｎ型
不純物が添加されたｎ型ＩｎＰまたはｎ型ＧａＡｓまた
はｎ型ＧａＰにより構成されている。ｎ型クラッド層２
は、ＩＩ族元素のＺｎ，Ｍｇ，Ｃｄ，ＢｅおよびＨｇの
うちの少なくとも１種と、ＶＩ族元素のＯ，ＳおよびＳ
ｅのうちの少なくとも１種とからなるｎ型不純物が添加
されたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により構成されてい
る。よって、ｎ型クラッド層２では、図２に示した関係
図から分かるように、これらの材料および組成を調整す
ることにより選択できる格子定数およびバンドギャップ
の幅が広くなっている。なお、バンドギャップを選択で
きる幅はＨｇおよびＯにより特に広がるので、ｎ型クラ
ッド層２はＨｇとＯとを含むように構成することがより
好ましい。

【００６８】活性層３は、ＩＩ族元素のＺｎ，Ｍｇ，Ｃ
ｄ，ＢｅおよびＨｇのうちの少なくとも１種と、ＶＩ族
元素のＯ，ＳおよびＳｅのうちの少なくともＯとからな
るＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により構成されている。よ
って、活性層３では、図２に示した関係図から分かるよ
うに、Ｏを含むことにより選択できる格子定数およびバ
ンドギャップの幅が広くなっている。なお、バンドギャ
ップを選択できる幅はＨｇにより更に広がるので、ｎ型
クラッド層２はＨｇを更に含むように構成することがよ
り好ましい。

【００６９】ｐ型クラッド層４は、ｎ型クラッド層２と
同様に、ＩＩ族元素のＺｎ，Ｍｇ，Ｃｄ，ＢｅおよびＨ
ｇのうちの少なくとも１種と、ＶＩ族元素のＯ，Ｓおよ
びＳｅのうちの少なくとも１種とからなるｐ型不純物が
添加されたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により構成されて
いる。

【００７０】なお、ｎ型クラッド層２，活性層３および
ｐ型クラッド層４をそれぞれ構成する材料および組成
は、基板１をＩｎＰにより構成する場合には、ｎ型クラ
ッド層２，活性層３およびｐ型クラッド層４のバンドギ
ャップがそれぞれ０〜３．６ｅＶで、活性層３とｎ型ク
ラッド層２およびｐ型クラッド層４とのバンドギャップ
の差が０．３ｅＶ以上となるような範囲内において適宜
選択される。また、基板１をＧａＡｓにより構成する場
合には、ｎ型クラッド層２，活性層３およびｐ型クラッ
ド層４のバンドギャップがそれぞれ０．４〜４．５ｅＶ
で、活性層３とｎ型クラッド層２およびｐ型クラッド層
４とのバンドギャップの差が０．３ｅＶ以上となるよう
な範囲内において適宜選択される。更に、基板１をＧａ
Ｐにより構成する場合には、ｎ型クラッド層２，活性層
３およびｐ型クラッド層４のバンドギャップがそれぞれ
０．８〜４．８ｅＶで、活性層３とｎ型クラッド層２お
よびｐ型クラッド層４とのバンドギャップの差が０．３
ｅＶ以上となるような範囲内において適宜選択される。
また、これらの材料を調節することにより、活性層３と
ｎ型クラッド層２およびｐ型クラッド層４の伝導帯およ
び価電子帯の不連続をそれぞれ調整することができる。

【００７１】また、第１の半導体層５は、例えば、ｐ型
不純物を添加したｐ型ＺｎＳＳｅ混晶により構成されて
いる。超格子層７は、例えば、ｐ型不純物を添加したｐ
型ＺｎＳｅとｐ型不純物を添加したｐ型ＺｎＴｅとを交
互に積層した構成とされている。コンタクト層８は、例
えば、ｐ型不純物を添加したｐ型ＺｎＴｅにより構成さ
れている。

【００７２】このような構成を有する半導体発光素子
は、第１の実施の形態と同様にして製造することがで
き、同様に作用する。また、本実施の形態に係る半導体
発光素子によれば、活性層３をＩＩ族元素のＺｎ，Ｍ
ｇ，Ｃｄ，ＢｅおよびＨｇのうちの少なくとも１種と、
ＶＩ族元素のＯ，ＳおよびＳｅのうちの少なくともＯと
からなるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により構成するよう
にしたので、活性層３のバンドギャップおよび格子定数
を広い範囲から選択することができる。更に、ｎ型クラ
ッド層２およびｐ型クラッド層４をＩＩ族元素のＺｎ，
Ｍｇ，Ｃｄ，ＢｅおよびＨｇのうちの少なくとも１種
と、ＶＩ族元素のＯ，ＳおよびＳｅのうちの少なくとも
１種とからなるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体によりそれぞ
れ構成するようにしたので、それらのバンドギャップお
よび格子定数を広い範囲から選択することができる。よ
って、第１の実施の形態と同一の効果を得ることができ
る。

【００７３】（第８の実施の形態）図１１は本発明の第
８の実施の形態に係る半導体発光素子を表すものであ
る。この第８の実施の形態は、基板１，ｎ型クラッド層
２，活性層３およびｐ型クラッド層４をそれぞれ構成す
る材料について、第１の実施の形態と異なる具体的一例
を示すものである。よって、ここでは、同一の構成要素
には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

【００７４】ここで、基板１は、例えば炭化ケイ素（Ｓ
ｉＣ）により構成されている。ｎ型クラッド層２は、Ｉ
Ｉ族元素のＺｎおよびＢｅのうちの少なくとも１種と、
ＶＩ族元素のＯ，ＳおよびＳｅのうちの少なくとも１種
とからなるｎ型不純物が添加されたＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体により構成されている。よって、ｎ型クラッド層
２では、図２に示した関係図から分かるように、これら
の材料および組成を調整することにより選択できる格子
定数およびバンドギャップの幅が広くなっており、特
に、基板１を構成する炭化ケイ素の格子定数においてバ
ンドギャップを広い範囲から選択できるようになってい
る。なお、バンドギャップを選択できる幅はＢｅおよび
Ｏにより特に広がるので、ｎ型クラッド層２はＢｅまた
はＯまたはＢｅとＯとを含むように構成することがより
好ましい。

【００７５】活性層３は、ＩＩ族元素のＺｎおよびＢｅ
のうちの少なくとも１種と、ＶＩ族元素のＯ，Ｓおよび
Ｓｅのうちの少なくとも１種とからなるＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体により構成されている。よって、活性層３で
は、図２に示した関係図から分かるように、これらの材
料および組成を調整することにより選択できる格子定数
およびバンドギャップの幅が広くなっており、基板１を
構成する炭化ケイ素の格子定数においてバンドギャップ
を広い範囲から選択できるようになっている。なお、バ
ンドギャップを選択できる幅はＢｅおよびＯにより特に
広がるので、ｎ型クラッド層２はＢｅまたはＯまたはＢ
ｅとＯとを含むように構成することがより好ましい。

【００７６】ｐ型クラッド層４は、ｎ型クラッド層２と
同様に、ＩＩ族元素のＺｎおよびＢｅのうちの少なくと
も１種と、ＶＩ族元素のＯ，ＳおよびＳｅのうちの少な
くとも１種とからなるｐ型不純物が添加されたＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体により構成されている。

【００７７】なお、ｎ型クラッド層２，活性層３および
ｐ型クラッド層４をそれぞれ構成する材料および組成
は、ｎ型クラッド層２，活性層３およびｐ型クラッド層
４のバンドギャップがそれぞれ４〜６ｅＶで、活性層３
とｎ型クラッド層２およびｐ型クラッド層４とのバンド
ギャップの差が０．３ｅＶ以上となるような範囲内にお
いて適宜選択される。また、これらの材料を調節するこ
とにより、活性層3 とｎ型クラッド層２およびｐ型クラ
ッド層４の伝導帯および価電子帯の不連続をそれぞれ調
整することもできる。

【００７８】このような構成を有する半導体発光素子
は、第１の実施の形態と同様にして製造することがで
き、同様に作用する。また、本実施の形態に係る半導体
発光素子によれば、活性層３をＩＩ族元素のＺｎおよび
Ｂｅのうちの少なくとも１種と、ＶＩ族元素のＯ，Ｓお
よびＳｅのうちの少なくとも１種とからなるＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体により構成するようにしたので、活性層
３のバンドギャップおよび格子定数を広い範囲から選択
することができる。更に、ｎ型クラッド層２およびｐ型
クラッド層４をＩＩ族元素のＺｎおよびＢｅのうちの少
なくとも１種と、ＶＩ族元素のＯ，ＳおよびＳｅのうち
の少なくとも１種とからなるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
によりそれぞれ構成するようにしたので、それらのバン
ドギャップおよび格子定数を広い範囲から選択すること
ができる。よって、第１の実施の形態と同一の効果を得
ることができる。

【００７９】（第９の実施の形態）図１２は本発明の第
９の実施の形態に係る半導体発光素子を表すものであ
る。この半導体発光素子は、基板１とｎ型クラッド層２
との間にバッファ層１２が挿入されると共に、超格子層
７が削除され、かつ基板１，ｎ型クラッド層２，活性層
３，ｐ型クラッド層４，第１の半導体層５および第２の
半導体層６をそれぞれ構成する材料が異なっていること
を除き、第１の実施の形態と同一の構成を有している。
よって、ここでは、同一の構成要素には同一の符号を付
し、その詳細な説明を省略する。

【００８０】ここで、基板１は、例えばＳｉなどのｎ型
不純物が添加されたｎ型ＩｎＰにより構成されている。
バッファ層１２は、ｎ型不純物が添加されたＺｎＣｄＳ
ｅ混晶により構成されている。ｎ型クラッド層２は、ｎ
型不純物が添加されたｎ型ＺｎＭｇＣｄＳｅ混晶により
構成されている。活性層３は、ＺｎＭｇＢｅＴｅ混晶に
より構成されている。ｐ型クラッド層４は、ｐ型不純物
が添加されたｐ型ＺｎＭｇＢｅＴｅ混晶により構成され
ている。第１の半導体層５は、ｐ型不純物が添加された
ｐ型ＺｎＭｇＢｅＴｅ混晶により構成されている。第２
の半導体層６は、ｐ型不純物が添加されたｐ型ＺｎＢｅ
Ｔｅ混晶により構成されている。コンタクト層８は、ｐ
型不純物が添加されたｐ型ＺｎＴｅまたはｐ型ＢｅＴｅ
により構成されている。

【００８１】すなわち、ここでは、ｐ型導電層における
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のＶＩ族元素をＴｅとするこ
とにより、ｐ型導電層のキャリア濃度を高くするように
なっている。なお、ｐ型導電層をＶＩ族元素として少な
くともＴｅを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により構成
してもよい。

【００８２】このような構成を有する半導体発光素子
は、第１の実施の形態と同様にして製造することがで
き、同様に作用する。また、本実施の形態に係る半導体
発光素子によれば、ｐ型導電層におけるＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体のＶＩ族元素をＴｅとするようにしたので、
ｐ型導電層のキャリア濃度を高くすることができる。よ
って、動作電圧を低くすることができ、寿命を延長させ
ることができる。

【００８３】（第１０の実施の形態）図１３は本発明の
第１０の実施の形態に係る半導体発光素子を表すもので
ある。この半導体発光素子は、ｎ型クラッド層２と活性
層３との間に第１のガイド層１３が挿入されると共に、
活性層３とｐ型クラッド層４との間に第２のガイド層１
４が挿入されたことを除き、第１の実施の形態と同一の
構成，作用および効果を有している。また、第１の実施
の形態と同様にして製造することができる。よって、こ
こでは、同一の構成要素には同一の符号を付し、その詳
細な説明を省略する。

【００８４】ここで、第１のガイド層１３は、ｎ型クラ
ッド層２と同様に、ｎ型不純物を添加したあるいは不純
物を添加しないＺｎＢｅＳＳｅ混晶により構成されてい
る。すなわち、第１のガイド層１３はｎ型クラッド層２
と同様の材料により構成することができる。その組成
は、第１のガイド層１３のバンドギャップがｎ型クラッ
ド層２のバンドギャップと活性層３のバンドギャップと
の間になるように選択する。

【００８５】第２のガイド層１４は、ｐ型クラッド層４
と同様に、ｐ型不純物を添加したあるいは不純物を添加
しないＺｎＢｅＳＳｅ混晶により構成されている。すな
わち、第２のガイド層１４はｐ型クラッド層４と同様の
材料により構成することができる。その組成は、第２の
ガイド層１４のバンドギャップがｐ型クラッド層４のバ
ンドギャップと活性層３のバンドギャップとの間になる
ように選択する。

【００８６】なお、ｎ型クラッド層２およびｐ型クラッ
ド層４は、それらを構成するＺｎＢｅＳＳｅ混晶の組成
を調節することにより、それらの伝導帯が活性層３の伝
導帯よりも高いエネルギー準位を有しかつそれらの価電
子帯が活性層３の価電子帯よりも低くいエネルギー準位
を有するようにすることが好ましい。

【００８７】また、ここでは、第１の実施の形態に係る
半導体発光素子について第１のガイド層１３と第２のガ
イド層１４を形成した場合を説明したが、第２乃至第９
の実施の形態に係る半導体発光素子についても同様に第
１のガイド層１３と第２のガイド層１４を形成するよう
にしてもよい。

【００８８】（第１１の実施の形態）また、本発明の第
１１の実施の形態として本発明の半導体発光素子を備え
た光装置について説明する。なお、ここでは、光装置と
して光ディスク再生装置，表示装置および露光装置を例
に挙げて説明する。

【００８９】図１４は光ディスク再生装置１００の構成
を表すものである。この光ディスク再生装置１００は、
光ディスク１１０の記録情報を再生するためのもので、
緑色ないし青色の波長の発光を行う半導体発光素子１０
１を備えている。半導体発光素子１０１は、第１乃至第
１０の実施の形態において説明した半導体発光素子を適
用することができる。光ディスク再生装置１００は、更
に、半導体発光素子１０１の射出光を光ディスク１１０
へ導くと共に、光ディスク１１０の反射光（信号光１１
０ａ）を再生するための公知の光学系、すなわち、コリ
メート・レンズ１０２，ビームスプリッタ１０３，１／
４波長板１０４，対物レンズ１０５，検出レンズ１０
６，信号光検出用受光素子１０７および信号光再生回路
１０８を備えている。

【００９０】この光ディスク再生装置１００では、半導
体発光素子１０１から出射された出射光はコリメート・
レンズ１０２により平行光にされ、ビームスプリッタ１
０３を経て１／４波長板１０４により偏光の具合が調整
されたのち、対物レンズ１０５により集光されて光ディ
スク１１０に入射される。そして、この光ディスク１１
０で反射された信号光１１０ａが対物レンズ１０５，１
／４波長板１０４を経てビームスプリッタ１０３で反射
されたのち、検出レンズ１０６を経て信号光検出用受光
素子１０７に入射され、ここで電気信号に変換された
後、信号光再生回路１０８において光ディスク１１０に
書き込まれた情報として再生される。

【００９１】本発明の半導体発光素子１０１は、前述の
ように活性層３の歪みをなくし素子の寿命を延長させる
ことができるものである。または、ｐ側導電層のキャリ
ア濃度を高くして動作電圧を低くし寿命を延長させるこ
とができるものである。従って、この半導体発光素子１
０１を光ディスク再生装置１００に適用したことによ
り、光ディスク再生装置１００の動作電力を小さくする
ことができ、光ディスク１１０および光ディスク再生装
置１００の寿命を延長させることができる。

【００９２】図１５は表示装置２００の構成を表すもの
である。この表示装置２００は、カラー画像を表示する
ものであって、青色の波長の発光を行う半導体発光素子
２０１と、緑色の波長の発光を行う半導体発光素子２０
２と、赤色の波長の発光を行う半導体発光素子２０３と
を備えている。このうち半導体発光素子２０１および半
導体発光素子２０２は、第１乃至第１０の実施の形態に
おいて説明した半導体発光素子を適用することができ
る。これら各半導体発光素子２０１，２０２，２０３
は、色表示の基本となる光の分離または合成を行うダイ
クロイックプリズム２０４に対向するようにそれぞれ配
置されており、それらの間には液晶パネル２０５がそれ
ぞれ配設されている。また、ダイクロイックプリズム２
０４の投射側には投射レンズ２０６が配設されている。

【００９３】この表示装置２００では、各半導体発光素
子２０１，２０２，２０３からそれぞれ出射された光が
各液晶パネル２０５を介してダイクロイックプリズム２
０４に入射され、分離または合成されたのち、投射レン
ズ２０６を介して投射される。

【００９４】本発明の半導体発光素子２０１，２０２
は、前述のように活性層３の歪みをなくし素子の寿命を
延長させることができるものである。または、ｐ側導電
層のキャリア濃度を高くして動作電圧を低くし寿命を延
長させることができるものである。従って、この半導体
発光素子２０１，２０２を表示装置２００に適用したこ
とにより、表示装置２００の動作電力を小さくすること
ができると共に、寿命を延長させることができる。

【００９５】図１６は露光装置３００の構成を表すもの
である。この露光装置３００は、例えば、マスク３１０
に形成されたパターンを基板３１１上に形成されたレジ
スト膜３１２に投影し露光するもので、緑色ないし青色
の波長の発光を行う半導体発光素子３０１を備えてい
る。半導体発光素子３０１は、第１乃至第１０の実施の
形態において説明した半導体発光素子を適用することが
できる。露光装置３００は、更に、半導体発光素子３０
１の射出光をマスク３１０を介して基板３１１へ導くた
めの公知の光学系、すなわち、凹面鏡３０２，集光レン
ズ３０３および縮小投影レンズ３０４を備えている。

【００９６】この露光装置３００では、半導体発光素子
３０１から出射された出射光は凹面鏡３０２により反射
され、集光レンズ３０３により集光されたのち、マスク
３１０を通過し、縮小投影レンズにより縮小され、レジ
スト膜３１２に照射される。すなわち、マスク３１０に
形成されたパターンが縮小されてレジスト膜３１２に投
影され、レジスト膜３１２が露光する。

【００９７】本発明の半導体発光素子３０１は、前述の
ように活性層３の歪みをなくし素子の寿命を延長させる
ことができるものである。または、ｐ側導電層のキャリ
ア濃度を高くして動作電圧を低くし寿命を延長させるこ
とができるものである。従って、この半導体発光素子３
０１を露光装置３００に適用したことにより、露光装置
３００の動作電力を小さくすることができると共に、寿
命を延長させることができる。

【００９８】なお、ここでは、本発明の半導体発光素子
を光ディスク再生装置，表示装置および露光装置に適用
した例について説明したが、光ディスク記録装置や光デ
ィスク記録再生装置にも適用できることはもちろん、例
えば、遺伝子を注入した大腸菌などに紫外線レーザ光を
照射して遺伝子の組み替えを行う遺伝子組み替え装置
や、紫外線レーザ光をウイルスに照射して殺菌をする殺
菌装置や、紫外線レーザ光を照射して切断をする医療用
レーザメスや、光通信装置，光学式分析・解析・検出装
置および高温で動作する必要のある車載用の半導体レー
ザ装置を有する機器など光装置全般に適用することがで
きる。

【００９９】以上、各実施の形態を挙げて本発明を説明
したが、本発明は上記各実施の形態に限定されるもので
はなく、種々の変形が可能である。例えば、上記各実施
の形態においては、基板１の一面側にｎ型導電層，活性
層３およびｐ型導電層を順次形成するようにしたが、本
発明は、基板の一面側にｐ型導電層，活性層３およびｎ
型導電層を順次形成する場合も含んでいる。

【０１００】また、本発明は、半導体レーザや発光ダイ
オード（light emitting diode；ＬＥＤ）などの種々の
半導体発光素子について適用することができる。

【０１０１】更に、上記各実施の形態においては、固体
ソースＭＢＥ法により各ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体より
なる層を基板１の一面側にそれぞれ成長させる場合につ
いて説明したが、ガスソースＭＢＥ法やＭＯＣＶＤ（Me
tal Organic Chemical VaporDeposition ）法などによ
りそれぞれ成長させるようにしてもよい。

【０１０２】

【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体発光
素子によれば、活性層をＶＩ族元素として少なくともＯ
が含まれるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により構成するよ
うにしたので、またはＩＩ族元素として少なくともＢｅ
あるいは少なくともＭｇとＣｄとＨｇとが含まれるＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体により構成するようにしたので、
活性層のバンドギャップおよび格子定数を広い範囲から
選択することができる。よって、活性層が歪みを有さな
いように構成することができ、活性層の歪みによる劣化
を防止することができる。従って、素子の寿命を延長さ
せることができるという効果を奏する。

【０１０３】また、本発明の他の半導体発光素子によれ
ば、ｐ型導電層をＶＩ族元素として少なくともテルルが
含まれるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により構成するよう
にしたので、ｐ型導電層のキャリア濃度を高くすること
ができる。よって、動作電圧を低くすることができると
共に、キャリア注入効率を上げ、発光効率を上げること
ができ、素子の寿命を延長させることができるという効
果を奏する。

【０１０４】更に、本発明の光装置は、本発明の半導体
発光素子を適用したものであり、半導体発光素子の特性
の向上および長寿命化に伴い、光装置の特性の向上およ
び長寿命化を図ることができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光素
子の構成を表す断面図である。

【図２】ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体における格子定数と
バンドギャップとの関係を表す特性図である。

【図３】図１に示した半導体発光素子の製造に用いるＭ
ＢＥ結晶成長装置を表す構成図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態に係る半導体発光素
子の構成を表す断面図である。

【図５】図４に示した半導体発光素子の変形例の構成を
表す断面図である。

【図６】本発明の第３の実施の形態に係る半導体発光素
子の構成を表す断面図である。

【図７】本発明の第４の実施の形態に係る半導体発光素
子の構成を表す断面図である。

【図８】本発明の第５の実施の形態に係る半導体発光素
子の構成を表す断面図である。

【図９】本発明の第６の実施の形態に係る半導体発光素
子の構成を表す断面図である。

【図１０】本発明の第７の実施の形態に係る半導体発光
素子の構成を表す断面図である。

【図１１】本発明の第８の実施の形態に係る半導体発光
素子の構成を表す断面図である。

【図１２】本発明の第９の実施の形態に係る半導体発光
素子の構成を表す断面図である。

【図１３】本発明の第１０の実施の形態に係る半導体発
光素子の構成を表す断面図である。

【図１４】本発明の半導体発光素子を用いた光ディスク
再生装置を表す構成図である。

【図１５】本発明の半導体発光素子を用いた表示装置を
表す構成図である。

【図１６】本発明の半導体発光素子を用いた露光装置を
表す構成図である。

【符号の説明】

１…基板、２…ｎ型クラッド層（第１導電型クラッド
層）、３…活性層、４…ｐ型クラッド層（第２導電型ク
ラッド層）、５…第１の半導体層、６…第２の半導体
層、７…超格子層、８…コンタクト層、９…絶縁層、１
０…ｐ側電極、１１…ｎ側電極、１２…バッファ層、１
３…第１のガイド層、１４…第２のガイド層、２１…真
空容器、２２…基板ホルダ、２３…粒子線源セル、２４
…プラズマ発生室、２５…シャッター、１００…光ディ
スク再生装置、１０１…半導体発光素子、１０１ａ…出
射光、１０２…コリメート・レンズ、１０３…ビームス
プリッタ、１０４…１／４波長板、１０５…対物レン
ズ、１０６…検出レンズ、１０７…信号光検出用受光素
子、１０８…信号光再生回路、１１０…光ディスク、２
００…表示装置、２０１，２０２，２０３…半導体発光
素子、２０４…ダイクロイックプリズム、２０５…液晶
パネル、２０６…投射レンズ、３００…露光装置、３０
１…半導体発光素子、３０２…凹面鏡、３０３…集光レ
ンズ、３０４…縮小投影レンズ、３１０…マスク、３１
１…基板、３１２…レジスト膜

Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 亜鉛（Ｚｎ），マグネシウム（Ｍｇ），
   カドミウム（Ｃｄ），ベリリウム（Ｂｅ），マンガン
   （Ｍｎ）および水銀（Ｈｇ）からなる群のうちの少なく
   とも１種のＩＩ族元素と、酸素（Ｏ），硫黄（Ｓ），セ
   レン（Ｓｅ）およびテルル（Ｔｅ）からなる群のうちの
   少なくとも１種のＶＩ族元素とを含むＩＩ−ＶＩ族化合
   物半導体よりそれぞれなる第１導電型クラッド層，活性
   層および第２導電型クラッド層を備えた半導体発光素子
   であって、 前記活性層はＶＩ族元素として少なくとも酸素を含むＩ
   Ｉ−ＶＩ族化合物半導体よりなることを特徴とする半導
   体発光素子。
2. 【請求項２】 前記第１導電型クラッド層および第２導
   電型クラッド層のうちの少なくともｐ型クラッド層であ
   る一方は、ＩＩ族元素として少なくともベリリウムを含
   むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体よりなることを特徴とする
   請求項１記載の半導体発光素子。
3. 【請求項３】 前記活性層はＩＩ族元素として少なくと
   もベリリウムを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体よりなる
   ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
4. 【請求項４】 前記第１導電型クラッド層および第２導
   電型クラッド層は、ＩＩ族元素として少なくともベリリ
   ウムと共に、ＶＩ族元素として少なくとも酸素を含むＩ
   Ｉ−ＶＩ族化合物半導体よりなることを特徴とする請求
   項３記載の半導体発光素子。
5. 【請求項５】 前記活性層はＩＩ族元素として少なくと
   も水銀を含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体よりなることを
   特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
6. 【請求項６】 前記第１導電型クラッド層および第２導
   電型クラッド層は、ＩＩ族元素として少なくとも水銀を
   含み、ＶＩ族元素として少なくとも酸素を含むＩＩ−Ｖ
   Ｉ族化合物半導体よりなることを特徴とする請求項５記
   載の半導体発光素子。
7. 【請求項７】 亜鉛（Ｚｎ），マグネシウム（Ｍｇ），
   カドミウム（Ｃｄ），ベリリウム（Ｂｅ），マンガン
   （Ｍｎ）および水銀（Ｈｇ）からなる群のうちの少なく
   とも１種のＩＩ族元素と、酸素（Ｏ），硫黄（Ｓ），セ
   レン（Ｓｅ）およびテルル（Ｔｅ）からなる群のうちの
   少なくとも１種のＶＩ族元素とを含むＩＩ−ＶＩ族化合
   物半導体よりそれぞれなる第１導電型クラッド層，活性
   層および第２導電型クラッド層を備えた半導体発光素子
   であって、 前記活性層はＩＩ族元素として少なくともベリリウムを
   含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体よりなることを特徴とす
   る半導体発光素子。
8. 【請求項８】 前記第１導電型クラッド層および第２導
   電型クラッド層は、ＩＩ族元素として少なくともベリリ
   ウムを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体よりなることを特
   徴とする請求項７記載の半導体発光素子。
9. 【請求項９】 前記第１導電型クラッド層および第２導
   電型クラッド層は、ＶＩ族元素として少なくとも酸素を
   含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体よりなることを特徴とす
   る請求項７記載の半導体発光素子。
10. 【請求項１０】 前記第１導電型クラッド層，活性層お
    よび第２導電型クラッド層が基板の一面側に積層された
    半導体発光素子であって、 前記基板はＩＩＩ族元素のインジウムとＶ族元素の燐と
    を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなることを特徴と
    する請求項７記載の半導体発光素子。
11. 【請求項１１】 前記第１導電型クラッド層および第２
    導電型クラッド層は、ＩＩ族元素として少なくともベリ
    リウムと水銀とを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体よりな
    ることを特徴とする請求項７記載の半導体発光素子。
12. 【請求項１２】 前記活性層はＩＩ族元素として少なく
    とも水銀を更に含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体よりなる
    ことを特徴とする請求項１１記載の半導体発光素子。
13. 【請求項１３】 亜鉛（Ｚｎ），マグネシウム（Ｍ
    ｇ），カドミウム（Ｃｄ），ベリリウム（Ｂｅ），マン
    ガン（Ｍｎ）および水銀（Ｈｇ）からなる群のうちの少
    なくとも１種のＩＩ族元素と、酸素（Ｏ），硫黄
    （Ｓ），セレン（Ｓｅ）およびテルル（Ｔｅ）からなる
    群のうちの少なくとも１種のＶＩ族元素とを含むＩＩ−
    ＶＩ族化合物半導体よりそれぞれなる第１導電型クラッ
    ド層，活性層および第２導電型クラッド層を備えた半導
    体発光素子であって、 前記活性層はＩＩ族元素として少なくともマグネシウム
    とカドミウムと水銀とを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
    よりなることを特徴とする半導体発光素子。
14. 【請求項１４】 前記第１導電型クラッド層および第２
    導電型クラッド層は、ＩＩ族元素として少なくともマグ
    ネシウムと水銀とを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体より
    なることを特徴とする請求項１３記載の半導体発光素
    子。
15. 【請求項１５】 亜鉛（Ｚｎ），マグネシウム（Ｍ
    ｇ），カドミウム（Ｃｄ），ベリリウム（Ｂｅ），マン
    ガン（Ｍｎ）および水銀（Ｈｇ）からなる群のうちの少
    なくとも１種のＩＩ族元素と、酸素（Ｏ），硫黄
    （Ｓ），セレン（Ｓｅ）およびテルル（Ｔｅ）からなる
    群のうちの少なくとも１種のＶＩ族元素とを含むＩＩ−
    ＶＩ族化合物半導体よりそれぞれなるｎ型導電層，活性
    層およびｐ型導電層を備えた半導体発光素子であって、 前記ｐ型導電層はＶＩ族元素として少なくともテルルを
    含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体よりなることを特徴とす
    る半導体発光素子。
16. 【請求項１６】 前記ｎ型導電層を構成するＩＩ−ＶＩ
    族化合物半導体のＶＩ族元素は酸素，硫黄およびセレン
    からなる群のうちの少なくとも１種であることを特徴と
    する請求項１５記載の半導体発光素子。
17. 【請求項１７】 前記ｐ型導電層を構成するＩＩ−ＶＩ
    族化合物半導体のＶＩ族元素はテルルであることを特徴
    とする請求項１５記載の半導体発光素子。
18. 【請求項１８】 亜鉛（Ｚｎ），マグネシウム（Ｍ
    ｇ），カドミウム（Ｃｄ），ベリリウム（Ｂｅ），マン
    ガン（Ｍｎ）および水銀（Ｈｇ）からなる群のうちの少
    なくとも１種のＩＩ族元素と、酸素（Ｏ），硫黄
    （Ｓ），セレン（Ｓｅ）およびテルル（Ｔｅ）からなる
    群のうちの少なくとも１種のＶＩ族元素とを含むＩＩ−
    ＶＩ族化合物半導体よりそれぞれなる第１導電型クラッ
    ド層，活性層および第２導電型クラッド層が形成された
    半導体発光素子を備えた光装置であって、 前記半導体発光素子は、活性層がＶＩ族元素として少な
    くとも酸素を含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により構成
    されたことを特徴とする光装置。
19. 【請求項１９】 亜鉛（Ｚｎ），マグネシウム（Ｍ
    ｇ），カドミウム（Ｃｄ），ベリリウム（Ｂｅ），マン
    ガン（Ｍｎ）および水銀（Ｈｇ）からなる群のうちの少
    なくとも１種のＩＩ族元素と、酸素（Ｏ），硫黄
    （Ｓ），セレン（Ｓｅ）およびテルル（Ｔｅ）からなる
    群のうちの少なくとも１種のＶＩ族元素とを含むＩＩ−
    ＶＩ族化合物半導体よりそれぞれなる第１導電型クラッ
    ド層，活性層および第２導電型クラッド層が形成された
    半導体発光素子を備えた光装置であって、 前記半導体発光素子は、活性層がＩＩ族元素として少な
    くともベリリウムを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体によ
    り構成されたことを特徴とする光装置。
20. 【請求項２０】 亜鉛（Ｚｎ），マグネシウム（Ｍ
    ｇ），カドミウム（Ｃｄ），ベリリウム（Ｂｅ），マン
    ガン（Ｍｎ）および水銀（Ｈｇ）からなる群のうちの少
    なくとも１種のＩＩ族元素と、酸素（Ｏ），硫黄
    （Ｓ），セレン（Ｓｅ）およびテルル（Ｔｅ）からなる
    群のうちの少なくとも１種のＶＩ族元素とを含むＩＩ−
    ＶＩ族化合物半導体よりそれぞれなる第１導電型クラッ
    ド層，活性層および第２導電型クラッド層が形成された
    半導体発光素子を備えた光装置であって、 前記半導体発光素子は、活性層がＩＩ族元素として少な
    くともマグネシウムとカドミウムと水銀とを含むＩＩ−
    ＶＩ族化合物半導体により構成されたことを特徴とする
    光装置。
21. 【請求項２１】 亜鉛（Ｚｎ），マグネシウム（Ｍ
    ｇ），カドミウム（Ｃｄ），ベリリウム（Ｂｅ），マン
    ガン（Ｍｎ）および水銀（Ｈｇ）からなる群のうちの少
    なくとも１種のＩＩ族元素と、酸素（Ｏ），硫黄
    （Ｓ），セレン（Ｓｅ）およびテルル（Ｔｅ）からなる
    群のうちの少なくとも１種のＶＩ族元素とを含むＩＩ−
    ＶＩ族化合物半導体よりそれぞれなるｎ型導電層，活性
    層およびｐ型導電層が形成された半導体発光素子を備え
    た光装置であって、 前記半導体発光素子は、ｐ型導電層がＶＩ族元素として
    少なくともテルルを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体によ
    り構成されたことを特徴とする光装置。