JPH11135881A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH11135881A JPH11135881A JP29418297A JP29418297A JPH11135881A JP H11135881 A JPH11135881 A JP H11135881A JP 29418297 A JP29418297 A JP 29418297A JP 29418297 A JP29418297 A JP 29418297A JP H11135881 A JPH11135881 A JP H11135881A
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- layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層上に設けら
れるｐ側電極の接触抵抗を低減することができる半導体
装置を提供する。 【解決手段】 ｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層上にｐ
側電極を設ける半導体レーザなどの半導体装置におい
て、ｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層、例えばｐ型Ｚｎ
Ｓｅコンタクト層１１とｐ側電極１４との間に、Ｃｕお
よびＡｇからなる群より選ばれた少なくとも一種のＩ族
元素とＡｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選ばれた少
なくとも一種のＩＩＩ族元素とＳｅ、Ｓ、ＴｅおよびＯ
からなる群より選ばれた少なくともＳｅまたはＳを含む
少なくとも一種のＶＩ族元素とにより構成されたＩ−Ｉ
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層、例えばＣｕＩｎＳｅ2 コ
ンタクト層１２を設ける。
れるｐ側電極の接触抵抗を低減することができる半導体
装置を提供する。 【解決手段】 ｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層上にｐ
側電極を設ける半導体レーザなどの半導体装置におい
て、ｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層、例えばｐ型Ｚｎ
Ｓｅコンタクト層１１とｐ側電極１４との間に、Ｃｕお
よびＡｇからなる群より選ばれた少なくとも一種のＩ族
元素とＡｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選ばれた少
なくとも一種のＩＩＩ族元素とＳｅ、Ｓ、ＴｅおよびＯ
からなる群より選ばれた少なくともＳｅまたはＳを含む
少なくとも一種のＶＩ族元素とにより構成されたＩ−Ｉ
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層、例えばＣｕＩｎＳｅ2 コ
ンタクト層１２を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置に関
し、特に、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半導体装
置、例えば半導体レーザや発光ダイオードのような半導
体発光素子に適用して好適なものである。
し、特に、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半導体装
置、例えば半導体レーザや発光ダイオードのような半導
体発光素子に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ディスクや光磁気ディスクに対
する記録／再生の高密度化または高解像度化のために、
青色ないし緑色で発光可能な半導体レーザに対する要求
が高まっており、その実用化を目指して研究が活発に行
われている。
する記録／再生の高密度化または高解像度化のために、
青色ないし緑色で発光可能な半導体レーザに対する要求
が高まっており、その実用化を目指して研究が活発に行
われている。
【０００３】このような青色ないし緑色で発光可能な半
導体レーザの製造に用いる材料としては、亜鉛（Ｚ
ｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カドミウム（Ｃｄ）、水
銀（Ｈｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）などのＩＩ族元素とセ
レン（Ｓｅ）、イオウ（Ｓ）、テルル（Ｔｅ）、酸素
（Ｏ）などのＶＩ族元素とからなるＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体が有望である。特に、四元系ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体であるＺｎＭｇＳＳｅは、結晶性に優れ、入手も
容易なＧａＡｓ基板上への結晶成長が可能であり、例え
ば青色で発光可能な半導体レーザをこのＧａＡｓ基板を
用いて製造するときのクラッド層や光導波層などに適し
ていることが知られている（例えば、Electronics Lett
ers 28(1992)1798）。
導体レーザの製造に用いる材料としては、亜鉛（Ｚ
ｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カドミウム（Ｃｄ）、水
銀（Ｈｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）などのＩＩ族元素とセ
レン（Ｓｅ）、イオウ（Ｓ）、テルル（Ｔｅ）、酸素
（Ｏ）などのＶＩ族元素とからなるＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体が有望である。特に、四元系ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体であるＺｎＭｇＳＳｅは、結晶性に優れ、入手も
容易なＧａＡｓ基板上への結晶成長が可能であり、例え
ば青色で発光可能な半導体レーザをこのＧａＡｓ基板を
用いて製造するときのクラッド層や光導波層などに適し
ていることが知られている（例えば、Electronics Lett
ers 28(1992)1798）。
【０００４】しかしながら、このＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体を用いた半導体レーザにおいては、電極とＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体層との界面におけるショットキー障壁
の高さが高いため（例えば、Appl. Phys. Lett. 63(199
3)2612) 、電極の接触抵抗が高く、それが動作電圧を高
くしていた。また、高キャリア濃度のｐ型ＺｎＳｅ層を
得ることが困難であることから、このｐ型ＺｎＳｅ層を
ｐ側電極のコンタクト層として用いるとオーミック接触
が得られにくく、これも動作電圧を高くしていた。この
ため、従来のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半導体
レーザは、消費電力（電圧×電流）が高く、これが動作
時の発熱量を多くし、半導体レーザの劣化をもたらして
いた。
導体を用いた半導体レーザにおいては、電極とＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体層との界面におけるショットキー障壁
の高さが高いため（例えば、Appl. Phys. Lett. 63(199
3)2612) 、電極の接触抵抗が高く、それが動作電圧を高
くしていた。また、高キャリア濃度のｐ型ＺｎＳｅ層を
得ることが困難であることから、このｐ型ＺｎＳｅ層を
ｐ側電極のコンタクト層として用いるとオーミック接触
が得られにくく、これも動作電圧を高くしていた。この
ため、従来のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半導体
レーザは、消費電力（電圧×電流）が高く、これが動作
時の発熱量を多くし、半導体レーザの劣化をもたらして
いた。
【０００５】そこで、この問題を解決するために、ｐ型
ＺｎＳｅ層上に１×１０19ｃｍ-3程度の高いキャリア濃
度が得られるｐ型ＺｎＴｅ層を成長させ、このｐ型Ｚｎ
Ｔｅ層にｐ側電極をコンタクトさせる技術が提案され
た。しかしながら、このｐ側電極コンタクト構造では、
ｐ型ＺｎＳｅ層とｐ型ＺｎＴｅ層との界面における価電
子帯の不連続が約０．６ｅＶと大きく、動作電圧をあま
り低くすることができないため、ｐ型ＺｎＳｅ層とｐ型
ＺｎＴｅ層との間にｐ型ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ多重量子井
戸（ＭＱＷ）層を形成してｐ型ＺｎＳｅ層とｐ型ＺｎＴ
ｅ層との界面における価電子帯の不連続を実効的になく
すことにより低動作電圧化を図る技術が提案されている
（例えば、Electronics Letters 29(1993)878)。
ＺｎＳｅ層上に１×１０19ｃｍ-3程度の高いキャリア濃
度が得られるｐ型ＺｎＴｅ層を成長させ、このｐ型Ｚｎ
Ｔｅ層にｐ側電極をコンタクトさせる技術が提案され
た。しかしながら、このｐ側電極コンタクト構造では、
ｐ型ＺｎＳｅ層とｐ型ＺｎＴｅ層との界面における価電
子帯の不連続が約０．６ｅＶと大きく、動作電圧をあま
り低くすることができないため、ｐ型ＺｎＳｅ層とｐ型
ＺｎＴｅ層との間にｐ型ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ多重量子井
戸（ＭＱＷ）層を形成してｐ型ＺｎＳｅ層とｐ型ＺｎＴ
ｅ層との界面における価電子帯の不連続を実効的になく
すことにより低動作電圧化を図る技術が提案されている
（例えば、Electronics Letters 29(1993)878)。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体を用いた半導体レーザを製造する場合、
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層の成長にはもっぱら分子線
エピタキシー（ＭＢＥ）が用いられている。しかしなが
ら、上述のｐ型ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層をＭＢＥ法
により成長させる場合には、分子線フラックス量、基板
温度、成長速度などの制御性を高くしないと、所望のｐ
型ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層を成長させることができ
ない。さらに、ＺｎＳｅおよびＺｎＴｅの格子定数はそ
れぞれ５．６６９４２Åおよび６．１０Åであり、それ
らの間に比較的大きな格子定数差があるため、ｐ型Ｚｎ
Ｓｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層の成長時にｐ型ＺｎＳｅ層上に
ｐ型ＺｎＴｅ層を成長させると、その界面にミスフィッ
ト転位が導入されてしまい、結晶性が悪化する。また、
このミスフィット転位の所に存在するダングリングボン
ドが正孔のトラップとなり、正孔がこのダングリングボ
ンドにトラップされることによりｐ型キャリア濃度が減
少し、動作電圧の増加を招いてしまう。
族化合物半導体を用いた半導体レーザを製造する場合、
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層の成長にはもっぱら分子線
エピタキシー（ＭＢＥ）が用いられている。しかしなが
ら、上述のｐ型ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層をＭＢＥ法
により成長させる場合には、分子線フラックス量、基板
温度、成長速度などの制御性を高くしないと、所望のｐ
型ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層を成長させることができ
ない。さらに、ＺｎＳｅおよびＺｎＴｅの格子定数はそ
れぞれ５．６６９４２Åおよび６．１０Åであり、それ
らの間に比較的大きな格子定数差があるため、ｐ型Ｚｎ
Ｓｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層の成長時にｐ型ＺｎＳｅ層上に
ｐ型ＺｎＴｅ層を成長させると、その界面にミスフィッ
ト転位が導入されてしまい、結晶性が悪化する。また、
このミスフィット転位の所に存在するダングリングボン
ドが正孔のトラップとなり、正孔がこのダングリングボ
ンドにトラップされることによりｐ型キャリア濃度が減
少し、動作電圧の増加を招いてしまう。
【０００７】さらに、一般に、ｐ側電極とｐ型コンタク
ト層との間の接触抵抗が高いと、正孔がｐ型コンタクト
層に容易に移動することができないため、高い電圧、し
たがって大きい電力を印加する必要がある。
ト層との間の接触抵抗が高いと、正孔がｐ型コンタクト
層に容易に移動することができないため、高い電圧、し
たがって大きい電力を印加する必要がある。
【０００８】したがって、この発明の目的は、ｐ型ＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体層上に設けられる電極の接触抵抗
の低減を図ることができる半導体装置を提供することに
ある。
−ＶＩ族化合物半導体層上に設けられる電極の接触抵抗
の低減を図ることができる半導体装置を提供することに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、従来技術が
有する上述の課題を解決すべく、鋭意検討を行った。以
下にその概要について説明する。
有する上述の課題を解決すべく、鋭意検討を行った。以
下にその概要について説明する。
【００１０】すなわち、本発明者は、ｐ型ＺｎＳｅ層に
対してｐ側電極をオーミック接触させる場合に、このｐ
型ＺｎＳｅ層とｐ側電極との間に中間層としてコンタク
ト層を設けることによりｐ側電極の接触抵抗の低減を図
るという方針のもとに、このコンタクト層の材料につい
て種々検討を行った。この結果、コンタクト層の材料と
しては、黄銅鉱（カルコパイライト）型結晶構造を有す
るＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体、特にそのうちＶＩ
族元素がＳｅまたはＳであるものが最も優れた材料であ
るという結論に至った。これは、第１には、Ｉ−ＩＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体は一般に高い正孔濃度のｐ型のも
のが容易に得られるからである。第２には、いわゆるコ
モンアニオン（common anion）モデルによれば、ＶＩ族
元素がＳｅであるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体は、
その価電子帯の上端がＺｎＳｅの価電子帯の上端と一致
し、したがってｐ型ＺｎＳｅとこのＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体とを接触させた場合、それらの界面におけ
る価電子帯に不連続が生じず、また、ＶＩ族元素がＳで
あるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体は、その価電子帯
の上端がＺｎＳｅの価電子帯の上端より低く、したがっ
てｐ型ＺｎＳｅとこのＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
とを接触させた場合、それらの界面には価電子帯に不連
続が生じるものの、その不連続はｐ側電極から注入され
る正孔に対して障壁として働かないものであるからであ
る。
対してｐ側電極をオーミック接触させる場合に、このｐ
型ＺｎＳｅ層とｐ側電極との間に中間層としてコンタク
ト層を設けることによりｐ側電極の接触抵抗の低減を図
るという方針のもとに、このコンタクト層の材料につい
て種々検討を行った。この結果、コンタクト層の材料と
しては、黄銅鉱（カルコパイライト）型結晶構造を有す
るＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体、特にそのうちＶＩ
族元素がＳｅまたはＳであるものが最も優れた材料であ
るという結論に至った。これは、第１には、Ｉ−ＩＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体は一般に高い正孔濃度のｐ型のも
のが容易に得られるからである。第２には、いわゆるコ
モンアニオン（common anion）モデルによれば、ＶＩ族
元素がＳｅであるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体は、
その価電子帯の上端がＺｎＳｅの価電子帯の上端と一致
し、したがってｐ型ＺｎＳｅとこのＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体とを接触させた場合、それらの界面におけ
る価電子帯に不連続が生じず、また、ＶＩ族元素がＳで
あるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体は、その価電子帯
の上端がＺｎＳｅの価電子帯の上端より低く、したがっ
てｐ型ＺｎＳｅとこのＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
とを接触させた場合、それらの界面には価電子帯に不連
続が生じるものの、その不連続はｐ側電極から注入され
る正孔に対して障壁として働かないものであるからであ
る。
【００１１】例えば、図１に示すように、ｐ型ＺｎＳｅ
とｐ型ＺｎＴｅとを接触させた場合にはそれらの界面に
おける価電子帯に約０．６ｅＶもの大きな不連続が生
じ、これがｐ側電極から注入される正孔に対して障壁と
なるのに対し、図２に示すように、ｐ型ＺｎＳｅと、Ｖ
Ｉ族元素がＳｅであるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
の一例としてＣｕＩｎＳｅ2 とを接触させた場合にはそ
れらの界面における価電子帯には不連続はなく、したが
ってｐ側電極から注入される正孔に対して障壁は存在し
ない。また、図３に示すように、ｐ型ＺｎＳｅと、ＶＩ
族元素がＳであるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の一
例としてＣｕＩｎＳ2 とを接触させた場合にはそれらの
界面における価電子帯に図１の場合と逆方向に約０．５
ｅＶの不連続が生じるが、この不連続はｐ側電極から注
入される正孔に対して障壁として働かない。
とｐ型ＺｎＴｅとを接触させた場合にはそれらの界面に
おける価電子帯に約０．６ｅＶもの大きな不連続が生
じ、これがｐ側電極から注入される正孔に対して障壁と
なるのに対し、図２に示すように、ｐ型ＺｎＳｅと、Ｖ
Ｉ族元素がＳｅであるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
の一例としてＣｕＩｎＳｅ2 とを接触させた場合にはそ
れらの界面における価電子帯には不連続はなく、したが
ってｐ側電極から注入される正孔に対して障壁は存在し
ない。また、図３に示すように、ｐ型ＺｎＳｅと、ＶＩ
族元素がＳであるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の一
例としてＣｕＩｎＳ2 とを接触させた場合にはそれらの
界面における価電子帯に図１の場合と逆方向に約０．５
ｅＶの不連続が生じるが、この不連続はｐ側電極から注
入される正孔に対して障壁として働かない。
【００１２】コンタクト層の材料としては、ＶＩ族元素
としてＳｅおよびＳの両方を含むＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体も同様に優れたものである。例えば、ＣｕＩ
ｎＳｅ2 におけるＳｅの一部をＳで置換したＣｕＩｎＳ
2xＳｅ2(1-x)（ただし、０＜ｘ＜１）である。また、Ｖ
Ｉ族元素としてＳｅまたはＳに加えてＴｅを含むＩ−Ｉ
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体であっても、その価電子帯の
上端がＺｎＳｅの価電子帯の上端に比べてあまり高くな
りすぎず、ｐ型ＺｎＳｅと接触させたときにそれらの界
面における価電子帯に正孔の移動に対して支障となる大
きさの不連続を生じない程度のＴｅ組成である限り、コ
ンタクト層の材料として使用することができる。さら
に、ＶＩ族元素としてＳｅまたはＳに加えてＯを含むＩ
−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体であっても、黄銅鉱型結
晶構造を維持することができる範囲のＯ組成である限
り、コンタクト層の材料として使用することができ、こ
の場合も、ＶＩ族元素としてＳｅまたはＳを含むＩ−Ｉ
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体と同様に、ｐ型ＺｎＳｅと接
触させたときにそれらの界面における価電子帯にはｐ側
電極から注入される正孔に対して障壁となる不連続は存
在しない。
としてＳｅおよびＳの両方を含むＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体も同様に優れたものである。例えば、ＣｕＩ
ｎＳｅ2 におけるＳｅの一部をＳで置換したＣｕＩｎＳ
2xＳｅ2(1-x)（ただし、０＜ｘ＜１）である。また、Ｖ
Ｉ族元素としてＳｅまたはＳに加えてＴｅを含むＩ−Ｉ
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体であっても、その価電子帯の
上端がＺｎＳｅの価電子帯の上端に比べてあまり高くな
りすぎず、ｐ型ＺｎＳｅと接触させたときにそれらの界
面における価電子帯に正孔の移動に対して支障となる大
きさの不連続を生じない程度のＴｅ組成である限り、コ
ンタクト層の材料として使用することができる。さら
に、ＶＩ族元素としてＳｅまたはＳに加えてＯを含むＩ
−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体であっても、黄銅鉱型結
晶構造を維持することができる範囲のＯ組成である限
り、コンタクト層の材料として使用することができ、こ
の場合も、ＶＩ族元素としてＳｅまたはＳを含むＩ−Ｉ
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体と同様に、ｐ型ＺｎＳｅと接
触させたときにそれらの界面における価電子帯にはｐ側
電極から注入される正孔に対して障壁となる不連続は存
在しない。
【００１３】上述の種々のＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体のうちどの材料をコンタクト層の材料として使用す
るかは、ｐ側電極をオーミック接触させる必要のあるｐ
型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体との格子整合などを考慮し
て決定すればよい。
導体のうちどの材料をコンタクト層の材料として使用す
るかは、ｐ側電極をオーミック接触させる必要のあるｐ
型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体との格子整合などを考慮し
て決定すればよい。
【００１４】また、以上はｐ型ＺｎＳｅ層に対してｐ側
電極をオーミック接触させる場合についてであるが、一
般に、ｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層にｐ側電極をオ
ーミック接触させる場合に同様なことが成立しうる。
電極をオーミック接触させる場合についてであるが、一
般に、ｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層にｐ側電極をオ
ーミック接触させる場合に同様なことが成立しうる。
【００１５】この発明は、本発明者による以上の検討に
基づいて案出されたものである。
基づいて案出されたものである。
【００１６】すなわち、上記目的を達成するために、こ
の発明は、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｄ、ＨｇおよびＢｅからなる
群より選ばれた少なくとも一種のＩＩ族元素とＳｅ、
Ｓ、ＴｅおよびＯからなる群より選ばれた少なくとも一
種のＶＩ族元素とにより構成されたｐ型ＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体層上に電極を有する半導体装置において、ｐ
型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層と電極との間に、Ｃｕお
よびＡｇからなる群より選ばれた少なくとも一種のＩ族
元素とＡｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選ばれた少
なくとも一種のＩＩＩ族元素とＳｅ、Ｓ、ＴｅおよびＯ
からなる群より選ばれた少なくともＳｅまたはＳを含む
少なくとも一種のＶＩ族元素とにより構成されたＩ−Ｉ
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層が設けられていることを特
徴とするものである。
の発明は、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｄ、ＨｇおよびＢｅからなる
群より選ばれた少なくとも一種のＩＩ族元素とＳｅ、
Ｓ、ＴｅおよびＯからなる群より選ばれた少なくとも一
種のＶＩ族元素とにより構成されたｐ型ＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体層上に電極を有する半導体装置において、ｐ
型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層と電極との間に、Ｃｕお
よびＡｇからなる群より選ばれた少なくとも一種のＩ族
元素とＡｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選ばれた少
なくとも一種のＩＩＩ族元素とＳｅ、Ｓ、ＴｅおよびＯ
からなる群より選ばれた少なくともＳｅまたはＳを含む
少なくとも一種のＶＩ族元素とにより構成されたＩ−Ｉ
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層が設けられていることを特
徴とするものである。
【００１７】この発明において、典型的には、Ｉ−ＩＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体層を構成するＶＩ族元素は、Ｓ
ｅ、Ｓまたはそれらの両方である。ここで、ＶＩ族元素
としてＳｅおよびＳの両方を含むＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体層は、ｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層がＳ
ｅおよびＳの両方を含むもの、例えば、ｐ型ＺｎＳＳｅ
層やｐ型ＺｎＭｇＳＳｅ層などである場合に好適なもの
である。
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体層を構成するＶＩ族元素は、Ｓ
ｅ、Ｓまたはそれらの両方である。ここで、ＶＩ族元素
としてＳｅおよびＳの両方を含むＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体層は、ｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層がＳ
ｅおよびＳの両方を含むもの、例えば、ｐ型ＺｎＳＳｅ
層やｐ型ＺｎＭｇＳＳｅ層などである場合に好適なもの
である。
【００１８】この発明において、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体層の材料の具体例を挙げると、ＣｕＩｎＳｅ
2 、ＣｕＩｎＳ2 、ＣｕＩｎＳ2xＳｅ2(1-x)、ＣｕＩｎ
Ｔｅ2xＳｅ2(1-x)、ＣｕＩｎＯ2xＳｅ2(1-x)、ＣｕＩｎ
Ｔｅ2xＳ2(1-x)、ＣｕＩｎＯ2xＳ2(1-x)、ＣｕＡｌＳｅ
2 、ＣｕＡｌＳ2 、ＣｕＡｌＳ2xＳｅ2(1-x)、ＣｕＡｌ
Ｔｅ2xＳｅ2(1-x)、ＣｕＡｌＯ2xＳｅ2(1-x)、ＣｕＡｌ
Ｔｅ2xＳ2(1-x)、ＣｕＡｌＯ2xＳ2(1-x)、ＣｕＧａＳｅ
2 、ＣｕＧａＳ2 、ＣｕＧａＳ2xＳｅ2(1-x)、ＣｕＧａ
Ｔｅ2xＳｅ2(1-x)、ＣｕＧａＯ2xＳｅ2(1-x)、ＣｕＧａ
Ｔｅ2xＳ2(1-x)、ＣｕＧａＯ2xＳ2(1-x)、ＡｇＡｌＳｅ
2 、ＡｇＡｌＳ2 、ＡｇＡｌＳ2xＳｅ2( 1-x)、ＡｇＡｌ
Ｔｅ2xＳｅ2(1-x)、ＡｇＡｌＯ2xＳｅ2(1-x)、ＡｇＡｌ
Ｔｅ2xＳ2(1-x)、ＡｇＡｌＯ2xＳ2(1-x)、ＡｇＧａＳｅ
2 、ＡｇＧａＳ2 、ＡｇＧａＳ2xＳｅ2(1-x)、ＡｇＧａ
Ｔｅ2xＳｅ2(1-x)、ＡｇＧａＯ2xＳｅ2(1-x)、ＡｇＧａ
Ｔｅ2xＳ2(1-x)、ＡｇＧａＯ2xＳ2(1-x)、ＡｇＩｎＳｅ
2 、ＡｇＩｎＳ2 、ＡｇＩｎＳ2xＳｅ2(1-x)、ＡｇＩｎ
Ｔｅ2xＳｅ2(1-x)、ＡｇＩｎＯ2xＳｅ2(1-x)、ＡｇＩｎ
Ｔｅ2xＳ2(1-x)、ＡｇＩｎＯ2xＳ2(1-x)などである。た
だし、０＜ｘ＜１である。
合物半導体層の材料の具体例を挙げると、ＣｕＩｎＳｅ
2 、ＣｕＩｎＳ2 、ＣｕＩｎＳ2xＳｅ2(1-x)、ＣｕＩｎ
Ｔｅ2xＳｅ2(1-x)、ＣｕＩｎＯ2xＳｅ2(1-x)、ＣｕＩｎ
Ｔｅ2xＳ2(1-x)、ＣｕＩｎＯ2xＳ2(1-x)、ＣｕＡｌＳｅ
2 、ＣｕＡｌＳ2 、ＣｕＡｌＳ2xＳｅ2(1-x)、ＣｕＡｌ
Ｔｅ2xＳｅ2(1-x)、ＣｕＡｌＯ2xＳｅ2(1-x)、ＣｕＡｌ
Ｔｅ2xＳ2(1-x)、ＣｕＡｌＯ2xＳ2(1-x)、ＣｕＧａＳｅ
2 、ＣｕＧａＳ2 、ＣｕＧａＳ2xＳｅ2(1-x)、ＣｕＧａ
Ｔｅ2xＳｅ2(1-x)、ＣｕＧａＯ2xＳｅ2(1-x)、ＣｕＧａ
Ｔｅ2xＳ2(1-x)、ＣｕＧａＯ2xＳ2(1-x)、ＡｇＡｌＳｅ
2 、ＡｇＡｌＳ2 、ＡｇＡｌＳ2xＳｅ2( 1-x)、ＡｇＡｌ
Ｔｅ2xＳｅ2(1-x)、ＡｇＡｌＯ2xＳｅ2(1-x)、ＡｇＡｌ
Ｔｅ2xＳ2(1-x)、ＡｇＡｌＯ2xＳ2(1-x)、ＡｇＧａＳｅ
2 、ＡｇＧａＳ2 、ＡｇＧａＳ2xＳｅ2(1-x)、ＡｇＧａ
Ｔｅ2xＳｅ2(1-x)、ＡｇＧａＯ2xＳｅ2(1-x)、ＡｇＧａ
Ｔｅ2xＳ2(1-x)、ＡｇＧａＯ2xＳ2(1-x)、ＡｇＩｎＳｅ
2 、ＡｇＩｎＳ2 、ＡｇＩｎＳ2xＳｅ2(1-x)、ＡｇＩｎ
Ｔｅ2xＳｅ2(1-x)、ＡｇＩｎＯ2xＳｅ2(1-x)、ＡｇＩｎ
Ｔｅ2xＳ2(1-x)、ＡｇＩｎＯ2xＳ2(1-x)などである。た
だし、０＜ｘ＜１である。
【００１９】上述のように構成されたこの発明において
は、ＣｕおよびＡｇからなる群より選ばれた少なくとも
一種のＩ族元素とＡｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より
選ばれた少なくとも一種のＩＩＩ族元素とＳｅ、Ｓ、Ｔ
ｅおよびＯからなる群より選ばれた少なくともＳｅまた
はＳを含む少なくとも一種のＶＩ族元素とにより構成さ
れたＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層の価電子帯の上
端は、ｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層の価電子帯の上
端とほぼ等しいか、あるいは、ｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体層の価電子帯の上端より低くすることができるこ
とにより、これらのｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層お
よびＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層の界面における
価電子帯にはほとんど不連続がなく、あるいは、不連続
があっても電極から注入される正孔に対して障壁となら
ない。また、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層は、高
い正孔濃度のｐ型のものを容易に得ることができる。
は、ＣｕおよびＡｇからなる群より選ばれた少なくとも
一種のＩ族元素とＡｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より
選ばれた少なくとも一種のＩＩＩ族元素とＳｅ、Ｓ、Ｔ
ｅおよびＯからなる群より選ばれた少なくともＳｅまた
はＳを含む少なくとも一種のＶＩ族元素とにより構成さ
れたＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層の価電子帯の上
端は、ｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層の価電子帯の上
端とほぼ等しいか、あるいは、ｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体層の価電子帯の上端より低くすることができるこ
とにより、これらのｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層お
よびＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層の界面における
価電子帯にはほとんど不連続がなく、あるいは、不連続
があっても電極から注入される正孔に対して障壁となら
ない。また、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層は、高
い正孔濃度のｐ型のものを容易に得ることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施形態につ
いて図面を参照しながら説明する。
いて図面を参照しながら説明する。
【００２１】図４にこの発明の一実施形態による半導体
レーザを示す。この一実施形態による半導体レーザは、
ＳＣＨ（Separate Confinement Heterostructure）構造
を有するものである。
レーザを示す。この一実施形態による半導体レーザは、
ＳＣＨ（Separate Confinement Heterostructure）構造
を有するものである。
【００２２】図４に示すように、この一実施形態による
半導体レーザにおいては、例えば（１００）面方位のｎ
型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ
型ＺｎＳｅバッファ層３、ｎ型ＺｎＳＳｅバッファ層
４、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層５、ｎ型ＺｎＳＳｅ
光導波層６、活性層７、ｐ型ＺｎＳＳｅ光導波層８、ｐ
型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層９、ｐ型ＺｎＳＳｅキャッ
プ層１０、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１およびｐ型の
ＣｕＩｎＳｅ2 コンタクト層１２が順次積層されてい
る。
半導体レーザにおいては、例えば（１００）面方位のｎ
型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ
型ＺｎＳｅバッファ層３、ｎ型ＺｎＳＳｅバッファ層
４、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層５、ｎ型ＺｎＳＳｅ
光導波層６、活性層７、ｐ型ＺｎＳＳｅ光導波層８、ｐ
型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層９、ｐ型ＺｎＳＳｅキャッ
プ層１０、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１およびｐ型の
ＣｕＩｎＳｅ2 コンタクト層１２が順次積層されてい
る。
【００２３】ここで、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２は厚さ
が例えば０．５μｍであり、ｎ型不純物として例えばシ
リコン（Ｓｉ）がドープされている。ｎ型ＺｎＳｅバッ
ファ層３は厚さが例えば３０ｎｍであり、ｎ型不純物と
して例えば塩素（Ｃｌ）がドープされ、不純物濃度は例
えば［Ｃｌ］＝７×１０17ｃｍ-3である。ｎ型ＺｎＳＳ
ｅバッファ層４は厚さが例えば３００ｎｍであり、ｎ型
不純物として例えばＣｌがドープされ、不純物濃度は例
えば［Ｃｌ］＝５×１０17ｃｍ-3である。ｎ型ＺｎＭｇ
ＳＳｅクラッド層５は厚さが例えば０．８μｍであり、
ｎ型不純物として例えばＣｌがドープされ、不純物濃度
は例えば［Ｃｌ］＝２×１０17ｃｍ-3である。ｎ型Ｚｎ
ＳＳｅ光導波層６は厚さが例えば４５ｎｍであり、ｎ型
不純物として例えばＣｌがドープされ、不純物濃度は例
えば［Ｃｌ］＝５×１０17ｃｍ-3である。活性層７は、
例えば、ＺｎＣｄＳｅの多重量子井戸（ＭＱＷ）構造ま
たは単一量子井戸（ＳＱＷ）構造を有する。このＺｎＣ
ｄＳｅのＩＩ族元素の組成は例えばＺｎが８０％、Ｃｄ
が２０％であり、その格子定数はｎ型ＧａＡｓ基板１の
格子定数よりも若干大きくなっている。ｐ型ＺｎＳＳｅ
光導波層８は厚さが例えば４５ｎｍであり、ｐ型不純物
として例えば窒素（Ｎ）がドープされ、不純物濃度は例
えば［Ｎ］＝５×１０17ｃｍ-3である。ｐ型ＺｎＭｇＳ
Ｓｅクラッド層９は厚さが例えば１μｍであり、ｐ型不
純物として例えばＮがドープされ、不純物濃度は例えば
［Ｎ］＝２×１０17ｃｍ-3である。ｐ型ＺｎＳＳｅキャ
ップ層１０は厚さが例えば４００ｎｍであり、ｐ型不純
物として例えばＮがドープされ、不純物濃度は例えば
［Ｎ］＝５×１０17ｃｍ-3である。ｐ型ＺｎＳｅコンタ
クト層１１は厚さが例えば２００ｎｍであり、ｐ型不純
物としては例えばＮがドープされ、不純物濃度は例えば
［Ｎ］＝８×１０17ｃｍ-3である。ＣｕＩｎＳｅ2コン
タクト層１２の厚さは例えば１００ｎｍである。このＣ
ｕＩｎＳｅ2 コンタクト層１２はアンドープであるが、
ｐ型で正孔濃度は例えば２×１０21ｃｍ-3と極めて高
い。
が例えば０．５μｍであり、ｎ型不純物として例えばシ
リコン（Ｓｉ）がドープされている。ｎ型ＺｎＳｅバッ
ファ層３は厚さが例えば３０ｎｍであり、ｎ型不純物と
して例えば塩素（Ｃｌ）がドープされ、不純物濃度は例
えば［Ｃｌ］＝７×１０17ｃｍ-3である。ｎ型ＺｎＳＳ
ｅバッファ層４は厚さが例えば３００ｎｍであり、ｎ型
不純物として例えばＣｌがドープされ、不純物濃度は例
えば［Ｃｌ］＝５×１０17ｃｍ-3である。ｎ型ＺｎＭｇ
ＳＳｅクラッド層５は厚さが例えば０．８μｍであり、
ｎ型不純物として例えばＣｌがドープされ、不純物濃度
は例えば［Ｃｌ］＝２×１０17ｃｍ-3である。ｎ型Ｚｎ
ＳＳｅ光導波層６は厚さが例えば４５ｎｍであり、ｎ型
不純物として例えばＣｌがドープされ、不純物濃度は例
えば［Ｃｌ］＝５×１０17ｃｍ-3である。活性層７は、
例えば、ＺｎＣｄＳｅの多重量子井戸（ＭＱＷ）構造ま
たは単一量子井戸（ＳＱＷ）構造を有する。このＺｎＣ
ｄＳｅのＩＩ族元素の組成は例えばＺｎが８０％、Ｃｄ
が２０％であり、その格子定数はｎ型ＧａＡｓ基板１の
格子定数よりも若干大きくなっている。ｐ型ＺｎＳＳｅ
光導波層８は厚さが例えば４５ｎｍであり、ｐ型不純物
として例えば窒素（Ｎ）がドープされ、不純物濃度は例
えば［Ｎ］＝５×１０17ｃｍ-3である。ｐ型ＺｎＭｇＳ
Ｓｅクラッド層９は厚さが例えば１μｍであり、ｐ型不
純物として例えばＮがドープされ、不純物濃度は例えば
［Ｎ］＝２×１０17ｃｍ-3である。ｐ型ＺｎＳＳｅキャ
ップ層１０は厚さが例えば４００ｎｍであり、ｐ型不純
物として例えばＮがドープされ、不純物濃度は例えば
［Ｎ］＝５×１０17ｃｍ-3である。ｐ型ＺｎＳｅコンタ
クト層１１は厚さが例えば２００ｎｍであり、ｐ型不純
物としては例えばＮがドープされ、不純物濃度は例えば
［Ｎ］＝８×１０17ｃｍ-3である。ＣｕＩｎＳｅ2コン
タクト層１２の厚さは例えば１００ｎｍである。このＣ
ｕＩｎＳｅ2 コンタクト層１２はアンドープであるが、
ｐ型で正孔濃度は例えば２×１０21ｃｍ-3と極めて高
い。
【００２４】ｐ型ＺｎＳＳｅキャップ層１０の上層部、
ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１およびＣｕＩｎＳｅ2 コ
ンタクト層１２は一方向に延びるストライプ形状を有す
る。このストライプ部の両側の部分には例えばアルミナ
（Ａｌ2 Ｏ3 ）膜のような絶縁層１３が埋め込まれてお
り、これによって電流狭窄構造が形成されている。
ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１およびＣｕＩｎＳｅ2 コ
ンタクト層１２は一方向に延びるストライプ形状を有す
る。このストライプ部の両側の部分には例えばアルミナ
（Ａｌ2 Ｏ3 ）膜のような絶縁層１３が埋め込まれてお
り、これによって電流狭窄構造が形成されている。
【００２５】上述のストライプ部および絶縁層１３の全
面には例えば金（Ａｕ）電極のようなｐ側電極１４が設
けられ、ストライプ部のＣｕＩｎＳｅ2 コンタクト層１
２とオーミック接触している。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板
１の裏面には例えばＩｎ電極のようなｎ側電極１５が設
けられ、ｎ型ＧａＡｓ基板１とオーミック接触してい
る。
面には例えば金（Ａｕ）電極のようなｐ側電極１４が設
けられ、ストライプ部のＣｕＩｎＳｅ2 コンタクト層１
２とオーミック接触している。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板
１の裏面には例えばＩｎ電極のようなｎ側電極１５が設
けられ、ｎ型ＧａＡｓ基板１とオーミック接触してい
る。
【００２６】次に、上述のように構成されたこの一実施
形態による半導体レーザの製造方法について説明する。
形態による半導体レーザの製造方法について説明する。
【００２７】まず、図示省略したＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体成長用のＭＢＥ装置の超高真空に排気された真空容
器内の基板ホルダーにｎ型ＧａＡｓ基板１を装着する。
導体成長用のＭＢＥ装置の超高真空に排気された真空容
器内の基板ホルダーにｎ型ＧａＡｓ基板１を装着する。
【００２８】次に、このｎ型ＧａＡｓ基板１を所定の成
長温度に加熱した後、このｎ型ＧａＡｓ基板１上にＭＢ
Ｅ法によりｎ型ＧａＡｓバッファ層２を成長させる。こ
の場合、ｎ型不純物であるＳｉのドーピングは、Ｓｉの
分子線源（クヌーセンセル）を用いて行う。なお、この
ｎ型ＧａＡｓバッファ層２の成長は、ｎ型ＧａＡｓ基板
１を例えば５８０℃付近の温度に加熱してその表面をサ
ーマルエッチングすることにより表面酸化膜などを除去
して表面清浄化を行った後に行ってもよい。
長温度に加熱した後、このｎ型ＧａＡｓ基板１上にＭＢ
Ｅ法によりｎ型ＧａＡｓバッファ層２を成長させる。こ
の場合、ｎ型不純物であるＳｉのドーピングは、Ｓｉの
分子線源（クヌーセンセル）を用いて行う。なお、この
ｎ型ＧａＡｓバッファ層２の成長は、ｎ型ＧａＡｓ基板
１を例えば５８０℃付近の温度に加熱してその表面をサ
ーマルエッチングすることにより表面酸化膜などを除去
して表面清浄化を行った後に行ってもよい。
【００２９】次に、このようにしてｎ型ＧａＡｓバッフ
ァ層２が成長されたｎ型ＧａＡｓ基板１を、図示省略し
た真空搬送路を介して、上述のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体成長用のＭＢＥ装置から、図５に示すＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体およびＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体成長
用のＭＢＥ装置に搬送する。そして、この図５に示すＭ
ＢＥ装置において、レーザ構造を形成する各ＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体層およびＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体層の成長を行う。この場合、ｎ型ＧａＡｓバッファ層
２の表面は、その成長が行われてから図５に示すＭＢＥ
装置に搬送される間に大気にさらされないので、清浄の
まま保たれる。
ァ層２が成長されたｎ型ＧａＡｓ基板１を、図示省略し
た真空搬送路を介して、上述のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体成長用のＭＢＥ装置から、図５に示すＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体およびＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体成長
用のＭＢＥ装置に搬送する。そして、この図５に示すＭ
ＢＥ装置において、レーザ構造を形成する各ＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体層およびＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体層の成長を行う。この場合、ｎ型ＧａＡｓバッファ層
２の表面は、その成長が行われてから図５に示すＭＢＥ
装置に搬送される間に大気にさらされないので、清浄の
まま保たれる。
【００３０】図５に示すように、このＭＢＥ装置におい
ては、図示省略した超高真空排気装置により超高真空に
排気された真空容器２１内に基板ホルダー２２が設けら
れ、この基板ホルダー２２に成長を行うべき基板が装着
される。この真空容器２１内には、基板ホルダー２２に
対向して複数の分子線源（クヌーセンセル）２３が取り
付けられている。この場合、分子線源２３としては、Ｚ
ｎ、Ｓｅ、Ｍｇ、ＺｎＳ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｉｎ、ＺｎＣｌ
2 などの分子線源が用意されている。これらの分子線源
２３のそれぞれの前方には、シャッター２４が開閉可能
に設けられている。真空容器２１内にはさらに、電子サ
イクロトロン共鳴（ＥＣＲ）または高周波（ＲＦ）によ
るプラズマセル２５が基板ホルダー２２に対向して取り
付けられている。真空容器２１内にはまた、反射型高速
電子回折（ＲＨＥＥＤ）電子銃２６および蛍光スクリー
ン２７が取り付けられており、基板表面のＲＨＥＥＤ像
を観察することができるようになっている。真空容器２
１内にはさらに、四重極質量分析計２８も取り付けられ
ている。さらに、真空容器２１には、ガラス窓（図示せ
ず）が設けられており、このガラス窓を通して、真空容
器２１の外部に設けられたＸｅランプによる紫外線を成
長中に基板に照射することができるようになっている。
このＸｅランプは例えばＣＷで５００Ｗのものである。
ては、図示省略した超高真空排気装置により超高真空に
排気された真空容器２１内に基板ホルダー２２が設けら
れ、この基板ホルダー２２に成長を行うべき基板が装着
される。この真空容器２１内には、基板ホルダー２２に
対向して複数の分子線源（クヌーセンセル）２３が取り
付けられている。この場合、分子線源２３としては、Ｚ
ｎ、Ｓｅ、Ｍｇ、ＺｎＳ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｉｎ、ＺｎＣｌ
2 などの分子線源が用意されている。これらの分子線源
２３のそれぞれの前方には、シャッター２４が開閉可能
に設けられている。真空容器２１内にはさらに、電子サ
イクロトロン共鳴（ＥＣＲ）または高周波（ＲＦ）によ
るプラズマセル２５が基板ホルダー２２に対向して取り
付けられている。真空容器２１内にはまた、反射型高速
電子回折（ＲＨＥＥＤ）電子銃２６および蛍光スクリー
ン２７が取り付けられており、基板表面のＲＨＥＥＤ像
を観察することができるようになっている。真空容器２
１内にはさらに、四重極質量分析計２８も取り付けられ
ている。さらに、真空容器２１には、ガラス窓（図示せ
ず）が設けられており、このガラス窓を通して、真空容
器２１の外部に設けられたＸｅランプによる紫外線を成
長中に基板に照射することができるようになっている。
このＸｅランプは例えばＣＷで５００Ｗのものである。
【００３１】さて、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２上にレー
ザ構造を形成する各ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層および
Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長させるために
は、図５に示すＭＢＥ装置の真空容器２１内の基板ホル
ダー２２に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２が成長されたｎ
型ＧａＡｓ基板１を装着する。次に、このｎ型ＧａＡｓ
基板１を所定の成長温度、例えば約２８０℃に設定して
ＭＢＥ法による成長を開始する。すなわち、ｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層２上に、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層３、ｎ型
ＺｎＳＳｅバッファ層４、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド
層５、ｎ型ＺｎＳＳｅ光導波層６、活性層７、ｐ型Ｚｎ
ＳＳｅ光導波層８、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層９、
ｐ型ＺｎＳＳｅキャップ層１０、ｐ型ＺｎＳｅコンタク
ト層１１およびＣｕＩｎＳｅ2 コンタクト層１２を順次
成長させる。
ザ構造を形成する各ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層および
Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長させるために
は、図５に示すＭＢＥ装置の真空容器２１内の基板ホル
ダー２２に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２が成長されたｎ
型ＧａＡｓ基板１を装着する。次に、このｎ型ＧａＡｓ
基板１を所定の成長温度、例えば約２８０℃に設定して
ＭＢＥ法による成長を開始する。すなわち、ｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層２上に、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層３、ｎ型
ＺｎＳＳｅバッファ層４、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド
層５、ｎ型ＺｎＳＳｅ光導波層６、活性層７、ｐ型Ｚｎ
ＳＳｅ光導波層８、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層９、
ｐ型ＺｎＳＳｅキャップ層１０、ｐ型ＺｎＳｅコンタク
ト層１１およびＣｕＩｎＳｅ2 コンタクト層１２を順次
成長させる。
【００３２】ここで、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層３、ｎ型
ＺｎＳＳｅバッファ層４、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド
層５およびｎ型ＺｎＳＳｅ光導波層６のｎ型不純物とし
てのＣｌのドーピングは、例えばＺｎＣｌ2 をドーパン
トとして用いて行う。また、ｐ型ＺｎＳＳｅ光導波層
８、ｐ型ＺｎＳＳｅキャップ層１０およびｐ型ＺｎＳｅ
コンタクト層１１のｐ型不純物としてのＮのドーピング
は、図５に示すＭＢＥ装置のプラズマセル２５におい
て、窒素ガス導入管２５ａから導入されるＮ2 ガスのＲ
Ｆプラズマ化を行い、これにより発生されたＮ2 プラズ
マを基板表面に照射することにより行う。また、ｐ型Ｚ
ｎＭｇＳＳｅクラッド層９のｐ型不純物としてのＮのド
ーピングは、図５に示すＭＢＥ装置のプラズマセル２５
において、窒素ガス導入管２５ａから導入されるＮ2 ガ
スのＥＣＲプラズマ化を行い、これにより発生されたＮ
2 プラズマを基板表面に照射することにより行う。
ＺｎＳＳｅバッファ層４、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド
層５およびｎ型ＺｎＳＳｅ光導波層６のｎ型不純物とし
てのＣｌのドーピングは、例えばＺｎＣｌ2 をドーパン
トとして用いて行う。また、ｐ型ＺｎＳＳｅ光導波層
８、ｐ型ＺｎＳＳｅキャップ層１０およびｐ型ＺｎＳｅ
コンタクト層１１のｐ型不純物としてのＮのドーピング
は、図５に示すＭＢＥ装置のプラズマセル２５におい
て、窒素ガス導入管２５ａから導入されるＮ2 ガスのＲ
Ｆプラズマ化を行い、これにより発生されたＮ2 プラズ
マを基板表面に照射することにより行う。また、ｐ型Ｚ
ｎＭｇＳＳｅクラッド層９のｐ型不純物としてのＮのド
ーピングは、図５に示すＭＢＥ装置のプラズマセル２５
において、窒素ガス導入管２５ａから導入されるＮ2 ガ
スのＥＣＲプラズマ化を行い、これにより発生されたＮ
2 プラズマを基板表面に照射することにより行う。
【００３３】また、この場合、ＣｕＩｎＳｅ2 コンタク
ト層１２の成長は、Ｘｅランプによる紫外線を成長表面
に照射しながら行う。これは、ＣｕＩｎＳｅ2 コンタク
ト層１２の成長を促進するとともに、良好な結晶性を得
るためである。
ト層１２の成長は、Ｘｅランプによる紫外線を成長表面
に照射しながら行う。これは、ＣｕＩｎＳｅ2 コンタク
ト層１２の成長を促進するとともに、良好な結晶性を得
るためである。
【００３４】次に、ＣｕＩｎＳｅ2 コンタクト層１２上
に一方向に延びる幅が例えば１０μｍのストライプ形状
のレジストパターン（図示せず）をリソグラフィーによ
り形成した後、このレジストパターンをマスクとしてｐ
型ＺｎＳＳｅキャップ層１０の厚さ方向の途中の深さま
でウエットエッチング法またはドライエッチング法によ
りエッチングする。これによって、ｐ型ＺｎＳＳｅキャ
ップ層１０の上層部、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１お
よびＣｕＩｎＳｅ2 コンタクト層１２がストライプ形状
にパターニングされる。
に一方向に延びる幅が例えば１０μｍのストライプ形状
のレジストパターン（図示せず）をリソグラフィーによ
り形成した後、このレジストパターンをマスクとしてｐ
型ＺｎＳＳｅキャップ層１０の厚さ方向の途中の深さま
でウエットエッチング法またはドライエッチング法によ
りエッチングする。これによって、ｐ型ＺｎＳＳｅキャ
ップ層１０の上層部、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１お
よびＣｕＩｎＳｅ2 コンタクト層１２がストライプ形状
にパターニングされる。
【００３５】次に、上述のエッチングに用いたレジスト
パターンを残したまま全面にＡｌ2Ｏ3 膜を真空蒸着法
により形成した後、このレジストパターンを、その上に
形成されたＡｌ2 Ｏ3 膜とともに除去する（リフトオ
フ）。これによって、ストライプ部以外の部分のｐ型Ｚ
ｎＳＳｅキャップ層１０上にのみＡｌ2 Ｏ3 膜からなる
絶縁層１３が形成され、電流狭窄構造が形成される。
パターンを残したまま全面にＡｌ2Ｏ3 膜を真空蒸着法
により形成した後、このレジストパターンを、その上に
形成されたＡｌ2 Ｏ3 膜とともに除去する（リフトオ
フ）。これによって、ストライプ部以外の部分のｐ型Ｚ
ｎＳＳｅキャップ層１０上にのみＡｌ2 Ｏ3 膜からなる
絶縁層１３が形成され、電流狭窄構造が形成される。
【００３６】次に、ストライプ形状のＣｕＩｎＳｅ2 コ
ンタクト層１２および絶縁層１３の全面に例えば厚さが
４００ｎｍのＡｕ膜を真空蒸着法により形成してＡｕ電
極からなるｐ側電極１４を形成し、このｐ側電極１４を
ＣｕＩｎＳｅ2 コンタクト層１２とオーミック接触させ
る。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面には、例えばＩｎ
膜を真空蒸着法により形成してＩｎ電極からなるｎ側電
極１５を形成する。なお、ｐ側電極１４またはｎ側電極
１５を形成した後、それらのオーミック接触特性を良好
にするために熱処理を行ってもよい。
ンタクト層１２および絶縁層１３の全面に例えば厚さが
４００ｎｍのＡｕ膜を真空蒸着法により形成してＡｕ電
極からなるｐ側電極１４を形成し、このｐ側電極１４を
ＣｕＩｎＳｅ2 コンタクト層１２とオーミック接触させ
る。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面には、例えばＩｎ
膜を真空蒸着法により形成してＩｎ電極からなるｎ側電
極１５を形成する。なお、ｐ側電極１４またはｎ側電極
１５を形成した後、それらのオーミック接触特性を良好
にするために熱処理を行ってもよい。
【００３７】次に、以上のようにしてレーザ構造が形成
されたｎ型ＧａＡｓ基板１を例えば幅６００μｍのバー
状に劈開して両共振器端面を形成し、さらに例えば真空
蒸着法により端面コーティングを施した後、このバーを
劈開してチップ化する。
されたｎ型ＧａＡｓ基板１を例えば幅６００μｍのバー
状に劈開して両共振器端面を形成し、さらに例えば真空
蒸着法により端面コーティングを施した後、このバーを
劈開してチップ化する。
【００３８】以上の工程により、目的とする図４に示す
半導体レーザが製造される。
半導体レーザが製造される。
【００３９】上述のようにしてＭＢＥ法により成長され
たＣｕＩｎＳｅ2 コンタクト層１２のＲＨＥＥＤ像を観
察したところ、このＣｕＩｎＳｅ2 コンタクト層１２
は、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１に対して２．０％の
格子不整合があるにもかかわらず、良質の単結晶で表面
平坦性も良好であることが確認された。また、このＣｕ
ＩｎＳｅ2 コンタクト層１２のＸ線回折測定も行ったと
ころ、図６に示すような結果が得られ、この結果から
も、ＣｕＩｎＳｅ2 コンタクト層１２が良質の単結晶で
あることが確認された。
たＣｕＩｎＳｅ2 コンタクト層１２のＲＨＥＥＤ像を観
察したところ、このＣｕＩｎＳｅ2 コンタクト層１２
は、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１に対して２．０％の
格子不整合があるにもかかわらず、良質の単結晶で表面
平坦性も良好であることが確認された。また、このＣｕ
ＩｎＳｅ2 コンタクト層１２のＸ線回折測定も行ったと
ころ、図６に示すような結果が得られ、この結果から
も、ＣｕＩｎＳｅ2 コンタクト層１２が良質の単結晶で
あることが確認された。
【００４０】この一実施形態によれば、ｐ型ＺｎＳｅコ
ンタクト層１１とｐ側電極１４との間にＣｕＩｎＳｅ2
コンタクト層１２が設けられていることにより、次のよ
うな効果を得ることができる。すなわち、ｐ型ＺｎＳｅ
コンタクト層１１とＣｕＩｎＳｅ2 コンタクト層１２と
の界面における価電子帯には実質的に不連続がなく、し
たがってｐ側電極１４から注入される正孔に対する障壁
がない。しかも、このＣｕＩｎＳｅ2 コンタクト層１２
の正孔濃度は２×１０21ｃｍ-3と極めて高い。このた
め、ｐ側電極１４の接触抵抗の大幅な低減を図ることが
でき、これによって半導体レーザの動作電圧の大幅な低
減を図ることができる。また、動作電圧の大幅な低減に
より半導体レーザの長寿命化を図ることもできる。
ンタクト層１１とｐ側電極１４との間にＣｕＩｎＳｅ2
コンタクト層１２が設けられていることにより、次のよ
うな効果を得ることができる。すなわち、ｐ型ＺｎＳｅ
コンタクト層１１とＣｕＩｎＳｅ2 コンタクト層１２と
の界面における価電子帯には実質的に不連続がなく、し
たがってｐ側電極１４から注入される正孔に対する障壁
がない。しかも、このＣｕＩｎＳｅ2 コンタクト層１２
の正孔濃度は２×１０21ｃｍ-3と極めて高い。このた
め、ｐ側電極１４の接触抵抗の大幅な低減を図ることが
でき、これによって半導体レーザの動作電圧の大幅な低
減を図ることができる。また、動作電圧の大幅な低減に
より半導体レーザの長寿命化を図ることもできる。
【００４１】次に、上述の一実施形態による青色ないし
緑色で発光可能な半導体レーザを発光素子として用いた
光ディスク再生装置について説明する。図７はこの光デ
ィスク再生装置の構成を示す。
緑色で発光可能な半導体レーザを発光素子として用いた
光ディスク再生装置について説明する。図７はこの光デ
ィスク再生装置の構成を示す。
【００４２】図７に示すように、この光ディスク再生装
置は、発光素子として半導体レーザ１０１を備えてい
る。この半導体レーザ１０１としては、上述の一実施形
態による半導体レーザが用いられる。この光ディスク再
生装置はまた、半導体レーザ１０１の出射光を光ディス
クＤに導くとともに、この光ディスクＤによる反射光
（信号光）を再生するための公知の光学系、すなわち、
コリメートレンズ１０２、ビームスプリッタ１０３、１
／４波長板１０４、対物レンズ１０５、検出レンズ１０
６、信号光検出用受光素子１０７および信号光再生回路
１０８を備えている。
置は、発光素子として半導体レーザ１０１を備えてい
る。この半導体レーザ１０１としては、上述の一実施形
態による半導体レーザが用いられる。この光ディスク再
生装置はまた、半導体レーザ１０１の出射光を光ディス
クＤに導くとともに、この光ディスクＤによる反射光
（信号光）を再生するための公知の光学系、すなわち、
コリメートレンズ１０２、ビームスプリッタ１０３、１
／４波長板１０４、対物レンズ１０５、検出レンズ１０
６、信号光検出用受光素子１０７および信号光再生回路
１０８を備えている。
【００４３】この光ディスク再生装置においては、半導
体レーザ１０１の出射光Ｌはコリメートレンズ１０２に
よって平行光にされ、さらにビームスプリッタ１０３を
経て１／４波長板１０４により偏光の具合が調整された
後、対物レンズ１０５により集光されて光ディスクＤに
入射される。そして、この光ディスクＤで反射された信
号光Ｌ´が対物レンズ１０５および１／４波長板１０４
を経てビームスプリッタ１０３で反射された後、検出レ
ンズ１０６を経て信号光検出用受光素子１０７に入射
し、ここで電気信号に変換された後、信号光再生回路１
０８において、光ディスクＤに書き込まれた情報が再生
される。
体レーザ１０１の出射光Ｌはコリメートレンズ１０２に
よって平行光にされ、さらにビームスプリッタ１０３を
経て１／４波長板１０４により偏光の具合が調整された
後、対物レンズ１０５により集光されて光ディスクＤに
入射される。そして、この光ディスクＤで反射された信
号光Ｌ´が対物レンズ１０５および１／４波長板１０４
を経てビームスプリッタ１０３で反射された後、検出レ
ンズ１０６を経て信号光検出用受光素子１０７に入射
し、ここで電気信号に変換された後、信号光再生回路１
０８において、光ディスクＤに書き込まれた情報が再生
される。
【００４４】この光ディスク再生装置によれば、上述の
一実施形態による低動作電圧で長寿命の半導体レーザを
半導体レーザ１０１として用いているので、この光ディ
スク再生装置の低消費電力化および長寿命化を図ること
ができる。
一実施形態による低動作電圧で長寿命の半導体レーザを
半導体レーザ１０１として用いているので、この光ディ
スク再生装置の低消費電力化および長寿命化を図ること
ができる。
【００４５】なお、ここでは、上述の一実施形態による
半導体レーザを光ディスク再生装置の発光素子に適用し
た場合について説明したが、光ディスク記録再生装置や
光ディスク記録装置の発光素子に適用することが可能で
あることはもちろん、光通信装置などの光装置の発光素
子や、高温で動作させる必要のある車載用機器などの発
光素子に適用することも可能である。
半導体レーザを光ディスク再生装置の発光素子に適用し
た場合について説明したが、光ディスク記録再生装置や
光ディスク記録装置の発光素子に適用することが可能で
あることはもちろん、光通信装置などの光装置の発光素
子や、高温で動作させる必要のある車載用機器などの発
光素子に適用することも可能である。
【００４６】以上、この発明の一実施形態について具体
的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定さ
れるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種
の変形が可能である。
的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定さ
れるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種
の変形が可能である。
【００４７】例えば、上述の一実施形態において挙げた
数値、構造、材料、原料、プロセスなどはあくまでも例
であり、必要に応じてこれらと異なる数値、構造、材
料、原料、プロセスなどを用いてもよい。
数値、構造、材料、原料、プロセスなどはあくまでも例
であり、必要に応じてこれらと異なる数値、構造、材
料、原料、プロセスなどを用いてもよい。
【００４８】具体的には、例えば、上述の一実施形態に
おいては、固体原料を用いたＭＢＥ法によりＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体層およびＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体層を成長させているが、これらのＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体層およびＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層の成
長には、必要に応じて、ガス原料を用いたＭＢＥ法や有
機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いてもよい。
おいては、固体原料を用いたＭＢＥ法によりＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体層およびＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体層を成長させているが、これらのＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体層およびＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層の成
長には、必要に応じて、ガス原料を用いたＭＢＥ法や有
機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いてもよい。
【００４９】また、上述の一実施形態において用いられ
ているｎ型ＺｎＳＳｅ光導波層６およびｐ型ＺｎＳＳｅ
光導波層８の代わりにそれぞれアンドープＺｎＳＳｅ光
導波層を用いてもよく、それぞれｎ型ＺｎＳｅ光導波層
およびｐ型ＺｎＳｅ光導波層を用いてもよい。同様に、
ｐ型ＺｎＳＳｅキャップ層１０の代わりにｐ型ＺｎＳｅ
キャップ層を用いてもよい。さらに、活性層７は例えば
ＺｎＣｄＳＳｅやＺｎＳｅにより構成してもよい。
ているｎ型ＺｎＳＳｅ光導波層６およびｐ型ＺｎＳＳｅ
光導波層８の代わりにそれぞれアンドープＺｎＳＳｅ光
導波層を用いてもよく、それぞれｎ型ＺｎＳｅ光導波層
およびｐ型ＺｎＳｅ光導波層を用いてもよい。同様に、
ｐ型ＺｎＳＳｅキャップ層１０の代わりにｐ型ＺｎＳｅ
キャップ層を用いてもよい。さらに、活性層７は例えば
ＺｎＣｄＳＳｅやＺｎＳｅにより構成してもよい。
【００５０】また、上述の一実施形態においては、ｐ側
電極１４としてＡｕ電極を用いているが、正孔濃度が２
×１０21ｃｍ-3と極めて高いＣｕＩｎＳｅ2 コンタクト
層１２に対しては大抵の金属が良好なオーミック接触特
性を示すことから、必要に応じて、Ａｕ以外の各種の金
属からなる電極を用いることができる。
電極１４としてＡｕ電極を用いているが、正孔濃度が２
×１０21ｃｍ-3と極めて高いＣｕＩｎＳｅ2 コンタクト
層１２に対しては大抵の金属が良好なオーミック接触特
性を示すことから、必要に応じて、Ａｕ以外の各種の金
属からなる電極を用いることができる。
【００５１】さらに、上述の一実施形態においては、こ
の発明をＳＣＨ構造の半導体レーザに適用した場合につ
いて説明したが、この発明は、ＤＨ（Double Heterostr
ucture）構造の半導体レーザはもちろん、発光ダイオー
ドに適用することも可能であり、さらには電子走行素子
（例えば、ＦＥＴ）などの電子素子の製造に適用するこ
とも可能である。
の発明をＳＣＨ構造の半導体レーザに適用した場合につ
いて説明したが、この発明は、ＤＨ（Double Heterostr
ucture）構造の半導体レーザはもちろん、発光ダイオー
ドに適用することも可能であり、さらには電子走行素子
（例えば、ＦＥＴ）などの電子素子の製造に適用するこ
とも可能である。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層と電極との間に、
ＣｕおよびＡｇからなる群より選ばれた少なくとも一種
のＩ族元素とＡｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選ば
れた少なくとも一種のＩＩＩ族元素とＳｅ、Ｓ、Ｔｅお
よびＯからなる群より選ばれた少なくともＳｅまたはＳ
を含む少なくとも一種のＶＩ族元素とにより構成された
Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層が設けられているこ
とにより、ｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層上に設けら
れる電極の接触抵抗の低減を図ることができる。
ば、ｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層と電極との間に、
ＣｕおよびＡｇからなる群より選ばれた少なくとも一種
のＩ族元素とＡｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選ば
れた少なくとも一種のＩＩＩ族元素とＳｅ、Ｓ、Ｔｅお
よびＯからなる群より選ばれた少なくともＳｅまたはＳ
を含む少なくとも一種のＶＩ族元素とにより構成された
Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層が設けられているこ
とにより、ｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層上に設けら
れる電極の接触抵抗の低減を図ることができる。
【図１】ｐ型ＺｎＳｅおよびｐ型ＺｎＴｅの価電子帯の
上端の相対的位置関係を示す略線図である。
上端の相対的位置関係を示す略線図である。
【図２】ｐ型ＺｎＳｅおよびＣｕＩｎＳｅ2 の価電子帯
の上端の相対的位置関係を示す略線図である。
の上端の相対的位置関係を示す略線図である。
【図３】ｐ型ＺｎＳｅおよびＣｕＩｎＳ2 の価電子帯の
上端の相対的位置関係を示す略線図である。
上端の相対的位置関係を示す略線図である。
【図４】この発明の一実施形態による半導体レーザを示
す断面図である。
す断面図である。
【図５】この発明の一実施形態による半導体レーザの製
造においてＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層およびＩ−ＩＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体層の成長に用いられるＭＢＥ装
置を示す略線図である。
造においてＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層およびＩ−ＩＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体層の成長に用いられるＭＢＥ装
置を示す略線図である。
【図６】この発明の一実施形態による半導体レーザの製
造においてＭＢＥ法により成長されたＣｕＩｎＳｅ2 コ
ンタクト層について行われたＸ線回折測定の結果を示す
略線図である。
造においてＭＢＥ法により成長されたＣｕＩｎＳｅ2 コ
ンタクト層について行われたＸ線回折測定の結果を示す
略線図である。
【図７】この発明の一実施形態による半導体レーザを発
光素子として用いた光ディスク再生装置を示す略線図で
ある。
光素子として用いた光ディスク再生装置を示す略線図で
ある。
１・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、２・・・ｎ型ＧａＡｓバッ
ファ層、５・・・ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層、７・
・・活性層、９・・・ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層、
１１・・・ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層、１２・・・Ｃｕ
ＩｎＳｅ2 コンタクト層、１４・・・ｐ側電極、１５・
・・ｎ側電極
ファ層、５・・・ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層、７・
・・活性層、９・・・ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層、
１１・・・ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層、１２・・・Ｃｕ
ＩｎＳｅ2 コンタクト層、１４・・・ｐ側電極、１５・
・・ｎ側電極
Claims (6)
- 【請求項１】 Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｄ、ＨｇおよびＢｅから
なる群より選ばれた少なくとも一種のＩＩ族元素とＳ
ｅ、Ｓ、ＴｅおよびＯからなる群より選ばれた少なくと
も一種のＶＩ族元素とにより構成されたｐ型ＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体層上に電極を有する半導体装置におい
て、 上記ｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層と上記電極との間
に、ＣｕおよびＡｇからなる群より選ばれた少なくとも
一種のＩ族元素とＡｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より
選ばれた少なくとも一種のＩＩＩ族元素とＳｅ、Ｓ、Ｔ
ｅおよびＯからなる群より選ばれた少なくともＳｅまた
はＳを含む少なくとも一種のＶＩ族元素とにより構成さ
れたＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層が設けられてい
ることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 上記Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
を構成するＶＩ族元素がＳｅであることを特徴とする請
求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 上記Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
を構成するＶＩ族元素がＳであることを特徴とする請求
項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】 上記Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
がＣｕＩｎＳｅ2 層であることを特徴とする請求項１記
載の半導体装置。 - 【請求項５】 上記Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
がＣｕＩｎＳ2 層であることを特徴とする請求項１記載
の半導体装置。 - 【請求項６】 上記Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
がＣｕＩｎＳ2xＳｅ2(1-x)層（ただし、０＜ｘ＜１）で
あることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29418297A JPH11135881A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29418297A JPH11135881A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135881A true JPH11135881A (ja) | 1999-05-21 |
Family
ID=17804381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29418297A Pending JPH11135881A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11135881A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7960306B2 (en) | 2008-05-28 | 2011-06-14 | Industrial Technology Research Institute | Photo-energy transformation catalysts and methods for fabricating the same |
-
1997
- 1997-10-27 JP JP29418297A patent/JPH11135881A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7960306B2 (en) | 2008-05-28 | 2011-06-14 | Industrial Technology Research Institute | Photo-energy transformation catalysts and methods for fabricating the same |
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