JPH11204883A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH11204883A JPH11204883A JP36137497A JP36137497A JPH11204883A JP H11204883 A JPH11204883 A JP H11204883A JP 36137497 A JP36137497 A JP 36137497A JP 36137497 A JP36137497 A JP 36137497A JP H11204883 A JPH11204883 A JP H11204883A
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- compound semiconductor
- semiconductor layer
- iii
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 積層欠陥密度を低く素子寿命を長くすること
ができる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 ＧａＡｓ基板の上にＧａＡｓよりなるＩ
ＩＩ−Ｖ族バッファ層を介してＺｎＳｅよりなる第１の
ＩＩ−ＶＩ族バッファ層を成長させる。第１のＩＩ−Ｖ
Ｉ族バッファ層を成長させる前に、ＩＩＩ−Ｖ族バッフ
ァ層の表面をＲＨＥＥＤ観察における（２×４）砒素安
定化面とし、亜鉛の粒子線を照射する。照射量は粒子線
強度Ｐと照射時間ｔとの積で８×１０-4Ｔｏｒｒ・ｓｅ
ｃ以上、成長表面に到達する粒子の数ｆと照射時間ｔと
の積で３．５×１０17ｃｍ-2以上とする。このとき、Ｒ
ＨＥＥＤ観察における＜１１０＞方向の倍周期構造は４
×から１×に変化する。これにより、ＩＩＩ−Ｖ族バッ
ファ層中に存在する積層欠陥の密度は５×１０3 ｃｍ-2
以下となる。
ができる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 ＧａＡｓ基板の上にＧａＡｓよりなるＩ
ＩＩ−Ｖ族バッファ層を介してＺｎＳｅよりなる第１の
ＩＩ−ＶＩ族バッファ層を成長させる。第１のＩＩ−Ｖ
Ｉ族バッファ層を成長させる前に、ＩＩＩ−Ｖ族バッフ
ァ層の表面をＲＨＥＥＤ観察における（２×４）砒素安
定化面とし、亜鉛の粒子線を照射する。照射量は粒子線
強度Ｐと照射時間ｔとの積で８×１０-4Ｔｏｒｒ・ｓｅ
ｃ以上、成長表面に到達する粒子の数ｆと照射時間ｔと
の積で３．５×１０17ｃｍ-2以上とする。このとき、Ｒ
ＨＥＥＤ観察における＜１１０＞方向の倍周期構造は４
×から１×に変化する。これにより、ＩＩＩ−Ｖ族バッ
ファ層中に存在する積層欠陥の密度は５×１０3 ｃｍ-2
以下となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体層の上にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長さ
せた半導体装置の製造方法に関する。
物半導体層の上にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長さ
せた半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ディスクや光磁気ディスクにお
いては記録・再生の高密度化または高解像度化の要求が
高まっており、それを実現する手段として緑色ないしは
青色で発光可能な半導体発光素子の研究が活発に行われ
ている。
いては記録・再生の高密度化または高解像度化の要求が
高まっており、それを実現する手段として緑色ないしは
青色で発光可能な半導体発光素子の研究が活発に行われ
ている。
【０００３】このように緑色ないしは青色で発光可能な
半導体素子を構成する材料としては、ＩＩ族元素の亜鉛
（Ｚｎ），マグネシウム（Ｍｇ），マンガン（Ｍｎ），
ベリリウム（Ｂｅ），カドミウム（Ｃｄ），水銀（Ｈ
ｇ）のうち少なくとも１種とＶＩ族元素の酸素（Ｏ），
硫黄（Ｓ），セレン（Ｓｅ），テルル（Ｔｅ）のうち少
なくとも１種とから成るＩＩ−ＶＩ族化合物半導体が有
望である。
半導体素子を構成する材料としては、ＩＩ族元素の亜鉛
（Ｚｎ），マグネシウム（Ｍｇ），マンガン（Ｍｎ），
ベリリウム（Ｂｅ），カドミウム（Ｃｄ），水銀（Ｈ
ｇ）のうち少なくとも１種とＶＩ族元素の酸素（Ｏ），
硫黄（Ｓ），セレン（Ｓｅ），テルル（Ｔｅ）のうち少
なくとも１種とから成るＩＩ−ＶＩ族化合物半導体が有
望である。
【０００４】特に、ＺｎＭｇＳＳｅ混晶は、ガリウム
（Ｇａ）と砒素（Ａｓ）とからなるＧａＡｓ混晶基板上
への結晶成長が可能であり、青色半導体レーザなどの半
導体素子を作製する際のガイド層やクラッド層に適して
いることが知られている（例えば、Electron.Lett.28(1
992)p1798, Electron.Lett.,29,pp.1488(1993), Appl.P
hys.Lett.,66 pp.656(1995) ）。
（Ｇａ）と砒素（Ａｓ）とからなるＧａＡｓ混晶基板上
への結晶成長が可能であり、青色半導体レーザなどの半
導体素子を作製する際のガイド層やクラッド層に適して
いることが知られている（例えば、Electron.Lett.28(1
992)p1798, Electron.Lett.,29,pp.1488(1993), Appl.P
hys.Lett.,66 pp.656(1995) ）。
【０００５】そこで、従来は、分子線エピタキシー（Mo
lecular Beam Epitaxy；ＭＢＥ）法などにより、ＧａＡ
ｓなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる基板の上に
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の層を積層してＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体発光素子を製造していた。
lecular Beam Epitaxy；ＭＢＥ）法などにより、ＧａＡ
ｓなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる基板の上に
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の層を積層してＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体発光素子を製造していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子は、ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体とＩＩ−ＶＩ族化合物半導体との界面付近に
起源を持つ積層欠陥が多数存在していた。この積層欠陥
の端を閉じている部分転位は、電流注入により活性層内
で分解し、活性層内に非発光再結合中心を増殖する原因
となっている。それにより、この半導体発光素子は時間
の経過と共に発光効率が減少してしまい、それが素子の
寿命を制限する一因であると考えられている（Guha et
al. Appl.Phys.Lett.63 p.3107(1993)参照）。よって、
素子の長寿命化を実現するには、ＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体層中に存在する積層欠陥密度を低減しなければなら
ないという問題があった。
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子は、ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体とＩＩ−ＶＩ族化合物半導体との界面付近に
起源を持つ積層欠陥が多数存在していた。この積層欠陥
の端を閉じている部分転位は、電流注入により活性層内
で分解し、活性層内に非発光再結合中心を増殖する原因
となっている。それにより、この半導体発光素子は時間
の経過と共に発光効率が減少してしまい、それが素子の
寿命を制限する一因であると考えられている（Guha et
al. Appl.Phys.Lett.63 p.3107(1993)参照）。よって、
素子の長寿命化を実現するには、ＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体層中に存在する積層欠陥密度を低減しなければなら
ないという問題があった。
【０００７】なお、現在までに様々な研究機関によって
この積層欠陥密度を低減させる研究がなされてきたが、
その最低積層欠陥密度は５×１０3 ｃｍ-2もしくはそれ
以上の値であり、定常的に５×１０3 ｃｍ-2以下まで積
層欠陥密度を減少させることができる技術は確立されて
いない（例えば、L.H.Kuo et al. Appl.Lett 69 p.1408
(1996)，平成８年春季 応用物理学関係連合講演会 講
演予稿集（27p-ZD-1,2,3,4,5,)）。
この積層欠陥密度を低減させる研究がなされてきたが、
その最低積層欠陥密度は５×１０3 ｃｍ-2もしくはそれ
以上の値であり、定常的に５×１０3 ｃｍ-2以下まで積
層欠陥密度を減少させることができる技術は確立されて
いない（例えば、L.H.Kuo et al. Appl.Lett 69 p.1408
(1996)，平成８年春季 応用物理学関係連合講演会 講
演予稿集（27p-ZD-1,2,3,4,5,)）。
【０００８】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、積層欠陥密度を低くして素子寿命を
長くすることができる半導体装置の製造方法を提供する
ことにある。
ので、その目的は、積層欠陥密度を低くして素子寿命を
長くすることができる半導体装置の製造方法を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
の製造方法は、ガリウム，アルミニウム，ホウ素および
インジウムからなる群のうちの少なくとも１種のＩＩＩ
族元素と、窒素，燐，砒素，アンチモン，ビスマスから
なる群のうちの少なくとも１種のＶ族元素とを含むＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体層の上に、亜鉛，マグネシウム，
マンガン，ベリリウム，カドミウムおよび水銀からなる
群のうちの少なくとも１種のＩＩ族元素と、酸素，硫
黄，セレンおよびテルルからなる群のうちの少なくとも
１種のＶＩ族元素とを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
を少なくとも１層成長させてなるものであって、ＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体層を成長させる前に、ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体層の上に、亜鉛，マグネシウム，マンガ
ン，ベリリウム，カドミウムおよび水銀からなる群のう
ちの少なくとも１種のＩＩ族元素の粒子線を照射すると
共に、その照射量を８×１０-4Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ以上と
するものである。
の製造方法は、ガリウム，アルミニウム，ホウ素および
インジウムからなる群のうちの少なくとも１種のＩＩＩ
族元素と、窒素，燐，砒素，アンチモン，ビスマスから
なる群のうちの少なくとも１種のＶ族元素とを含むＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体層の上に、亜鉛，マグネシウム，
マンガン，ベリリウム，カドミウムおよび水銀からなる
群のうちの少なくとも１種のＩＩ族元素と、酸素，硫
黄，セレンおよびテルルからなる群のうちの少なくとも
１種のＶＩ族元素とを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
を少なくとも１層成長させてなるものであって、ＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体層を成長させる前に、ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体層の上に、亜鉛，マグネシウム，マンガ
ン，ベリリウム，カドミウムおよび水銀からなる群のう
ちの少なくとも１種のＩＩ族元素の粒子線を照射すると
共に、その照射量を８×１０-4Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ以上と
するものである。
【００１０】本発明による他の半導体装置の製造方法
は、ガリウム，アルミニウム，ホウ素およびインジウム
からなる群のうちの少なくとも１種のＩＩＩ族元素と、
窒素，燐，砒素，アンチモン，ビスマスからなる群のう
ちの少なくとも１種のＶ族元素とを含むＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体層の上に、亜鉛，マグネシウム，マンガン，
ベリリウム，カドミウムおよび水銀からなる群のうちの
少なくとも１種のＩＩ族元素と、酸素，硫黄，セレンお
よびテルルからなる群のうちの少なくとも１種のＶＩ族
元素とを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を少なくとも
１層成長させてなるものであって、ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体層を成長させる前に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
層の上に、亜鉛，マグネシウム，マンガン，ベリリウ
ム，カドミウムおよび水銀からなる群のうちの少なくと
も１種のＩＩ族元素の粒子線を照射すると共に、その照
射量を成長表面に到達した粒子の数で３．５×１０17ｃ
ｍ-2以上とするものである。
は、ガリウム，アルミニウム，ホウ素およびインジウム
からなる群のうちの少なくとも１種のＩＩＩ族元素と、
窒素，燐，砒素，アンチモン，ビスマスからなる群のう
ちの少なくとも１種のＶ族元素とを含むＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体層の上に、亜鉛，マグネシウム，マンガン，
ベリリウム，カドミウムおよび水銀からなる群のうちの
少なくとも１種のＩＩ族元素と、酸素，硫黄，セレンお
よびテルルからなる群のうちの少なくとも１種のＶＩ族
元素とを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を少なくとも
１層成長させてなるものであって、ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体層を成長させる前に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
層の上に、亜鉛，マグネシウム，マンガン，ベリリウ
ム，カドミウムおよび水銀からなる群のうちの少なくと
も１種のＩＩ族元素の粒子線を照射すると共に、その照
射量を成長表面に到達した粒子の数で３．５×１０17ｃ
ｍ-2以上とするものである。
【００１１】本発明による更に他の半導体装置の製造方
法は、ＩＩＩ族元素としてガリウム，アルミニウム，ホ
ウ素およびインジウムからなる群のうちの少なくとも１
種と、Ｖ族元素として窒素，燐，砒素，アンチモン，ビ
スマスからなる群のうちの少なくとも砒素とを含むＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体層の上に、亜鉛，マグネシウム，
マンガン，ベリリウム，カドミウムおよび水銀からなる
群のうちの少なくとも１種のＩＩ族元素と、酸素，硫
黄，セレンおよびテルルからなる群のうちの少なくとも
１種のＶＩ族元素とを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
を少なくとも１層成長させてなるものであって、ＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体層を成長させる前に、温度を調節す
ることによりＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の表面をＲＨ
ＥＥＤ観察における（２×４）砒素安定化面とし、次い
で、ＲＨＥＥＤ観察における＜１１０＞方向の倍周期構
造が少なくとも４×から１×に変化するまで亜鉛，マグ
ネシウム，マンガン，ベリリウム，カドミウムおよび水
銀からなる群のうちの少なくとも１種のＩＩ族元素の粒
子線を照射するものである。
法は、ＩＩＩ族元素としてガリウム，アルミニウム，ホ
ウ素およびインジウムからなる群のうちの少なくとも１
種と、Ｖ族元素として窒素，燐，砒素，アンチモン，ビ
スマスからなる群のうちの少なくとも砒素とを含むＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体層の上に、亜鉛，マグネシウム，
マンガン，ベリリウム，カドミウムおよび水銀からなる
群のうちの少なくとも１種のＩＩ族元素と、酸素，硫
黄，セレンおよびテルルからなる群のうちの少なくとも
１種のＶＩ族元素とを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
を少なくとも１層成長させてなるものであって、ＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体層を成長させる前に、温度を調節す
ることによりＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の表面をＲＨ
ＥＥＤ観察における（２×４）砒素安定化面とし、次い
で、ＲＨＥＥＤ観察における＜１１０＞方向の倍周期構
造が少なくとも４×から１×に変化するまで亜鉛，マグ
ネシウム，マンガン，ベリリウム，カドミウムおよび水
銀からなる群のうちの少なくとも１種のＩＩ族元素の粒
子線を照射するものである。
【００１２】本発明による更に他の半導体装置の製造方
法は、ＩＩＩ族元素としてガリウム，アルミニウム，ホ
ウ素およびインジウムからなる群のうちの少なくとも１
種と、Ｖ族元素として窒素，燐，砒素，アンチモン，ビ
スマスからなる群のうちの少なくとも燐とを含むＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体層の上に、亜鉛，マグネシウム，ベ
リリウム，カドミウムおよび水銀からなる群のうちの少
なくとも１種のＩＩ族元素と、酸素，硫黄，セレンおよ
びテルルからなる群のうちの少なくとも１種のＶＩ族元
素とを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を少なくとも１
層成長させてなるものであって、ＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体層を成長させる前に、温度を調節することによりＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の表面をＲＨＥＥＤ観察にお
ける（２×２）燐安定化面もしくは（２×４）燐安定化
面とし、次いで、ＲＨＥＥＤ観察における＜１１０＞方
向の倍周期構造が少なくとも２×から１×もしくは４×
から１×に変化するまで亜鉛，マグネシウム，マンガ
ン，ベリリウム，カドミウムおよび水銀からなる群のう
ちの少なくとも１種のＩＩ族元素の粒子線を照射するも
のである。
法は、ＩＩＩ族元素としてガリウム，アルミニウム，ホ
ウ素およびインジウムからなる群のうちの少なくとも１
種と、Ｖ族元素として窒素，燐，砒素，アンチモン，ビ
スマスからなる群のうちの少なくとも燐とを含むＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体層の上に、亜鉛，マグネシウム，ベ
リリウム，カドミウムおよび水銀からなる群のうちの少
なくとも１種のＩＩ族元素と、酸素，硫黄，セレンおよ
びテルルからなる群のうちの少なくとも１種のＶＩ族元
素とを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を少なくとも１
層成長させてなるものであって、ＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体層を成長させる前に、温度を調節することによりＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の表面をＲＨＥＥＤ観察にお
ける（２×２）燐安定化面もしくは（２×４）燐安定化
面とし、次いで、ＲＨＥＥＤ観察における＜１１０＞方
向の倍周期構造が少なくとも２×から１×もしくは４×
から１×に変化するまで亜鉛，マグネシウム，マンガ
ン，ベリリウム，カドミウムおよび水銀からなる群のう
ちの少なくとも１種のＩＩ族元素の粒子線を照射するも
のである。
【００１３】本発明による半導体装置の製造方法では、
まず、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の上に、亜鉛，マグ
ネシウム，マンガン，ベリリウム，カドミウムおよび水
銀からなる群のうちの少なくとも１種のＩＩ族元素の粒
子線を照射する。その照射量は、８×１０-4Ｔｏｒｒ・
ｓｅｃ以上である。次いで、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
層を成長させる。
まず、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の上に、亜鉛，マグ
ネシウム，マンガン，ベリリウム，カドミウムおよび水
銀からなる群のうちの少なくとも１種のＩＩ族元素の粒
子線を照射する。その照射量は、８×１０-4Ｔｏｒｒ・
ｓｅｃ以上である。次いで、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
層を成長させる。
【００１４】本発明による他の半導体装置の製造方法で
は、まず、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の上に、亜鉛，
マグネシウム，マンガン，ベリリウム，カドミウムおよ
び水銀からなる群のうちの少なくとも１種のＩＩ族元素
の粒子線を照射する。その照射量は、成長表面に到達し
た粒子の数で３．５×１０17ｃｍ-2以上である。次い
で、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長させる。
は、まず、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の上に、亜鉛，
マグネシウム，マンガン，ベリリウム，カドミウムおよ
び水銀からなる群のうちの少なくとも１種のＩＩ族元素
の粒子線を照射する。その照射量は、成長表面に到達し
た粒子の数で３．５×１０17ｃｍ-2以上である。次い
で、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長させる。
【００１５】本発明による更に他の半導体装置の製造方
法では、まず、温度を調節してＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体層の表面をＲＨＥＥＤ観察における（２×４）砒素安
定化面とする。次いで、ＲＨＥＥＤ観察における＜１１
０＞方向の倍周期構造が少なくとも４×から１×に変化
するまで亜鉛，マグネシウム，マンガン，ベリリウム，
カドミウムおよび水銀からなる群のうちの少なくとも１
種のＩＩ族元素の粒子線を照射する。そののち、ＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体層を成長させる。
法では、まず、温度を調節してＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体層の表面をＲＨＥＥＤ観察における（２×４）砒素安
定化面とする。次いで、ＲＨＥＥＤ観察における＜１１
０＞方向の倍周期構造が少なくとも４×から１×に変化
するまで亜鉛，マグネシウム，マンガン，ベリリウム，
カドミウムおよび水銀からなる群のうちの少なくとも１
種のＩＩ族元素の粒子線を照射する。そののち、ＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体層を成長させる。
【００１６】本発明による更に他の半導体装置の製造方
法では、まず、温度を調節してＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体層の表面をＲＨＥＥＤ観察における（２×２）燐安定
化面もしくは（２×４）燐安定化面とする。次いで、Ｒ
ＨＥＥＤ観察における＜１１０＞方向の倍周期構造が少
なくとも２×から１×もしくは４×から１×に変化する
まで亜鉛，マグネシウム，マンガン，ベリリウム，カド
ミウムおよび水銀からなる群のうちの少なくとも１種の
ＩＩ族元素の粒子線を照射する。そののち、ＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体層を成長させる。
法では、まず、温度を調節してＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体層の表面をＲＨＥＥＤ観察における（２×２）燐安定
化面もしくは（２×４）燐安定化面とする。次いで、Ｒ
ＨＥＥＤ観察における＜１１０＞方向の倍周期構造が少
なくとも２×から１×もしくは４×から１×に変化する
まで亜鉛，マグネシウム，マンガン，ベリリウム，カド
ミウムおよび水銀からなる群のうちの少なくとも１種の
ＩＩ族元素の粒子線を照射する。そののち、ＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体層を成長させる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の実施の
形態においては、半導体装置として図１に示した半導体
発光素子を製造する場合について説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の実施の
形態においては、半導体装置として図１に示した半導体
発光素子を製造する場合について説明する。
【００１８】なお、この半導体発光素子は、基板１の上
にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層としてＩＩＩ−Ｖ族バッ
ファ層２を積層し、その上にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
層として第１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３Ａ，第２のＩ
Ｉ−ＶＩ族バッファ層３Ｂ，第１のクラッド層４，第１
のガイド層５，活性層６，第２のガイド層７，第２のク
ラッド層８，第１の半導体層９，第２の半導体層１０，
超格子半導体層１１およびコンタクト層１２を順次積層
したものである。
にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層としてＩＩＩ−Ｖ族バッ
ファ層２を積層し、その上にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
層として第１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３Ａ，第２のＩ
Ｉ−ＶＩ族バッファ層３Ｂ，第１のクラッド層４，第１
のガイド層５，活性層６，第２のガイド層７，第２のク
ラッド層８，第１の半導体層９，第２の半導体層１０，
超格子半導体層１１およびコンタクト層１２を順次積層
したものである。
【００１９】図２は本実施の形態に係る半導体発光素子
の製造方法に用いるＭＢＥ結晶成長装置の構成を表すも
のである。このＭＢＥ結晶成長装置は、真空蒸着装置の
一種であり、図示しない超高真空排気装置に接続された
２つの成長室２０，３０を備えている。この２つの成長
室２０，３０は、真空搬送室４１および基板導入室４２
それぞれに対して３つのゲートバルブ４３を介して接続
されている。これらゲートバルブ４３は、搬送中におい
てそれぞれの成長室での残留分子線（粒子線）により基
板表面が汚染されないように、また、搬送室を高真空に
保つことができるように設けられている。
の製造方法に用いるＭＢＥ結晶成長装置の構成を表すも
のである。このＭＢＥ結晶成長装置は、真空蒸着装置の
一種であり、図示しない超高真空排気装置に接続された
２つの成長室２０，３０を備えている。この２つの成長
室２０，３０は、真空搬送室４１および基板導入室４２
それぞれに対して３つのゲートバルブ４３を介して接続
されている。これらゲートバルブ４３は、搬送中におい
てそれぞれの成長室での残留分子線（粒子線）により基
板表面が汚染されないように、また、搬送室を高真空に
保つことができるように設けられている。
【００２０】一方の成長室２０は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体を成長させるものであり、内部には基板１を保持
するための基板ホルダ２１が配設されている。この基板
ホルダ２１は、図示しないヒータによって加熱すること
ができるようになっている。成長室２０には、また、基
板１に対向するように複数の粒子線源セル２２（例えば
クヌーゼンセル（Ｋセル））が配設されている。各粒子
線源セル２２の内部には、ＩＩＩ族元素，Ｖ族元素およ
びｎ型不純物に応じた原料がそれぞれ個々に充填されて
いる。例えば、ＩＩＩ族元素としてはガリウム（Ｇａ）
やアルミニウム（Ａｌ）など、Ｖ族元素としては砒素
（Ａｓ）や燐（Ｐ）など、ｎ型不純物としてはケイ素
（Ｓｉ）などがそれぞれ個々に充填されている。
半導体を成長させるものであり、内部には基板１を保持
するための基板ホルダ２１が配設されている。この基板
ホルダ２１は、図示しないヒータによって加熱すること
ができるようになっている。成長室２０には、また、基
板１に対向するように複数の粒子線源セル２２（例えば
クヌーゼンセル（Ｋセル））が配設されている。各粒子
線源セル２２の内部には、ＩＩＩ族元素，Ｖ族元素およ
びｎ型不純物に応じた原料がそれぞれ個々に充填されて
いる。例えば、ＩＩＩ族元素としてはガリウム（Ｇａ）
やアルミニウム（Ａｌ）など、Ｖ族元素としては砒素
（Ａｓ）や燐（Ｐ）など、ｎ型不純物としてはケイ素
（Ｓｉ）などがそれぞれ個々に充填されている。
【００２１】各粒子線源セル２２の照射口近傍にはシャ
ッター２３がそれぞれ配設されている。各シャッター２
３には図示しない制御装置がそれぞれ接続されており、
各シャッター２３の開閉を制御できるようになってい
る。
ッター２３がそれぞれ配設されている。各シャッター２
３には図示しない制御装置がそれぞれ接続されており、
各シャッター２３の開閉を制御できるようになってい
る。
【００２２】成長室２０には、更に、高速電子銃２４と
これに対応するスクリーン２５が配設されている。すな
わち高速電子銃２４から基板１に向かって浅い角度で
（例えば１度）高速電子線を出射し、基板１の表面で回
折された高速電子線回折（ＲＨＥＥＤ；Reflection Hig
h Energy Electron Diffraction ）像をスクリーン２５
の上に映し出すことにより、基板１の表面状態を観察す
ることができるようになっている。ここでは、表面再配
列構造観測をすることができるものを用いている。
これに対応するスクリーン２５が配設されている。すな
わち高速電子銃２４から基板１に向かって浅い角度で
（例えば１度）高速電子線を出射し、基板１の表面で回
折された高速電子線回折（ＲＨＥＥＤ；Reflection Hig
h Energy Electron Diffraction ）像をスクリーン２５
の上に映し出すことにより、基板１の表面状態を観察す
ることができるようになっている。ここでは、表面再配
列構造観測をすることができるものを用いている。
【００２３】成長室３０は、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
を成長させるものであり、内部には、成長室２０と同様
に、基板ホルダ３１とこれに対向して複数の粒子線源セ
ル３２が配設されている。各粒子線源セル３２の内部に
は、ＩＩ族元素，ＶＩ族元素およびｎ型不純物に応じた
原料がそれぞれ個々に充填されている。例えば、ＩＩ族
元素としては亜鉛（Ｚｎ），マグネシウム（Ｍｇ），カ
ドミウム（Ｃｄ），水銀（Ｈｇ）またはベリリウム（Ｂ
ｅ）など、ＶＩ族元素としてはセレン（Ｓｅ），硫化亜
鉛（ＺｎＳ）またはテルル（Ｔｅ）など、ｎ型不純物と
しては塩化亜鉛（ＺｎＣｌ2 ）などがそれぞれ個々に充
填されている。各粒子線源セル３２の照射口近傍には、
成長室２０と同様に、各シャッター３３がそれぞれ配設
されている。
を成長させるものであり、内部には、成長室２０と同様
に、基板ホルダ３１とこれに対向して複数の粒子線源セ
ル３２が配設されている。各粒子線源セル３２の内部に
は、ＩＩ族元素，ＶＩ族元素およびｎ型不純物に応じた
原料がそれぞれ個々に充填されている。例えば、ＩＩ族
元素としては亜鉛（Ｚｎ），マグネシウム（Ｍｇ），カ
ドミウム（Ｃｄ），水銀（Ｈｇ）またはベリリウム（Ｂ
ｅ）など、ＶＩ族元素としてはセレン（Ｓｅ），硫化亜
鉛（ＺｎＳ）またはテルル（Ｔｅ）など、ｎ型不純物と
しては塩化亜鉛（ＺｎＣｌ2 ）などがそれぞれ個々に充
填されている。各粒子線源セル３２の照射口近傍には、
成長室２０と同様に、各シャッター３３がそれぞれ配設
されている。
【００２４】成長室３０には、また、ｐ型不純物として
窒素（Ｎ）を添加できるように、窒素をプラズマ化して
基板１に向かって照射するプラズマ発生室３４が配設さ
れている。このプラズマ発生室３４は、例えばＥＣＲ
（Electron Cyclotron Resonance）セルにより構成され
ている。このＥＣＲセルは、磁石３４ａによって囲まれ
たセル内にマイクロ波端子３４ｂによりマイクロ波を供
給すると共にガス導入管３４ｃにより窒素ガスを供給し
て窒素をプラズマ化し、プラズマ導出口３４ｄから照射
するようになっている。プラズマ導出口３４ｄの近傍に
は、粒子線源セル３２と同様に、図示しない制御装置に
接続されたシャッター３３が配設されている。なお、こ
のプラズマ発生室は、図示しないがＲＦ（Radio Freque
ncy ）セルにより構成するようにしてもよい。
窒素（Ｎ）を添加できるように、窒素をプラズマ化して
基板１に向かって照射するプラズマ発生室３４が配設さ
れている。このプラズマ発生室３４は、例えばＥＣＲ
（Electron Cyclotron Resonance）セルにより構成され
ている。このＥＣＲセルは、磁石３４ａによって囲まれ
たセル内にマイクロ波端子３４ｂによりマイクロ波を供
給すると共にガス導入管３４ｃにより窒素ガスを供給し
て窒素をプラズマ化し、プラズマ導出口３４ｄから照射
するようになっている。プラズマ導出口３４ｄの近傍に
は、粒子線源セル３２と同様に、図示しない制御装置に
接続されたシャッター３３が配設されている。なお、こ
のプラズマ発生室は、図示しないがＲＦ（Radio Freque
ncy ）セルにより構成するようにしてもよい。
【００２５】成長室３０には、更に、成長室２０と同様
に、高速電子銃３５とこれに対応するスクリーン３６が
配設されている。すなわち高速電子銃３５から基板１に
向かって高速電子線を出射し、基板１の表面で回折され
たＲＨＥＥＤ像をスクリーン３６の上に映し出すことに
より、基板１の表面状態を観察することができるように
なっている。ここでは、表面再配列構造観測をすること
ができるものを用いている。
に、高速電子銃３５とこれに対応するスクリーン３６が
配設されている。すなわち高速電子銃３５から基板１に
向かって高速電子線を出射し、基板１の表面で回折され
たＲＨＥＥＤ像をスクリーン３６の上に映し出すことに
より、基板１の表面状態を観察することができるように
なっている。ここでは、表面再配列構造観測をすること
ができるものを用いている。
【００２６】ここでは、このようなＭＢＥ結晶成長装置
を用い、まず、例えば、厚さが３５０ｎｍのｎ型不純物
としてケイ素を添加したｎ型ＧａＡｓよりなる基板１を
用意する。次いで、この基板１を成長室２０の基板ホル
ダ２１に取り付け、基板１を約５８０℃に加熱して基板
１の表面酸化膜を除去する。次いで、各粒子線を供給し
て、例えばケイ素を添加したｎ型ＧａＡｓよりなるＩＩ
Ｉ−Ｖ族バッファ層２を１０ｎｍ以上（好ましくは２０
０ｎｍ以上）成長させる。これは、基板１の表面を平坦
化することにより、この上に成長させるＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体層中における積層欠陥の密度を低減するため
である。
を用い、まず、例えば、厚さが３５０ｎｍのｎ型不純物
としてケイ素を添加したｎ型ＧａＡｓよりなる基板１を
用意する。次いで、この基板１を成長室２０の基板ホル
ダ２１に取り付け、基板１を約５８０℃に加熱して基板
１の表面酸化膜を除去する。次いで、各粒子線を供給し
て、例えばケイ素を添加したｎ型ＧａＡｓよりなるＩＩ
Ｉ−Ｖ族バッファ層２を１０ｎｍ以上（好ましくは２０
０ｎｍ以上）成長させる。これは、基板１の表面を平坦
化することにより、この上に成長させるＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体層中における積層欠陥の密度を低減するため
である。
【００２７】ちなみに、この積層欠陥というのは、ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体層とＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
との界面（ここではＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２と第１の
ＩＩ−ＶＩ族バッファ層３Ａとの界面）近傍に起源を持
つものであり、特に、第１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３
Ａ中における密度が重要となる。
Ｉ−Ｖ族化合物半導体層とＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
との界面（ここではＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２と第１の
ＩＩ−ＶＩ族バッファ層３Ａとの界面）近傍に起源を持
つものであり、特に、第１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３
Ａ中における密度が重要となる。
【００２８】ＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２を成長させたの
ち、例えば、砒素雰囲気中あるいは砒素の粒子線を照射
しつつ基板１の温度を４００℃以下として、ＲＨＥＥＤ
観察におけるＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２の表面再配列構
造をｃ（４×４）砒素過剰面の状態とする。そののち、
真空搬送室４１を用いて基板１を成長室３０に移送す
る。ここにおいて、ＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２の表面再
配列構造をｃ（４×４）砒素過剰面の状態として移送す
るのは、砒素を過剰な状態とすることにより不純物の付
着を防止すると共に、成長室３０に移送してから過剰な
砒素を脱離させることによりＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
層を成長させるのに最適な面を形成するためである。ち
なみに、真空搬送室４１および基板導入室４２の真空度
は、少なくとも１×１０-9Ｔｏｒｒ以下とすることが好
ましい。
ち、例えば、砒素雰囲気中あるいは砒素の粒子線を照射
しつつ基板１の温度を４００℃以下として、ＲＨＥＥＤ
観察におけるＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２の表面再配列構
造をｃ（４×４）砒素過剰面の状態とする。そののち、
真空搬送室４１を用いて基板１を成長室３０に移送す
る。ここにおいて、ＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２の表面再
配列構造をｃ（４×４）砒素過剰面の状態として移送す
るのは、砒素を過剰な状態とすることにより不純物の付
着を防止すると共に、成長室３０に移送してから過剰な
砒素を脱離させることによりＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
層を成長させるのに最適な面を形成するためである。ち
なみに、真空搬送室４１および基板導入室４２の真空度
は、少なくとも１×１０-9Ｔｏｒｒ以下とすることが好
ましい。
【００２９】成長室３０に移送した基板１は基板ホルダ
３１に取り付け、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長さ
せるに先立って、ＲＨＥＥＤ観察におけるＩＩＩ−Ｖ族
バッファ層２の表面再配列構造がｃ（４×４）砒素過剰
面から（２×４）砒素安定面に遷移する温度以上（例え
ば４６０℃以上）に基板１を加熱し、ＩＩＩ−Ｖ族バッ
ファ層２の表面再配列構造を（２×４）砒素安定面とす
る。そののち、基板１の温度をＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体層を成長させるための温度（例えば２８０℃）まで冷
却する。
３１に取り付け、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長さ
せるに先立って、ＲＨＥＥＤ観察におけるＩＩＩ−Ｖ族
バッファ層２の表面再配列構造がｃ（４×４）砒素過剰
面から（２×４）砒素安定面に遷移する温度以上（例え
ば４６０℃以上）に基板１を加熱し、ＩＩＩ−Ｖ族バッ
ファ層２の表面再配列構造を（２×４）砒素安定面とす
る。そののち、基板１の温度をＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体層を成長させるための温度（例えば２８０℃）まで冷
却する。
【００３０】ここで、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成
長させるに先立ち、ＲＨＥＥＤ観察におけるＩＩＩ−Ｖ
族バッファ層２の表面再配列構造を（２×４）砒素安定
面とするのは、ｃ（４×４）砒素過剰面よりも（２×
４）砒素安定面の方が積層欠陥の密度を低減することが
できるからである。図３にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
をｃ（４×４）砒素過剰面の上に成長させた場合の積層
欠陥の密度と、（２×４）砒素安定面の上に成長させた
場合の積層欠陥の密度を比較して示す。このように、
（２×４）砒素安定面の上に成長させた方が積層欠陥の
密度を低減できることが分かる。
長させるに先立ち、ＲＨＥＥＤ観察におけるＩＩＩ−Ｖ
族バッファ層２の表面再配列構造を（２×４）砒素安定
面とするのは、ｃ（４×４）砒素過剰面よりも（２×
４）砒素安定面の方が積層欠陥の密度を低減することが
できるからである。図３にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
をｃ（４×４）砒素過剰面の上に成長させた場合の積層
欠陥の密度と、（２×４）砒素安定面の上に成長させた
場合の積層欠陥の密度を比較して示す。このように、
（２×４）砒素安定面の上に成長させた方が積層欠陥の
密度を低減できることが分かる。
【００３１】なお、上述では、ＩＩＩ−Ｖ族バッファ層
２の表面再配列構造をｃ（４×４）砒素過剰面の状態と
したのち基板１を成長室３０に移送して（２×４）砒素
安定面とするようにしたが、成長室３０に移送する前に
基板１を基板導入室４２に導入し、基板１を（２×４）
砒素安定面に遷移する温度以上（例えば４６０℃以上）
に加熱して（２×４）砒素安定面とするようにしてもよ
い。また、ｃ（４×４）砒素過剰面の状態としたのちそ
のまま成長室２０内において、例えば砒素の粒子線を照
射せず基板１を（２×４）砒素安定面に遷移する温度以
上に加熱して（２×４）砒素安定面とするようにしても
よい。
２の表面再配列構造をｃ（４×４）砒素過剰面の状態と
したのち基板１を成長室３０に移送して（２×４）砒素
安定面とするようにしたが、成長室３０に移送する前に
基板１を基板導入室４２に導入し、基板１を（２×４）
砒素安定面に遷移する温度以上（例えば４６０℃以上）
に加熱して（２×４）砒素安定面とするようにしてもよ
い。また、ｃ（４×４）砒素過剰面の状態としたのちそ
のまま成長室２０内において、例えば砒素の粒子線を照
射せず基板１を（２×４）砒素安定面に遷移する温度以
上に加熱して（２×４）砒素安定面とするようにしても
よい。
【００３２】このように、ＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２の
表面再配列構造を（２×４）砒素安定面として適宜な温
度まで冷却したのち、基板１の温度をそのまま（例えば
２８０℃に）保持しつつ、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
を成長させるに先立って、ＩＩ族元素である亜鉛の粒子
線を８×１０-4Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ以上、より好ましくは
８．５×１０-4Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ以上、更に好ましくは
１．１×１０-3Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ以上の照射量で照射す
る。なお、この照射量は、粒子線強度Ｐ（Ｔｏｒｒ）と
照射時間ｔ（ｓｅｃ）との積Ｐ×ｔ（Ｔｏｒｒ・ｓｅ
ｃ）で表したものである。ここにおいては、例えば、粒
子線強度Ｐを１．６×１０-6Ｔｏｒｒとし９分以上照射
する。
表面再配列構造を（２×４）砒素安定面として適宜な温
度まで冷却したのち、基板１の温度をそのまま（例えば
２８０℃に）保持しつつ、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
を成長させるに先立って、ＩＩ族元素である亜鉛の粒子
線を８×１０-4Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ以上、より好ましくは
８．５×１０-4Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ以上、更に好ましくは
１．１×１０-3Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ以上の照射量で照射す
る。なお、この照射量は、粒子線強度Ｐ（Ｔｏｒｒ）と
照射時間ｔ（ｓｅｃ）との積Ｐ×ｔ（Ｔｏｒｒ・ｓｅ
ｃ）で表したものである。ここにおいては、例えば、粒
子線強度Ｐを１．６×１０-6Ｔｏｒｒとし９分以上照射
する。
【００３３】また、この照射量は、成長表面に到達した
亜鉛の粒子数で表現すると、３．５×１０17ｃｍ-2以
上、より好ましくは４．０×１０17ｃｍ-2以上、更に好
ましくは４．５×１０17ｃｍ-2以上となる。これは、成
長表面に単位時間，単位面積当たり到達する粒子の数ｆ
（ｃｍ-2ｓｅｃ-1）と照射時間ｔ（ｓｅｃ）との積ｆ×
ｔ（ｃｍ-2）で表したものである。ここでは、例えば、
成長表面に到達する粒子数を７．０９×１０14ｃｍ-2ｓ
ｅｃ-1として９分以上照射することになる。
亜鉛の粒子数で表現すると、３．５×１０17ｃｍ-2以
上、より好ましくは４．０×１０17ｃｍ-2以上、更に好
ましくは４．５×１０17ｃｍ-2以上となる。これは、成
長表面に単位時間，単位面積当たり到達する粒子の数ｆ
（ｃｍ-2ｓｅｃ-1）と照射時間ｔ（ｓｅｃ）との積ｆ×
ｔ（ｃｍ-2）で表したものである。ここでは、例えば、
成長表面に到達する粒子数を７．０９×１０14ｃｍ-2ｓ
ｅｃ-1として９分以上照射することになる。
【００３４】ここで、図４に亜鉛の照射量Ｐ×ｔとＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体層における積層欠陥の密度との関
係を示す。図４から分かるように、亜鉛の照射量Ｐ×ｔ
を８×１０-4Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ以上とすることにより積
層欠陥の密度を５×１０3 ｃｍ-2以下に、亜鉛の照射量
Ｐ×ｔを８．５×１０-4Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ以上とするこ
とにより積層欠陥の密度を３×１０3 ｃｍ-2以下に、亜
鉛の照射量Ｐ×ｔを１．１×１０-3Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ以
上とすることにより積層欠陥の密度を４×１０2 ｃｍ-2
以下に低減できことが分かる。
−ＶＩ族化合物半導体層における積層欠陥の密度との関
係を示す。図４から分かるように、亜鉛の照射量Ｐ×ｔ
を８×１０-4Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ以上とすることにより積
層欠陥の密度を５×１０3 ｃｍ-2以下に、亜鉛の照射量
Ｐ×ｔを８．５×１０-4Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ以上とするこ
とにより積層欠陥の密度を３×１０3 ｃｍ-2以下に、亜
鉛の照射量Ｐ×ｔを１．１×１０-3Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ以
上とすることにより積層欠陥の密度を４×１０2 ｃｍ-2
以下に低減できことが分かる。
【００３５】また、図５に亜鉛の照射量ｆ×ｔとＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体層における積層欠陥の密度との関係
を示す。図５から分かるように、亜鉛の照射量ｆ×ｔを
３．５×１０17ｃｍ-2以上とすることにより積層欠陥の
密度を５×１０3 ｃｍ-2以下に、亜鉛の照射量ｆ×ｔを
４．０×１０17ｃｍ-2以上とすることにより積層欠陥の
密度を３×１０3 ｃｍ-2以下に、亜鉛の照射量ｆ×ｔを
４．５×１０17ｃｍ-2以上とすることにより積層欠陥の
密度を４×１０2 ｃｍ-2以下に低減できことが分かる。
ＶＩ族化合物半導体層における積層欠陥の密度との関係
を示す。図５から分かるように、亜鉛の照射量ｆ×ｔを
３．５×１０17ｃｍ-2以上とすることにより積層欠陥の
密度を５×１０3 ｃｍ-2以下に、亜鉛の照射量ｆ×ｔを
４．０×１０17ｃｍ-2以上とすることにより積層欠陥の
密度を３×１０3 ｃｍ-2以下に、亜鉛の照射量ｆ×ｔを
４．５×１０17ｃｍ-2以上とすることにより積層欠陥の
密度を４×１０2 ｃｍ-2以下に低減できことが分かる。
【００３６】なお、積層欠陥の密度を５×１０3 ｃｍ-2
以下とすれば、１個の素子における積層欠陥の影響を十
分に排除することができ、３×１０3 ｃｍ-2以下とすれ
ば積層欠陥の影響を更に排除することができ、４×１０
2 ｃｍ-2以下とすれば積層欠陥の影響をほとんど排除す
ることができる。ちなみに、図６に積層欠陥の密度と半
導体発光素子の寿命との関係を示す（この図はS.Tanigu
chi, T.Hino, S.Itoh,K.Nakano, A.Ishibashi, and M.I
keda; Electronics Letters 32 p.522-553(1996) から
引用する）。このように、この半導体発光素子では、積
層欠陥の密度を５×１０3 ｃｍ-2以下とすれば、１００
時間以上に寿命を延長することができることが分かる。
以下とすれば、１個の素子における積層欠陥の影響を十
分に排除することができ、３×１０3 ｃｍ-2以下とすれ
ば積層欠陥の影響を更に排除することができ、４×１０
2 ｃｍ-2以下とすれば積層欠陥の影響をほとんど排除す
ることができる。ちなみに、図６に積層欠陥の密度と半
導体発光素子の寿命との関係を示す（この図はS.Tanigu
chi, T.Hino, S.Itoh,K.Nakano, A.Ishibashi, and M.I
keda; Electronics Letters 32 p.522-553(1996) から
引用する）。このように、この半導体発光素子では、積
層欠陥の密度を５×１０3 ｃｍ-2以下とすれば、１００
時間以上に寿命を延長することができることが分かる。
【００３７】また、このように亜鉛の粒子線を８×１０
-4Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ以上または３．５×１０17ｃｍ-2以
上の照射量で照射すると、ＲＨＥＥＤ観察におけるＩＩ
Ｉ−Ｖ族バッファ層２の表面再配列構造が図７に示した
ように変化する。すなわち、電子線を入射した時に観察
することができる＜１１０＞方向の倍周期構造が４×か
ら１×に変化する。また、＜１−１０＞方向の倍周期構
造が２×から１×に変化する。ここで、＜１−１０＞と
いうのは、本来は外字１に示したように数字の上にオー
バーラインを引いて表すものであるが、明細書中におい
ては数字の前に“−”を付けて表す。
-4Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ以上または３．５×１０17ｃｍ-2以
上の照射量で照射すると、ＲＨＥＥＤ観察におけるＩＩ
Ｉ−Ｖ族バッファ層２の表面再配列構造が図７に示した
ように変化する。すなわち、電子線を入射した時に観察
することができる＜１１０＞方向の倍周期構造が４×か
ら１×に変化する。また、＜１−１０＞方向の倍周期構
造が２×から１×に変化する。ここで、＜１−１０＞と
いうのは、本来は外字１に示したように数字の上にオー
バーラインを引いて表すものであるが、明細書中におい
ては数字の前に“−”を付けて表す。
【００３８】
【外１】
【００３９】なお、図８に、亜鉛の粒子線の照射時間を
＜１１０＞方向の倍周期構造が４×から１×に変化する
までに要する時間を基準として表したものとＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体層における積層欠陥の密度との関係を示
す。このように、亜鉛の粒子線の照射時間を＜１１０＞
方向の倍周期構造が４×から１×に変化するまでに要す
る時間の１．５倍以上とすることにより、積層欠陥の密
度を５×１０3 ｃｍ-2以下に、また１．６倍以上とする
ことにより３×１０3 ｃｍ-2以下に、更に２．１倍以上
とすることにより４×１０2 ｃｍ-2以下に低減できるこ
とが分かる。
＜１１０＞方向の倍周期構造が４×から１×に変化する
までに要する時間を基準として表したものとＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体層における積層欠陥の密度との関係を示
す。このように、亜鉛の粒子線の照射時間を＜１１０＞
方向の倍周期構造が４×から１×に変化するまでに要す
る時間の１．５倍以上とすることにより、積層欠陥の密
度を５×１０3 ｃｍ-2以下に、また１．６倍以上とする
ことにより３×１０3 ｃｍ-2以下に、更に２．１倍以上
とすることにより４×１０2 ｃｍ-2以下に低減できるこ
とが分かる。
【００４０】ちなみに、ここでは亜鉛の粒子線量は変化
させずに照射時間のみを変化させている。よって、図８
は、亜鉛の粒子線の照射量を＜１１０＞方向の倍周期構
造が４×から１×に変化するまでに要する照射量の１．
５倍以上とすれば、積層欠陥の密度を５×１０3 ｃｍ-2
以下に低減することができることを表している。すなわ
ち、亜鉛の粒子線の照射量は、粒子線強度Ｐ（Ｔｏｒ
ｒ）と照射時間ｔ（ｓｅｃ）との積Ｐ×ｔ（Ｔｏｒｒ・
ｓｅｃ）、または成長表面に単位時間，単位面積当たり
到達する粒子の数ｆ（ｃｍ-2ｓｅｃ-1）と照射時間ｔ
（ｓｅｃ）との積ｆ×ｔ（ｃｍ-2）で表すこともできる
が、＜１１０＞方向の倍周期構造が４×から１×に変化
するまでに要する照射量（照射時間）との比で表すこと
もできる。
させずに照射時間のみを変化させている。よって、図８
は、亜鉛の粒子線の照射量を＜１１０＞方向の倍周期構
造が４×から１×に変化するまでに要する照射量の１．
５倍以上とすれば、積層欠陥の密度を５×１０3 ｃｍ-2
以下に低減することができることを表している。すなわ
ち、亜鉛の粒子線の照射量は、粒子線強度Ｐ（Ｔｏｒ
ｒ）と照射時間ｔ（ｓｅｃ）との積Ｐ×ｔ（Ｔｏｒｒ・
ｓｅｃ）、または成長表面に単位時間，単位面積当たり
到達する粒子の数ｆ（ｃｍ-2ｓｅｃ-1）と照射時間ｔ
（ｓｅｃ）との積ｆ×ｔ（ｃｍ-2）で表すこともできる
が、＜１１０＞方向の倍周期構造が４×から１×に変化
するまでに要する照射量（照射時間）との比で表すこと
もできる。
【００４１】このように、亜鉛の粒子線を適当量照射し
たのち、ＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２の上に、各粒子線を
供給して各ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長させる。
すなわち、まず、例えばｎ型不純物として塩素を添加し
たｎ型ＺｎＳｅよりなる第１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層
３Ａを２０ｎｍ成長させる。不純物濃度は、例えば１×
１０18ｃｍ-3とする。
たのち、ＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２の上に、各粒子線を
供給して各ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長させる。
すなわち、まず、例えばｎ型不純物として塩素を添加し
たｎ型ＺｎＳｅよりなる第１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層
３Ａを２０ｎｍ成長させる。不純物濃度は、例えば１×
１０18ｃｍ-3とする。
【００４２】このとき、第１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層
３ＡのうちＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２側の一部を成長さ
せる際には、ＩＩ族元素である亜鉛の粒子線とＶＩ族元
素であるセレンの粒子線とを交互に少なくとも１回づつ
照射する。すなわち、第１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３
Ａは、最初に亜鉛とセレンの粒子線を交互に少なくとも
１回づつ照射したのち、それらを同時に照射して成長さ
せる。このように亜鉛とセレンの粒子線を交互に少なく
とも１回づつ照射するのは、ＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２
と第１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３Ａとの界面の平坦性
を高めることにより積層欠陥の密度を低減させるためで
ある。
３ＡのうちＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２側の一部を成長さ
せる際には、ＩＩ族元素である亜鉛の粒子線とＶＩ族元
素であるセレンの粒子線とを交互に少なくとも１回づつ
照射する。すなわち、第１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３
Ａは、最初に亜鉛とセレンの粒子線を交互に少なくとも
１回づつ照射したのち、それらを同時に照射して成長さ
せる。このように亜鉛とセレンの粒子線を交互に少なく
とも１回づつ照射するのは、ＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２
と第１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３Ａとの界面の平坦性
を高めることにより積層欠陥の密度を低減させるためで
ある。
【００４３】なお、亜鉛とセレンの粒子線を交互に照射
するのではなく、亜鉛の粒子線を照射しつつセレンの粒
子線を間欠的に少なくとも１回照射することにより、第
１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３ＡのうちＩＩＩ−Ｖ族バ
ッファ層２側の一部を成長させてもよい。すなわち、第
１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３Ａは、最初に亜鉛の粒子
線を照射しつつセレンの粒子線を間欠的に少なくとも１
回照射したのち、それらを同時に照射して成長させても
よい。
するのではなく、亜鉛の粒子線を照射しつつセレンの粒
子線を間欠的に少なくとも１回照射することにより、第
１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３ＡのうちＩＩＩ−Ｖ族バ
ッファ層２側の一部を成長させてもよい。すなわち、第
１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３Ａは、最初に亜鉛の粒子
線を照射しつつセレンの粒子線を間欠的に少なくとも１
回照射したのち、それらを同時に照射して成長させても
よい。
【００４４】また、第１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３Ａ
を成長させる際には、亜鉛の粒子線量に対するセレンの
粒子線量の比（Ｓｅ／Ｚｎ）を粒子線強度Ｐ（Ｔｏｒ
ｒ）の比で０．９１以上１．３９以下とすることが好ま
しく、より好ましくは０．９２以上１．３５以下であ
り、更に好ましくは０．９５以上１．２０以下である。
なお、成長表面に単位時間，単位面積当たり到達する粒
子の数ｆ（ｃｍ-2ｓｅｃ−１）の比では、０．６４以上
０．９８以下とすることが好ましく、より好ましくは
０．６５以上０．９６以下であり、更に好ましくは０．
６７以上０．８５以下である。
を成長させる際には、亜鉛の粒子線量に対するセレンの
粒子線量の比（Ｓｅ／Ｚｎ）を粒子線強度Ｐ（Ｔｏｒ
ｒ）の比で０．９１以上１．３９以下とすることが好ま
しく、より好ましくは０．９２以上１．３５以下であ
り、更に好ましくは０．９５以上１．２０以下である。
なお、成長表面に単位時間，単位面積当たり到達する粒
子の数ｆ（ｃｍ-2ｓｅｃ−１）の比では、０．６４以上
０．９８以下とすることが好ましく、より好ましくは
０．６５以上０．９６以下であり、更に好ましくは０．
６７以上０．８５以下である。
【００４５】図９および図１０に亜鉛とセレンの粒子線
量の比（Ｓｅ／Ｚｎ）とＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層に
おける積層欠陥密度との関係を示す。なお図９は亜鉛と
セレンの粒子線量を粒子線強度Ｐ（Ｔｏｒｒ）で計算し
たものであり、図１０は亜鉛とセレンの粒子線量を成長
表面に単位時間，単位面積当たり到達する粒子の数ｆ
（ｃｍ−２ｓｅｃ-1）で計算したものである。
量の比（Ｓｅ／Ｚｎ）とＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層に
おける積層欠陥密度との関係を示す。なお図９は亜鉛と
セレンの粒子線量を粒子線強度Ｐ（Ｔｏｒｒ）で計算し
たものであり、図１０は亜鉛とセレンの粒子線量を成長
表面に単位時間，単位面積当たり到達する粒子の数ｆ
（ｃｍ−２ｓｅｃ-1）で計算したものである。
【００４６】図９に示したように、粒子線強度Ｐ（Ｔｏ
ｒｒ）の比では、亜鉛に対するセレンの粒子線量の比を
０．９１以上１．３９以下とすることにより積層欠陥の
密度を５×１０3 ｃｍ-2以下に、０．９２以上１．３５
以下とすることにより積層欠陥の密度を３×１０3 ｃｍ
-2以下に、０．９５以上１．２０以下とすることにより
積層欠陥の密度を４×１０2 ｃｍ-2以下に低減できるこ
とが分かる。
ｒｒ）の比では、亜鉛に対するセレンの粒子線量の比を
０．９１以上１．３９以下とすることにより積層欠陥の
密度を５×１０3 ｃｍ-2以下に、０．９２以上１．３５
以下とすることにより積層欠陥の密度を３×１０3 ｃｍ
-2以下に、０．９５以上１．２０以下とすることにより
積層欠陥の密度を４×１０2 ｃｍ-2以下に低減できるこ
とが分かる。
【００４７】また、図１０に示したように、成長表面に
単位時間，単位面積当たり到達する粒子の数ｆ（ｃｍ-2
ｓｅｃ-1）の比では、亜鉛に対するセレンの粒子線量の
比を０．６４以上０．９８以下とすることにより積層欠
陥の密度を５×１０3 ｃｍ-2以下に、０．６５以上０．
９６以下とすることにより積層欠陥の密度を３×１０3
ｃｍ-2以下に、０．６７以上０．８５以下とすることに
より積層欠陥の密度を４×１０2 ｃｍ-2以下に低減でき
ることが分かる。
単位時間，単位面積当たり到達する粒子の数ｆ（ｃｍ-2
ｓｅｃ-1）の比では、亜鉛に対するセレンの粒子線量の
比を０．６４以上０．９８以下とすることにより積層欠
陥の密度を５×１０3 ｃｍ-2以下に、０．６５以上０．
９６以下とすることにより積層欠陥の密度を３×１０3
ｃｍ-2以下に、０．６７以上０．８５以下とすることに
より積層欠陥の密度を４×１０2 ｃｍ-2以下に低減でき
ることが分かる。
【００４８】ちなみに、各粒子線量を粒子線強度Ｐ（Ｔ
ｏｒｒ）で求める場合には、各ＭＢＥ結晶成長装置にお
ける粒子線源セル３２の位置やフラックスモニタなどの
設置位置やその時の基板温度などにより異なってくる。
よって、ここでいう亜鉛に対するセレンの粒子線量の比
が０．９１以上１．３９以下の領域あるいは０．９２以
上１．３５以下の領域あるいは０．９５以上１．２０以
下の領域というのは、図１１に示したように、亜鉛とセ
レンの粒子線量の比の変化に対してＺｎＳｅの成長速度
が飽和する点を含む領域、あるいはＲＨＥＥＤ観察にお
いてｃ（２×２）と（２×１）が混在する点を含む領域
を意味している。
ｏｒｒ）で求める場合には、各ＭＢＥ結晶成長装置にお
ける粒子線源セル３２の位置やフラックスモニタなどの
設置位置やその時の基板温度などにより異なってくる。
よって、ここでいう亜鉛に対するセレンの粒子線量の比
が０．９１以上１．３９以下の領域あるいは０．９２以
上１．３５以下の領域あるいは０．９５以上１．２０以
下の領域というのは、図１１に示したように、亜鉛とセ
レンの粒子線量の比の変化に対してＺｎＳｅの成長速度
が飽和する点を含む領域、あるいはＲＨＥＥＤ観察にお
いてｃ（２×２）と（２×１）が混在する点を含む領域
を意味している。
【００４９】次いで、第１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３
Ａの上に、例えばｎ型不純物として塩素を添加したｎ型
ＺｎＳＳｅよりなる第２のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３Ｂ
を２００ｎｍ，ｎ型不純物として塩素を添加したｎ型Ｚ
ｎＭｇＳＳｅ混晶よりなる第１のクラッド層４を１μｍ
順次成長させる。この時、ＺｎＭｇＳＳｅ混晶の組成
は、例えば、基板１に格子整合するように（すなわち格
子定数がＧａＡｓと一致するように）モル％でＩＩ族元
素における亜鉛が８８％，マグネシウムが１２％、ＶＩ
族元素におけるイオウが１６％，セレンが８４％とす
る。
Ａの上に、例えばｎ型不純物として塩素を添加したｎ型
ＺｎＳＳｅよりなる第２のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３Ｂ
を２００ｎｍ，ｎ型不純物として塩素を添加したｎ型Ｚ
ｎＭｇＳＳｅ混晶よりなる第１のクラッド層４を１μｍ
順次成長させる。この時、ＺｎＭｇＳＳｅ混晶の組成
は、例えば、基板１に格子整合するように（すなわち格
子定数がＧａＡｓと一致するように）モル％でＩＩ族元
素における亜鉛が８８％，マグネシウムが１２％、ＶＩ
族元素におけるイオウが１６％，セレンが８４％とす
る。
【００５０】続いて、第１のクラッド層４の上に、例え
ばＺｎＳＳｅ混晶よりなる第１のガイド層５を１００ｎ
ｍ成長させる。この時、ＺｎＳＳｅ混晶の組成は、例え
ば、モル％でＶＩ族元素における硫黄が６％，セレンが
９４％とする。第１のガイド層５を成長させたのち、そ
の上に、例えばＺｎＣｄＳｅ混晶よりなる単一量子井戸
構造を有する活性層６を６ｎｍ成長させる。この時、Ｚ
ｎＣｄＳｅ混晶の組成は、例えば、モル％でＩＩ族元素
における亜鉛が８０％，カドミウムが２０％とする。活
性層６を成長させたのち、その上に、例えば第１のガイ
ド層５と同様のＺｎＳＳｅ混晶よりなる第２のガイド層
７を１００ｎｍ，ｐ型不純物として窒素を添加した第１
のクラッド層４と同様のｐ型ＺｎＭｇＳＳｅ混晶よりな
る第２のクラッド層８を１μｍ順次成長させる。そのの
ち、第２のクラッド層８の上に、例えばｐ型不純物とし
て窒素を添加したｐ型ＺｎＳＳｅ混晶よりなる第１の半
導体層９を１μｍ，ｐ型不純物として窒素を添加したｐ
型ＺｎＳｅよりなる第２の半導体層１０を１００ｎｍ，
ｐ型不純物として窒素を添加したｐ型ＺｎＴｅとｐ型不
純物として窒素を添加したｐ型ＺｎＳｅとよりなる超格
子半導体層１１およびｐ型不純物として窒素を添加した
ｐ型ＺｎＴｅよりなるコンタクト層１２を順次積層す
る。
ばＺｎＳＳｅ混晶よりなる第１のガイド層５を１００ｎ
ｍ成長させる。この時、ＺｎＳＳｅ混晶の組成は、例え
ば、モル％でＶＩ族元素における硫黄が６％，セレンが
９４％とする。第１のガイド層５を成長させたのち、そ
の上に、例えばＺｎＣｄＳｅ混晶よりなる単一量子井戸
構造を有する活性層６を６ｎｍ成長させる。この時、Ｚ
ｎＣｄＳｅ混晶の組成は、例えば、モル％でＩＩ族元素
における亜鉛が８０％，カドミウムが２０％とする。活
性層６を成長させたのち、その上に、例えば第１のガイ
ド層５と同様のＺｎＳＳｅ混晶よりなる第２のガイド層
７を１００ｎｍ，ｐ型不純物として窒素を添加した第１
のクラッド層４と同様のｐ型ＺｎＭｇＳＳｅ混晶よりな
る第２のクラッド層８を１μｍ順次成長させる。そのの
ち、第２のクラッド層８の上に、例えばｐ型不純物とし
て窒素を添加したｐ型ＺｎＳＳｅ混晶よりなる第１の半
導体層９を１μｍ，ｐ型不純物として窒素を添加したｐ
型ＺｎＳｅよりなる第２の半導体層１０を１００ｎｍ，
ｐ型不純物として窒素を添加したｐ型ＺｎＴｅとｐ型不
純物として窒素を添加したｐ型ＺｎＳｅとよりなる超格
子半導体層１１およびｐ型不純物として窒素を添加した
ｐ型ＺｎＴｅよりなるコンタクト層１２を順次積層す
る。
【００５１】このように、各ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
層を成長させたのち、コンタクト層１２の上にレジスト
を塗布しフォトリソグラフィによって帯状のマスクパタ
ーン（図示せず）を形成したのち、このマスクパターン
をマスクとしてウエットエッチングまたはドライエッチ
ングを行いコンタクト層１２および超格子半導体層１１
を選択的に除去して帯状とする。そののち、コンタクト
層１２および超格子半導体層１１が選択的に除去された
第２の半導体層１０の上に絶縁層を蒸着させ、マスクパ
ターンをこのマスクパターンの上に形成された絶縁層と
共に除去し（リフトオフ）絶縁層１３を形成する。
層を成長させたのち、コンタクト層１２の上にレジスト
を塗布しフォトリソグラフィによって帯状のマスクパタ
ーン（図示せず）を形成したのち、このマスクパターン
をマスクとしてウエットエッチングまたはドライエッチ
ングを行いコンタクト層１２および超格子半導体層１１
を選択的に除去して帯状とする。そののち、コンタクト
層１２および超格子半導体層１１が選択的に除去された
第２の半導体層１０の上に絶縁層を蒸着させ、マスクパ
ターンをこのマスクパターンの上に形成された絶縁層と
共に除去し（リフトオフ）絶縁層１３を形成する。
【００５２】更に、この絶縁層１３およびコンタクト層
１２の上にパラジウム，白金，金を順次蒸着し、ｐ側電
極１４を形成する。また、基板１の裏面にインジウムを
蒸着しｎ側電極１５を形成する。これにより、図１に示
した構成を有する半導体発光素子が形成される。
１２の上にパラジウム，白金，金を順次蒸着し、ｐ側電
極１４を形成する。また、基板１の裏面にインジウムを
蒸着しｎ側電極１５を形成する。これにより、図１に示
した構成を有する半導体発光素子が形成される。
【００５３】このように本実施の形態に係る半導体発光
素子の製造方法によれば、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
を成長させる前に、８×１０-4Ｔｏｒｒ・ｓｓｅｃ以上
あるいは３．５×１０17ｃｍ-2以上の照射量でＩＩ族元
素の亜鉛の粒子線を照射するようにしたので、ＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体層中における積層欠陥の密度を５×１
０3 ｃｍ-2以下に低減することができる。よって、電流
を注入したときの活性層６内における非発光再結合中心
の増殖を減少させることができる。従って、時間の経過
に伴う発光効率の減少を防止でき、素子の寿命を延長す
ることができる。
素子の製造方法によれば、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
を成長させる前に、８×１０-4Ｔｏｒｒ・ｓｓｅｃ以上
あるいは３．５×１０17ｃｍ-2以上の照射量でＩＩ族元
素の亜鉛の粒子線を照射するようにしたので、ＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体層中における積層欠陥の密度を５×１
０3 ｃｍ-2以下に低減することができる。よって、電流
を注入したときの活性層６内における非発光再結合中心
の増殖を減少させることができる。従って、時間の経過
に伴う発光効率の減少を防止でき、素子の寿命を延長す
ることができる。
【００５４】更に、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長
させる前に、ＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２の表面をＲＨＥ
ＥＤ観察における（２×４）砒素安定化面としたのち、
亜鉛の粒子線を照射するようにしたので、ＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体層中における積層欠陥の密度を更に低減す
ることができる。
させる前に、ＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２の表面をＲＨＥ
ＥＤ観察における（２×４）砒素安定化面としたのち、
亜鉛の粒子線を照射するようにしたので、ＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体層中における積層欠陥の密度を更に低減す
ることができる。
【００５５】加えて、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成
長させる前に、ＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２の表面をＲＨ
ＥＥＤ観察における（２×４）砒素安定化面としたの
ち、ＲＨＥＥＤ観察における＜１１０＞方向の倍周期構
造が少なくとも４×から１×に変化するまで亜鉛の粒子
線を照射するようにしたので、上記と同様にＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体層中における積層欠陥の密度を低減する
ことができる。
長させる前に、ＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２の表面をＲＨ
ＥＥＤ観察における（２×４）砒素安定化面としたの
ち、ＲＨＥＥＤ観察における＜１１０＞方向の倍周期構
造が少なくとも４×から１×に変化するまで亜鉛の粒子
線を照射するようにしたので、上記と同様にＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体層中における積層欠陥の密度を低減する
ことができる。
【００５６】更にまた、亜鉛の粒子線をＲＨＥＥＤ観察
における＜１１０＞方向の倍周期構造が少なくとも４×
から１×に変化するまでに要する照射量の１．５倍以上
の照射量で照射するようにしたので、上記と同様に、Ｉ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体層中における積層欠陥の密度を
５×１０3 ｃｍ-2以下に低減することができる。
における＜１１０＞方向の倍周期構造が少なくとも４×
から１×に変化するまでに要する照射量の１．５倍以上
の照射量で照射するようにしたので、上記と同様に、Ｉ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体層中における積層欠陥の密度を
５×１０3 ｃｍ-2以下に低減することができる。
【００５７】加えてまた、ＧａＡｓよりなる基板１の上
にＧａＡｓよりなるＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２をＭＢＥ
法により成長させたので、基板１の表面を平坦化するこ
とができ、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層中における積層
欠陥の密度を更に低減することができる。
にＧａＡｓよりなるＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２をＭＢＥ
法により成長させたので、基板１の表面を平坦化するこ
とができ、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層中における積層
欠陥の密度を更に低減することができる。
【００５８】更にまた、第１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層
３ＡのうちＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２側の一部を、亜鉛
の粒子線とセレンの粒子線とを交互に少なくとも１回づ
つ照射することにより、または亜鉛の粒子線を照射しつ
つセレンの粒子線を間欠的に少なくとも１回照射するこ
とにより成長させるようにしたので、ＩＩＩ−Ｖ族バッ
ファ層２と第１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３Ａとの界面
における平坦性を高めることができ、ＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体層中における積層欠陥の密度を更に低減するこ
とができる。
３ＡのうちＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２側の一部を、亜鉛
の粒子線とセレンの粒子線とを交互に少なくとも１回づ
つ照射することにより、または亜鉛の粒子線を照射しつ
つセレンの粒子線を間欠的に少なくとも１回照射するこ
とにより成長させるようにしたので、ＩＩＩ−Ｖ族バッ
ファ層２と第１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３Ａとの界面
における平坦性を高めることができ、ＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体層中における積層欠陥の密度を更に低減するこ
とができる。
【００５９】加えてまた、亜鉛に対するセレンの粒子線
量の比（Ｓｅ／Ｚｎ）を、粒子線強度Ｐ（Ｔｏｒｒ）の
比で０．９１以上１．３９以下、成長表面に単位時間，
単位面積当たり到達する粒子の数ｆ（ｃｍ-2ｓｅｃ-1）
の比で０．６４以上０．９８以下として第１のＩＩ−Ｖ
Ｉ族バッファ層３Ａを成長させるようにしたので、積層
欠陥の密度を５×１０3 ｃｍ-2以下に低減することがで
きる。
量の比（Ｓｅ／Ｚｎ）を、粒子線強度Ｐ（Ｔｏｒｒ）の
比で０．９１以上１．３９以下、成長表面に単位時間，
単位面積当たり到達する粒子の数ｆ（ｃｍ-2ｓｅｃ-1）
の比で０．６４以上０．９８以下として第１のＩＩ−Ｖ
Ｉ族バッファ層３Ａを成長させるようにしたので、積層
欠陥の密度を５×１０3 ｃｍ-2以下に低減することがで
きる。
【００６０】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
においては、ＧａＡｓよりなる基板１の上にＧａＡｓよ
りなるＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２を成長させる場合につ
いてのみ説明したが、本発明は、他のＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体（すなわち、ガリウム，アルミニウム，ホウ素
およびインジウムからなる群のうちの少なくとも１種の
ＩＩＩ族元素と、窒素，燐，砒素，アンチモン，ビスマ
スからなる群のうちの少なくとも１種のＶ族元素とを含
むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体）によって基板およびＩＩ
Ｉ−Ｖ族バッファ層を構成する場合についても広く適用
することができる。この場合、基板とＩＩＩ−Ｖ族バッ
ファ層の組成は同一でもよく、異なっていてもよい。基
板の上に複数のＩＩＩ−Ｖ族バッファ層を成長させる場
合などは、基板とＩＩＩ−Ｖ族バッファ層の組成は異な
ったものとなることが多い。
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
においては、ＧａＡｓよりなる基板１の上にＧａＡｓよ
りなるＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２を成長させる場合につ
いてのみ説明したが、本発明は、他のＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体（すなわち、ガリウム，アルミニウム，ホウ素
およびインジウムからなる群のうちの少なくとも１種の
ＩＩＩ族元素と、窒素，燐，砒素，アンチモン，ビスマ
スからなる群のうちの少なくとも１種のＶ族元素とを含
むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体）によって基板およびＩＩ
Ｉ−Ｖ族バッファ層を構成する場合についても広く適用
することができる。この場合、基板とＩＩＩ−Ｖ族バッ
ファ層の組成は同一でもよく、異なっていてもよい。基
板の上に複数のＩＩＩ−Ｖ族バッファ層を成長させる場
合などは、基板とＩＩＩ−Ｖ族バッファ層の組成は異な
ったものとなることが多い。
【００６１】なお、ＩＩＩ−Ｖ族バッファ層をＧａＩｎ
Ｐ，ＧａＰまたはＩｎＰにより構成する場合には、ＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体層を成長させる前に、その表面を
ＲＨＥＥＤ観察における（２×２）燐安定化面もしくは
（２×４）燐安定化面とすれば、上記実施の形態と同様
に、積層欠陥の密度を低減することができる。また、Ｉ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体層を成長させる前に照射するＩ
Ｉ族元素の粒子線の照射量は、上記実施の形態と同様
に、８×１０-4Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ以上あるいは３．５×
１０17ｃｍ-2以上とすれば積層欠陥の密度を５×１０3
ｃｍ-2以下とすることができる。このとき、ＲＨＥＥＤ
観察における＜１１０＞方向の倍周期構造は２×から１
×もしくは４×から１×に変化する。なお、ＩＩ族元素
の粒子線の照射量は、ＲＨＥＥＤ観察における＜１１０
＞方向の倍周期構造が２×から１×もしくは４×から１
×に変化するまでに要する照射量の１．５倍以上として
もよい。
Ｐ，ＧａＰまたはＩｎＰにより構成する場合には、ＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体層を成長させる前に、その表面を
ＲＨＥＥＤ観察における（２×２）燐安定化面もしくは
（２×４）燐安定化面とすれば、上記実施の形態と同様
に、積層欠陥の密度を低減することができる。また、Ｉ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体層を成長させる前に照射するＩ
Ｉ族元素の粒子線の照射量は、上記実施の形態と同様
に、８×１０-4Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ以上あるいは３．５×
１０17ｃｍ-2以上とすれば積層欠陥の密度を５×１０3
ｃｍ-2以下とすることができる。このとき、ＲＨＥＥＤ
観察における＜１１０＞方向の倍周期構造は２×から１
×もしくは４×から１×に変化する。なお、ＩＩ族元素
の粒子線の照射量は、ＲＨＥＥＤ観察における＜１１０
＞方向の倍周期構造が２×から１×もしくは４×から１
×に変化するまでに要する照射量の１．５倍以上として
もよい。
【００６２】また、上記実施の形態においては、各ＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体層を構成する材料の組成について
１つの具体的な例を挙げて説明したが、本発明は、他の
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体（すなわち、亜鉛，マグネシ
ウム，カドミウム，水銀およびベリリウムからなる群よ
り選ばれた少なくとも１種のＩＩ族元素と、酸素，セレ
ン，硫黄およびテルルからなる群より選ばれた少なくと
も１種のＶＩ族元素とを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体）によって各ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層をそれぞれ
構成した場合について広く適用することができる。
−ＶＩ族化合物半導体層を構成する材料の組成について
１つの具体的な例を挙げて説明したが、本発明は、他の
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体（すなわち、亜鉛，マグネシ
ウム，カドミウム，水銀およびベリリウムからなる群よ
り選ばれた少なくとも１種のＩＩ族元素と、酸素，セレ
ン，硫黄およびテルルからなる群より選ばれた少なくと
も１種のＶＩ族元素とを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体）によって各ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層をそれぞれ
構成した場合について広く適用することができる。
【００６３】更に、上記実施の形態においては、第１の
ＩＩ−ＶＩ族バッファ層３Ａを成長する前にＩＩ族元素
である亜鉛の粒子線を照射するようにしたが、亜鉛，マ
グネシウム，カドミウム，水銀およびベリリウムからな
る群より選ばれた少なくとも１種のＩＩ族元素の粒子線
を照射するようにしてもよい。照射する元素は、第１の
ＩＩ−ＶＩ族バッファ層３Ａの組成に応じて適宜決定さ
れる。
ＩＩ−ＶＩ族バッファ層３Ａを成長する前にＩＩ族元素
である亜鉛の粒子線を照射するようにしたが、亜鉛，マ
グネシウム，カドミウム，水銀およびベリリウムからな
る群より選ばれた少なくとも１種のＩＩ族元素の粒子線
を照射するようにしてもよい。照射する元素は、第１の
ＩＩ−ＶＩ族バッファ層３Ａの組成に応じて適宜決定さ
れる。
【００６４】加えて、上記実施の形態においては、第１
のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３ＡのＩＩＩ−Ｖ族バッファ
層２側の一部をＩＩ族元素とＶＩ族元素の粒子線を交互
に少なくとも１回づつ照射することにより成長させるよ
うにしたが、本発明は、第１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層
３Ａのうち少なくともＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２側の一
部をこのようにして成長させれば十分に効果を得ること
ができ、全部を同様にして成長させてもよい。また、第
１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３Ａに限らず、他のＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体層を同様にして成長させてもよい。
なお、これは、ＩＩ族元素の粒子線を照射しつつＶＩ族
元素の粒子線を間欠的に少なくとも１回照射することに
より成長させる場合も同じである。
のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３ＡのＩＩＩ−Ｖ族バッファ
層２側の一部をＩＩ族元素とＶＩ族元素の粒子線を交互
に少なくとも１回づつ照射することにより成長させるよ
うにしたが、本発明は、第１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層
３Ａのうち少なくともＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２側の一
部をこのようにして成長させれば十分に効果を得ること
ができ、全部を同様にして成長させてもよい。また、第
１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３Ａに限らず、他のＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体層を同様にして成長させてもよい。
なお、これは、ＩＩ族元素の粒子線を照射しつつＶＩ族
元素の粒子線を間欠的に少なくとも１回照射することに
より成長させる場合も同じである。
【００６５】更にまた、上記実施の形態においては、第
１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３ＡのＩＩＩ−Ｖ族バッフ
ァ層２側の一部をＩＩ族元素とＶＩ族元素の粒子線を交
互に少なくとも１回づつ照射することにより、あるいは
ＩＩ族元素の粒子線を照射しつつＶＩ族元素の粒子線を
間欠的に少なくとも１回照射することにより成長させる
ようにしたが、ＩＩ族元素とＶＩ族元素の粒子線を同時
に照射してＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２の上にＩＩ−ＶＩ
族バッファ層３Ａを成長させるようにしてもよい。
１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３ＡのＩＩＩ−Ｖ族バッフ
ァ層２側の一部をＩＩ族元素とＶＩ族元素の粒子線を交
互に少なくとも１回づつ照射することにより、あるいは
ＩＩ族元素の粒子線を照射しつつＶＩ族元素の粒子線を
間欠的に少なくとも１回照射することにより成長させる
ようにしたが、ＩＩ族元素とＶＩ族元素の粒子線を同時
に照射してＩＩＩ−Ｖ族バッファ層２の上にＩＩ−ＶＩ
族バッファ層３Ａを成長させるようにしてもよい。
【００６６】加えてまた、上記実施の形態においては、
第１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３Ａを、ＩＩ族元素に対
するＶＩ族元素の粒子線量の比について、粒子線強度Ｐ
（Ｔｏｒｒ）の比で０．９１以上１．３９以下、成長表
面に単位時間，単位面積当たり到達する粒子の数ｆ（ｃ
ｍ-2ｓｅｃ-1）の比で０．６４以上０．９８以下として
成長させるようにしたが、少なくともＩＩＩ−Ｖ族バッ
ファ層２側の一部をこのようにして成長させればよく、
また、他のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を同様にして成
長させてもよい。
第１のＩＩ−ＶＩ族バッファ層３Ａを、ＩＩ族元素に対
するＶＩ族元素の粒子線量の比について、粒子線強度Ｐ
（Ｔｏｒｒ）の比で０．９１以上１．３９以下、成長表
面に単位時間，単位面積当たり到達する粒子の数ｆ（ｃ
ｍ-2ｓｅｃ-1）の比で０．６４以上０．９８以下として
成長させるようにしたが、少なくともＩＩＩ−Ｖ族バッ
ファ層２側の一部をこのようにして成長させればよく、
また、他のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を同様にして成
長させてもよい。
【００６７】更にまた、上記実施の形態においては、半
導体装置として半導体発光素子を例に挙げて説明した
が、本発明は、半導体発光素子に限らず高速動作素子な
ど種々の半導体装置を製造する際にも適用することがで
きる。また、他の構成を有する半導体発光素子を製造す
る際にも同様に適用することができ、例えば、ガイド層
を形成しない半導体発光素子を製造する場合であっても
同様である。
導体装置として半導体発光素子を例に挙げて説明した
が、本発明は、半導体発光素子に限らず高速動作素子な
ど種々の半導体装置を製造する際にも適用することがで
きる。また、他の構成を有する半導体発光素子を製造す
る際にも同様に適用することができ、例えば、ガイド層
を形成しない半導体発光素子を製造する場合であっても
同様である。
【００６８】加えてまた、上記実施の形態においては、
ＭＢＥ法によりＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層およびＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体層をそれぞれ成長させるようにし
たが、本発明は、粒子線を照射することによりそれらを
成長させる場合について広く適用することができる。例
えば、ガスソースＭＢＥ法などについても同様に適用す
ることができる。
ＭＢＥ法によりＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層およびＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体層をそれぞれ成長させるようにし
たが、本発明は、粒子線を照射することによりそれらを
成長させる場合について広く適用することができる。例
えば、ガスソースＭＢＥ法などについても同様に適用す
ることができる。
【００６９】
【発明の効果】以上説明したように本発明による半導体
装置の製造方法によれば、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
を成長させる前に、８×１０-4Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ以上の
照射量でＩＩ族元素の粒子線を照射するようにしたの
で、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層中における積層欠陥の
密度を５×１０3 ｃｍ-2以下に低減することができる。
よって、電流注入によりこの積層欠陥の端を閉じている
部分転位が分解して生ずる影響を小さくすることができ
る。例えば、半導体発光素子の活性層内における非発光
再結合中心の増殖を減少することができ、時間の経過に
伴う発光効率の減少を防止し、素子の寿命を延長するこ
とができるという効果を奏する。
装置の製造方法によれば、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
を成長させる前に、８×１０-4Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ以上の
照射量でＩＩ族元素の粒子線を照射するようにしたの
で、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層中における積層欠陥の
密度を５×１０3 ｃｍ-2以下に低減することができる。
よって、電流注入によりこの積層欠陥の端を閉じている
部分転位が分解して生ずる影響を小さくすることができ
る。例えば、半導体発光素子の活性層内における非発光
再結合中心の増殖を減少することができ、時間の経過に
伴う発光効率の減少を防止し、素子の寿命を延長するこ
とができるという効果を奏する。
【００７０】また、本発明による他の半導体装置の製造
方法によれば、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長させ
る前に、３．５×１０17ｃｍ-2以上の照射量でＩＩ族元
素の粒子線を照射するようにしたので、ＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体層中における積層欠陥の密度を５×１０3 ｃ
ｍ-2以下に低減することができる。よって、上述と同様
の効果を奏する。
方法によれば、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長させ
る前に、３．５×１０17ｃｍ-2以上の照射量でＩＩ族元
素の粒子線を照射するようにしたので、ＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体層中における積層欠陥の密度を５×１０3 ｃ
ｍ-2以下に低減することができる。よって、上述と同様
の効果を奏する。
【００７１】更に、本発明による更に他の半導体装置の
製造方法によれば、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長
させる前に、砒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の
表面をＲＨＥＥＤ観察における（２×４）砒素安定化面
としたのち、ＲＨＥＥＤ観察における＜１１０＞方向の
倍周期構造が少なくとも４×から１×に変化するまでＩ
Ｉ族元素の粒子線を照射するようにしたので、ＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体層中における積層欠陥の密度を低減す
ることができる。よって、上述と同様の効果を奏する。
製造方法によれば、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長
させる前に、砒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の
表面をＲＨＥＥＤ観察における（２×４）砒素安定化面
としたのち、ＲＨＥＥＤ観察における＜１１０＞方向の
倍周期構造が少なくとも４×から１×に変化するまでＩ
Ｉ族元素の粒子線を照射するようにしたので、ＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体層中における積層欠陥の密度を低減す
ることができる。よって、上述と同様の効果を奏する。
【００７２】加えて、本発明による更に他の半導体装置
の製造方法によれば、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成
長させる前に、燐を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の
表面をＲＨＥＥＤ観察における（２×２）燐安定化面も
しくは（２×４）燐安定化面としたのち、ＲＨＥＥＤ観
察における＜１１０＞方向の倍周期構造が少なくとも２
×から１×もしくは４×から１×に変化するまでＩＩ族
元素の粒子線を照射するようにしたので、ＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体層中における積層欠陥の密度を低減するこ
とができる。よって、上述と同様の効果を奏する。
の製造方法によれば、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成
長させる前に、燐を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の
表面をＲＨＥＥＤ観察における（２×２）燐安定化面も
しくは（２×４）燐安定化面としたのち、ＲＨＥＥＤ観
察における＜１１０＞方向の倍周期構造が少なくとも２
×から１×もしくは４×から１×に変化するまでＩＩ族
元素の粒子線を照射するようにしたので、ＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体層中における積層欠陥の密度を低減するこ
とができる。よって、上述と同様の効果を奏する。
【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体発光素子の
製造方法により製造する半導体発光素子の構成を表す断
面図である。
製造方法により製造する半導体発光素子の構成を表す断
面図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る半導体装置の製造
方法に用いるＭＢＥ結晶成長装置を表す構成図である。
方法に用いるＭＢＥ結晶成長装置を表す構成図である。
【図３】ＩＩＩ−Ｖ族バッファ層の表面再配列構造と積
層欠陥密度との相関関係を表す特性図である。
層欠陥密度との相関関係を表す特性図である。
【図４】亜鉛の粒子線強度Ｐ（Ｔｏｒｒ）と照射時間の
積で表される照射量と積層欠陥密度との相関関係を表す
特性図である。
積で表される照射量と積層欠陥密度との相関関係を表す
特性図である。
【図５】亜鉛の成長表面に単位時間，単位面積当たり到
達する粒子の数ｆ（ｃｍ-2ｓｅｃ-1）と照射時間の積で
表される照射量と積層欠陥密度との相関関係を表す特性
図である。
達する粒子の数ｆ（ｃｍ-2ｓｅｃ-1）と照射時間の積で
表される照射量と積層欠陥密度との相関関係を表す特性
図である。
【図６】積層欠陥密度と素子の寿命との相関関係を表す
特性図である。
特性図である。
【図７】ＲＨＥＥＤ観察における＜１１０＞方向と＜１
−１０＞方向に確認できる倍周期構造を表す模式図であ
る。
−１０＞方向に確認できる倍周期構造を表す模式図であ
る。
【図８】ＲＨＥＥＤ観察における＜１１０＞方向の倍周
期構造が４×から１×に変化するのに要する時間を基準
として表した亜鉛の照射時間と積層欠陥密度との相関関
係を表す特性図である。
期構造が４×から１×に変化するのに要する時間を基準
として表した亜鉛の照射時間と積層欠陥密度との相関関
係を表す特性図である。
【図９】セレンの粒子線量の粒子線強度Ｐでの亜鉛の粒
子線量に対する比と積層欠陥密度との相関関係を表す特
性図である。
子線量に対する比と積層欠陥密度との相関関係を表す特
性図である。
【図１０】成長表面に到達する粒子数での亜鉛の粒子線
量に対するセレンの粒子線量の比と積層欠陥密度との相
関関係を表す特性図である。
量に対するセレンの粒子線量の比と積層欠陥密度との相
関関係を表す特性図である。
【図１１】亜鉛とセレンの粒子線量の比とＺｎＳｅの成
長速度との相関関係を表す特性図である。
長速度との相関関係を表す特性図である。
１…基板、２…ＩＩＩ−Ｖ族バッファ層、３Ａ…第１の
ＩＩ−ＶＩ族バッファ層、３Ｂ…第２のＩＩ−ＶＩ族バ
ッファ層、４…第１のクラッド層、５…第１のガイド
層、６…活性層、７…第２のガイド層、８…第２のクラ
ッド層、９…第１の半導体層、１０…第２の半導体層、
１１…超格子半導体層、１２…コンタクト層、１３…絶
縁層、１４…ｐ側電極、１５…ｎ側電極、２０，３０…
成長室、２１，３１…基板ホルダ、２２，３２…粒子線
源セル、２３，３３…シャッタ、２４，３５…高速電子
銃、２５，３６…スクリーン、３４…プラズマ発生室、
４１…真空搬送室、４２…基板導入室
ＩＩ−ＶＩ族バッファ層、３Ｂ…第２のＩＩ−ＶＩ族バ
ッファ層、４…第１のクラッド層、５…第１のガイド
層、６…活性層、７…第２のガイド層、８…第２のクラ
ッド層、９…第１の半導体層、１０…第２の半導体層、
１１…超格子半導体層、１２…コンタクト層、１３…絶
縁層、１４…ｐ側電極、１５…ｎ側電極、２０，３０…
成長室、２１，３１…基板ホルダ、２２，３２…粒子線
源セル、２３，３３…シャッタ、２４，３５…高速電子
銃、２５，３６…スクリーン、３４…プラズマ発生室、
４１…真空搬送室、４２…基板導入室
Claims (43)
- 【請求項１】 ガリウム（Ｇａ），アルミニウム（Ａ
ｌ），ホウ素（Ｂ）およびインジウム（Ｉｎ）からなる
群のうちの少なくとも１種のＩＩＩ族元素と、窒素
（Ｎ），燐（Ｐ），砒素（Ａｓ），アンチモン（Ｓ
ｂ），ビスマス（Ｂｉ）からなる群のうちの少なくとも
１種のＶ族元素とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の
上に、亜鉛（Ｚｎ），マグネシウム（Ｍｇ），マンガン
（Ｍｎ），ベリリウム（Ｂｅ），カドミウム（Ｃｄ）お
よび水銀（Ｈｇ）からなる群のうちの少なくとも１種の
ＩＩ族元素と、酸素（Ｏ），硫黄（Ｓ），セレン（Ｓ
ｅ）およびテルル（Ｔｅ）からなる群のうちの少なくと
も１種のＶＩ族元素とを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
層を少なくとも１層成長させてなる半導体装置の製造方
法であって、 前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長させる前に、前
記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の上に、亜鉛，マグネシ
ウム，ベリリウム，カドミウムおよび水銀からなる群の
うちの少なくとも１種のＩＩ族元素の粒子線を照射する
と共に、その照射量を８×１０-4Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ以上
とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長
させる前に、温度を調節することにより前記ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体層の表面をＶ族安定化面としたのち、亜
鉛，マグネシウム，マンガン，ベリリウム，カドミウム
および水銀からなる群のうちの少なくとも１種のＩＩ族
元素の粒子線を照射することを特徴とする請求項１記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 Ｖ族元素として砒素を含むＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体層の上に前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
を成長させる際に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の表面
をＲＨＥＥＤ観察における（２×４）砒素安定化面とす
ることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項４】 ガリウムと砒素とを含むＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体層の上に前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を
成長させることを特徴とする請求項３記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項５】 Ｖ族元素として燐を含むＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体層の上に前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を
成長させる際に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の表面を
ＲＨＥＥＤ観察における（２×２）燐安定化面もしくは
（２×４）燐安定化面とすることを特徴とする請求項２
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 インジウムと燐とを含むＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体層の上に前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を
成長させることを特徴とする請求項５記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項７】 ガリウムと燐とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体層の上に前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成
長させることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項８】 前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層は、ガ
リウム，アルミニウム，ホウ素およびインジウムからな
る群のうちの少なくとも１種のＩＩＩ族元素と、窒素，
燐，砒素，アンチモン，ビスマスからなる群のうちの少
なくとも１種のＶ族元素とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体よりなる基板の上に粒子線を照射することにより成
長させたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項９】 前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を１０
ｎｍ以上成長させたことを特徴とする請求項８記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 亜鉛，マグネシウム，マンガン，ベリ
リウム，カドミウムおよび水銀からなる群のうちの少な
くとも１種のＩＩ族元素の粒子線と、酸素，硫黄，セレ
ンおよびテルルからなる群のうちの少なくとも１種のＶ
Ｉ族元素の粒子線とを交互に少なくとも１回づつ照射す
ることにより、少なくとも前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体層に隣接した前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層のうち
の少なくとも前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層側の一部
を成長させることを特徴とする請求項１記載の半導体装
置の製造方法。 - 【請求項１１】 亜鉛，マグネシウム，マンガン，ベリ
リウム，カドミウムおよび水銀からなる群のうちの少な
くとも１種のＩＩ族元素の粒子線を照射しつつ、酸素，
硫黄，セレンおよびテルルからなる群のうちの少なくと
も１種のＶＩ族元素の粒子線を間欠的に少なくも１回照
射することにより、少なくとも前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体層に隣接した前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層の
うちの少なくとも前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層側の
一部を成長させることを特徴とする請求項１記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記ＩＩ族元素の粒子線量に対する前
記ＶＩ族元素の粒子線量の比を粒子線強度比で０．９１
以上１．３９以下、成長表面に到達する粒子線比で０．
６４以上０．９８以下として、少なくとも前記ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体層に隣接した前記ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体層のうちの少なくとも前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体層側の一部を成長させることを特徴とする請求項１
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１３】 ガリウムと砒素とを含むＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体よりなる基板の上に粒子線を照射してガリ
ウムと砒素とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を２０
０ｎｍ以上成長させたのち、温度を調節して表面をＲＨ
ＥＥＤ観察における（２×４）砒素安定化面とし、次い
でＩＩ族元素として亜鉛の粒子線を照射することを特徴
とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１４】 ガリウム（Ｇａ），アルミニウム（Ａ
ｌ），ホウ素（Ｂ）およびインジウム（Ｉｎ）からなる
群のうちの少なくとも１種のＩＩＩ族元素と、窒素
（Ｎ），燐（Ｐ），砒素（Ａｓ），アンチモン（Ｓ
ｂ），ビスマス（Ｂｉ）からなる群のうちの少なくとも
１種のＶ族元素とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の
上に、亜鉛（Ｚｎ），マグネシウム（Ｍｇ），マンガン
（Ｍｎ），ベリリウム（Ｂｅ），カドミウム（Ｃｄ）お
よび水銀（Ｈｇ）からなる群のうちの少なくとも１種の
ＩＩ族元素と、酸素（Ｏ），硫黄（Ｓ），セレン（Ｓ
ｅ）およびテルル（Ｔｅ）からなる群のうちの少なくと
も１種のＶＩ族元素とを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
層を少なくとも１層成長させてなる半導体装置の製造方
法であって、 前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長させる前に、前
記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の上に、亜鉛，マグネシ
ウム，ベリリウム，カドミウムおよび水銀からなる群の
うちの少なくとも１種のＩＩ族元素の粒子線を照射する
と共に、その照射量を成長表面に到達した粒子の数で
３．５×１０17ｃｍ-2以上とすることを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項１５】 前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成
長させる前に、温度を調節することにより前記ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体層の表面をＶ族安定化面としたのち、
亜鉛，マグネシウム，マンガン，ベリリウム，カドミウ
ムおよび水銀からなる群のうちの少なくとも１種のＩＩ
族元素の粒子線を照射することを特徴とする請求項１４
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１６】 Ｖ族元素として砒素を含むＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体層の上に前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
層を成長させる際に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の表
面をＲＨＥＥＤ観察における（２×４）砒素安定化面と
することを特徴とする請求項１５記載の半導体装置の製
造方法。 - 【請求項１７】 ガリウムと砒素とを含むＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体層の上に前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
を成長させることを特徴とする請求項１６記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項１８】 Ｖ族元素として燐を含むＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体層の上に前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
を成長させる際に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の表面
をＲＨＥＥＤ観察における（２×２）燐安定化面もしく
は（２×４）燐安定化面とすることを特徴とする請求項
１５記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１９】 インジウムと燐とを含むＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体層の上に前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
を成長させることを特徴とする請求項１８記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項２０】 ガリウムと燐とを含むＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体層の上に前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を
成長させることを特徴とする請求項１８記載の半導体装
置の製造方法。 - 【請求項２１】 前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層は、
ガリウム，アルミニウム，ホウ素およびインジウムから
なる群のうちの少なくとも１種のＩＩＩ族元素と、窒
素，燐，砒素，アンチモン，ビスマスからなる群のうち
の少なくとも１種のＶ族元素とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体よりなる基板の上に粒子線を照射することによ
り成長させたことを特徴とする請求項１４記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項２２】 前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を１
０ｎｍ以上成長させたことを特徴とする請求項２１記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項２３】 亜鉛，マグネシウム，マンガン，ベリ
リウム，カドミウムおよび水銀からなる群のうちの少な
くとも１種のＩＩ族元素の粒子線と、酸素，硫黄，セレ
ンおよびテルルからなる群のうちの少なくとも１種のＶ
Ｉ族元素の粒子線とを交互に少なくとも１回づつ照射す
ることにより、少なくとも前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体層に隣接した前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層のうち
の少なくとも前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層側の一部
を成長させることを特徴とする請求項１４記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項２４】 亜鉛，マグネシウム，マンガン，ベリ
リウム，カドミウムおよび水銀からなる群のうちの少な
くとも１種のＩＩ族元素の粒子線を照射しつつ、酸素，
硫黄，セレンおよびテルルからなる群のうちの少なくと
も１種のＶＩ族元素の粒子線を間欠的に少なくも１回照
射することにより、少なくとも前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体層に隣接した前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層の
うちの少なくとも前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層側の
一部を成長させることを特徴とする請求項１４記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項２５】 前記ＩＩ族元素の粒子線量に対する前
記ＶＩ族元素の粒子線量の比を粒子線強度比で０．９１
以上１．３９以下、成長表面に到達する粒子線比で０．
６４以上０．９８以下として、少なくとも前記ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体層に隣接した前記ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体層のうちの少なくとも前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体層側の一部を成長させることを特徴とする請求項１
４記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項２６】 ガリウムと砒素とを含むＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体よりなる基板の上に粒子線を照射してガリ
ウムと砒素とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を２０
０ｎｍ以上成長させたのち、温度を調節して表面をＲＨ
ＥＥＤ観察における（２×４）砒素安定化面とし、次い
でＩＩ族元素として亜鉛の粒子線を照射することを特徴
とする請求項１４記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項２７】 ＩＩＩ族元素としてガリウム（Ｇ
ａ），アルミニウム（Ａｌ），ホウ素（Ｂ）およびイン
ジウム（Ｉｎ）からなる群のうちの少なくとも１種と、
Ｖ族元素として窒素（Ｎ），燐（Ｐ），砒素（Ａｓ），
アンチモン（Ｓｂ），ビスマス（Ｂｉ）からなる群のう
ちの少なくとも砒素とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
層の上に、亜鉛（Ｚｎ），マグネシウム（Ｍｇ），マン
ガン（Ｍｎ），ベリリウム（Ｂｅ），カドミウム（Ｃ
ｄ）および水銀（Ｈｇ）からなる群のうちの少なくとも
１種のＩＩ族元素と、酸素（Ｏ），硫黄（Ｓ），セレン
（Ｓｅ）およびテルル（Ｔｅ）からなる群のうちの少な
くとも１種のＶＩ族元素とを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体層を少なくとも１層成長させてなる半導体装置の製
造方法であって、 前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長させる前に、温
度を調節することにより前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
層の表面をＲＨＥＥＤ観察における（２×４）砒素安定
化面とし、次いで、ＲＨＥＥＤ観察における＜１１０＞
方向の倍周期構造が少なくとも４×から１×に変化する
まで亜鉛，マグネシウム，ベリリウム，カドミウムおよ
び水銀からなる群のうちの少なくとも１種のＩＩ族元素
の粒子線を照射することを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項２８】 ガリウムと砒素とを含むＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体層の上に前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
を成長させることを特徴とする請求項２７記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項２９】 前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成
長させる前に照射する前記ＩＩ族元素の粒子線の照射量
を、ＲＨＥＥＤ観察における＜１１０＞方向の倍周期構
造が４×から１×に変化するまでに要する粒子線量の
１．５倍以上とすることを特徴とする請求項２７記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項３０】 前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層は、
ガリウム，アルミニウム，ホウ素およびインジウムから
なる群のうちの少なくとも１種のＩＩＩ族元素と、窒
素，燐，砒素，アンチモン，ビスマスからなる群のうち
の少なくとも１種のＶ族元素とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体よりなる基板の上に粒子線を照射することによ
り成長させたことを特徴とする請求項２７記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項３１】 前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を１
０ｎｍ以上成長させたことを特徴とする請求項３０記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３２】 亜鉛，マグネシウム，マンガン，ベリ
リウム，カドミウムおよび水銀からなる群のうちの少な
くとも１種のＩＩ族元素の粒子線と、酸素，硫黄，セレ
ンおよびテルルからなる群のうちの少なくとも１種のＶ
Ｉ族元素の粒子線とを交互に少なくとも１回づつ照射す
ることにより、少なくとも前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体層に隣接した前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層のうち
の少なくとも前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層側の一部
を成長させることを特徴とする請求項２７記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項３３】 亜鉛，マグネシウム，マンガン，ベリ
リウム，カドミウムおよび水銀からなる群のうちの少な
くとも１種のＩＩ族元素の粒子線を照射しつつ、酸素，
硫黄，セレンおよびテルルからなる群のうちの少なくと
も１種のＶＩ族元素の粒子線を間欠的に少なくも１回照
射することにより、少なくとも前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体層に隣接した前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層の
うちの少なくとも前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層側の
一部を成長させることを特徴とする請求項２７記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項３４】 前記ＩＩ族元素の粒子線量に対する前
記ＶＩ族元素の粒子線量の比を粒子線強度比で０．９１
以上１．３９以下、成長表面に到達する粒子線比で０．
６４以上０．９８以下として、少なくとも前記ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体層に隣接した前記ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体層のうちの少なくとも前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体層側の一部を成長させることを特徴とする請求項２
７記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３５】 ＩＩＩ族元素としてガリウム（Ｇ
ａ），アルミニウム（Ａｌ），ホウ素（Ｂ）およびイン
ジウム（Ｉｎ）からなる群のうちの少なくとも１種と、
Ｖ族元素として窒素（Ｎ），燐（Ｐ），砒素（Ａｓ），
アンチモン（Ｓｂ），ビスマス（Ｂｉ）からなる群のう
ちの少なくとも燐とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層
の上に、亜鉛（Ｚｎ），マグネシウム（Ｍｇ），マンガ
ン（Ｍｎ），ベリリウム（Ｂｅ），カドミウム（Ｃｄ）
および水銀（Ｈｇ）からなる群のうちの少なくとも１種
のＩＩ族元素と、酸素（Ｏ），硫黄（Ｓ），セレン（Ｓ
ｅ）およびテルル（Ｔｅ）からなる群のうちの少なくと
も１種のＶＩ族元素とを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
層を少なくとも１層成長させてなる半導体装置の製造方
法であって、 前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長させる前に、温
度を調節することにより前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
層の表面をＲＨＥＥＤ観察における（２×２）燐安定化
面もしくは（２×４）燐安定化面とし、次いで、ＲＨＥ
ＥＤ観察における＜１１０＞方向の倍周期構造が少なく
とも２×から１×もしくは４×から１×に変化するまで
亜鉛，マグネシウム，マンガン，ベリリウム，カドミウ
ムおよび水銀からなる群のうちの少なくとも１種のＩＩ
族元素の粒子線を照射することを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項３６】 インジウムと燐とを含むＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体層の上に前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
を成長させることを特徴とする請求項３５記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項３７】 ガリウムと燐とを含むＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体層の上に前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を
成長させることを特徴とする請求項３５記載の半導体装
置の製造方法。 - 【請求項３８】 前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成
長させる前に照射する前記ＩＩ族元素の粒子線の粒子線
量を、ＲＨＥＥＤ観察における＜１１０＞方向の倍周期
構造が２×から１×もしくは４×から１×に変化するま
でに要する粒子線量の１．５倍以上とすることを特徴と
する請求項３５記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３９】 前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層は、
ガリウム，アルミニウム，ホウ素およびインジウムから
なる群のうちの少なくとも１種のＩＩＩ族元素と、窒
素，燐，砒素，アンチモン，ビスマスからなる群のうち
の少なくとも１種のＶ族元素とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体よりなる基板の上に粒子線を照射することによ
り成長させたことを特徴とする請求項３５記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項４０】 前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を１
０ｎｍ以上成長させたことを特徴とする請求項３９記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４１】 亜鉛，マグネシウム，マンガン，ベリ
リウム，カドミウムおよび水銀からなる群のうちの少な
くとも１種のＩＩ族元素の粒子線と、酸素，硫黄，セレ
ンおよびテルルからなる群のうちの少なくとも１種のＶ
Ｉ族元素の粒子線とを交互に少なくとも１回づつ照射す
ることにより、少なくとも前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体層に隣接した前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層のうち
の少なくとも前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層側の一部
を成長させることを特徴とする請求項３５記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項４２】 亜鉛，マグネシウム，マンガン，ベリ
リウム，カドミウムおよび水銀からなる群のうちの少な
くとも１種のＩＩ族元素の粒子線を照射しつつ、酸素，
硫黄，セレンおよびテルルからなる群のうちの少なくと
も１種のＶＩ族元素の粒子線を間欠的に少なくも１回照
射することにより、少なくとも前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体層に隣接した前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層の
うちの少なくとも前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層側の
一部を成長させることを特徴とする請求項３５記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項４３】 前記ＩＩ族元素の粒子線量に対する前
記ＶＩ族元素の粒子線量の比を粒子線強度比で０．９１
以上１．３９以下、成長表面に到達する粒子線比で０．
６４以上０．９８以下として、少なくとも前記ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体層に隣接した前記ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体層のうちの少なくとも前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体層側の一部を成長させることを特徴とする請求項３
５記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36137497A JPH11204883A (ja) | 1996-12-30 | 1997-12-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35828896 | 1996-12-30 | ||
| JP8-358288 | 1997-11-14 | ||
| JP33091597 | 1997-11-14 | ||
| JP9-330915 | 1997-11-14 | ||
| JP36137497A JPH11204883A (ja) | 1996-12-30 | 1997-12-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204883A true JPH11204883A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=27340442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36137497A Pending JPH11204883A (ja) | 1996-12-30 | 1997-12-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11204883A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006303418A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-11-02 | Doshisha | 積層構造体、その形成方法および半導体素子 |
| JP2008124210A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-05-29 | Sony Corp | 半導体発光素子およびその製造方法、並びに光装置 |
-
1997
- 1997-12-26 JP JP36137497A patent/JPH11204883A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006303418A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-11-02 | Doshisha | 積層構造体、その形成方法および半導体素子 |
| JP2008124210A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-05-29 | Sony Corp | 半導体発光素子およびその製造方法、並びに光装置 |
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