JPH1022587A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 転位や欠陥のダングリングボンドを終端させ
発光強度の低下を防止することができる半導体発光素子
の製造方法を提供する。 【解決手段】 固体ソース分子線エピタキシー法により
基板１の上に複数のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長
させ半導体発光素子を製造する。複数のＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体層のうち活性層に該当する層およびガイド層
に該当する層を成長させる際に、水素をプラズマ発生室
２４によりプラズマ化してあるいはガスクラッキングセ
ル２７により原子状としてあるいは分子状のまま照射す
る。水素のバックグランドプレッシャは５×１０^-6ｔｏ
ｒｒとする。なお、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層のうち
ｐ型導電層に該当する層を成長させる際には水素を照射
しない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、固体ソース分子線
エピタキシー（Molecular Beam Epitaxy；ＭＢＥ）法に
より基板上に複数のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長
させてなる半導体発光素子の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、光ディスクや光磁気ディスクにお
ける記録・再生の高密度化または高解像度化に伴い、緑
色ないしは青色で発光可能な半導体発光素子の開発が行
われている。このような半導体発光素子を構成する材料
としては、亜鉛（Ｚｎ），マグネシウム（Ｍｇ），ベリ
リウム（Ｂｅ），カドミウム（Ｃｄ），水銀（Ｈｇ）な
どのＩＩ族元素のうち少なくとも１種と硫黄（Ｓ），セ
レン（Ｓｅ），テルル（Ｔｅ）などのＶＩ族元素のうち
少なくとも１種とから成るＩＩ−ＶＩ族化合物半導体が
有望である。

【０００３】特に、ＺｎＭｇＳＳｅ混晶は結晶性に優れ
入手も容易なＧａＡｓなどよりなる基板の上に成長させ
ることができるので、半導体発光素子のガイド層やクラ
ッド層に適していることが知られている（例えば、Elec
tron.Lett.28(1992)p1798 ）。なお、基板にＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体の単結晶ではなくＧａＡｓなどを用いる
のは、良質なＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の単結晶を得る
ことが困難だからである。そのため、このような半導体
発光素子においては、複数のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
薄膜をＧａＡｓ基板の上にヘテロエピタキシャル成長さ
せることによりその結晶性を高め、素子の発光効率およ
び信頼性を高くするようにしている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなヘテロエピタキシャル成長では、基板と各ＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体薄膜との間の格子定数および熱膨張係
数の相違、あるいは各ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体薄膜相
互間の格子定数および熱膨張係数の相違により、基板と
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体薄膜との間の界面近傍および
各ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体薄膜間の界面近傍にミスフ
ィット転位や応力による欠陥が導入されやすい。これら
の転位や欠陥は特に活性層の近傍にあるものほど発光に
寄与しないキャリアの再結合の中心となりやすく、発光
効率が低下したり素子の劣化が促進され信頼性が低下し
てしまうという問題があった。

【０００５】このような問題を解決する方法として、例
えば、水素原子を結晶に添加して転位や欠陥のダングリ
ングボンドを終端することが提案されている。例えば、
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体においては、結晶をＭＢＥ法
により形成したのち水素雰囲気中においてアニールする
ことにより結晶に水素を添加する方法が提案されている
（S.M.Lord et al.,J.Appl.Phys.73(1993)p740）。

【０００６】ところが、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体では
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体とは異なり成長温度が低いの
で高温のアニールを行うことができない。そのため、Ｉ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体では、水素ガスを照射しながら
ガスソースＭＢＥ法により結晶成長させる方法（特開平
３−２１８００７号公報），水素含有量の大きいスパッ
タ用ガスを導入してマグネトロンスパッタにより結晶成
長させる方法（特開平３−２０８８９６号公報、特開平
４−９２９００号公報）やＩＩ族元素とＶＩ族元素を交
互に照射しかつＩＩ族元素の照射とＶＩ族元素との照射
の間に水素ガスを照射して結晶を成長させる方法（特開
昭６３−８２０８８号公報）などが提案されている。

【０００７】しかし、いずれの方法によっても、未だ良
質な半導体発光素子は得られていない。また、水素原子
は容易にｐ型不純物と結合してそれを不活性化させてし
まうことから、ｐ型導電層を含む半導体発光素子におい
てはＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長させる際に水素
を導入することが避けられていた。

【０００８】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、固体ソースＭＢＥ法によって基板上
に複数のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長させる際に
少なくとも一部において水素を照射することにより、転
位や欠陥のダングリングボンドを終端させ発光強度の低
下を防止することができる半導体発光素子の製造方法を
提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体発光
素子の製造方法は、固体ソース分子線エピタキシー法に
より基板上に複数のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長
させて半導体発光素子を製造するものであって、複数の
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層のうちの少なくとも１つに
おける少なくとも一部について水素を照射しながら成長
させるようにしたものである。

【００１０】この半導体発光素子の製造方法では、固体
ソース分子線エピタキシー法により基板の上に複数のＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体層を成長させる。すなわち、各
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を構成するＩＩ族元素およ
びＶＩ族元素の各粒子線を固体原料から発生させ基板に
向かってそれぞれ照射する。このとき、少なくとも１つ
のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層の少なくとも一部につい
ては水素も同時に照射しながら成長させる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００１２】図１は本発明の一実施の形態に係る半導体
発光素子の製造方法に用いる固体ソースＭＢＥ結晶成長
装置の構成を表すものである。この固体ソースＭＢＥ結
晶成長装置は、真空蒸着装置の一種であり、図示しない
超高真空排気装置に接続された真空容器２１を備えてい
る。この真空容器２１の内部には、基板１を保持するた
めの基板ホルダ２２が配設されている。

【００１３】真空容器２１には、この基板１に対向する
ように複数の粒子線源セル（例えばクヌーゼンセル（Ｋ
セル））２３が配設されている。各粒子線源セル２３の
うちいくつかの内部には、基板１の上にエピタキシャル
成長させる各ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を構成する各
元素（ＩＩ族元素の亜鉛，マグネシウムなどやＶＩ族元
素の硫黄，セレンなど）に応じた固体原料がそれぞれ充
填されている。このように、固体ソースＭＢＥ結晶成長
装置では、各ＩＩ族元素および各ＶＩ族元素の原料に固
体を用いることを特徴としている。また、各粒子線源セ
ル２３のうち１つの内部には、ｎ型不純物である塩素
（Ｃｌ）の固体原料が充填されている。

【００１４】真空容器２１には、また、基板１に対向す
るように１つのプラズマ発生室２４が配設されている。
このプラズマ発生室２４は、例えば図２において図示し
たようにＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）セル
により構成されている。このＥＣＲセルは、磁石２４ａ
によって囲まれたセル２４ｂの内部にマイクロ波端子２
４ｃによりマイクロ波を供給すると共にガス導入管２４
ｄによりガスを供給し、そのガスをプラズマ化（すなわ
ち活性化）してプラズマ導出口２４ｅから基板１に向か
って照射するものである。

【００１５】ガス導入管２４ｄには、図示しない窒素
（Ｎ₂ ）ガス供給源から窒素ガスを案内するガス管２５
と図示しない水素（Ｈ₂ ）ガス供給源から水素ガスを案
内するガス管２６とがそれぞれ接続されている。ガス管
２５には窒素ガスの供給を調節するバルブ２５ａが配設
されており、ガス管２６には水素ガスの供給を調節する
バルブ２６ａが配設されている。すなわち、バルブ２５
ａ，２６ａをそれぞれ切り換えることにより、必要に応
じ窒素をプラズマ化しｐ型不純物として照射したり水素
をプラズマ化して照射したりすることができるようにな
っている。

【００１６】真空容器２１には、更に、基板１に対向す
るように１つのガスクラッキングセル２７が配設されて
いる。このガスクラッキングセル２７は、ガス導入管２
７を介して供給されたガスを図示しないヒータによって
加熱することにより熱分解し原子状として基板１に向か
って照射するものである。このガス導入管２７には図示
しない水素ガス供給源から水素ガスを案内するガス管２
８が接続されると共に、このガス管２８には水素ガスの
供給を調節するバルブ２８ａが配設されている。従っ
て、バルブ２８ａおよびバルブ２６ａをそれぞれ切り換
えることにより、水素を照射する際にプラズマ状で照射
するか原子状で照射するかを適宜に選択することができ
るようになっている。

【００１７】本実施の形態に係る半導体発光素子の製造
方法では、このような固体ソースＭＢＥ結晶成長装置を
用い、複数のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を基板１の上
に成長させて図２に示した半導体発光素子を製造する。
この半導体発光素子は、基板１の上にＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体層によりそれぞれ構成された第１導電型クラッ
ド層２，第１のガイド層３，活性層４，第２のガイド層
５および第２導電型クラッド層６が順次積層され、更に
その上に電極と良好なオーミックコンタクトをとるため
の各層すなわちＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層によりそれ
ぞれ構成された第１の半導体層７，第２の半導体層８，
超格子層９およびコンタクト層１０が順次積層されてい
る。

【００１８】本実施の形態では、まず、ｎ型のＧａＡｓ
により形成した基板１を用意し、その表面を清浄にして
基板ホルダ２２に装着する。また、各粒子線源セル２３
の内部に適宜の固体原料をそれぞれ充填すると共に、真
空容器２１の内部を図示しない超高真空排気装置によっ
て１×１０^-10 ｔｏｒｒ程度の真空状態とする。

【００１９】次いで、各粒子線源セル２３を加熱して各
粒子線のビーム量を調節したのち、複数の粒子線源セル
２３から適宜のＩＩ族元素およびＶＩ族元素の各粒子線
を適宜に照射して基板１の上に各ＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体層を順次成長させていく。このとき、ｎ型導電層を
形成する場合には１つの粒子線源セル２３から塩素の粒
子線を更に照射し、ｐ型導電層を形成する場合にはプラ
ズマ発生室２４からプラズマ化した窒素を更に照射す
る。

【００２０】すなわち、まず基板１の上に適宜のＩＩ族
元素およびＶＩ族元素の各粒子線と塩素の粒子線とをそ
れぞれ照射し、ＺｎＭｇＳＳｅ混晶よりなるｎ型導電層
の第１導電型クラッド層２を８００ｎｍ程度成長させ
る。

【００２１】続いて、この第１導電型クラッド層２の上
に適宜のＩＩ族元素およびＶＩ族元素の各粒子線をそれ
ぞれ照射し、ＺｎＳ_0.06Ｓｅ_0.94混晶よりなる第１のガ
イド層３を１００ｎｍ程度成長させると共に、その上に
Ｚｎ_0.8 Ｃｄ_0.2 Ｓｅ混晶よりなる単一量子井戸構造の
活性層４を６〜１２ｎｍ程度、更にその上にＺｎＳ_0.06
Ｓｅ_0.94混晶よりなる第２のガイド層５を１００ｎｍ程
度成長させる。

【００２２】なお、これら第１のガイド層３，活性層４
および第２のガイド層５をそれぞれ成長させる際には、
ＩＩ族元素およびＶＩ族元素の各粒子線に加えてプラズ
マ発生室２４からプラズマ化した水素も同時に照射す
る。このときの水素の流量は例えば０．１ｓｃｃｍ、バ
ックグランドプレッシャは５×１０^-6ｔｏｒｒとなるよ
うにする。ちなみに、水素のバックグランドプレッシャ
というのは、１×１０^-10 ｔｏｒｒの真空状態とした真
空容器２１内に水素を照射した際の基板１近傍における
真空度をいう。

【００２３】次いで、この第２のガイド層５の上に適宜
のＩＩ族元素およびＶＩ族元素の各粒子線とプラズマ化
した窒素とをそれぞれ照射し、ＺｎＭｇＳＳｅ混晶より
なるｐ型導電層の第２導電型クラッド層６を５００ｎｍ
程度成長させる。

【００２４】更に、この第２導電型クラッド層６の上に
適宜のＩＩ族元素およびＶＩ族元素の各粒子線とプラズ
マ化した窒素とをそれぞれ照射し、５００ｎｍ程度のＺ
ｎＳＳｅ混晶よりなるｐ型導電層の第１の半導体層７、
１００ｎｍ程度のＺｎＳｅよりなるｐ型導電層の第２の
半導体層８、ＺｎＳｅとＺｎＴｅとを交互に積層したｐ
型導電層の超格子層９、ＺｎＴｅよりなるｐ型導電層の
コンタクト層１０を順次成長させる。

【００２５】このようにして基板１の上に各ＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体層を成長させたのち、コンタクト層１０
の上にレジストを塗布しフォトリソグラフィによって図
示しない帯状のマスクパターンを形成する。そののち、
このマスクパターンをマスクとしてウエットエッチング
またはドライエッチングを行い、コンタクト層１０およ
び超格子層９を選択的に除去して１０μｍ程度の幅の帯
状とする。次いで、コンタクト層１０および超格子半導
体層９が選択的に除去された第２の半導体層８の上にア
ルミナ（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）を蒸着させ、マスクパターンをこ
のマスクパターンの上に形成されたアルミナと共に除去
し（リフトオフ）絶縁層１１を形成する。

【００２６】更に、この絶縁層１１およびコンタクト層
１０の上にパラジウム（Ｐｄ）を１０ｎｍ程度、白金
（Ｐｔ）を１００ｎｍ程度、金（Ａｕ）を３００ｎｍ程
度順次蒸着しｐ側電極１２を形成する。また、基板１の
裏面にインジウム（Ｉｎ）を蒸着しｎ側電極１３を形成
する。これにより、図２に示した半導体発光素子が製造
される。

【００２７】このようにして製造した半導体発光素子に
ついて光励起による発光強度の劣化速度を測定した。そ
の結果、本実施の形態に係る方法により製造した半導体
発光素子は、従来の半導体発光素子に比べて劣化速度が
遅くなった。なお、この従来の半導体発光素子というの
は、水素を照射しないことを除き他は本実施の形態と同
様にして製造したものである。

【００２８】このように本実施の形態に係る半導体発光
素子の製造方法によれば、第１のガイド層３，活性層４
および第２のガイド層５についてプラズマ化した水素を
照射しながら成長させるようにしたので、転位や欠陥の
ダングリングボンドを終端させることができる。また、
ｐ型導電層（第２導電型クラッド層６，第１の半導体層
７，第２の半導体層８，超格子層９およびコンタクト層
１０）を成長させる際には水素を照射しないようにした
ので、ｐ型不純物である窒素の不活性化を防止すること
ができる。よって、ｐ型不純物を不活性化することなく
素子の劣化を防止し寿命を延長することができる。

【００２９】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々の変形が可能である。

【００３０】例えば、上記実施の形態においては、水素
をプラズマ化して照射するようにしたが、ガスクラッキ
ングセル２７により原子状にして照射するようにしても
よく、またプラズマ化することなく分子状のままガス導
入管２４ｄを介してあるいは熱分解することなく分子状
のままガス導入管２７ａを介して照射するようにしても
よい。なお、図３に分子状の水素を照射したことを除き
他は上記実施の形態と同様にして製造した半導体発光素
子に関する発光強度の経時変化を示す。このように、分
子状の水素を照射した場合においても水素を照射しない
従来のものに比べて劣化が約１／４も遅くなり寿命を延
長できることが分かる。但し、プラズマ化した水素ある
いは原子状の水素の方が分子状の水素にくらべて活性で
あるので、効率よく少ない照射量で大きな効果を得るこ
とができる。

【００３１】また、上記実施の形態においては、第１の
ガイド層３，活性層４および第２のガイド層５を成長さ
せる際に水素を照射するようにしたが、活性層４を成長
させる際にのみ水素を照射するようにしてもよく、第１
のガイド層３のうち活性層４側の一部と活性層４と第２
のガイド層５のうち活性層４側の一部とを成長させる際
にのみ水素を照射するようにしてもよい。更に、第１の
ガイド層３，活性層４および第２のガイド層５に加えて
第１導電型クラッド層２など他の層を成長させる際にも
水素を照射してもよい。

【００３２】但し、水素原子はｐ型不純物と容易に結合
してそれを不活性化させてしまうので、ｐ型導電層（上
記実施の形態においては第２導電型クラッド層６，第１
の半導体層７，第２の半導体層８，超格子層９，コンタ
クト層１０）を成長させる際には水素を照射しないほう
が好ましい。照射する場合であっても、その照射量は各
ｐ型導電層における水素の添加量が原子密度で１×１０
¹⁷ｃｍ^-3以下となるようにすることが好ましい。

【００３３】更に、上記実施の形態においては、水素の
バックグランドプレッシャを５×１０^-6ｔｏｒｒとする
ようにしたが、１×１０^-8ｔｏｒｒ以上であれば本発明
の効果を得ることができる。また、各ＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体層の成長面における水素原子の数が１×１０¹⁵
ｓｅｃ^-1ｃｍ^-2以上となるように水素を照射しても同様
である。但し、水素のバックブランドプレッシャが１×
１０^-7ｔｏｒｒ以上１×１０^-5ｔｏｒｒ以下であれば特
に大きな効果を得ることができるので好ましい。

【００３４】加えて、本発明は、各ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体層を構成する組成が上記実施の形態において示し
たものに限られることなく、種々のＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体層により半導体発光素子を形成する場合に広く適
用することができる。特に、ＩＩ族元素として亜鉛，水
銀，マグネシウム，カドミウムおよびベリリウムのうち
少なくとも１種とＶＩ族元素として硫黄，セレンおよび
テルルのうち少なくとも１種とを含むＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体層により半導体発光素子を形成する場合に適用
することができる。

【００３５】更にまた、上記実施の形態においては、活
性層４を第１のガイド層３と第２のガイド層５とで挟み
更にそれを第１導電型クラッド層２と第２導電型クラッ
ド層６とで挟んだＳＣＨ構造（Separated Confinement
Heterostructure ）を有する半導体発光素子を製造する
場合について説明したが、本発明は、活性層をクラッド
層で挟んだＤＨ構造（Double Heterostructure）など他
の構造を有する半導体発光素子を製造する場合について
も広く適用することができる。

【００３６】加えてまた、上記実施の形態においては、
半導体発光素子の製造の際にプラズマ発生室２４とガス
クラッキングセル２７とを共に備えた固体ソースＭＢＥ
結晶成長装置を用いているが、いずれか一方のみしか備
えていないものを用いてもよい。また、窒素ガスと水素
ガスが１つのプラズマ発生室２４に導入される固体ソー
スＭＢＥ結晶成長装置を用いているが、窒素ガスをプラ
ズマ化するプラズマ発生室と水素ガスをプラズマ化する
プラズマ発生室とを別に備えたものを用いてもよい。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
発光素子の製造方法によれば、複数のＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体層のうちの少なくとも１つにおける少なくとも
一部について水素を照射しながら成長させるようにした
ので、転位や欠陥のダングリングボンドを終端させるこ
とができる。よって、素子の劣化を防止することがで
き、寿命を延長することができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体発光素子の
製造方法に用いる固体ソースＭＢＥ結晶成長装置を表す
構成図である。

【図２】本発明の一実施の形態に係る半導体発光素子の
製造方法によって製造した半導体発生素子の構成を表す
断面図である。

【図３】本発明の他の実施の形態に係る半導体発光素子
の製造方法によって製造した半導体発生素子の発光強度
の経時変化を表す特性図である。

【符号の説明】

１…基板、２…第１導電型クラッド層、３…第１のガイ
ド層、４…活性層、５…第２のガイド層、６…第２導電
型クラッド層、７…第１の半導体層、８…第２の半導体
層、９…超格子半導体層、１０…コンタクト層、１１…
絶縁層、１２…ｐ側電極、１３…ｎ側電極、２１…真空
容器、２２…基板ホルダー、２３…分子線源セル、２４
…プラズマ発生室、２４ａ…磁石、２４ｂ…セル、２４
ｃ…マイクロ波端子、２４ｄ…ガス導入管、２４ｅ…プ
ラズマ導出口、２５，２６，２８…ガス管、２５ａ，２
６ａ，２８ａ…バルブ、２７…ガスクラッキングセル、
２７ａ…ガス導入管

フロントページの続き (72)発明者 中野 一志 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 固体ソース分子線エピタキシー法により
   基板上に複数のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長させ
   て半導体発光素子を製造する半導体発光素子の製造方法
   であって、 前記複数のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層のうちの少なく
   とも１つにおける少なくとも一部について水素を照射し
   ながら成長させることを特徴とする半導体発光素子の製
   造方法。
2. 【請求項２】 前記複数のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
   のうちの少なくとも活性層に該当する層について水素を
   照射しながら成長させることを特徴とする請求項１記載
   の半導体発光素子の製造方法。
3. 【請求項３】 前記複数のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
   のうちｐ型導電層に該当する層を除いた他の層の少なく
   とも１つにおける少なくとも一部について水素を照射し
   ながら成長させることを特徴とする請求項１記載の半導
   体発光素子の製造方法。
4. 【請求項４】 前記複数のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
   のうちｐ型導電層に該当する層を成長させる際には、そ
   の層に添加される水素の量が原子密度で１×１０¹⁷ｃｍ
   ^-3以下となるように水素を照射することを特徴とする請
   求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
5. 【請求項５】 ＩＩ族元素として亜鉛，水銀，マグネシ
   ウム，カドミウムおよびベリリウムのうち少なくとも１
   種と、ＶＩ族元素として硫黄，セレンおよびテルルのう
   ち少なくとも１種とを含む前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導
   体層を複数層成長させて前記半導体発光素子を製造する
   ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子の製造
   方法。
6. 【請求項６】 第１導電型クラッド層，第１のガイド
   層，活性層，第２のガイド層および第２導電型クラッド
   層にそれぞれ該当する前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
   を前記基板の上に順次成長させて前記半導体発光素子を
   製造することを特徴とする請求項１記載の半導体発光素
   子の製造方法。
7. 【請求項７】 前記活性層に該当する前記ＩＩ−ＶＩ族
   化合物半導体層について水素を照射しながら成長させる
   ことを特徴とする請求項６記載の半導体発光素子の製造
   方法。
8. 【請求項８】 前記活性層に該当する前記ＩＩ−ＶＩ族
   化合物半導体層と前記第１のガイド層に該当する前記Ｉ
   Ｉ−ＶＩ族化合物半導体層の少なくとも一部と前記第２
   のガイド層に該当する前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
   の少なくとも一部についてそれぞれ水素を照射しながら
   成長させることを特徴とする請求項６記載の半導体発光
   素子の製造方法。
9. 【請求項９】 前記第１のガイド層に該当する前記ＩＩ
   −ＶＩ族化合物半導体層のうち少なくとも活性層側の一
   部と前記第２のガイド層に該当する前記ＩＩ−ＶＩ族化
   合物半導体層のうち少なくとも活性層側の一部について
   それぞれ水素を照射しながら成長させることを特徴とす
   る請求項８記載の半導体発光素子の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記水素は、１×１０^-8ｔｏｒｒ以上
    のバックグランドプレッシャで照射することを特徴とす
    る請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記水素は、１×１０^-7ｔｏｒｒ以上
    １×１０^-5ｔｏｒｒ以下のバックグランドプレッシャで
    照射することを特徴とする請求項１記載の半導体発光素
    子の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記水素は、前記各ＩＩ−ＶＩ族化合
    物半導体層の成長面における原子数が１×１０¹⁵ｓｅｃ
    ^-1ｃｍ^-2以上となるように照射することを特徴とする請
    求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記水素は、活性化した状態で照射す
    ることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子の製
    造方法。
14. 【請求項１４】 前記水素は、原子の状態で照射するこ
    とを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子の製造方
    法。