JPS6041281A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents
半導体レ−ザ素子Info
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- JPS6041281A JPS6041281A JP14944884A JP14944884A JPS6041281A JP S6041281 A JPS6041281 A JP S6041281A JP 14944884 A JP14944884 A JP 14944884A JP 14944884 A JP14944884 A JP 14944884A JP S6041281 A JPS6041281 A JP S6041281A
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- semiconductor layer
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体レーザに関し、さらに詳述すれば活性層
が彎曲したダブルへテロレーザに関するものである。
が彎曲したダブルへテロレーザに関するものである。
半導体レーザは、光通信、情報処理端末、計測等の応用
に適した光源として期待されている。これらの応用分野
で要求されるレーザの特性としては、低いしきい電流、
高い微分量子効率、横基本モードを保ったままで、可能
な限り高い光出力を得ること、ビーム広がり角の等方性
、等がある。
に適した光源として期待されている。これらの応用分野
で要求されるレーザの特性としては、低いしきい電流、
高い微分量子効率、横基本モードを保ったままで、可能
な限り高い光出力を得ること、ビーム広がり角の等方性
、等がある。
一方、素子の作製歩留り、量産性等の県からは、構造が
出来る限り学純で、工程数が少なく、プロセス時の許容
誤差範囲の大きい構造が望ましい。
出来る限り学純で、工程数が少なく、プロセス時の許容
誤差範囲の大きい構造が望ましい。
以上の条件をみたす１つの構造として従来知られている
ものに、第１図のレーザがある。これは、溝２をはった
基板ｌ上にクラッド層３，５を介して活性層４を懸垂状
にたらしこむ形で通常のダブルへテロ構造を結晶成長さ
せたのち、溝の中央部分のみを電流励起するようなスト
ライプ電極６を設けたものである。なお、図中７は負電
極である。
ものに、第１図のレーザがある。これは、溝２をはった
基板ｌ上にクラッド層３，５を介して活性層４を懸垂状
にたらしこむ形で通常のダブルへテロ構造を結晶成長さ
せたのち、溝の中央部分のみを電流励起するようなスト
ライプ電極６を設けたものである。なお、図中７は負電
極である。
このような溝埋め成長においては、活性層４の厚みが、
溝の中心で厚く、両側へいくに従ってうずくなるような
形状が一般にとられている。このような、厚みが中央部
分で厚くなった活性層をもっ光導波路３．５では、以下
に述べるような、横方向の実効屈折率差が生じて、横モ
ードが安定化されると云われていた。しかし、この従来
構造では、活性層の厚さが少くとも０．１μｍ通常０．
３〜０．５μｍの厚さを要していたため実用上２つの大
きな欠点があった。
溝の中心で厚く、両側へいくに従ってうずくなるような
形状が一般にとられている。このような、厚みが中央部
分で厚くなった活性層をもっ光導波路３．５では、以下
に述べるような、横方向の実効屈折率差が生じて、横モ
ードが安定化されると云われていた。しかし、この従来
構造では、活性層の厚さが少くとも０．１μｍ通常０．
３〜０．５μｍの厚さを要していたため実用上２つの大
きな欠点があった。
１つは、横基本モードを保ったまま安定に発振する最大
光出力が３〜５ｍＷと比較的小さいことである。これ以
上の電流励起下では、横モードの中に１次モード成分が
混じってきて、モード変形をおこす。
光出力が３〜５ｍＷと比較的小さいことである。これ以
上の電流励起下では、横モードの中に１次モード成分が
混じってきて、モード変形をおこす。
他の１つは、端面破壊によるいわゆるカタストロフ劣化
をおこす光出力の最大値が７〜１０ｍＷと比較的小さい
ことである。これは、レーザに過電流が瞬間的に流れた
場合容易ζこ破壊されることになり、実用上重要な雑魚
となる。
をおこす光出力の最大値が７〜１０ｍＷと比較的小さい
ことである。これは、レーザに過電流が瞬間的に流れた
場合容易ζこ破壊されることになり、実用上重要な雑魚
となる。
なお、上述した如き構造を持つ半導体レーザの代表的な
例は特開昭５１−３３９２号公報にみられる。
例は特開昭５１−３３９２号公報にみられる。
本発明の目的は上記欠点を除去して光出力が大きく、か
つ横基本モードの安定した半導体レーザを提供すること
にある。
つ横基本モードの安定した半導体レーザを提供すること
にある。
上記目的を達成するための本発明の構成は、クラッド層
間に結晶組成がＧａ１−ｘＡｔｘＡＳ（Ｏ≦Ｘ≦０．３
５）でかつ懸垂深さ０．４〜０．６ Ｉｔ ｍ 、厚さ
が０．０３〜０．０７μｍの活性層を設けることにある
。
間に結晶組成がＧａ１−ｘＡｔｘＡＳ（Ｏ≦Ｘ≦０．３
５）でかつ懸垂深さ０．４〜０．６ Ｉｔ ｍ 、厚さ
が０．０３〜０．０７μｍの活性層を設けることにある
。
上述の様に活性層厚が従来のものに較べて、極めて薄い
ので、動作時の光分布は上記活性層を大きくはみ出すこ
ととなる。すなわち光分布の殆んどが活性層外に占める
こととなる。発光による発熱領域も同様に活性層外がそ
の殆んどを占める。
ので、動作時の光分布は上記活性層を大きくはみ出すこ
ととなる。すなわち光分布の殆んどが活性層外に占める
こととなる。発光による発熱領域も同様に活性層外がそ
の殆んどを占める。
従って、動作電流を大ならしめても従来の様な活性層の
みに熱が集中するのを妨げ、核熱が分散するので該活性
層端面は熱破損から保護される。よって、従来の２倍以
上の実用性ある２０〜３０ｍＷの光出力を得ることがで
きる。上記活性層厚さが０．０７μｍを越える値では熱
破損があるため高々１５ｍＷｌ、か得られず極めて用途
が限定されて実用性が乏しい。また、０．０３μｍ未満
ではレーザ光の光学的品質が低下しこれ又実用性に乏し
くなる。
みに熱が集中するのを妨げ、核熱が分散するので該活性
層端面は熱破損から保護される。よって、従来の２倍以
上の実用性ある２０〜３０ｍＷの光出力を得ることがで
きる。上記活性層厚さが０．０７μｍを越える値では熱
破損があるため高々１５ｍＷｌ、か得られず極めて用途
が限定されて実用性が乏しい。また、０．０３μｍ未満
ではレーザ光の光学的品質が低下しこれ又実用性に乏し
くなる。
本発明は上述の様に極めて薄い活性層を有するものであ
るが更に、活性層の中央部が裾部分より厚く形成されて
いるとなおよい。裾部分がさらに狭く形成されていると
該部分での高次モード光の発生が阻止される。従来は裾
部分における光分布を他の半導体層に唱収させることに
より実質的に′除去する法が用いられてきた。本発明で
は、高次モード光自身の発生が閉止され横基本モードの
みの発光が行なわれるので高品質・高出力のレーザ光が
得られる。
るが更に、活性層の中央部が裾部分より厚く形成されて
いるとなおよい。裾部分がさらに狭く形成されていると
該部分での高次モード光の発生が阻止される。従来は裾
部分における光分布を他の半導体層に唱収させることに
より実質的に′除去する法が用いられてきた。本発明で
は、高次モード光自身の発生が閉止され横基本モードの
みの発光が行なわれるので高品質・高出力のレーザ光が
得られる。
さらにまた、本発明の活性層は上述の様に懸垂された形
状を呈している。普通溝幅に対応して４〜７μｍの幅で
懸垂する。一方、懸垂深さが０．４μｍ未満だとモード
不安定が生じ電流特性が劣化する。一方、０．６μｍを
越えると高次モード（普通１次）が発生して光品質が低
下する。従って、懸垂深さは０．４〜０．６μｍがよい
。この懸垂の形状は正規化された値で用いられる。最深
部を原点にとって垂れ下りの勾配が０．１０〜０．■５
が適切である。
状を呈している。普通溝幅に対応して４〜７μｍの幅で
懸垂する。一方、懸垂深さが０．４μｍ未満だとモード
不安定が生じ電流特性が劣化する。一方、０．６μｍを
越えると高次モード（普通１次）が発生して光品質が低
下する。従って、懸垂深さは０．４〜０．６μｍがよい
。この懸垂の形状は正規化された値で用いられる。最深
部を原点にとって垂れ下りの勾配が０．１０〜０．■５
が適切である。
この様に本発明のタイプのレーザでは、発振しきい電流
値が２０〜３０ｍＡと非常に小さく、発光部分が２μｍ
φ程度の真円状をした点光源であるために、ビーム広が
り角が等方向である等のすぐれた光品質としての特徴を
有している。以下実施例を用いて詳細に説明する。
値が２０〜３０ｍＡと非常に小さく、発光部分が２μｍ
φ程度の真円状をした点光源であるために、ビーム広が
り角が等方向である等のすぐれた光品質としての特徴を
有している。以下実施例を用いて詳細に説明する。
第２図は本発明の一実施例としての半導体レーザの概略
断面図である。図はファブリ、ペロー共振器の鏡面に平
行な面での断面図である。（ｔｏｅ）面をもつｎ −Ｇ
ａＡｓ基板（Ｔｅ添加、濃度〜ｌ×ｌＱｃｍ−３）上に
通常のホトレジスト工程により幅５〜２０μｍの窓を持
ったホトレジスト膜を形成する。この窓を通して基板表
面をたきえばりん酸：過酸化水素：エチレングリコール
＝ｌ：ｌ：３を用いて化学エツチングすることにより深
さ方向に凹状の溝を持った基体２１を形成する。普通溝
の幅（Ｗ）は５〜２０μｍｌ深さくｄ）は１〜５μｍと
した。次ｌここの上に周知の連続液相成長法により第２
の半導体層としてｎ −Ｇａ、−ｙＡｔ、Ａｓ層（Ｏ２
５≦）ｒ≦０７例えばｙ＝０．３）２３．第１の半導体
層としてＧ ａ ＋−ｘ ＡｌｘＡ、ｓ層（０≦Ｘ≦０
．３５例λばｘ＝０．０５）２４．第３の半導体層とし
てＰ −Ｇａ、−、Ａｔ、Ａｓ層（０，２５≦２≦０．
７例えば２＝０．３）２５．およびこの上部にｎ−Ｇａ
Ａｓ層を成長させる。
断面図である。図はファブリ、ペロー共振器の鏡面に平
行な面での断面図である。（ｔｏｅ）面をもつｎ −Ｇ
ａＡｓ基板（Ｔｅ添加、濃度〜ｌ×ｌＱｃｍ−３）上に
通常のホトレジスト工程により幅５〜２０μｍの窓を持
ったホトレジスト膜を形成する。この窓を通して基板表
面をたきえばりん酸：過酸化水素：エチレングリコール
＝ｌ：ｌ：３を用いて化学エツチングすることにより深
さ方向に凹状の溝を持った基体２１を形成する。普通溝
の幅（Ｗ）は５〜２０μｍｌ深さくｄ）は１〜５μｍと
した。次ｌここの上に周知の連続液相成長法により第２
の半導体層としてｎ −Ｇａ、−ｙＡｔ、Ａｓ層（Ｏ２
５≦）ｒ≦０７例えばｙ＝０．３）２３．第１の半導体
層としてＧ ａ ＋−ｘ ＡｌｘＡ、ｓ層（０≦Ｘ≦０
．３５例λばｘ＝０．０５）２４．第３の半導体層とし
てＰ −Ｇａ、−、Ａｔ、Ａｓ層（０，２５≦２≦０．
７例えば２＝０．３）２５．およびこの上部にｎ−Ｇａ
Ａｓ層を成長させる。
層２４の裾の薄い部分の厚さは０．０６μｍμ下厚い層
は０．０３〜０．０７μｍとした。通常液相成長を行な
うと溝部分を補填する形で結晶成長が進むので厚く形成
され、る。層２５およびこの上部のｎ−ＧａＡｓ層の厚
さはそれぞれ２μｍ、１μｍである。添加不純物として
ｎ形層にはＳｎを、ｐ形層にはＧｅを用いた。次に先の
場合と同様のホトレジスト工程を経て形成されたＡｔ２
０３の窓を通してＺｎを拡散し、電流の通路となる領域
にｐ形拡赦領域２７を形成した。その後、正電極２８お
よび負電極２９としてＡｎ、ＪｚＣｒおよびＡｕ −Ｇ
ｅ−Ｎｉ合金を蒸着し、最後に結晶を相対する平行な面
が得られるように（１１０而）でへき開し反射器を形成
しレーザ装置を構成した。レーザ長は３００μｍである
。
は０．０３〜０．０７μｍとした。通常液相成長を行な
うと溝部分を補填する形で結晶成長が進むので厚く形成
され、る。層２５およびこの上部のｎ−ＧａＡｓ層の厚
さはそれぞれ２μｍ、１μｍである。添加不純物として
ｎ形層にはＳｎを、ｐ形層にはＧｅを用いた。次に先の
場合と同様のホトレジスト工程を経て形成されたＡｔ２
０３の窓を通してＺｎを拡散し、電流の通路となる領域
にｐ形拡赦領域２７を形成した。その後、正電極２８お
よび負電極２９としてＡｎ、ＪｚＣｒおよびＡｕ −Ｇ
ｅ−Ｎｉ合金を蒸着し、最後に結晶を相対する平行な面
が得られるように（１１０而）でへき開し反射器を形成
しレーザ装置を構成した。レーザ長は３００μｍである
。
上記半導体レーザは室温で〜２ ｋＡ／ｃｍ２のしきい
電流密度で発振が得られた。発振波長は〜８３００λ、
外部量子効率は約４０チであった。
電流密度で発振が得られた。発振波長は〜８３００λ、
外部量子効率は約４０チであった。
発振時の横姿態はレーザの実用電流範囲であるしきい電
流値の２倍以上まで安定で、従来構造でみられる励起強
度と発光出力の非直線特性やパス変調時における信号対
雑音比の低下は観測されなかった。
流値の２倍以上まで安定で、従来構造でみられる励起強
度と発光出力の非直線特性やパス変調時における信号対
雑音比の低下は観測されなかった。
上記実施例における素子の有効性を確めるために次の様
な素子特性の観察を行なった。
な素子特性の観察を行なった。
第３図は、溝の中心での活性層の厚ささく光放射）端面
破壊限界出力との特性をプロットしたものである。レー
ザの端面破壊によるいわゆるカタストロフ劣化をひきお
こす光出力を従来のｌＯｍＷ程度以上に引上げるには、
曲線３１に示したように、活性層の厚さをきわめてうず
くすることが非常に効果的であるこきがわかった。前記
第２図で、溝の中心部分での活性層の厚さをｄ（μｍ）
とすると、ｄを０．０７μｍ以下にすることにより、端
面破壊限界の光出力は３０ｍＷ程度に高くなることがわ
かった。これは、ＧａＡ４Ａｓ系材料を用いた第２図の
ようなダブルへテロ構造をもつ素子に対して一般に成立
つことであるが、活性層を０．０７μｍ以下に薄くする
ことにより、光出力対電流特性の折れ曲りｌ／ベルも、
２０〜３０ ｍ Ｗの破壊限界ぎりぎりまで高めうろこ
とが明らかになった。これは、活性層かうすくなること
により、第２図の構造の光間じこめを生じている、横方
向の実効的屈折率の変化が小さくなって、１次モード以
上の横高次モードが発生しなくなるためである。このこ
とは、次に第４図に示す活性層の厚さｄの変化した３層
光導波路での等偏屈折率ｎｅｆｆを計算した結果からも
明らかである。活性層を挾むクラッド層の混晶比Ｘをそ
れぞれ０．４５．屈折率をｎ＝３．３５４４とし、該活
性層の厚さを連続的に変えていったものである。なお活
性層の屈折率は３．３６８７である。曲線４１はｄが０
．０７μｍ以下とｄか０．１５μＩｎ以上で折れ曲った
Ｓ字状カーブになっているため％ｄ＜０．０７μｍと、
ｄ＞０．１５μｍでは、活性層の厚みの変化に対する等
偏屈折率変化が小さくなる。このため、高次モードがた
ちにくくなることを示す。
破壊限界出力との特性をプロットしたものである。レー
ザの端面破壊によるいわゆるカタストロフ劣化をひきお
こす光出力を従来のｌＯｍＷ程度以上に引上げるには、
曲線３１に示したように、活性層の厚さをきわめてうず
くすることが非常に効果的であるこきがわかった。前記
第２図で、溝の中心部分での活性層の厚さをｄ（μｍ）
とすると、ｄを０．０７μｍ以下にすることにより、端
面破壊限界の光出力は３０ｍＷ程度に高くなることがわ
かった。これは、ＧａＡ４Ａｓ系材料を用いた第２図の
ようなダブルへテロ構造をもつ素子に対して一般に成立
つことであるが、活性層を０．０７μｍ以下に薄くする
ことにより、光出力対電流特性の折れ曲りｌ／ベルも、
２０〜３０ ｍ Ｗの破壊限界ぎりぎりまで高めうろこ
とが明らかになった。これは、活性層かうすくなること
により、第２図の構造の光間じこめを生じている、横方
向の実効的屈折率の変化が小さくなって、１次モード以
上の横高次モードが発生しなくなるためである。このこ
とは、次に第４図に示す活性層の厚さｄの変化した３層
光導波路での等偏屈折率ｎｅｆｆを計算した結果からも
明らかである。活性層を挾むクラッド層の混晶比Ｘをそ
れぞれ０．４５．屈折率をｎ＝３．３５４４とし、該活
性層の厚さを連続的に変えていったものである。なお活
性層の屈折率は３．３６８７である。曲線４１はｄが０
．０７μｍ以下とｄか０．１５μＩｎ以上で折れ曲った
Ｓ字状カーブになっているため％ｄ＜０．０７μｍと、
ｄ＞０．１５μｍでは、活性層の厚みの変化に対する等
偏屈折率変化が小さくなる。このため、高次モードがた
ちにくくなることを示す。
本発明は、クラッド層２３および２５の屈折率をそれぞ
れ異ならしめることによりさらに有効となる。次にその
例を示す。
れ異ならしめることによりさらに有効となる。次にその
例を示す。
前述の実施例に述べた構成に対しクラッド層２３をｎ
−Ｇａ１−ｙＡｔ、Ａｓ層（ｙ＝ｏ、３３）、２ｓをｐ
−Ｇａ１−、Ａｔ、Ａｓ層（ｚ＝０．５）とし、層２
４の厚い部分の厚さを０．０７μｍ１薄い部分の厚さを
０．０３μｍとする。他の部分の構成および作成プロセ
スは前記実施例と同様である。この実施例における室温
での発振しきい電流密度は２ ｋＡ／ｃｍ２、発振波長
は８３００人、外部微分量子効率は４０チである。発振
機姿態は、しきい電流値の１．３倍まで横基本モードの
みである。また、しきい電流値以上における電流−発振
出力特性は、上記電流範囲で直線的であり、パルス変調
時における信号対雑音比の低下も観測されない。
−Ｇａ１−ｙＡｔ、Ａｓ層（ｙ＝ｏ、３３）、２ｓをｐ
−Ｇａ１−、Ａｔ、Ａｓ層（ｚ＝０．５）とし、層２
４の厚い部分の厚さを０．０７μｍ１薄い部分の厚さを
０．０３μｍとする。他の部分の構成および作成プロセ
スは前記実施例と同様である。この実施例における室温
での発振しきい電流密度は２ ｋＡ／ｃｍ２、発振波長
は８３００人、外部微分量子効率は４０チである。発振
機姿態は、しきい電流値の１．３倍まで横基本モードの
みである。また、しきい電流値以上における電流−発振
出力特性は、上記電流範囲で直線的であり、パルス変調
時における信号対雑音比の低下も観測されない。
−ｈ述の様に、高次モードの発生を抑制する方法として
、活性層が０．０７μｍ以下とよすいときには、第５図
に示したように、ダブルへテロ構造のクラッドの屈折率
を上下非対称にする方法がある。
、活性層が０．０７μｍ以下とよすいときには、第５図
に示したように、ダブルへテロ構造のクラッドの屈折率
を上下非対称にする方法がある。
この理由を図を用いて説明する。第５図は活性層厚に対
する等偏屈折率の変化を表わしたものである。曲線５１
はクラッド層２３および２５の結晶組成が共にｙ ＝
ｚ ＝ ０．５の場合、曲線５２も同じ＜５’＝Ｚ＝０
．４５の場合である。曲線５３はｙ＝０．４５ 、 ｚ
＝Ｑ、５で非対称の場合である。図からも明らかな様
に、非対称の場合は活性層の厚さが０．０４μｍ以下で
モードカットオフが発生している。このことから、溝の
中央で０．０４μｍ＜ｄ〈０．０７μｍで、基本モード
の広がり幅の２μｍよりも外側ではｄ＜０．０４μｍと
なるような構造にすると、高次モードは全く発生せず、
いつまでも基本モード発振を維持しうる。クラッド層の
屈折率は非対称であればよく大小関係による差はない。
する等偏屈折率の変化を表わしたものである。曲線５１
はクラッド層２３および２５の結晶組成が共にｙ ＝
ｚ ＝ ０．５の場合、曲線５２も同じ＜５’＝Ｚ＝０
．４５の場合である。曲線５３はｙ＝０．４５ 、 ｚ
＝Ｑ、５で非対称の場合である。図からも明らかな様
に、非対称の場合は活性層の厚さが０．０４μｍ以下で
モードカットオフが発生している。このことから、溝の
中央で０．０４μｍ＜ｄ〈０．０７μｍで、基本モード
の広がり幅の２μｍよりも外側ではｄ＜０．０４μｍと
なるような構造にすると、高次モードは全く発生せず、
いつまでも基本モード発振を維持しうる。クラッド層の
屈折率は非対称であればよく大小関係による差はない。
さらに、活性層を０．０７μｍ以下に薄くすることによ
り、垂直方向のビーム広がり角は３０°以下と小さくな
り、ビームの広がり角の垂直方向：θ上と水平方向：θ
Ｉの比がθよ：θ／劇３０：１５＝２：１程度のほぼ円
形のスポットとなることがわかった。このことは、レー
ザビームをファイバーやレンズに効率よく結合する場合
や、ビデオディスクのような１μｍ以下のスポットに集
光する場合に有利である。
り、垂直方向のビーム広がり角は３０°以下と小さくな
り、ビームの広がり角の垂直方向：θ上と水平方向：θ
Ｉの比がθよ：θ／劇３０：１５＝２：１程度のほぼ円
形のスポットとなることがわかった。このことは、レー
ザビームをファイバーやレンズに効率よく結合する場合
や、ビデオディスクのような１μｍ以下のスポットに集
光する場合に有利である。
同様に本発明においては、クラッド層２３の結晶組成が
Ｇａ、−、Ａｔ、Ａｓ （０，２５≦ｙ≦０．７）、ク
ラッド層２５がＧａ、−、Ａｔ、Ａｓ （０，２５≦２
≦０．７）をこおいても上述の特性が該当し、破壊端面
の生じない高出力横基本モード安定のレーザに適用され
る。構成、製法などは前述の実施例と同じなので省略す
る。
Ｇａ、−、Ａｔ、Ａｓ （０，２５≦ｙ≦０．７）、ク
ラッド層２５がＧａ、−、Ａｔ、Ａｓ （０，２５≦２
≦０．７）をこおいても上述の特性が該当し、破壊端面
の生じない高出力横基本モード安定のレーザに適用され
る。構成、製法などは前述の実施例と同じなので省略す
る。
以上詳述した様に、本発明は結晶組成がＧａ、ｘＡｚｘ
Ａｓ （０≦Ｘ≦０．３５）の懸垂状活性層厚を０．０
４〜０．０７μｍに設けることにより横基本モードの安
定した高出力のレーザ光を得る点、工業的利益大なるも
のである。
Ａｓ （０≦Ｘ≦０．３５）の懸垂状活性層厚を０．０
４〜０．０７μｍに設けることにより横基本モードの安
定した高出力のレーザ光を得る点、工業的利益大なるも
のである。
第１図は従来の半導体レーザの概略断面図、第２図は本
発明の一実施例としての半導体レーザの概略断面図、第
３〜５図は本発明の半導体レーザを説明するための特性
図である。 ２１・・基板、２３．２５・・・クラッド層（光導波路
）２４・・・活性層、２６・・・表面層、２７・・・拡
散領域（Ｚｎ）、２８．２’ｌ・・電極。 ｘ １ ■ 、＜２ 図 ２７ 冗 ３ 図 第４ （２） ７・′ イ３汗 し／− 第１頁の続き ０発 明 者 梅 １） 淳 −国分寺市東恋う央研究
所内 ［相］発 明 者 相 木 国 男 国分寺市東恋う央
研究所内 ・窪１丁目２８幡地 株式会社日立製作所中・窪１丁目
２８幡地 株式会社日立製作所中４２４−
発明の一実施例としての半導体レーザの概略断面図、第
３〜５図は本発明の半導体レーザを説明するための特性
図である。 ２１・・基板、２３．２５・・・クラッド層（光導波路
）２４・・・活性層、２６・・・表面層、２７・・・拡
散領域（Ｚｎ）、２８．２’ｌ・・電極。 ｘ １ ■ 、＜２ 図 ２７ 冗 ３ 図 第４ （２） ７・′ イ３汗 し／− 第１頁の続き ０発 明 者 梅 １） 淳 −国分寺市東恋う央研究
所内 ［相］発 明 者 相 木 国 男 国分寺市東恋う央
研究所内 ・窪１丁目２８幡地 株式会社日立製作所中・窪１丁目
２８幡地 株式会社日立製作所中４２４−
Claims (1)
- 帯状の溝を有する結晶基板と、該基板上に形成された凹
表面を有する第２の半導体層と、上記第２半導体層に接
して形成された第１半導体層と、上記第１半導体層上に
形成された第３の半導体層と、上記第２および第３の半
導体層は上記第１の半導体層より禁制帯幅が大きく且つ
屈折率が小なる半導体レーザにおいて、上記第１の半導
体層の懸垂状の発光領域厚さが０．０３〜０．０７μｍ
であることを特徴とする半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14944884A JPS6041281A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 半導体レ−ザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14944884A JPS6041281A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6041281A true JPS6041281A (ja) | 1985-03-04 |
| JPS6343912B2 JPS6343912B2 (ja) | 1988-09-01 |
Family
ID=15475340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14944884A Granted JPS6041281A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6041281A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007320159A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | King Jim Co Ltd | 綴じ具及びそれを備えたファイリング用具 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6344803U (ja) * | 1986-09-11 | 1988-03-25 | ||
| JPH0248203A (ja) * | 1988-08-09 | 1990-02-19 | Koji Masuda | タイヤ用滑り止め具及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5391683A (en) * | 1977-01-24 | 1978-08-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser |
| JPS544088A (en) * | 1977-06-13 | 1979-01-12 | Hitachi Ltd | Manufacture for semiconductor laser |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP14944884A patent/JPS6041281A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5391683A (en) * | 1977-01-24 | 1978-08-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser |
| JPS544088A (en) * | 1977-06-13 | 1979-01-12 | Hitachi Ltd | Manufacture for semiconductor laser |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007320159A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | King Jim Co Ltd | 綴じ具及びそれを備えたファイリング用具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6343912B2 (ja) | 1988-09-01 |
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