JPS60110188A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents

半導体レ−ザ素子

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JPS60110188A
JPS60110188A JP58218276A JP21827683A JPS60110188A JP S60110188 A JPS60110188 A JP S60110188A JP 58218276 A JP58218276 A JP 58218276A JP 21827683 A JP21827683 A JP 21827683A JP S60110188 A JPS60110188 A JP S60110188A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は半導体レーザ素子に関するもので、特にレーザ
発振の横モード制御及び＝黴？ａ、流の低減に有効な構
造を有し、ＭＢＥあるいはＭＯ−ＣＶＤ等の新しい成長
技術によって製造可能な半導体レーザの素子１１４造に
関するものである。
〈従来技術〉 近年、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法あるいは有機金
属を用いた気４゛ｌ」成長（ＭＯ’−ＣＶＤ）法などの
薄膜単結晶成長技術の進歩は著しく、これらの成長技術
を用いれば１０λ程度の薄いエピタキシャル成長層を得
ることが可能となっている。
このような製造技術の進歩は、半導体レーザにおいても
従来の液＋１１エピタキシャル成長？１ＬＰＥ）では製
作が困９！１１であった極めて薄いノ曽を有する素子１
’！ｌｉ造に結く新しい効果を利用したレーザ素子の製
作を［、＋Ｊ能とした、その代表的なものは面子井戸（
Ｑｕａｕｔｕｍ　Ｗｅｌｌ；略してＱＷ）レーザである
。このＱ　ｗレーザは従来の二重へテロ接合（ＤＨ）レ
ーザでは数百Ａ以上あった活性層厚を１００Ａ程度ある
いはそれ以下とすることによって、活性層中にｈｔ子化
準位が形成されることを利用しており、従来のＤＨレー
ザに比べて閾値電流が下がる、温度特性が艮い、あるい
は過渡特性に優れている等の数々の利点を有している。
（参考文＃：） １）　Ｗ、Ｔ、Ｔ　ｓａｎｇ、　Ａ１１ｙｓｉｃｓ　Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ、　ｖｏｌ。
３９、　Ｎｏ、　１０　ｐｐ、　７８６（１９８１）。
２）　Ｎ、に、ＤｕｔＬａ、　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　
ＡｐｐｌｉｅｄＰｌｌｙｓｉｃｓ、　ｖｏｌ、５３．　
Ｎｏ、　１１．　ｐｐ、　７２１１（１９８２）。
３）　Ｈ，Ｉｗａｍｕｒａ、　Ｔ、　５ａｋｕ、　Ｔ、
　ｌ５ｂｉｂａｓｈｉ。
Ｋ、０Ｌｓｕｋａ、　Ｙ、Ｈｏｒｉｋｏｓｈｉ、　Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ、　ｖｏｌ、１９．
　Ｎｏ、　５．　ｐｐ、　１８０（１９８３）。
このように、ＭＢＥやＭ　Ｏ−ＣＶ　Ｄなどの薄膜単結
晶成長技術を用いることにより、新しい多層構造を有す
る高性能半導体レーザの実用化への道が開けてきた。
一方、従来の半導体レーザも多くの改良が積み重ねられ
て実用化に至っているが、その中の重要−な要素として
横モードの安定化がある。ストライブ状の電極を形成す
ることにより電流のみを制限した初期の電極ストライプ
型半導体レーザにおいては、レーザ発振の閾値電流のわ
ずか上の電流領域ではストライプ直下の姑性領域でのみ
発振に必要な利得が損失を上まわるので零次あるいは基
本横モードで発振する。しかし駆動電流を増加していく
と活性層への注入キャリアはしだいにストライプ領域の
両側へ拡がるため、高利得領域が拡がり、横モードの拡
がりやに次横モード発振を招く。
このような横モードの不安定性と駆動電流依存性は駆動
電流とレーザ出力の直線性を悪化させパルス電流により
父調を行なった場合、レーザ出力に不安定な変動を生じ
信号対雑音比を劣化させる。
捷た出力光の指向性を不安定にするのでレーザ出力を光
ファイバ苛：の光学系に効率よく安定に導くことを困難
にするなど実用上多くの障害があった。
この点に関して、電流のみでなく光も横方向に閉じ込め
ることにより槓モードを安定化妊せる多くのｌ：、ｌ、
＋）造がＬＰＨにより作製したＧａＡｌＡｓ系及びＩｎ
ＧａＡｓＰ系の半導体レーザについて提案されてきた。
しかしながらこれらの構造の多くは溝、メサあるいは段
差加工をした基板上にＬＰＥの特殊性を利用して製作す
るものが多い。代表例として、ｃｓｐレーザ（Ｋ、　Ａ
　ｉ　ｋ　ｉ　＋　Ｍ、ＮａｋａｍｕｒａＴ、Ｋｕｒｏ
ｄａ、ａｎｄ　Ｊ−Ｕｍｅｄａ、Ａｐｐｌ　ｉｅｄ　Ｐ
ｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ、ｖｏｌ、３０．Ｎｏ、１
２．ｐｐ、６４９（１９７７））。
ＣＤＨレーザ（Ｄ、Ｂｏｔｅｚ、Ａｐｐｌ　ｉｅｄ　Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ。
ｖｏｌ、３３．ｐｐ、８７２（１９７８））、’１’Ｓ
レーザ（Ｔ、　Ｓｕｇ　ｉｎｏ。
Ｍ、Ｗａｄａ、Ｈ，Ｓｈｉｍｉｚｕ、に、Ｉｔｏｈ、ａ
ｎｄｌ、Ｔｅｒａｍｏｔｏ。
Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｙｓ、ｖ
ｏｌ、３４．Ｎｏ、４゜（１９７９））はいずれも液相
成長の成長速度の異方性を利用することによって製作可
能な（イ４造である。
従って、これらの構造の大半はＭＢＥやＭ　Ｏ−ＣＶＤ
などの成長法をもっては製作不＋ｊＪ能なものである。
第１図は、ＬＰＨによって製作された横モード安定化レ
ーザの一例としてのＶ　Ｓ　Ｉ　Ｓ　（Ｖ　−ＣＩ＋ａ
ｎｎｅｌｅｄｓｕｂｓｔｒａｔｅ　１ｎｎｅｒ　５ｔｒ
ｉｐｅ）５半導体レーザ（Ｓ。
Ｙａｍａｍｏｔｏ、　Ｈ，ＨａｙａｓｈＬ　ｓ、　Ｙａ
ｎｏ、　′ｒ、　５ａｋｕｒａ　ｉ、　ａｎｄ１’、　
Ｈｉ　ｊｉｋａｔａ、　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ、　ｖｏｌ。
４０、　ｐｐ、　３７２（１９８２）。）を示す断面構
造図である。
Ｐ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−ＧａＡｓ２を成長した後、
Ｖ形の溝９を化学エッチにより形成し、その上にＰ−Ｇ
ａＡＩＡｓクラッド層３．ＧａＡｌＡｓ活性層４．ｎ−
ＧａＡｇＡｓクラッド層５゜ｎ　−Ｇ　ａ　Ａ　ｓキャ
ン１層６を連続成長させてＤＨ型多層結晶構造を構成し
、電極７，８を形成している。Ｐ−ＧａＡ＃Ａｓクラッ
ド層３の成長の際、成長速度の異方性により溝９上で速
く成長するため、活性層４を平坦に形成できる。活性層
が平坦で■溝外の光吸収により横モードが安定化されて
いるため、２０ｍＷ以上の光出力まで基本横モードで発
振する素子が得られる。
第２図は第１図と同様の４Ｈ造をＭ　Ｏ−ＣＶ　Ｄによ
り製作した場合の素子の断面」イ１）造園である。
ＬＰＥと比べてＭＯ−ＣＶＤでは成長速度の異方性が小
さいため、Ｐ−ＧａＡＩＡｓクラッド層３成長の際■形
溝９を埋めることができず、従って粘性層４はＶ形にわ
ん曲して成長する。第１図に示したＬＰＥの場合と異な
りこのように活性層が大きくわん曲すると、光導波路と
しての等価屈折率の変化が大きくなるため、レーザ光は
活性層のＶ形の先端部に強く導波されることとなシ、そ
の結果高次横モードが発振しやすくなる。また発振ヌポ
ット径が小さくなるため、光密度が高くなシ高出力動作
が困難となる等の欠点を生ずる。成長法としてＭＵ　Ｅ
を用いても　ＩＧ　２図と同様の形状となる。このよう
な欠点は、溝、メサあるいは段差加工をした基板上にＭ
ＢＥあるいはＭＯ−ＣＶＤを用いて半導体レーザ用多層
結晶を製作する際に結晶が基板の形状を引き継いで成長
さ扛ることより一般に問題となる。
〈発明の目的〉 本発明は、以上のような問題に鑑み、ＡＩ　Ｂ　Ｅある
いはＭＯ−ｃ　Ｖ　Ｄによって製作ｎＪ能でかつ１Ｍモ
ードが安定化された半導体レーザの構造及び製造法を提
供することを目的とする。
〈実施例〉 第３図乃至第５図は本発明の一実施例の半導体レーザの
製造工程を示す断面］￥／Ｊ成図である。先ず、第３図
に示すようにｎ−ＧａＡｓ基板１１上にｎ　７　Ｇ　ａ
　ｎ、ｒ＋５Ａ　Ｉ２１１．４６　Ａ　Ｓクラッド層（
１μｍ厚）１２、アンドープＧ　ａｏ、ｓｓ　Ａ　（ｌ
ｏ、＋、Ａ　ｓ活性層（０，０５μｍｌ享）　１３　、
　Ｐ−Ｇ’ａｏ、５５Ａｌｏ、、５Ａ　ｓクラッド層（
０，１ｔｔｍ厚）１４．Ｐ−ＧａＡｓ酸化防止層（０，
００５μ？ＦＬ厚）　１５　＋　ｎ　Ｇ　ａ　０９３Ａ
ｎｏ、ｙＡｓ電流阻止層（０，８μｍ厚）１６＋ｎ−Ｇ
ａＡｓ酸化防止層（０，００５ｔｔｒｔＬ厚）１７をＭ
　Ｂ　Ｅ法により連続的に成長する。次に第４図に示す
ように、フォトリングラフィ法によりヌトライブ状の満
２０を酸化防止層１７及び電流阻止Ｍ１６を貫通し酸化
防止層１５に達するまで形成する。この際、最初にＧａ
Ａｓを選択的にエツチングするエツチング故（Ｈ２０□
：ＮＨ，０Ｈ＝５　：１）で酸化防止層１７をエツチン
グ除去し、次にＧ　ａｏ、ｓ　Ａ　ｓ　１．６を酸化防
止層１５でエツチングが停止するよう、フッ酸によ−っ
て選択的に工・ノチンクする。このようにすると、酸化
しやすいＡｌを含んだ層（ＧａＡβＡｓ）が溝２０の側
面を除いて表面に露出していないため、次に成長するク
ラッド層及びクラッド層との界面の結晶性が悪くならな
い。特に活性層１３に近い酸化防止層１５は活性層１３
近傍の結晶性の劣化を防止し、レーザ素子の信頼性を向
上させるために不可欠である。
第５図に示すように、Ｐ　Ｇ　ａ　ｏ、ｓｓ　Ａ　ｌ　
Ｏ，４５Ａ　ｓクラッド層１８．Ｐ−ＧａＡｓキャップ
層１９を成長させた後、電極２１．２２を形成してデバ
イスが完成する。″電流阻止層１６は溝部２０に有効に
電流注入する作用を有すると同時に、端１価的な屈折率
分布を形成し、溝部２０下の活性層に有効にレーザ光を
導波し横モードが安定される。つくり伺けの屈折率差が
層１４の厚みあるいは層１６のＡｌ混晶比を変えること
により精度良く制御され、各層の厚みがｋｉ　Ｂ　Ｅ成
長によシ精度良く制御されているため、横モードが安定
化された素子が少ないばらつきで得られる。尚、第６図
に示すように、ｎ　Ｇ　ａ　Ｏ，３Ａ　ｌＯ，７Ａ　８
層１６を０．００５μｍエツチング停止層として薄（ｎ
−ＧａＡｓ層１７を０．８μｍ、と厚く成長して電流阻
止層とする、、、′　、 ことも可能である。この場合□、ｎ’−Ｇ’ａＡｓ層１
７はＶ−ザ光を吸収するので溝部２０以外のレーザ光が
吸収され高次モードの発振を有効に抑制することができ
る。また２回目の成長の際にＡ（ｌを含む層がほとんど
露出していないため結晶性の劣化が少ない。
以上の２つの実施例においてはＧａＡβＡｓがほとんど
露出していないため２回目の成長はＭＢＥを用いず、Ｌ
ＰＥによっても可能である。第５図の実施例においては
、ＧａＡｓ層１７を成長しなくても、ＭＢＥあるいはＭ
Ｏ−ＣＶＤを用いればＧ　ａｎ、３　Ａ　Ｉｌｏ、ｖ　
Ａ　ｓ電流阻止層１６上に直接クラッド層１８を成長さ
せることが可能である。この場合さらに酸化防止層１５
が無くても成長は可能であるが、活性層近傍の結晶性を
損なうため素子の信頼性の面からは好ましくない。本実
施例は光学的にはほとんど影響を及はさない１００Ａ程
度以下の酸化防止層１５を挿入することにより、２回成
長に伴う活性層近傍の結晶性劣化を抑制したことを特徴
として有する。
以上、本発明の実施例をＭ　Ｂ　Ｅにより作製したＧａ
ＡｄＡｓ系半導体レーザについて示したが、Ｍ　Ｏ−Ｃ
Ｖ　Ｄやあるいは一部ＬＰＥを用いても成長可能であり
、製造方法はこれらの成長法に限定されるものではない
。またＧａＡｌＡｓ系以外の例えばＩｎＧａＡｌＰ、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ等の半導体混晶を組み合わせて構成するこ
ともできる。
さらに、活性領域に量子井戸構造等を用いることにより
素子特性の向」二が計れることは当然である。
〈発明の効果〉 以上詳説した如く本発明によればＭＢＥ法あるいはＭ　
Ｏ−ＣＶ　Ｄ法等の最新薄膜成長技術を用いて半導体レ
ーザ素子を作製することができ］い“【モードの安定な
出力特性を得ることができる。
４、図面の１６“１単な１況明 第１図はＬＰＥによって製作した従来の半導Ｕ・レーザ
の断面（１Ｇ成図である。第２図はＩｖｌ　Ｏ−ＣＶＤ
によって製作した従来の半４体レーザの１．（Ｊ［而４
Ｉ“ｊｊ構成図ある。第３図、第４図及び第５図は本発
明の一実施例を説明する半導体レーザの製造」二程の断
面構成図である。第６図は本発明の他の実施例を示す半
導体レーザの断ｉｉ′Ｊｊ構成図である。
１］　・ｎ−ＧａＡｓ基板　１２−ｎ−クラッド層　１
３・活性層　１４・Ｐ−クラッド層　１５−Ｐ−酸化防
止層　１６・電６ε阻止層　１７　・１１−酸化防止層 代理人　弁理士　幅　士　愛　彦（イＩ！２２名）第５
図 第２因 第６ｒ２１

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、Ａｌを含む半導体混晶をクラッド層とする発振用多
    層結晶構造にＡｆｆを含まない第１の半Ｎ４体混晶を薄
    く積層し、更に逆極性接合となる第２の半導体混晶をス
    トライブ状の電流通路領域以外の部分に堆積されかつ１
    ＪｉＪ記第１の半導体混晶と同心′准型の層で埋設され
    ていることを特徴とする半導体レーザ素子。 ２　第２の半導体混晶としてＡｌを含む半導体混晶とＡ
    ６を匁まない半導体混晶を交互に堆積した特許請求の範
    囲第１項記載の半導体レーザ素子。
JP58218276A 1983-11-18 1983-11-18 半導体レ−ザ素子 Granted JPS60110188A (ja)

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JP58218276A JPS60110188A (ja) 1983-11-18 1983-11-18 半導体レ−ザ素子
US06/671,951 US4567060A (en) 1983-11-18 1984-11-16 Method of producing a semiconductor laser device
EP84113950A EP0142845B1 (en) 1983-11-18 1984-11-17 Method of producing a semiconductor laser device
DE8484113950T DE3485924T2 (de) 1983-11-18 1984-11-17 Verfahren zur herstellung einer halbleiterlaservorrichtung.

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Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6224679A (ja) * 1984-12-21 1987-02-02 Rohm Co Ltd 半導体レ−ザおよびその製造方法
JPS6247158A (ja) * 1985-08-26 1987-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法
JPS6249656A (ja) * 1985-08-29 1987-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法
JPS6249662A (ja) * 1985-08-29 1987-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法
JPS6249661A (ja) * 1985-08-29 1987-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法
JPS6249657A (ja) * 1985-08-29 1987-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法
JPS6249660A (ja) * 1985-08-29 1987-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法
JPS6249659A (ja) * 1985-08-29 1987-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法
JPS6249658A (ja) * 1985-08-29 1987-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法
JPS62141796A (ja) * 1985-12-17 1987-06-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レ−ザ装置
JPS63202083A (ja) * 1987-02-18 1988-08-22 Hitachi Ltd 半導体レ−ザ装置
JPH04116993A (ja) * 1990-09-07 1992-04-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ及びその製造方法
JPH08213697A (ja) * 1995-10-24 1996-08-20 Sharp Corp 半導体レーザ素子
JPH08264906A (ja) * 1996-01-22 1996-10-11 Rohm Co Ltd 半導体レーザおよびその製造方法
JP2001230496A (ja) * 1999-12-10 2001-08-24 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザ素子
WO2007135772A1 (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Nec Corporation 発光素子

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60192380A (ja) * 1984-03-13 1985-09-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザ装置
US4647320A (en) * 1985-05-22 1987-03-03 Trw Inc. Method of making a surface emitting light emitting diode
DE3682959D1 (de) * 1985-06-21 1992-01-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Bipolarer transistor mit heterouebergang und verfahren zu seiner herstellung.
US4783425A (en) * 1985-11-06 1988-11-08 Hitachi, Ltd. Fabrication process of semiconductor lasers
JPS62202584A (ja) * 1986-02-28 1987-09-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザ装置の製造方法
US4839307A (en) * 1986-05-14 1989-06-13 Omron Tateisi Electronics Co. Method of manufacturing a stripe-shaped heterojunction laser with unique current confinement
US4788159A (en) * 1986-09-18 1988-11-29 Eastman Kodak Company Process for forming a positive index waveguide
JPS63140591A (ja) * 1986-12-02 1988-06-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザ装置の製造方法
JPS63166285A (ja) * 1986-12-26 1988-07-09 Toshiba Corp 半導体発光装置の製造方法
JPS63198320A (ja) * 1987-02-13 1988-08-17 Mitsubishi Electric Corp 結晶成長方法
DE3884881T2 (de) * 1987-08-04 1994-02-10 Sharp Kk Halbleiterlaservorrichtung.
JP2558744B2 (ja) * 1987-10-08 1996-11-27 シャープ株式会社 半導体レーザ素子及びその製造方法
MY104857A (en) * 1989-01-24 1994-06-30 Rohm Co Ltd Semiconductor lasers
US5058120A (en) * 1990-02-28 1991-10-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Visible light emitting semiconductor laser with inverse mesa-shaped groove section
JP2547464B2 (ja) * 1990-04-13 1996-10-23 シャープ株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
JPH0461292A (ja) * 1990-06-28 1992-02-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ
JPH0513881A (ja) * 1990-11-28 1993-01-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザの製造方法
GB2265755B (en) * 1992-03-31 1995-11-08 Matsushita Electronics Corp Semiconductor laser device and its fabrication method
KR970001896B1 (ko) * 1992-05-27 1997-02-18 엘지전자 주식회사 반도체 레이저 다이오드의 구조 및 그 제조방법
JPH0669585A (ja) * 1992-08-12 1994-03-11 Fujitsu Ltd 面発光半導体レーザ及びその製造方法
JPH0750445A (ja) * 1993-06-02 1995-02-21 Rohm Co Ltd 半導体レーザの製法
JPH07183618A (ja) * 1993-12-22 1995-07-21 Ricoh Co Ltd 半導体レーザ装置、半導体レーザ装置製造方法並びに集積型半導体レーザ装置
US5751752A (en) * 1994-09-14 1998-05-12 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor
US6996150B1 (en) 1994-09-14 2006-02-07 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor
JPH0888439A (ja) * 1994-09-16 1996-04-02 Rohm Co Ltd 半導体レーザおよびその製法
US5974069A (en) 1994-09-16 1999-10-26 Rohm Co., Ltd Semiconductor laser and manufacturing method thereof
JP3432910B2 (ja) * 1994-09-28 2003-08-04 ローム株式会社 半導体レーザ
JPH08222815A (ja) * 1994-12-13 1996-08-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置の製造方法、及び半導体レーザ装置
JP3434706B2 (ja) 1998-05-21 2003-08-11 富士写真フイルム株式会社 半導体レーザおよびその製造方法
JP4462657B2 (ja) * 1998-06-04 2010-05-12 ソニー株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
US6400743B1 (en) * 1999-08-05 2002-06-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. High-power semiconductor laser device having current confinement structure and index-guided structure

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51147985A (en) * 1975-06-13 1976-12-18 Fujitsu Ltd Method of manufacturing a semiconductor light emission device
JPS5228281A (en) * 1975-08-28 1977-03-03 Fujitsu Ltd Light emitting semiconductor device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4269635A (en) * 1977-12-28 1981-05-26 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Strip buried heterostructure laser
US4355396A (en) * 1979-11-23 1982-10-19 Rca Corporation Semiconductor laser diode and method of making the same
US4371968A (en) * 1981-07-01 1983-02-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Monolithic injection laser arrays formed by crystal regrowth techniques
GB2105099B (en) * 1981-07-02 1985-06-12 Standard Telephones Cables Ltd Injection laser

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51147985A (en) * 1975-06-13 1976-12-18 Fujitsu Ltd Method of manufacturing a semiconductor light emission device
JPS5228281A (en) * 1975-08-28 1977-03-03 Fujitsu Ltd Light emitting semiconductor device

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6224679A (ja) * 1984-12-21 1987-02-02 Rohm Co Ltd 半導体レ−ザおよびその製造方法
JPS6247158A (ja) * 1985-08-26 1987-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法
JPS6249656A (ja) * 1985-08-29 1987-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法
JPS6249662A (ja) * 1985-08-29 1987-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法
JPS6249661A (ja) * 1985-08-29 1987-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法
JPS6249657A (ja) * 1985-08-29 1987-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法
JPS6249660A (ja) * 1985-08-29 1987-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法
JPS6249659A (ja) * 1985-08-29 1987-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法
JPS6249658A (ja) * 1985-08-29 1987-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法
JPS62141796A (ja) * 1985-12-17 1987-06-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レ−ザ装置
JPS63202083A (ja) * 1987-02-18 1988-08-22 Hitachi Ltd 半導体レ−ザ装置
JPH04116993A (ja) * 1990-09-07 1992-04-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ及びその製造方法
JPH08213697A (ja) * 1995-10-24 1996-08-20 Sharp Corp 半導体レーザ素子
JPH08264906A (ja) * 1996-01-22 1996-10-11 Rohm Co Ltd 半導体レーザおよびその製造方法
JP2001230496A (ja) * 1999-12-10 2001-08-24 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザ素子
WO2007135772A1 (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Nec Corporation 発光素子
JPWO2007135772A1 (ja) * 2006-05-19 2009-10-01 日本電気株式会社 発光素子
US7817691B2 (en) 2006-05-19 2010-10-19 Nec Corporation Light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
US4567060A (en) 1986-01-28
DE3485924T2 (de) 1993-04-01
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JPH0118590B2 (ja) 1989-04-06
EP0142845A3 (en) 1987-05-27
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EP0142845B1 (en) 1992-09-16

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