JPS60116188A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents
半導体レ−ザ素子Info
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- JPS60116188A JPS60116188A JP22531483A JP22531483A JPS60116188A JP S60116188 A JPS60116188 A JP S60116188A JP 22531483 A JP22531483 A JP 22531483A JP 22531483 A JP22531483 A JP 22531483A JP S60116188 A JPS60116188 A JP S60116188A
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- JP
- Japan
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- layer
- type
- thick
- semiconductor laser
- gaalas
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2222—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties
- H01S5/2227—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties special thin layer sequence
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は半導体レーザ素子に関するもので、特にレーザ
発振の横モード制御及び閾値電流の低減゛に有効な構造
を有し、Ｍ’ＢＥあるいはＭＯ−ＣＶＤ等の新しい成長
技術によって製造可能な半導体レーザの素子構造に関す
るものである。
発振の横モード制御及び閾値電流の低減゛に有効な構造
を有し、Ｍ’ＢＥあるいはＭＯ−ＣＶＤ等の新しい成長
技術によって製造可能な半導体レーザの素子構造に関す
るものである。
〈従来技術〉
近年、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法あるいＩ＋☆１
Ｌム家吠つ田ｌへ？−１ａＱ引４１＃ｊｆｆ／Ｒ１ｒｎ
／Ｍ’ｔ７ｎ ｊｏｂなどの薄膜単結晶成長技術の進
歩は著しく、これらの成長技術を用いればＩＯＡ程度の
薄いエピタキシャル成長層を得ることが可能となってい
る。
Ｌム家吠つ田ｌへ？−１ａＱ引４１＃ｊｆｆ／Ｒ１ｒｎ
／Ｍ’ｔ７ｎ ｊｏｂなどの薄膜単結晶成長技術の進
歩は著しく、これらの成長技術を用いればＩＯＡ程度の
薄いエピタキシャル成長層を得ることが可能となってい
る。
このような製造技術の進歩は、半導体レーザにおいても
従来の液相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ）では製作が
困難であった極めて薄い層を有する素子構造に基く新し
い効果を利用したレーザ素子の製作を可能とした。その
代表的なものは量子井戸（Ｑｕａｕｔｕ＋ｎ Ｗｅｌｌ
；略してＱＷ）レーザである。このＱＷレーザは従来
の二重へテロ接合（ＤＨ）し度あるいはそれ以下とする
ことによって、活性層中に量子化準位が形成されること
を利用しており、従来のＤＨレーザに比べて閾値電流が
下がる、温度特性が良い、あるいけ過渡特性に優れてい
る等の数々の利点を有している。
従来の液相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ）では製作が
困難であった極めて薄い層を有する素子構造に基く新し
い効果を利用したレーザ素子の製作を可能とした。その
代表的なものは量子井戸（Ｑｕａｕｔｕ＋ｎ Ｗｅｌｌ
；略してＱＷ）レーザである。このＱＷレーザは従来
の二重へテロ接合（ＤＨ）し度あるいはそれ以下とする
ことによって、活性層中に量子化準位が形成されること
を利用しており、従来のＤＨレーザに比べて閾値電流が
下がる、温度特性が良い、あるいけ過渡特性に優れてい
る等の数々の利点を有している。
（参考文献）
１）Ｗ、Ｔ、Ｔｓａｎｇ＋Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉ
ｃｓＬｅｔｔｅｒｓ、ｖｏｌ、３９．Ｎｏ、１０ ｐｐ
、７８６（Ｉ ＱＲｌ ）− ２）Ｎ、に、Ｄｕｔｔａ、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐ
ｐｌ １ｅｄＰｈｙｓｉｃｓｔ ｖｏｌ、５３．Ｎｏ−
１１，ｐｐ、７２１１（１９８２）。
ｃｓＬｅｔｔｅｒｓ、ｖｏｌ、３９．Ｎｏ、１０ ｐｐ
、７８６（Ｉ ＱＲｌ ）− ２）Ｎ、に、Ｄｕｔｔａ、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐ
ｐｌ １ｅｄＰｈｙｓｉｃｓｔ ｖｏｌ、５３．Ｎｏ−
１１，ｐｐ、７２１１（１９８２）。
３）Ｈ，Ｉｗａｍｕｒａ＋ Ｔ−５ａｋｕ＋ Ｔ−ｌ５
ｈｉｂａｓｈｉ。
ｈｉｂａｓｈｉ。
Ｋ、０ｔｓｕｋａ、Ｙ、Ｈｏｒｉｋｏｓｈｉ、Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ＋ ｖｏｌ、１９．Ｎｏ
、５．ｐｐ、１８０（１９８３）。
ｔｒｏｎｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ＋ ｖｏｌ、１９．Ｎｏ
、５．ｐｐ、１８０（１９８３）。
このように、ＭＢＥやＭＯ−’ＣＶＤなどの薄膜単結晶
成長技術を用いることにより、新しい多層構造を有する
高性能半導体レーザの実用化への道が開けてきた。
成長技術を用いることにより、新しい多層構造を有する
高性能半導体レーザの実用化への道が開けてきた。
一方、従来の半導体レーザも多くの改良が積み重ねられ
て実用化に至っているが、その中でも特に重要な改良点
として横モードの安定化がある。
て実用化に至っているが、その中でも特に重要な改良点
として横モードの安定化がある。
ストライプ状の電極を形成することにより電流のみを制
限した初期の電極ストライプ型半導体レーザにおいては
、レーザ発振の閾眞電流のわずか上の電流領域ではスト
ライプ直下の活性領域でのみ発振に必要な利得が損失を
上まわるので零次あるいは基本横モードで発振する。し
かし駆動電流を増加していくと活性層への注入キャリア
はしだいにストライプ領域の両側へ拡がるため、高利得
領域が拡がり、横モードの拡がりや高次横モード発振を
招く。このような横モードの不安定性と駆動電流依存性
は駆動電流とレーザ出力の直線性を悪化させパルス電流
により変調を行なった場合、レーザ出力に不安定な変動
を生じ信号対雑音比を劣化させる。また出力光の指向性
を不安定にするのでレーザ出力を光ファイバ等の光学系
に効率よく安定に導くことを困難にするなど実用上多く
の障害があった。この点に関して、電流のみでなく光も
横方向に閉じ込めることにより横モードを安定化させる
多くの構造がＬＰＥにより作製したＧａＡｔＡｓ系及び
ＩｎＧａＡｓＰ系の半導体レーザについて提案されてき
た。
限した初期の電極ストライプ型半導体レーザにおいては
、レーザ発振の閾眞電流のわずか上の電流領域ではスト
ライプ直下の活性領域でのみ発振に必要な利得が損失を
上まわるので零次あるいは基本横モードで発振する。し
かし駆動電流を増加していくと活性層への注入キャリア
はしだいにストライプ領域の両側へ拡がるため、高利得
領域が拡がり、横モードの拡がりや高次横モード発振を
招く。このような横モードの不安定性と駆動電流依存性
は駆動電流とレーザ出力の直線性を悪化させパルス電流
により変調を行なった場合、レーザ出力に不安定な変動
を生じ信号対雑音比を劣化させる。また出力光の指向性
を不安定にするのでレーザ出力を光ファイバ等の光学系
に効率よく安定に導くことを困難にするなど実用上多く
の障害があった。この点に関して、電流のみでなく光も
横方向に閉じ込めることにより横モードを安定化させる
多くの構造がＬＰＥにより作製したＧａＡｔＡｓ系及び
ＩｎＧａＡｓＰ系の半導体レーザについて提案されてき
た。
第１図はＭＯ−ＣＶＤ法により作製された従来のＧａＡ
ｔＡｓ系横モード安定化半導体レーザの断面図である。
ｔＡｓ系横モード安定化半導体レーザの断面図である。
ｎ ＧａＡｓ基板１１上にｎ −Ｇａ Ｏ，５５Ａ ｔ
（１４５Ａ ｓクラッド層（１μｍ厚）１２．アンドー
プＧａＯ，８５”０．１５Ａｓ活性層（０，０５μｍ厚
）１３゜ｐＧａ ０．５５Ａｔ０．４５Ａｓクラッド層
（０，１μｍ厚）１４ ＋ ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層（
０，８μｍ厚）１５をＭＯ−ＣＶＤ法により連続的に成
長させてレーザ動作用多層結晶構造を形成する。次に、
ＧａＡｓを選択的にエツチングする過酸化水素水とアン
モニア水をＨ２０２： ＮＨ４０Ｈ＝ ５ ： １の比
に混合したエツチング液で電流阻止層１５をストライプ
状にエンチング除去し、ストライプ状の溝（５μｍ幅）
を形成する。その後、ｐＧ ａ ｏ、５５ Ａ ｔｏ、
４５ Ａ Ｓクラッド層（０，６μｍ厚）１８．ｐ−Ｇ
ａＡｓキ＋’／プ層（０，５μｍ厚）１９を成長させ、
更にｎ （ＩＩＩＩ電極２１゜ｐ側電検２２を形成する
。このようにして作製したレーザ素子は比較的安定な特
性を示すが、溝２０外の電流阻止層１５によるレーザ光
の吸収によって横モードが安定化されているために余分
の内部損失が発生し、従って聞直電流が増加するあるい
は微分効率が減少する等の欠点が内在されている。
（１４５Ａ ｓクラッド層（１μｍ厚）１２．アンドー
プＧａＯ，８５”０．１５Ａｓ活性層（０，０５μｍ厚
）１３゜ｐＧａ ０．５５Ａｔ０．４５Ａｓクラッド層
（０，１μｍ厚）１４ ＋ ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層（
０，８μｍ厚）１５をＭＯ−ＣＶＤ法により連続的に成
長させてレーザ動作用多層結晶構造を形成する。次に、
ＧａＡｓを選択的にエツチングする過酸化水素水とアン
モニア水をＨ２０２： ＮＨ４０Ｈ＝ ５ ： １の比
に混合したエツチング液で電流阻止層１５をストライプ
状にエンチング除去し、ストライプ状の溝（５μｍ幅）
を形成する。その後、ｐＧ ａ ｏ、５５ Ａ ｔｏ、
４５ Ａ Ｓクラッド層（０，６μｍ厚）１８．ｐ−Ｇ
ａＡｓキ＋’／プ層（０，５μｍ厚）１９を成長させ、
更にｎ （ＩＩＩＩ電極２１゜ｐ側電検２２を形成する
。このようにして作製したレーザ素子は比較的安定な特
性を示すが、溝２０外の電流阻止層１５によるレーザ光
の吸収によって横モードが安定化されているために余分
の内部損失が発生し、従って聞直電流が増加するあるい
は微分効率が減少する等の欠点が内在されている。
〈発明９目的〉
本発明は、以上のような問題に鑑み、ＭＢＥあるいはＭ
Ｏ−ＣＶＤの層厚制御性を活用して閾値の低いかつ横モ
ードが安定化された半導体レーザの素子構造を提供する
ことを目的とする。
Ｏ−ＣＶＤの層厚制御性を活用して閾値の低いかつ横モ
ードが安定化された半導体レーザの素子構造を提供する
ことを目的とする。
〈実施例２
第２図は本発明の一実施例を示す半導体レーザ素子の断
面構成図である。ｎ−ＧａＡｓ基板１１上に１１−Ｇａ
Ａ７ Ａｓクラッド層（１ｔｔｍ厚）０．５５ ０．
４５ １２、アンドープＧａ０．８５Ａ’Ｏ，１５ＡＳ活性層
（０，０５μｍ厚）１３＋ ｐ−Ｇａ０．５５Ａｔ０．
４５Ａ８ クラッド層（０，１μｍ厚） １４’＋−ｎ
−ＧａＡｓ／ｎ −Ｇａ ｏ、３Ａｌｏ７Ａｓ超格子
電流阻止層（０，８μｍ厚）１６をＭＯ−ＣＶＤ法によ
り連続的に成長する。超格子層１６は例えば第３図に示
すようにｎ−ＧａＡｓ（１００Ａ厚）３０とｎ Ｇａｏ
３ＡＡｏ７ＡＳ （１００Ａ厚）３１を交互に４０組積
層したものである。各層３０゜３１の厚さは５００Ａ程
度以下とすることが望ましい。次にこの超格子電流阻止
層１６をストライプ状にエツチング除去し、電流通路と
なるストライプ溝（５μｍ幅）２０を形成する。エツチ
ングは、フォトリングラフィ法により、最初Ａｔ混晶比
に対する選択性の少ないリン酸系あるいは硫酸系の化学
エツチング法またはイオンビームエツチング法を用いて
超格子電流阻止層１６の途中までエツチングし、その後
、ＧａＡｓを選択的にエツチングする過酸化水素水とア
ンモニア水をＨ２Ｏ２：ＮＨ４０Ｈ＝ ５ ： １の比
に混合したエツチング液とＧａｏ３Ａｔｏ７Ａｓを選択
的にエツチングする７ノ酸（ＨＦ）を交互に用いて超格
子各層を順次選択的にエツチング除去することにより行
なう。エツチングの後、ｐ Ｇ ａ 。、５５ Ａ ｔ
ａ４５Ａｓクラッド層（０，６μｍ厚）１８．ｐ−Ｇ
ａＡｓキャップ層１９を順次成長させ、Ａｕ、 Ｚｌｌ
、 Ｎｉ等の金属を蒸着して１〕側電極２１ 、 ｐ１
１１１電極２２を形成するＣ、本実施例においては超格
子電流阻止層１６の屈折率ばＧａＡｓとＧ ａ ｏ３
Ａ Ｉ−ｏ、−ｙ Ａ ｓの中間のＡｔ混晶比である”
０．６５Ａ ７ ｏ、３５ Ａ ｓとはぼ等しくなり有
効な屈折率導波作用によって横モードが安定化される。
面構成図である。ｎ−ＧａＡｓ基板１１上に１１−Ｇａ
Ａ７ Ａｓクラッド層（１ｔｔｍ厚）０．５５ ０．
４５ １２、アンドープＧａ０．８５Ａ’Ｏ，１５ＡＳ活性層
（０，０５μｍ厚）１３＋ ｐ−Ｇａ０．５５Ａｔ０．
４５Ａ８ クラッド層（０，１μｍ厚） １４’＋−ｎ
−ＧａＡｓ／ｎ −Ｇａ ｏ、３Ａｌｏ７Ａｓ超格子
電流阻止層（０，８μｍ厚）１６をＭＯ−ＣＶＤ法によ
り連続的に成長する。超格子層１６は例えば第３図に示
すようにｎ−ＧａＡｓ（１００Ａ厚）３０とｎ Ｇａｏ
３ＡＡｏ７ＡＳ （１００Ａ厚）３１を交互に４０組積
層したものである。各層３０゜３１の厚さは５００Ａ程
度以下とすることが望ましい。次にこの超格子電流阻止
層１６をストライプ状にエツチング除去し、電流通路と
なるストライプ溝（５μｍ幅）２０を形成する。エツチ
ングは、フォトリングラフィ法により、最初Ａｔ混晶比
に対する選択性の少ないリン酸系あるいは硫酸系の化学
エツチング法またはイオンビームエツチング法を用いて
超格子電流阻止層１６の途中までエツチングし、その後
、ＧａＡｓを選択的にエツチングする過酸化水素水とア
ンモニア水をＨ２Ｏ２：ＮＨ４０Ｈ＝ ５ ： １の比
に混合したエツチング液とＧａｏ３Ａｔｏ７Ａｓを選択
的にエツチングする７ノ酸（ＨＦ）を交互に用いて超格
子各層を順次選択的にエツチング除去することにより行
なう。エツチングの後、ｐ Ｇ ａ 。、５５ Ａ ｔ
ａ４５Ａｓクラッド層（０，６μｍ厚）１８．ｐ−Ｇ
ａＡｓキャップ層１９を順次成長させ、Ａｕ、 Ｚｌｌ
、 Ｎｉ等の金属を蒸着して１〕側電極２１ 、 ｐ１
１１１電極２２を形成するＣ、本実施例においては超格
子電流阻止層１６の屈折率ばＧａＡｓとＧ ａ ｏ３
Ａ Ｉ−ｏ、−ｙ Ａ ｓの中間のＡｔ混晶比である”
０．６５Ａ ７ ｏ、３５ Ａ ｓとはぼ等しくなり有
効な屈折率導波作用によって横モードが安定化される。
また、ＧａＯ，６５Ａｔｏ３．Ａｓ単層を用いた場合と
異なり、超格子中のＧａＡｓの吸収により高次モードの
損失が大きくなって高出力まで基本モード発振が得られ
るようになるが、第１図に示した従来の半導体レーザ素
子構造に比べてその吸収係数は半減するため、閾値電流
が低く抑えられるとともに微分効率が向上する。また、
超格子電流阻止層１６Ｉｉ全てを超格子とする必要ハな
く第４図に示すように活性層に近い側を超格子として屈
折率及び吸収係数の制御を行い、その上にＧａＡｓある
いはＧａＡＡＡＳ等の半導体を積層して電流阻止層とし
ても良い。
異なり、超格子中のＧａＡｓの吸収により高次モードの
損失が大きくなって高出力まで基本モード発振が得られ
るようになるが、第１図に示した従来の半導体レーザ素
子構造に比べてその吸収係数は半減するため、閾値電流
が低く抑えられるとともに微分効率が向上する。また、
超格子電流阻止層１６Ｉｉ全てを超格子とする必要ハな
く第４図に示すように活性層に近い側を超格子として屈
折率及び吸収係数の制御を行い、その上にＧａＡｓある
いはＧａＡＡＡＳ等の半導体を積層して電流阻止層とし
ても良い。
上記構造の半導体レーザ素子に於いて、ｐ側電極２２及
びｎ側電極２１を介してキャリアを注入すると超格子電
流阻止層１６の部分ではキャリアが流れず、超格子電流
阻止層１６の除去されたストライプ溝２０のみに集中し
てキャリアが流れる。
びｎ側電極２１を介してキャリアを注入すると超格子電
流阻止層１６の部分ではキャリアが流れず、超格子電流
阻止層１６の除去されたストライプ溝２０のみに集中し
てキャリアが流れる。
従って、このストライプ溝２０に対応する活性層１３内
でレーザ発振が開始される。活性層１３は両接合界面が
クラッド層１２．１４との二重へテロ接合で限定されて
おり、光はこのヘテロ接合によって閉じ込められる。ま
た超格子電流阻止層１６は前述した如く屈折率導波作用
を有し、これによってレーザ出力ビームのスポットハス
トライブ溝２０日烹固定化される。
でレーザ発振が開始される。活性層１３は両接合界面が
クラッド層１２．１４との二重へテロ接合で限定されて
おり、光はこのヘテロ接合によって閉じ込められる。ま
た超格子電流阻止層１６は前述した如く屈折率導波作用
を有し、これによってレーザ出力ビームのスポットハス
トライブ溝２０日烹固定化される。
以上の実施例はＭＯ−ＣＶＤにより作製したＧａＡｔＡ
ｓ系半導体レーザについて示したが、ＭＢＥやあるいけ
１部ＬＰＥを用いても本発明の半導体レーザ素子構造を
作製することは可能であり、製造方法や半導体イ；］旧
を限定するものではない。ＧａＡｔＡｓ系以外の半導体
拐料としては例えばＩ ｎＧａＡｔＰ 、 Ｉ ｎＧａ
ＡｓＰ等の半導体混晶を組み合わせて構成することがで
きる。
ｓ系半導体レーザについて示したが、ＭＢＥやあるいけ
１部ＬＰＥを用いても本発明の半導体レーザ素子構造を
作製することは可能であり、製造方法や半導体イ；］旧
を限定するものではない。ＧａＡｔＡｓ系以外の半導体
拐料としては例えばＩ ｎＧａＡｔＰ 、 Ｉ ｎＧａ
ＡｓＰ等の半導体混晶を組み合わせて構成することがで
きる。
尚、活性領域に量子井戸構造等を用いることにより、さ
らに素子特性の同上が計れることは当然である。
らに素子特性の同上が計れることは当然である。
〈発明の効果〉
本発明によれば、つくり付けの等側屈折率分布を制御す
る電流阻止層に超格子を用いることで、超格子同各層の
組成及び層厚比を変えることにより単層の半導体では旬
られない屈折率と吸収係数の組み合わせを得ることがで
き、つくり付けの屈折率分布及び損失分布を独立に制御
することが可のような層厚及び組成の制御性の良い製造
°方法によって作製することができるため、設計通りの
素子が再現性良く得られる。
る電流阻止層に超格子を用いることで、超格子同各層の
組成及び層厚比を変えることにより単層の半導体では旬
られない屈折率と吸収係数の組み合わせを得ることがで
き、つくり付けの屈折率分布及び損失分布を独立に制御
することが可のような層厚及び組成の制御性の良い製造
°方法によって作製することができるため、設計通りの
素子が再現性良く得られる。
第１図は従来の半導体レーザを説明する断面構成図であ
る。第２図は本発明の一実施例を示す半導体レーザの断
面構成図である。第３図は電流阻止層の構成の１実施例
を説明する断面構成図である。第４図は電流阻止層の構
成の他の実施例を説明する断面構成図である。 １１− ｎ −ＧａＡｓ基板 １２ ＝・ｎ −ＧａＡ
ＡＡｓクラッド層 １３−ＧａＡｔＡｓ活性層 １４．
１８・・・ｐ−ＧａＡｔＡｓクラッド層 １６・・・電
流阻止層１９− ｐ −ＧａＡｓキャップ層 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）２／ 第１図 第３図 第２図 第４図
る。第２図は本発明の一実施例を示す半導体レーザの断
面構成図である。第３図は電流阻止層の構成の１実施例
を説明する断面構成図である。第４図は電流阻止層の構
成の他の実施例を説明する断面構成図である。 １１− ｎ −ＧａＡｓ基板 １２ ＝・ｎ −ＧａＡ
ＡＡｓクラッド層 １３−ＧａＡｔＡｓ活性層 １４．
１８・・・ｐ−ＧａＡｔＡｓクラッド層 １６・・・電
流阻止層１９− ｐ −ＧａＡｓキャップ層 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）２／ 第１図 第３図 第２図 第４図
Claims (1)
- ■、二重ヘテＯ接合を含む発振用多層結晶構造上に、厚
さ５００Ａ程度以下の結晶層を袂数種交互に積層した超
格子構造が電流通路となるストライプ領域を除いて該超
格子構造とは異種の電導型の半導体層により埋設されて
いることを特徴とする半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22531483A JPS60116188A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 半導体レ−ザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22531483A JPS60116188A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60116188A true JPS60116188A (ja) | 1985-06-22 |
| JPH0560275B2 JPH0560275B2 (ja) | 1993-09-01 |
Family
ID=16827407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22531483A Granted JPS60116188A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60116188A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62183583A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Fujitsu Ltd | 埋込み型半導体レ−ザ |
| JPS62185389A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS62186581A (ja) * | 1986-02-13 | 1987-08-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPH05181110A (ja) * | 1991-04-30 | 1993-07-23 | Barry Wright Inc | 光または画像の投射装置 |
| EP1104059A2 (en) * | 1999-11-19 | 2001-05-30 | Xerox Corporation | Structure and method for index-guided inner stripe laser diode structure |
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-
1983
- 1983-11-28 JP JP22531483A patent/JPS60116188A/ja active Granted
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS62183583A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Fujitsu Ltd | 埋込み型半導体レ−ザ |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0560275B2 (ja) | 1993-09-01 |
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