JPS60245191A - 単一ビ−ム形半導体レ−ザアレイ装置 - Google Patents
単一ビ−ム形半導体レ−ザアレイ装置Info
- Publication number
- JPS60245191A JPS60245191A JP10135684A JP10135684A JPS60245191A JP S60245191 A JPS60245191 A JP S60245191A JP 10135684 A JP10135684 A JP 10135684A JP 10135684 A JP10135684 A JP 10135684A JP S60245191 A JPS60245191 A JP S60245191A
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- JP
- Japan
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- layer
- refractive index
- semiconductor laser
- laser array
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は単一ビーム形半導体レーザアレイ装置の構造に
関するものである。
関するものである。
〈従来技術〉
半導体レーザを高出力動作させる場合、１個の半導体レ
ーザ素子では現在のところ実用性を考慮すると、せいぜ
い５０ｍＷが限度である。そこで、複数個の半導体レー
ザを同一基板上に並べて、大光出力化をはかる半導体レ
ーザアレイの研究がなされている。しかしながら、ただ
単に、半導体レーザを並べただけでは出射ビームがいく
つものピークをもつので、レンズを用いてレーザ光を絞
っても１個のレーザスポットにすることかで外ない。
ーザ素子では現在のところ実用性を考慮すると、せいぜ
い５０ｍＷが限度である。そこで、複数個の半導体レー
ザを同一基板上に並べて、大光出力化をはかる半導体レ
ーザアレイの研究がなされている。しかしながら、ただ
単に、半導体レーザを並べただけでは出射ビームがいく
つものピークをもつので、レンズを用いてレーザ光を絞
っても１個のレーザスポットにすることかで外ない。
そこで、複数個のレーザを光学的に位相同期させて、単
一ピークをもつレーザビームを得ようとする試みがなさ
れている。しかし、利得導波型半導体レーザは発振領域
のみに電流注入による利得があり、その両側では損失領
域となっている。このような半導体レーザを並列に並べ
ても、各半導体レーザの中間領域で電界が零になり隣り
合ったレーザの位相力弓８０°反転してしまう。従って
、利得導波型半導体レーザアレイでは単一ビームを得る
のは困難である。
一ピークをもつレーザビームを得ようとする試みがなさ
れている。しかし、利得導波型半導体レーザは発振領域
のみに電流注入による利得があり、その両側では損失領
域となっている。このような半導体レーザを並列に並べ
ても、各半導体レーザの中間領域で電界が零になり隣り
合ったレーザの位相力弓８０°反転してしまう。従って
、利得導波型半導体レーザアレイでは単一ビームを得る
のは困難である。
さて、屈折率導波型半導体レーザの場合は必ずしも発振
領域にのみ電流を流す必要がないので、上記に述べた１
８０°位相同期の他に、各レーザが同一位相（０°位相
同期）で発振する単一ビームが得られる可能性がある。
領域にのみ電流を流す必要がないので、上記に述べた１
８０°位相同期の他に、各レーザが同一位相（０°位相
同期）で発振する単一ビームが得られる可能性がある。
半導体レーザに作り付けの屈折率差をつける方法は種々
考案されている。例えば、埋め込みへテロ（ＢＨ）レー
ザ、Ｃ３Ｆ’レーザ、＼７ＳＩＳ い・°−ｃｈａｎｎ
ｅｌｌｅｄ ＳＬ山５ｔｒａＬｅ Ｉ ｎｎｅｒ Ｓ
Ｌｒ１ｐｅ） レーザ等である。ここでは、第２図（）
いに示すようなりｓｒｓレーザを５個アレイ化した場合
について述べる。この＼７ＳＩＳレーザアレイは次のよ
うにして製作される。
考案されている。例えば、埋め込みへテロ（ＢＨ）レー
ザ、Ｃ３Ｆ’レーザ、＼７ＳＩＳ い・°−ｃｈａｎｎ
ｅｌｌｅｄ ＳＬ山５ｔｒａＬｅ Ｉ ｎｎｅｒ Ｓ
Ｌｒ１ｐｅ） レーザ等である。ここでは、第２図（）
いに示すようなりｓｒｓレーザを５個アレイ化した場合
について述べる。この＼７ＳＩＳレーザアレイは次のよ
うにして製作される。
ｐ （ｘ ａ Ａ ｓ基板１」二にｎ−ＧａＡｓ電流阻
止層２を堆積して、基板１に対する電流遮断（幾能を付
与した後、電流阻止層２表面より幅ｌｌ１１の＼・′字
形溝９をピッチＤで５本、ｌ］−ＧａＡｓ基板１に達す
るようにエツチングにより形成する。
止層２を堆積して、基板１に対する電流遮断（幾能を付
与した後、電流阻止層２表面より幅ｌｌ１１の＼・′字
形溝９をピッチＤで５本、ｌ］−ＧａＡｓ基板１に達す
るようにエツチングにより形成する。
この基板」二にｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層３、Ｃ’＝
ａＡ （Ｑ Ａｓ活性層４、ｎ−ＧａＡｐ、Ａｓクラッ
ド層５、及びｎ−ＧａＡｓキャップ層６からなるダブル
へテロ構造をエピタキシャル成長させる。なお、°７，
８はＩｌ側電極、１〕側電極である。この半導体レーザ
アレイを駆動させた場合、各レーザは屈折率導波機構で
発振するが、＼１１字形溝９外側領域１０」−での活性
層４からの光はｎ −Ｇａ Ａ ｓ層２に吸収され損失
領域となる。この吸収係数は１ ｆ’） ０−１０００
（’）ｃｍ ’ と大きなものである。第２図（Ａ）に
は活性層４に垂直方向の＼・”字形溝５〕中央部および
溝９，９間の中央部における光強度分布を夫々Ａ、Ｂで
示しである。従って、電界強度分布は第２図（Ｂ）に示
すようになる。即ち、隣り合ったレーザの位相は１８（
１’反転し、その中間領域で電界は零となる。従って、
このｖｓｒｓレーザアレイの出射ビームの接合に平行方
向の遠視野像は第２図（Ｃ）に示すような複数のピーク
をもつものとなる。
ａＡ （Ｑ Ａｓ活性層４、ｎ−ＧａＡｐ、Ａｓクラッ
ド層５、及びｎ−ＧａＡｓキャップ層６からなるダブル
へテロ構造をエピタキシャル成長させる。なお、°７，
８はＩｌ側電極、１〕側電極である。この半導体レーザ
アレイを駆動させた場合、各レーザは屈折率導波機構で
発振するが、＼１１字形溝９外側領域１０」−での活性
層４からの光はｎ −Ｇａ Ａ ｓ層２に吸収され損失
領域となる。この吸収係数は１ ｆ’） ０−１０００
（’）ｃｍ ’ と大きなものである。第２図（Ａ）に
は活性層４に垂直方向の＼・”字形溝５〕中央部および
溝９，９間の中央部における光強度分布を夫々Ａ、Ｂで
示しである。従って、電界強度分布は第２図（Ｂ）に示
すようになる。即ち、隣り合ったレーザの位相は１８（
１’反転し、その中間領域で電界は零となる。従って、
このｖｓｒｓレーザアレイの出射ビームの接合に平行方
向の遠視野像は第２図（Ｃ）に示すような複数のピーク
をもつものとなる。
〈発明の目的〉
本発明は同一基板上の複数個の半導体レーザがすべて同
一位相で発振し、争−ピークで大出力のレーザビームを
放射する半導体レーザアレイ装置を提供することを目的
とする。
一位相で発振し、争−ピークで大出力のレーザビームを
放射する半導体レーザアレイ装置を提供することを目的
とする。
〈発明の構成〉
このため、本発明は、基板」二に形成された複数個の溝
の両側にクラッド層よりも屈折率の低い層を堆積し、そ
の直上の活性層の実効屈折率が溝上３− のそれより低くなるようにして形成された複数個の屈折
率導波路を備え、各レーザ光が同一位相で発振するよう
に構成したものである。
の両側にクラッド層よりも屈折率の低い層を堆積し、そ
の直上の活性層の実効屈折率が溝上３− のそれより低くなるようにして形成された複数個の屈折
率導波路を備え、各レーザ光が同一位相で発振するよう
に構成したものである。
〈実施例〉
本発明の実施例にかかる半導体レーザアレイについて、
第１図を参照しながら説明する。
第１図を参照しながら説明する。
第１図（Ａ）はその断面図である。１１はｐ−ＧａＡｓ
基板、１２はｎ−ＧａＡｓ電流阻止層、１３はｐ Ｇａ
ｐ−ｙＡ、ｊｙＡｓクラッド層、１４は１１−Ｇａｐ−
ｘＡ、（ｘＡｓ活性層、１５はｎ−Ｇａ ＋−ｙＡ １
ｙＡｓクラッド層、１６はｎ−ＧａＡｓキ＋ツブ層、１
７はｎ側電極、１８はｎ側電極、１９，１９．・・・は
■字形溝である。また、２０，２０．・・・は各■字形
溝１９の両側において電流阻止層１２上に形成した＋１
−Ｇａｐ−ｚＡ、（ｚＡｓ層である。各層のＡでＡｓモ
ル比はＯ≦Ｘ＜Ｓｔ＜２＜１なる関係を満足するように
する。第１図（Ａ）には活性層１４に垂直な方向の■字
形溝１９部および上記ｐ−Ｇａ１−ｚＡ（！ＺＡＳ層２
０層上０部る光強度分布を夫々ＣＩＤて示す。１１字形
溝１９の外側にはｐ−クラッド４一 層１３よりＡ、（Ａｓモル比の大きい（屈折率の低い）
層２０が存在するため、光強度分布はｎ−クラッド層１
５へ押しやられたような非対称形となり、実効屈折率が
低下する。その結果、溝１９上に屈折率導波路が形成さ
れる。また、ｐ−Ｇａｐ−ｚＡ、ｃｚＡｓｚＡｓ層、活
性層１４と電流■止層１２との距離を遠ざけることによ
って、光の吸収を減少させる。同時に、内部ストライプ
から注入される電流分布を拡げることにより、活性層内
キャリア分布を均一にし、バンド端吸収を減少させる働
ぎもする。従って、各半導体レーザの中間領域の損失が
減少する結果、第２図（Ｂ）で示したような１８０゜位
相同期（位相反転）は起こりにくくなり、第１図（Ｂ）
で示すように、各レーザは同一位相で発振する。そして
、第１図（Ｃ）で示すように、接合に平行方向の遠視野
像はほとんど単一ピークとなる。
基板、１２はｎ−ＧａＡｓ電流阻止層、１３はｐ Ｇａ
ｐ−ｙＡ、ｊｙＡｓクラッド層、１４は１１−Ｇａｐ−
ｘＡ、（ｘＡｓ活性層、１５はｎ−Ｇａ ＋−ｙＡ １
ｙＡｓクラッド層、１６はｎ−ＧａＡｓキ＋ツブ層、１
７はｎ側電極、１８はｎ側電極、１９，１９．・・・は
■字形溝である。また、２０，２０．・・・は各■字形
溝１９の両側において電流阻止層１２上に形成した＋１
−Ｇａｐ−ｚＡ、（ｚＡｓ層である。各層のＡでＡｓモ
ル比はＯ≦Ｘ＜Ｓｔ＜２＜１なる関係を満足するように
する。第１図（Ａ）には活性層１４に垂直な方向の■字
形溝１９部および上記ｐ−Ｇａ１−ｚＡ（！ＺＡＳ層２
０層上０部る光強度分布を夫々ＣＩＤて示す。１１字形
溝１９の外側にはｐ−クラッド４一 層１３よりＡ、（Ａｓモル比の大きい（屈折率の低い）
層２０が存在するため、光強度分布はｎ−クラッド層１
５へ押しやられたような非対称形となり、実効屈折率が
低下する。その結果、溝１９上に屈折率導波路が形成さ
れる。また、ｐ−Ｇａｐ−ｚＡ、ｃｚＡｓｚＡｓ層、活
性層１４と電流■止層１２との距離を遠ざけることによ
って、光の吸収を減少させる。同時に、内部ストライプ
から注入される電流分布を拡げることにより、活性層内
キャリア分布を均一にし、バンド端吸収を減少させる働
ぎもする。従って、各半導体レーザの中間領域の損失が
減少する結果、第２図（Ｂ）で示したような１８０゜位
相同期（位相反転）は起こりにくくなり、第１図（Ｂ）
で示すように、各レーザは同一位相で発振する。そして
、第１図（Ｃ）で示すように、接合に平行方向の遠視野
像はほとんど単一ピークとなる。
各レーザの屈折率導波路の屈折率導波路〇は、注入キャ
リア密度変動に伴う、屈折率導波路２×１０−３よりも
十分大トい方が安定な出力ビームが得られる。即ち、Δ
ｎ ＝ ５ Ｘｌ０−３〜ＩＸ１．Ｏ−２程度が良い。
リア密度変動に伴う、屈折率導波路２×１０−３よりも
十分大トい方が安定な出力ビームが得られる。即ち、Δ
ｎ ＝ ５ Ｘｌ０−３〜ＩＸ１．Ｏ−２程度が良い。
このような大すなΔ１１は単体のレーザの場合には高次
横モードを発生させるが、複数個のレーザを位相同期さ
せた場合には、高次横モードは発生しないことがわかっ
た。
横モードを発生させるが、複数個のレーザを位相同期さ
せた場合には、高次横モードは発生しないことがわかっ
た。
〈製作例〉
第１図に示す半導体レーザアレイの製作例について説明
する。
する。
まず、ｐ−ＧａＡｓ基板（Ｚｎドープ、ＩＸＩ（１１９
ｃｍ−３）１１上に ｎ−ＧａＡｓ層（Ｔｅドープ、３
×１０１８ｃｍ−３）１２、及びｐ Ｇａ□、６ Ａ
１６．ｉ、 Ａｓ（Ｍｇドープ、ｌＸｌ０”’ｃｍ−３
）２０を各々０．５μｍ、０．３μ「０の厚さに、液相
エピタキシャル成長させた。次に、層２０をホトリソグ
ラフィ技術とケミカル・エツチングによって幅ｕ＋２＝
３２μｍｎのストリップ状に残した。その上に幅１１１
３＝４μＩｌｌのＶ字形溝１９を５本ピッチＤ＝６μＩ
ＩＩで」二述の方法により形成した。この基板上に再び
液相エピタキシャル法により、ｐ−Ｇａ００７ Ａ ＋
７０．３ Ａｓクラッド層１３．１ｌ−ＧａＯ，９５Ａ
、ｅ ｏ、ｏｓ Ａｓ活性層１４、 ｎ （’；ａ□
、７ Ａｐ□、３ Ａｓクラッド層１５、及びｎ −Ｇ
ａ Ａ ｓキャップ層１６をそれぞれ０．２μＪ （
：ｌ 、 ｉ’ｌ ８μｍ、］μｍ１１及び２μＩ１１
の厚さに連続成長させた。即ち、各層のＡｅＡｓモル比
はＸ＝０．０５、ｙ＝＋１１．３、ｚ＝（’）、４であ
る。
ｃｍ−３）１１上に ｎ−ＧａＡｓ層（Ｔｅドープ、３
×１０１８ｃｍ−３）１２、及びｐ Ｇａ□、６ Ａ
１６．ｉ、 Ａｓ（Ｍｇドープ、ｌＸｌ０”’ｃｍ−３
）２０を各々０．５μｍ、０．３μ「０の厚さに、液相
エピタキシャル成長させた。次に、層２０をホトリソグ
ラフィ技術とケミカル・エツチングによって幅ｕ＋２＝
３２μｍｎのストリップ状に残した。その上に幅１１１
３＝４μＩｌｌのＶ字形溝１９を５本ピッチＤ＝６μＩ
ＩＩで」二述の方法により形成した。この基板上に再び
液相エピタキシャル法により、ｐ−Ｇａ００７ Ａ ＋
７０．３ Ａｓクラッド層１３．１ｌ−ＧａＯ，９５Ａ
、ｅ ｏ、ｏｓ Ａｓ活性層１４、 ｎ （’；ａ□
、７ Ａｐ□、３ Ａｓクラッド層１５、及びｎ −Ｇ
ａ Ａ ｓキャップ層１６をそれぞれ０．２μＪ （
：ｌ 、 ｉ’ｌ ８μｍ、］μｍ１１及び２μＩ１１
の厚さに連続成長させた。即ち、各層のＡｅＡｓモル比
はＸ＝０．０５、ｙ＝＋１１．３、ｚ＝（’）、４であ
る。
成長前に露出しているｎ−Ｇａ０．６Ａθ０．４Ａｓ層
２（）の面積は狭いのでＧａ溶液の濡れ９題はなく、ピ
ンホール等の欠陥のない長孔な成長層が′得られた。
２（）の面積は狭いのでＧａ溶液の濡れ９題はなく、ピ
ンホール等の欠陥のない長孔な成長層が′得られた。
基板裏面をラッピングすることにより、ウェハーを約１
００μｏ１とした後、 ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓギヤ２フ
層１６表面にはＩｌ側電極１７としてＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉ
を、また、＋１−ＧａＡｓ基板１１裏面にはｎ側電極１
８として、Ａｕ−Ｚｎを蒸着し４５０ °ｃに加熱して
合金化した。その後、共振器長が２５Ｃ）μＩｌｌにな
るように骨間して素子化を完了させた。この素子を銅ヒ
ートシンクにＩｎ金属を介して【ｌ側を下にしてマウン
トした。
００μｏ１とした後、 ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓギヤ２フ
層１６表面にはＩｌ側電極１７としてＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉ
を、また、＋１−ＧａＡｓ基板１１裏面にはｎ側電極１
８として、Ａｕ−Ｚｎを蒸着し４５０ °ｃに加熱して
合金化した。その後、共振器長が２５Ｃ）μＩｌｌにな
るように骨間して素子化を完了させた。この素子を銅ヒ
ートシンクにＩｎ金属を介して【ｌ側を下にしてマウン
トした。
この半導体レーザアレイは、しきい値電流約］ ００
ｍＡ波長８２０ｎｍで発振し、接合に平行方向の遠視野
像は第１図（Ｃ）に示すように、単一ピ７− −りをもち、その半値全幅は２．５°であった。
ｍＡ波長８２０ｎｍで発振し、接合に平行方向の遠視野
像は第１図（Ｃ）に示すように、単一ピ７− −りをもち、その半値全幅は２．５°であった。
従って、この半導体レーザアレイは完全に同一位相で発
振していることがわかる。また、微分量子効率は片面で
５２％と非常に高かった。これは、各発振領域の両側で
の光損失がほとんどないためであった。
振していることがわかる。また、微分量子効率は片面で
５２％と非常に高かった。これは、各発振領域の両側で
の光損失がほとんどないためであった。
〈発明の効果〉
以」二述べたように、本発明の半導体レーザアレイ装置
は、各屈折率導波路の中間領域の光損失がないので、単
一ピーク発振、高微分効率、高出力動作が可能となった
。
は、各屈折率導波路の中間領域の光損失がないので、単
一ピーク発振、高微分効率、高出力動作が可能となった
。
なお、本発明の半導体レーザアレイは上述したＧａＡｓ
−ＧａＡｌＡｓ系に限定されず、ＩｎＰ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐ系等のその他のへテロ接合レーザにも適用で外る。
−ＧａＡｌＡｓ系に限定されず、ＩｎＰ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐ系等のその他のへテロ接合レーザにも適用で外る。
第１図（Ａ）は本発明の半導体レーザアレイの断面説明
図。 第１図（Ｂ）はその電界強度分布。 第１図（Ｃ）は活性層に平行方向の遠視野像。 ８− 第２図（Ａ）は従来のＶＳＩＳレーザアレイの断面説明
図。 第２図（Ｂ）はその電界強度分布。 、第２図（Ｃ）は活性層に平行方向の遠視野像である。 １１−＝−ｐ−ＧａＡｓ基板、 １２・・・・・・ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層、１３ ・・
・・・・ｐ−Ｇａｔ−ｙＡ 、ｇｙＡｓクラッド層、１
４ ・＝・ ｐ−Ｇａｔ−ＸＡｌｘＡｓ活性層（０≦ｘ
＜ｙ）１５・−・−・−ｎ−Ｇａｔ−ｙＡｆ！、ｙＡｓ
クラッド層、１６・・・・・・ｎ−ＧａＡｓキャップ層
、１７・・・・・・ｎ側電極、 １８・・・・・・ｎ側電極、 １９・・・・・・■字形溝、 １０・・・・・・Ｖ字形溝外側領域、 ２（１−・・ ｐ−Ｇａｔ−ｚＡｊｚＡｓ（ｚ＞ｙ）。 特許出願人 シャープ株式会社
図。 第１図（Ｂ）はその電界強度分布。 第１図（Ｃ）は活性層に平行方向の遠視野像。 ８− 第２図（Ａ）は従来のＶＳＩＳレーザアレイの断面説明
図。 第２図（Ｂ）はその電界強度分布。 、第２図（Ｃ）は活性層に平行方向の遠視野像である。 １１−＝−ｐ−ＧａＡｓ基板、 １２・・・・・・ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層、１３ ・・
・・・・ｐ−Ｇａｔ−ｙＡ 、ｇｙＡｓクラッド層、１
４ ・＝・ ｐ−Ｇａｔ−ＸＡｌｘＡｓ活性層（０≦ｘ
＜ｙ）１５・−・−・−ｎ−Ｇａｔ−ｙＡｆ！、ｙＡｓ
クラッド層、１６・・・・・・ｎ−ＧａＡｓキャップ層
、１７・・・・・・ｎ側電極、 １８・・・・・・ｎ側電極、 １９・・・・・・■字形溝、 １０・・・・・・Ｖ字形溝外側領域、 ２（１−・・ ｐ−Ｇａｔ−ｚＡｊｚＡｓ（ｚ＞ｙ）。 特許出願人 シャープ株式会社
Claims (1)
- （１）基板上に形成された複数個の溝の両側にクラッド
層よりも屈折率の低い層を堆積し、その直上の活性層の
実効屈折率が溝上のそれよりも低くなるようにして形成
された複数個の屈折率導波路を備え、各レーザ光が同一
位相で発振するようにした単一ビーム形半導体レーザア
レイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10135684A JPS60245191A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 単一ビ−ム形半導体レ−ザアレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10135684A JPS60245191A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 単一ビ−ム形半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245191A true JPS60245191A (ja) | 1985-12-04 |
| JPH0147029B2 JPH0147029B2 (ja) | 1989-10-12 |
Family
ID=14298552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10135684A Granted JPS60245191A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 単一ビ−ム形半導体レ−ザアレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60245191A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61108190A (ja) * | 1984-11-01 | 1986-05-26 | ゼロツクス コーポレーシヨン | フェーズドアレイ半導体レーザ |
| EP0301818A2 (en) * | 1987-07-28 | 1989-02-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser array device |
-
1984
- 1984-05-18 JP JP10135684A patent/JPS60245191A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61108190A (ja) * | 1984-11-01 | 1986-05-26 | ゼロツクス コーポレーシヨン | フェーズドアレイ半導体レーザ |
| EP0301818A2 (en) * | 1987-07-28 | 1989-02-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser array device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0147029B2 (ja) | 1989-10-12 |
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