JPH0518473B2 - - Google Patents
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- JPH0518473B2 JPH0518473B2 JP60158576A JP15857685A JPH0518473B2 JP H0518473 B2 JPH0518473 B2 JP H0518473B2 JP 60158576 A JP60158576 A JP 60158576A JP 15857685 A JP15857685 A JP 15857685A JP H0518473 B2 JPH0518473 B2 JP H0518473B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
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- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
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Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は極めて低いしきい値電流を有し、非点
収差のない屈折率導波路型半導体レーザの素子構
造に関するものである。
収差のない屈折率導波路型半導体レーザの素子構
造に関するものである。
＜従来技術＞
従来の半導体レーザ素子を半導波機構で分類す
ると、利得導波型と屈折率導波型とに分類され
る。しかし、応用上重要な横モード安定性の点か
らは屈折率導波型の方が断然有利であり、様々な
構造の屈折率導波型レーザが提案されている。こ
の代表的な例として、BH（Buried Heterostruc
−ture）レーザ及びSIS（Ｖ−channeled
Substrate Inner Stripe）レーザがある。
ると、利得導波型と屈折率導波型とに分類され
る。しかし、応用上重要な横モード安定性の点か
らは屈折率導波型の方が断然有利であり、様々な
構造の屈折率導波型レーザが提案されている。こ
の代表的な例として、BH（Buried Heterostruc
−ture）レーザ及びSIS（Ｖ−channeled
Substrate Inner Stripe）レーザがある。
第２図ＡはBHレーザ素子構造を示す断面模式
図である。ｐ−GaAs基板１上に幅Ｗのストライ
プ状多層結晶構造部が形成され、この部分がレー
ザ発振用動作部となる。即ち、この多層結晶構造
部はｐ−GaAlAsクラツド層２、GaAlAs活性層
３、ｎ−GaAlAsクラツド層４、ｎ−GaAsキヤ
ツプ層５から成るダブルヘテロ接合構造を構成し
ている。また活性層３の両側を低屈折率物質１５
で埋め込んでいるので完全な屈折率導波を示し、
非点収差がなく、しきい値電流が10ｍＡ程度で比
較的小さいという利点を有する。しかしながら、
埋め込み層１５の屈折率及び導波路幅ｗを適正に
選択しないと高次横モードで発振し易いので、製
作条件の点で制約が多いという欠点を有する。
図である。ｐ−GaAs基板１上に幅Ｗのストライ
プ状多層結晶構造部が形成され、この部分がレー
ザ発振用動作部となる。即ち、この多層結晶構造
部はｐ−GaAlAsクラツド層２、GaAlAs活性層
３、ｎ−GaAlAsクラツド層４、ｎ−GaAsキヤ
ツプ層５から成るダブルヘテロ接合構造を構成し
ている。また活性層３の両側を低屈折率物質１５
で埋め込んでいるので完全な屈折率導波を示し、
非点収差がなく、しきい値電流が10ｍＡ程度で比
較的小さいという利点を有する。しかしながら、
埋め込み層１５の屈折率及び導波路幅ｗを適正に
選択しないと高次横モードで発振し易いので、製
作条件の点で制約が多いという欠点を有する。
一方、第２図Ｂに示すVSISレーザはｐ−
GaAs基板１上にｎ−GaAs電流阻止層６を堆積
した後幅Ｗのストライプ状Ｖ字溝を刻設して基板
１上から電流阻止層６の除去された電流通路を開
通させた後ｐ−GaAlAsクラツド層２、GaAlAs
活性層３、ｎ−GaAlAsクラツド層４、ｎ−
GaAsキヤツプ層５を順次積層してダブルヘテロ
接合レーザ動作部を形成したものであり、導波路
幅Ｗを４〜7μｍと広くしても、活性層３内で導
波路の外側の光が基板１に吸収されるため、高次
モード利得が抑制され、高次横モードが発生しな
いという利点を有している。しかし、しきい値電
流が40〜60ｍＡとなりBHレーザに比べて高く、
非点収差が10〜20μｍで比較的大きいといつた欠
点がある。しきい値電流が高い理由は、電流が電
流阻止層６による内部ストライプ構造によつて狭
窄されているのに対して、活性層３内に注入され
たキヤリアは活性層３の横方向両側へ拡散するの
で、レーザ発振に無効なキヤリアが発生するため
である。第３図にVSISレーザにおける活性層内
キヤリア密度ｎの接合方向ｙでの分布を示す。導
波路幅がｗ＝4μｍの時、斜線を施した部分のキ
ヤリアはレーザ発振に寄与しない無効なキヤリア
である。この無効キヤリアは不必要な自然放出光
及び発熱に消費され、レーザ素子の信頼性に悪影
響を与える。また、VSISレーザの大きな非点収
差は、導波路両側の光が吸収されるため、その光
の波面が中央部に対して遅れることから起る。
GaAs基板１上にｎ−GaAs電流阻止層６を堆積
した後幅Ｗのストライプ状Ｖ字溝を刻設して基板
１上から電流阻止層６の除去された電流通路を開
通させた後ｐ−GaAlAsクラツド層２、GaAlAs
活性層３、ｎ−GaAlAsクラツド層４、ｎ−
GaAsキヤツプ層５を順次積層してダブルヘテロ
接合レーザ動作部を形成したものであり、導波路
幅Ｗを４〜7μｍと広くしても、活性層３内で導
波路の外側の光が基板１に吸収されるため、高次
モード利得が抑制され、高次横モードが発生しな
いという利点を有している。しかし、しきい値電
流が40〜60ｍＡとなりBHレーザに比べて高く、
非点収差が10〜20μｍで比較的大きいといつた欠
点がある。しきい値電流が高い理由は、電流が電
流阻止層６による内部ストライプ構造によつて狭
窄されているのに対して、活性層３内に注入され
たキヤリアは活性層３の横方向両側へ拡散するの
で、レーザ発振に無効なキヤリアが発生するため
である。第３図にVSISレーザにおける活性層内
キヤリア密度ｎの接合方向ｙでの分布を示す。導
波路幅がｗ＝4μｍの時、斜線を施した部分のキ
ヤリアはレーザ発振に寄与しない無効なキヤリア
である。この無効キヤリアは不必要な自然放出光
及び発熱に消費され、レーザ素子の信頼性に悪影
響を与える。また、VSISレーザの大きな非点収
差は、導波路両側の光が吸収されるため、その光
の波面が中央部に対して遅れることから起る。
＜発明の目的＞
本発明は、上述のBHレーザ及びVSISレーザ
のそれぞれの問題点を解決し、しきい値電流が低
く、非点収差がなく、しかも高次横モードの発生
のない新規な半導体レーザ素子を提供することを
目的とする。
のそれぞれの問題点を解決し、しきい値電流が低
く、非点収差がなく、しかも高次横モードの発生
のない新規な半導体レーザ素子を提供することを
目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、
基板と、
該基板上に形成され、かつ該基板に達するスト
ライプ状溝を有する電流阻止層と、 少なくとも前記ストライプ状溝上に位置して形
成される、平坦な層からなる活性層及び該活性層
を挟む第１、第２クラツド層を有する多層ストラ
イプ状メサ部と、を具備し、 前記多層ストライプ状メサ部は、端面近傍では
前記ストライプ状溝幅よりも狭い間隔で形成さ
れ、また、前記端面近傍以外では前記ストライプ
溝の両肩で前記電流阻止層により活性層からの光
を吸収するよう前記ストライプ状溝幅よりも広い
間隔で形成されてなり、 前記基板上の前記多層ストライプ状メサ部の側
面に、前記活性層より大きいエネルギーギヤツプ
を有する埋め込み層を設けたことを特徴とする。
ライプ状溝を有する電流阻止層と、 少なくとも前記ストライプ状溝上に位置して形
成される、平坦な層からなる活性層及び該活性層
を挟む第１、第２クラツド層を有する多層ストラ
イプ状メサ部と、を具備し、 前記多層ストライプ状メサ部は、端面近傍では
前記ストライプ状溝幅よりも狭い間隔で形成さ
れ、また、前記端面近傍以外では前記ストライプ
溝の両肩で前記電流阻止層により活性層からの光
を吸収するよう前記ストライプ状溝幅よりも広い
間隔で形成されてなり、 前記基板上の前記多層ストライプ状メサ部の側
面に、前記活性層より大きいエネルギーギヤツプ
を有する埋め込み層を設けたことを特徴とする。
＜実施例＞
第１図Ａは本発明の１実施例を示す半導体レー
ザの平面図である。ｗは基板１の中央に形成され
ているストライプ状の溝即ちＶ−チヤネル７の幅
であり、斜線部分はＶチヤネル７の両側に形成さ
れた埋め込み領域である。その両側の埋め込み領
域の間隔は端面近傍ではW1、その他ではW2であ
り、W1＜ｗ＜W2となるように形成される。第１
図ＡにおけるX1−X2での断面を第１図Ｂに、Y1
−Y2での断面を同図Ｃに示す。図中、１はｐ−
GaAs基板、２は−GaAlAsクラツド層、３は
GaAlAs活性層、４はｎ−GaAlAsクラツド層、
５はｎ−GaAsキヤツプ層、６はｎ−GaAs電流
阻止層、７はＶ−チヤネルである。また、８，
９，１０はＶ−チヤネル７の両側の埋め込み層
で、８はＰ−GaAlAs、９はｎ−GaAlAs、１０
はｎ−GaAsから成る。埋め込み層８，９のAl組
成比は活性層のそれより大きい。１１，１２はそ
れぞれ、ｎ形電極、ｐ形電極である。
ザの平面図である。ｗは基板１の中央に形成され
ているストライプ状の溝即ちＶ−チヤネル７の幅
であり、斜線部分はＶチヤネル７の両側に形成さ
れた埋め込み領域である。その両側の埋め込み領
域の間隔は端面近傍ではW1、その他ではW2であ
り、W1＜ｗ＜W2となるように形成される。第１
図ＡにおけるX1−X2での断面を第１図Ｂに、Y1
−Y2での断面を同図Ｃに示す。図中、１はｐ−
GaAs基板、２は−GaAlAsクラツド層、３は
GaAlAs活性層、４はｎ−GaAlAsクラツド層、
５はｎ−GaAsキヤツプ層、６はｎ−GaAs電流
阻止層、７はＶ−チヤネルである。また、８，
９，１０はＶ−チヤネル７の両側の埋め込み層
で、８はＰ−GaAlAs、９はｎ−GaAlAs、１０
はｎ−GaAsから成る。埋め込み層８，９のAl組
成比は活性層のそれより大きい。１１，１２はそ
れぞれ、ｎ形電極、ｐ形電極である。
屈折率導波路はVSISレーザの原理により、活
性層３からの光が電流阻止層６へ吸収されること
により形成されるので、光導波路の幅はＶ−チヤ
ネル７の幅ｗと一致する。活性層内キヤリアは埋
め込み層８，９により拡散を阻止され、第１図Ｃ
に曲線l1，l2で示されるキヤリア密度分布ｎ(y)と
なる。l1は端面近傍での分布、l2はその他の領域
での分布を示す。斜線部で示される無効キヤリア
は第３図で示される従来例に比べて大幅に減少す
ることがわかる。その結果、発振しきい値電流も
大幅に減少する。
性層３からの光が電流阻止層６へ吸収されること
により形成されるので、光導波路の幅はＶ−チヤ
ネル７の幅ｗと一致する。活性層内キヤリアは埋
め込み層８，９により拡散を阻止され、第１図Ｃ
に曲線l1，l2で示されるキヤリア密度分布ｎ(y)と
なる。l1は端面近傍での分布、l2はその他の領域
での分布を示す。斜線部で示される無効キヤリア
は第３図で示される従来例に比べて大幅に減少す
ることがわかる。その結果、発振しきい値電流も
大幅に減少する。
第１図Ｃで示すように、端面近傍ではストライ
プ状メサ部はストライプ状溝幅ｗよりも狭い間隔
W1で形成され、そして側面には同様に埋め込み
層８，９が設けられ、光の波面の遅れ原因となる
電流阻止層６への光の吸収がなく、BHレーザと
同じように完全な屈折率導波路が形成されている
ので、非点収差が発生しない。そして、光導波路
のほとんどは第１図Ｂで示されるようにVSISレ
ーザの原理によつて形成されているので、高出力
まで高次横モードが発生しない。従つて、端面で
の導波路幅W1は通常のBHレーザの幅よりも広
く形成できるので、端面光密度を低くできるとい
う利点もある。
プ状メサ部はストライプ状溝幅ｗよりも狭い間隔
W1で形成され、そして側面には同様に埋め込み
層８，９が設けられ、光の波面の遅れ原因となる
電流阻止層６への光の吸収がなく、BHレーザと
同じように完全な屈折率導波路が形成されている
ので、非点収差が発生しない。そして、光導波路
のほとんどは第１図Ｂで示されるようにVSISレ
ーザの原理によつて形成されているので、高出力
まで高次横モードが発生しない。従つて、端面で
の導波路幅W1は通常のBHレーザの幅よりも広
く形成できるので、端面光密度を低くできるとい
う利点もある。
以下、GaAs−GaAlAs系の化合物半導体から
成る半導体レーザ素子を用いて、第１図に示す実
施例を製造工程とともに説明する。
成る半導体レーザ素子を用いて、第１図に示す実
施例を製造工程とともに説明する。
ｐ−GaAs基板１の（100）面上にｎ−GaAsの
電流阻止層６を0.8μｍの厚さにエピタキヤル成長
させ、その表面よりホトリソグラフイ技術と化学
エツチングによつて、深さが1.2μｍ、幅ｗが5μｍ
のＶ−チヤネル７を形成する。ストライプ状のＶ
−チヤネル７によつてｐ−GaAs基板１上の電流
阻止層６が除去された部分が電流通路となる。こ
の基板１上にｐ−Ga0.7Al0.3Asクラツド層２、ｐ
−Ga0.95Al0.05As活性層３、ｎ−Ga0.7Al0.3Asクラ
ツド層４及びｎ−GaAsキヤツプ層５からなるダ
ブルヘテロ接合を順次液相エピタキシヤル成長さ
せる。次に、キヤツプ層５表面から、RIE（リア
クテイブイオンエツチング）技術によつて、第１
図Ａに斜線で示すような溝をＶ−チヤネルの両側
に形成し、電流阻止層６に到達する深さとする。
その間隔はW1＝4μｍ、W2＝7μｍとする。再び液
相エピタキシヤル法により該溝内にｐ−Ga0.8
Al0.2As8、ｎ−Ga0.8Al0.2As９及びｎ−GaAs１
０を順次堆積させて溝内を埋め込む。この埋め込
み層８，９は活性層３よりもエネルギーギヤツプ
が大きいので、キヤリアの拡散を阻止することが
できる。ｎ−GaAs５，１０の表面にはｎ形電極
（Au−Ge）１１を、ｐ−GaAs基板１の裏面には
ｐ形電極（Au−Zn）１２を蒸着した後、450℃
に加熱して合金化する。劈開法により共振器長
250μｍのフアブリペロー共振器を形成しｎ形電
極１１面を銅板上にIn金属を介してマウントし素
子化を完了する。
電流阻止層６を0.8μｍの厚さにエピタキヤル成長
させ、その表面よりホトリソグラフイ技術と化学
エツチングによつて、深さが1.2μｍ、幅ｗが5μｍ
のＶ−チヤネル７を形成する。ストライプ状のＶ
−チヤネル７によつてｐ−GaAs基板１上の電流
阻止層６が除去された部分が電流通路となる。こ
の基板１上にｐ−Ga0.7Al0.3Asクラツド層２、ｐ
−Ga0.95Al0.05As活性層３、ｎ−Ga0.7Al0.3Asクラ
ツド層４及びｎ−GaAsキヤツプ層５からなるダ
ブルヘテロ接合を順次液相エピタキシヤル成長さ
せる。次に、キヤツプ層５表面から、RIE（リア
クテイブイオンエツチング）技術によつて、第１
図Ａに斜線で示すような溝をＶ−チヤネルの両側
に形成し、電流阻止層６に到達する深さとする。
その間隔はW1＝4μｍ、W2＝7μｍとする。再び液
相エピタキシヤル法により該溝内にｐ−Ga0.8
Al0.2As8、ｎ−Ga0.8Al0.2As９及びｎ−GaAs１
０を順次堆積させて溝内を埋め込む。この埋め込
み層８，９は活性層３よりもエネルギーギヤツプ
が大きいので、キヤリアの拡散を阻止することが
できる。ｎ−GaAs５，１０の表面にはｎ形電極
（Au−Ge）１１を、ｐ−GaAs基板１の裏面には
ｐ形電極（Au−Zn）１２を蒸着した後、450℃
に加熱して合金化する。劈開法により共振器長
250μｍのフアブリペロー共振器を形成しｎ形電
極１１面を銅板上にIn金属を介してマウントし素
子化を完了する。
この半導体レーザは波長820nｍで発振し、し
きい値電流は約15ｍＡに低減された。またビーム
ウエストは接合に垂直、水平両方向で端面に一致
し、非点収差のないことが確認された。連続発振
動作で、光出力30ｍＷ以上迄安定な基本横モード
で発振した。
きい値電流は約15ｍＡに低減された。またビーム
ウエストは接合に垂直、水平両方向で端面に一致
し、非点収差のないことが確認された。連続発振
動作で、光出力30ｍＷ以上迄安定な基本横モード
で発振した。
尚、本発明の半導体レーザ素子は上述した
GaAs−GaAlAs系に限定されず、InP−
InGaAsP系やその他のヘテロ接合レーザ素子に
も適用することができる。また、成長方法は
LPE法以外にも、MO（有機金属）−CVD法、
VPE（気相成長）法、MBE（分子線エピタキシヤ
ル成長）法等にも適用することができる。
GaAs−GaAlAs系に限定されず、InP−
InGaAsP系やその他のヘテロ接合レーザ素子に
も適用することができる。また、成長方法は
LPE法以外にも、MO（有機金属）−CVD法、
VPE（気相成長）法、MBE（分子線エピタキシヤ
ル成長）法等にも適用することができる。
以上のように本発明によれば、端面近傍以外で
はストライプ溝の両肩で電流阻止層により活性層
からの光を吸収するよう、ストライプ状溝幅より
も広い間隔で形成されており、VSISレーザの、
高次モード利得が抑制され高次横モードが発生し
ない、の利点を有するとともに、ストライプ状メ
サ部の側面に設けた、活性層より大きいエネルギ
ーギヤツプを有する埋め込み層により活性層内キ
アリアの拡散が阻止され、発振しきい値電流を大
幅に減少できる。また端面近傍では、ストライプ
状サメ部はストライプ状溝幅よりも狭い間隔で形
成され、そして側面には同様に活性層より大きい
エネルギーギヤツプを有する埋め込み層を設けて
おり、光の波面の遅れ原因となる前記端面部以外
の光を吸収する電流阻止層の肩部がなく、BHレ
ーザと同じように完全な屈折率導波路を形成して
非点収差のないようにできる。
はストライプ溝の両肩で電流阻止層により活性層
からの光を吸収するよう、ストライプ状溝幅より
も広い間隔で形成されており、VSISレーザの、
高次モード利得が抑制され高次横モードが発生し
ない、の利点を有するとともに、ストライプ状メ
サ部の側面に設けた、活性層より大きいエネルギ
ーギヤツプを有する埋め込み層により活性層内キ
アリアの拡散が阻止され、発振しきい値電流を大
幅に減少できる。また端面近傍では、ストライプ
状サメ部はストライプ状溝幅よりも狭い間隔で形
成され、そして側面には同様に活性層より大きい
エネルギーギヤツプを有する埋め込み層を設けて
おり、光の波面の遅れ原因となる前記端面部以外
の光を吸収する電流阻止層の肩部がなく、BHレ
ーザと同じように完全な屈折率導波路を形成して
非点収差のないようにできる。
第１図は本発明の半導体レーザ素子を説明する
構成図であり、Ａは平面図、ＢはX1−X2断面図、
ＣはY1−Y2断面図、Ｄはキヤリア密度分布図を
示す。第２図Ａ，Ｂは従来のBHレーザの断面図
及び従来のVSISレーザの断面図である。第３図
は従来のVSISレーザのキヤリア密度分布を示す
説明図である。 １：ｐ−GaAs基板、２：ｐ−GaAlAsクラツ
ド層、３：GaAlAs活性層、４：ｎ−GaAlAsク
ラツド層、５：ｎ−GaAsキヤツプ層、６：ｎ−
GaAs電流阻止層、７：Ｖ−チヤネル、８：ｐ−
GaAlAs埋め込み層、９：ｎ−GaAlAs埋め込み
層、１０：ｎ−GaAs埋め込み層、１１：ｎ形電
極、１２：ｐ形電極。
構成図であり、Ａは平面図、ＢはX1−X2断面図、
ＣはY1−Y2断面図、Ｄはキヤリア密度分布図を
示す。第２図Ａ，Ｂは従来のBHレーザの断面図
及び従来のVSISレーザの断面図である。第３図
は従来のVSISレーザのキヤリア密度分布を示す
説明図である。 １：ｐ−GaAs基板、２：ｐ−GaAlAsクラツ
ド層、３：GaAlAs活性層、４：ｎ−GaAlAsク
ラツド層、５：ｎ−GaAsキヤツプ層、６：ｎ−
GaAs電流阻止層、７：Ｖ−チヤネル、８：ｐ−
GaAlAs埋め込み層、９：ｎ−GaAlAs埋め込み
層、１０：ｎ−GaAs埋め込み層、１１：ｎ形電
極、１２：ｐ形電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板と、 該基板上に形成され、かつ該基板に達するスト
ライプ状溝を有する電流阻止層と、 少なくとも前記ストライプ状溝上に位置して形
成される、平坦な層からなる活性層及び該活性層
を挟む第１、第２クラツド層を有する多層ストラ
イプ状メサ部と、を具備し、 前記多層ストライプ状メサ部は、端面近傍では
前記ストライプ状溝幅よりも狭い間隔で形成さ
れ、また、前記端面近傍以外では前記ストライプ
溝の両肩で前記電流阻止層により活性層からの光
を吸収するよう前記ストライプ状溝幅よりも広い
間隔で形成されてなり、 前記基板上の前記多層ストライプ状メサ部の側
面に、前記活性層より大きいエネルギーギヤツプ
を有する埋め込み層を設けたことを特徴とする半
導体レーザ素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60158576A JPS6218783A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 半導体レ−ザ素子 |
| US06/885,952 US4791649A (en) | 1985-07-17 | 1986-07-15 | Semiconductor laser device |
| DE8686305467T DE3681645D1 (de) | 1985-07-17 | 1986-07-16 | Halbleiterlaser-vorrichtung. |
| EP86305467A EP0209372B1 (en) | 1985-07-17 | 1986-07-16 | A semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60158576A JPS6218783A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6218783A JPS6218783A (ja) | 1987-01-27 |
| JPH0518473B2 true JPH0518473B2 (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=15674703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60158576A Granted JPS6218783A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4791649A (ja) |
| EP (1) | EP0209372B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6218783A (ja) |
| DE (1) | DE3681645D1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0264225B1 (en) * | 1986-10-07 | 1994-01-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device and a method for the production of the same |
| JPH0671121B2 (ja) * | 1987-09-04 | 1994-09-07 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| EP0321294B1 (en) * | 1987-12-18 | 1995-09-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device |
| DE69102263T2 (de) * | 1991-03-11 | 1994-12-08 | Ibm | Halbleiteranordnung mit einer auf einem strukturierten Substrat aufgewachsenen Schichtstruktur. |
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| US5499261A (en) * | 1993-01-07 | 1996-03-12 | Sdl, Inc. | Light emitting optical device with on-chip external cavity reflector |
| US5392308A (en) * | 1993-01-07 | 1995-02-21 | Sdl, Inc. | Semiconductor laser with integral spatial mode filter |
| US6816531B1 (en) | 2000-03-03 | 2004-11-09 | Jds Uniphase Corporation | High-power, kink-free, single mode laser diodes |
| US11031753B1 (en) * | 2017-11-13 | 2021-06-08 | The Government Of The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Extracting the fundamental mode in broad area quantum cascade lasers |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5961981A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-09 | Sony Corp | 半導体レ−ザ− |
| JPS60128689A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-09 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2422287A1 (de) * | 1974-05-08 | 1975-11-13 | Siemens Ag | Halbleiter-laserdiode fuer dauerbetrieb |
| DE2812154C3 (de) * | 1978-03-20 | 1980-09-11 | Boehringer Mannheim Gmbh, 6800 Mannheim | Verfahren zur Bestimmung von a -Amylase |
| JPS5617093A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-18 | Nec Corp | Semiconductor laser |
| JPS5855674B2 (ja) * | 1979-12-29 | 1983-12-10 | 富士通株式会社 | 半導体発光装置の製造方法 |
| JPS5858783A (ja) * | 1981-10-02 | 1983-04-07 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
| US4546481A (en) * | 1982-05-28 | 1985-10-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Window structure semiconductor laser |
| JPS5940592A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-06 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS59117287A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
| JPS6057988A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-03 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
| JPS60150682A (ja) * | 1984-01-17 | 1985-08-08 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| US4686679A (en) * | 1984-03-21 | 1987-08-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Window VSIS semiconductor laser |
| DE3587561T2 (de) * | 1984-04-17 | 1994-01-05 | Sharp Kk | Halbleiterlaser. |
| JPS6195593A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-14 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
-
1985
- 1985-07-17 JP JP60158576A patent/JPS6218783A/ja active Granted
-
1986
- 1986-07-15 US US06/885,952 patent/US4791649A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-07-16 DE DE8686305467T patent/DE3681645D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-07-16 EP EP86305467A patent/EP0209372B1/en not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5961981A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-09 | Sony Corp | 半導体レ−ザ− |
| JPS60128689A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-09 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3681645D1 (de) | 1991-10-31 |
| JPS6218783A (ja) | 1987-01-27 |
| EP0209372A3 (en) | 1988-05-04 |
| EP0209372B1 (en) | 1991-09-25 |
| US4791649A (en) | 1988-12-13 |
| EP0209372A2 (en) | 1987-01-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |