JPH0147029B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0147029B2 JPH0147029B2 JP10135684A JP10135684A JPH0147029B2 JP H0147029 B2 JPH0147029 B2 JP H0147029B2 JP 10135684 A JP10135684 A JP 10135684A JP 10135684 A JP10135684 A JP 10135684A JP H0147029 B2 JPH0147029 B2 JP H0147029B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- refractive index
- semiconductor laser
- substrate
- gaas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 12
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は単一ビーム形半導体レーザアレイ装置
の構造に関するものである。
の構造に関するものである。
＜従来技術＞
半導体レーザを高出力動作させる場合、１個の
半導体レーザ素子では現在のところ実用性を考慮
すると、せいぜい50mWが限度である。そこで、
複数個の半導体レーザを同一基板上に並べて、大
光出力化をはかる半導体レーザアレイの研究がな
されている。しかしながら、ただ単に、半導体レ
ーザを並べただけでは出射ビームがいくつもピー
クをもつので、レンズを用いてレーザ光を絞つて
も１個のレーザスポツトにすることができない。
半導体レーザ素子では現在のところ実用性を考慮
すると、せいぜい50mWが限度である。そこで、
複数個の半導体レーザを同一基板上に並べて、大
光出力化をはかる半導体レーザアレイの研究がな
されている。しかしながら、ただ単に、半導体レ
ーザを並べただけでは出射ビームがいくつもピー
クをもつので、レンズを用いてレーザ光を絞つて
も１個のレーザスポツトにすることができない。
そこで、複数個のレーザを光学的に位相同期さ
せて、単一ピークをもつレーザビームを得ようと
する試みがなされている。しかし、利得導波型半
導体レーザは発振領域のみに電流注入による利得
があり、その両側では損失領域となつている。こ
のような半導体レーザを並列に並べても、各半導
体レーザの中間領域で電界が零になり隣り合つた
レーザの位相が180゜反転してしまう。従つて、利
得導波型半導体レーザアレイでは単一ビームを得
るのは困難である。
せて、単一ピークをもつレーザビームを得ようと
する試みがなされている。しかし、利得導波型半
導体レーザは発振領域のみに電流注入による利得
があり、その両側では損失領域となつている。こ
のような半導体レーザを並列に並べても、各半導
体レーザの中間領域で電界が零になり隣り合つた
レーザの位相が180゜反転してしまう。従つて、利
得導波型半導体レーザアレイでは単一ビームを得
るのは困難である。
さて、屈折率導波型半導体レーザの場合は必ず
しも発振領域にのみ電流を流す必要がないので、
上記に述べた180゜位相同期の他に、各レーザが同
一位相（0゜位相同期）で発振する単一ビームが得
られる可能性がある。
しも発振領域にのみ電流を流す必要がないので、
上記に述べた180゜位相同期の他に、各レーザが同
一位相（0゜位相同期）で発振する単一ビームが得
られる可能性がある。
半導体レーザに作り付けの屈折率差をつける方
法は種々考案されている。例えば、埋め込みヘテ
ロ（BH）レーザ、CSPレーザ、VSIS
（Vchannelled Substrate lnner Stipe）レーザ等
である。ここでは、第２図Ａに示すようなVSIS
レーザを５個アレイ化した場合について述べる。
このVSISレーザアレイは次のようにして製作さ
れる。
法は種々考案されている。例えば、埋め込みヘテ
ロ（BH）レーザ、CSPレーザ、VSIS
（Vchannelled Substrate lnner Stipe）レーザ等
である。ここでは、第２図Ａに示すようなVSIS
レーザを５個アレイ化した場合について述べる。
このVSISレーザアレイは次のようにして製作さ
れる。
ｐ−GaAs基板１上にｎ−GaAs電流阻止層２
を堆積して、基板１に対する電流遮断機能を付与
した後、電流阻止層２表面より幅w1のＶ字形溝
９をピツチＤで５本、ｐ−GaAs基板１に達する
ようにエツチングにより形成する。
を堆積して、基板１に対する電流遮断機能を付与
した後、電流阻止層２表面より幅w1のＶ字形溝
９をピツチＤで５本、ｐ−GaAs基板１に達する
ようにエツチングにより形成する。
この基板上にｐ−GaAlAsクラツド層３、
GaAlAs活性層４、ｎ−GaAlAsクラツド層５、
及びｎ−GaAsキヤツプ層６からなるダブルヘテ
ロ構造をエピタキシヤル成長させる。なお、７，
８はｎ側電極、ｐ側電極である。この半導体レー
ザアレイを駆動させた場合、各レーザは屈折率導
波機構で発振するが、Ｖ字形溝９の外側領域１０
上での活性層４からの光はｎ−GaAs層２に吸収
され損失領域となる。この吸収係数は100〜10000
cm-1と大きなものである。第２図Ａには活性層４
に垂直方向のＶ字形溝９中央部および溝９，９間
の中央部における光強度分布を夫々Ａ，Ｂで示し
てある。従つて、電界強度分布は第２図Ｂに示す
ようになる。即ち隣り合つた領域の位相は180゜反
転し、その中間領域で電界は零となる。従つて、
このVSISレーザアレイの出射ビームの接合に平
行方向の遠視野像は第２図Ｃに示すような複数の
ピークをもつものとなる。
GaAlAs活性層４、ｎ−GaAlAsクラツド層５、
及びｎ−GaAsキヤツプ層６からなるダブルヘテ
ロ構造をエピタキシヤル成長させる。なお、７，
８はｎ側電極、ｐ側電極である。この半導体レー
ザアレイを駆動させた場合、各レーザは屈折率導
波機構で発振するが、Ｖ字形溝９の外側領域１０
上での活性層４からの光はｎ−GaAs層２に吸収
され損失領域となる。この吸収係数は100〜10000
cm-1と大きなものである。第２図Ａには活性層４
に垂直方向のＶ字形溝９中央部および溝９，９間
の中央部における光強度分布を夫々Ａ，Ｂで示し
てある。従つて、電界強度分布は第２図Ｂに示す
ようになる。即ち隣り合つた領域の位相は180゜反
転し、その中間領域で電界は零となる。従つて、
このVSISレーザアレイの出射ビームの接合に平
行方向の遠視野像は第２図Ｃに示すような複数の
ピークをもつものとなる。
＜発明の目的＞
本発明は同一基板上の複数個の半導体レーザが
すべて同一位相で発振し、単一ピークで大出力の
レーザビームを放射する半導体レーザアレイ装置
を提供することを目的とする。
すべて同一位相で発振し、単一ピークで大出力の
レーザビームを放射する半導体レーザアレイ装置
を提供することを目的とする。
＜発明の構成＞
このため、本発明は、基板上に形成された複数
個の側の両側にクラツド層よりも屈折率の低い層
を堆積し、その直上の活性層の実効屈折率が溝上
のそれより低くなるようにして形成された複数個
の屈折率導波路を備え、各レーザ光が同一位相で
発振するように構成したものである。
個の側の両側にクラツド層よりも屈折率の低い層
を堆積し、その直上の活性層の実効屈折率が溝上
のそれより低くなるようにして形成された複数個
の屈折率導波路を備え、各レーザ光が同一位相で
発振するように構成したものである。
＜実施例＞
本発明の実施例にかかる半導体レーザアレイに
ついて、第１図を参照しながら説明する。
ついて、第１図を参照しながら説明する。
第１図Ａはその断面図である。１１はｐ−
GaAs基板、１２はｎ−GaAs電流阻止層、１３
はｐ−Ga1−yAlyAsクラツド層、１４はｐ−Ga1
−xAlAs活性層、１５はｎ−Ga1−yAlyAsクラ
ツド層、１６はｎ−GaAsキヤツプ層、１７はｎ
側電極、１８はｐ側電極、１９，１９，…はＶ字
形溝である。また、２０，２０，…は各Ｖ字形溝
１９の両側において電流阻止層１２上に形成した
ｐ−Ga1−zAlzAs層である。各層のAlAsモル比
は０≦ｘ＜ｙ＜ｚ＜１なる関係を満足するように
する。第１図Ａには活性層１４に垂直な方向のＶ
字形溝１９部および上記ｐ−Ga1−zAlzAs層２
０部における光強度分布を夫々Ｃ，Ｄで示す。Ｖ
字形溝１９の外側にはｐ−クラツド層１３より
AlAsモル比の大きい（屈折率の低い）層２０が
存在するため、光強度分布はｎ−クラツド層１５
へ押しやられたような非対称形となり、実効屈折
率が低下する。その結果、溝１９上に屈折率導波
路が形成される。また、ｐ−Ga1−zAlzAs層２
０は、活性層１４と電流阻止層１２との距離を遠
ざけることによつて、光の吸収を減少させる。同
時に、内部ストライプから注入される電流分布を
拡げることにより、活性層内キヤリア分布を均一
にし、バンド端吸収を減少させる働きもする。従
つて、各半導体レーザの中間領域の損失が減少す
る結果、第２図Ｂで示したような180゜位相同期
（位相反転）は起りにくくなり、第１図Ｂで示す
ように、各レーザは同一位相で発振する。そし
て、第１図Ｃで示すように、接合に平行方向の遠
視野像はほとんど単一ピークとなる。
GaAs基板、１２はｎ−GaAs電流阻止層、１３
はｐ−Ga1−yAlyAsクラツド層、１４はｐ−Ga1
−xAlAs活性層、１５はｎ−Ga1−yAlyAsクラ
ツド層、１６はｎ−GaAsキヤツプ層、１７はｎ
側電極、１８はｐ側電極、１９，１９，…はＶ字
形溝である。また、２０，２０，…は各Ｖ字形溝
１９の両側において電流阻止層１２上に形成した
ｐ−Ga1−zAlzAs層である。各層のAlAsモル比
は０≦ｘ＜ｙ＜ｚ＜１なる関係を満足するように
する。第１図Ａには活性層１４に垂直な方向のＶ
字形溝１９部および上記ｐ−Ga1−zAlzAs層２
０部における光強度分布を夫々Ｃ，Ｄで示す。Ｖ
字形溝１９の外側にはｐ−クラツド層１３より
AlAsモル比の大きい（屈折率の低い）層２０が
存在するため、光強度分布はｎ−クラツド層１５
へ押しやられたような非対称形となり、実効屈折
率が低下する。その結果、溝１９上に屈折率導波
路が形成される。また、ｐ−Ga1−zAlzAs層２
０は、活性層１４と電流阻止層１２との距離を遠
ざけることによつて、光の吸収を減少させる。同
時に、内部ストライプから注入される電流分布を
拡げることにより、活性層内キヤリア分布を均一
にし、バンド端吸収を減少させる働きもする。従
つて、各半導体レーザの中間領域の損失が減少す
る結果、第２図Ｂで示したような180゜位相同期
（位相反転）は起りにくくなり、第１図Ｂで示す
ように、各レーザは同一位相で発振する。そし
て、第１図Ｃで示すように、接合に平行方向の遠
視野像はほとんど単一ピークとなる。
各レーザの屈折率導波路の屈折率分布Δnは、
注入キヤリア密度変動に伴う、屈折率変化約２×
10-3よりも十分大きい方が安定な出力ビームが得
られる。即ち、Δn＝５×10-3〜１×10-2程度が
良い。このような大きなΔnは単体のレーザの場
合には高次横モードを発生させるが、複数個のレ
ーザを位相同期させた場合には、高次横モードは
発生しないことがわかつた。
注入キヤリア密度変動に伴う、屈折率変化約２×
10-3よりも十分大きい方が安定な出力ビームが得
られる。即ち、Δn＝５×10-3〜１×10-2程度が
良い。このような大きなΔnは単体のレーザの場
合には高次横モードを発生させるが、複数個のレ
ーザを位相同期させた場合には、高次横モードは
発生しないことがわかつた。
＜製作例＞
第１図に示す半導体レーザアレイの製作例につ
いて説明する。
いて説明する。
まず、ｐ−GaAs基板（Znドープ、１×1019cm
-3）１１上にｎ−GaAs層（Teドープ、３×1018
cm-3）１２、及びｐ−Ga0.6Al0.4As（Mgドープ、
１×1018cm-3）２０を各々0.5μm、0.3μmの厚さ
に、液相エピタキシヤル成長させた。次に、層２
０をホトリソグラフイ技術とケミカル・エツチン
グによつて幅w2＝32μmのストリツプ状に残し
た。その上に幅w3＝4μmのＶ字形溝１９を５本
ピツチＤ＝6μmで上述の方法により形成した。こ
の基板上に再び液相エピタキシヤル法により、ｐ
−Ga0.7Al0.3Asクラツド層１３、pGa0.95Al0.05As
活性層１４、ｎ−Ga0.7Al0.3Asクラツド層１５、
及びｎ−GaAsキヤツプ層１６をそれぞれ0.2μm、
0.08μm、1μm及び2μmの厚さに連続成長させた。
即ち、各層のAlAsモル比はｘ＝0.05、ｙ＝0.3、
ｚ＝0.4である。
-3）１１上にｎ−GaAs層（Teドープ、３×1018
cm-3）１２、及びｐ−Ga0.6Al0.4As（Mgドープ、
１×1018cm-3）２０を各々0.5μm、0.3μmの厚さ
に、液相エピタキシヤル成長させた。次に、層２
０をホトリソグラフイ技術とケミカル・エツチン
グによつて幅w2＝32μmのストリツプ状に残し
た。その上に幅w3＝4μmのＶ字形溝１９を５本
ピツチＤ＝6μmで上述の方法により形成した。こ
の基板上に再び液相エピタキシヤル法により、ｐ
−Ga0.7Al0.3Asクラツド層１３、pGa0.95Al0.05As
活性層１４、ｎ−Ga0.7Al0.3Asクラツド層１５、
及びｎ−GaAsキヤツプ層１６をそれぞれ0.2μm、
0.08μm、1μm及び2μmの厚さに連続成長させた。
即ち、各層のAlAsモル比はｘ＝0.05、ｙ＝0.3、
ｚ＝0.4である。
成長前に露出しているｎ−Ga0.6Al0.4As層２０
の面積は狭いのでGa溶液の濡れに問題はなく、
ピンホール等の欠陥のない良孔な成長層が得られ
た。
の面積は狭いのでGa溶液の濡れに問題はなく、
ピンホール等の欠陥のない良孔な成長層が得られ
た。
基板裏面をラツピングすることにより、ウエハ
ーを約100μmとした後、ｎ−GaAsキヤツプ層１
６表面にはｎ側電極としてAu−Ge−Niを、ま
た、ｐ−GaAs基板１１裏面にはｐ側電極１８と
して、Au−Znを蒸着し、450℃に加熱して合金
化した。その後、共振器長が250μmになるように
劈開して素子化を完了させた。この素子を銅ヒー
トシンクIn金属を介してｎ側を下にしてマウント
した。
ーを約100μmとした後、ｎ−GaAsキヤツプ層１
６表面にはｎ側電極としてAu−Ge−Niを、ま
た、ｐ−GaAs基板１１裏面にはｐ側電極１８と
して、Au−Znを蒸着し、450℃に加熱して合金
化した。その後、共振器長が250μmになるように
劈開して素子化を完了させた。この素子を銅ヒー
トシンクIn金属を介してｎ側を下にしてマウント
した。
この半導体レーザアレイは、しきい値電流約
100mA波長820nmで発振し、接合に平行方向の
遠視野像は第１図Ｃに示すように単一ピークを持
ち、その半値全幅は2.5゜であつた。従つて、この
半導体レーザアレイは完全に同一位相で発振して
いることがわかる。また、微分量子効率は片面で
52％と非常に高かつた。これは、多発振領域の両
側での光損失がほとんどないためであつた。
100mA波長820nmで発振し、接合に平行方向の
遠視野像は第１図Ｃに示すように単一ピークを持
ち、その半値全幅は2.5゜であつた。従つて、この
半導体レーザアレイは完全に同一位相で発振して
いることがわかる。また、微分量子効率は片面で
52％と非常に高かつた。これは、多発振領域の両
側での光損失がほとんどないためであつた。
＜発明の効果＞
以上述べたように、本発明の半導体レーザアレ
イ装置は、各屈折率導波路の中間領域の光損失が
ないので、単一ピーク発振、高微分効率、高出力
動作が可能となつた。
イ装置は、各屈折率導波路の中間領域の光損失が
ないので、単一ピーク発振、高微分効率、高出力
動作が可能となつた。
なお、本発明の半導体レーザアレイは上述した
GaAs−GaAlAs系に限定されず、InP−InGaAs
系等その他のヘテロ接合レーザにも適用できる。
GaAs−GaAlAs系に限定されず、InP−InGaAs
系等その他のヘテロ接合レーザにも適用できる。
第１図Ａは本発明の半導体レーザアレイの断面
説明図、第１図Ｂはその電界強度分布、第１図Ｃ
は活性層に平行方向の遠視野像、第２図Ａは従来
のVSISレーザアレイの断面説明図、第２図Ｂは
その電界強度分布、第２図Ｃは活性層に平行方向
の遠視野像である。 １１……ｐ−GaAs基板、１２……ｎ−GaAs
電流阻止層、１３……ｐ−Ga1−yAlyAsクラツ
ド層、１４……ｐ−Ga1−xAlxAs活性層（０≦
ｘ＜ｙ）、１５……ｎ−Ga1−yAlyAsクラツド
層、１６……ｎ−GaAsキヤツプ層、１７……ｎ
側電極、１８……ｐ側電極、１９……Ｖ字形溝、
１０……Ｖ字形溝外側領域、２０……ｐ−Ga1−
zAlzAs（ｚ＞ｙ）。
説明図、第１図Ｂはその電界強度分布、第１図Ｃ
は活性層に平行方向の遠視野像、第２図Ａは従来
のVSISレーザアレイの断面説明図、第２図Ｂは
その電界強度分布、第２図Ｃは活性層に平行方向
の遠視野像である。 １１……ｐ−GaAs基板、１２……ｎ−GaAs
電流阻止層、１３……ｐ−Ga1−yAlyAsクラツ
ド層、１４……ｐ−Ga1−xAlxAs活性層（０≦
ｘ＜ｙ）、１５……ｎ−Ga1−yAlyAsクラツド
層、１６……ｎ−GaAsキヤツプ層、１７……ｎ
側電極、１８……ｐ側電極、１９……Ｖ字形溝、
１０……Ｖ字形溝外側領域、２０……ｐ−Ga1−
zAlzAs（ｚ＞ｙ）。
Claims (1)
- １ 基板上に形成された複数個の溝の両側にクラ
ツド層よりも屈折率の低い層を堆積し、その直上
の活性層の実効屈折率が溝上のそれよりも低くな
るようにして形成された複数個の屈折率導波路を
備え、各レーザ光が同一位相で発振するようにし
た単一ビーム形半導体レーザアレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10135684A JPS60245191A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 単一ビ−ム形半導体レ−ザアレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10135684A JPS60245191A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 単一ビ−ム形半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245191A JPS60245191A (ja) | 1985-12-04 |
| JPH0147029B2 true JPH0147029B2 (ja) | 1989-10-12 |
Family
ID=14298552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10135684A Granted JPS60245191A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 単一ビ−ム形半導体レ−ザアレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60245191A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4624000A (en) * | 1984-11-01 | 1986-11-18 | Xerox Corporation | Phased array semiconductor lasers with preferred emission in a single lobe |
| JPH0646668B2 (ja) * | 1987-07-28 | 1994-06-15 | シャープ株式会社 | 半導体レ−ザアレイ素子 |
-
1984
- 1984-05-18 JP JP10135684A patent/JPS60245191A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60245191A (ja) | 1985-12-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0556036B2 (ja) | ||
| US4366568A (en) | Semiconductor laser | |
| US4841532A (en) | Semiconductor laser | |
| US4545057A (en) | Window structure of a semiconductor laser | |
| JPH06302908A (ja) | 半導体レーザ | |
| US4791649A (en) | Semiconductor laser device | |
| US4377865A (en) | Semiconductor laser | |
| US4754462A (en) | Semiconductor laser device with a V-channel and a mesa | |
| JPH0147029B2 (ja) | ||
| JPH0114717B2 (ja) | ||
| JP2532449B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS622716B2 (ja) | ||
| EP0298778B1 (en) | Semiconductor laser devices and methods of making same | |
| JPH0671121B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS61253882A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS6362292A (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
| JP2672872B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JPH0256836B2 (ja) | ||
| JPH0695589B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| EP0144205B1 (en) | Semiconductor laser | |
| JPH0410705Y2 (ja) | ||
| JP2558767B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| EP0292276A2 (en) | A semiconductor laser device | |
| JPH0636456B2 (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPS6139758B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |