JPH0636456B2 - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents
半導体レ−ザ素子Info
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- JPH0636456B2 JPH0636456B2 JP59101354A JP10135484A JPH0636456B2 JP H0636456 B2 JPH0636456 B2 JP H0636456B2 JP 59101354 A JP59101354 A JP 59101354A JP 10135484 A JP10135484 A JP 10135484A JP H0636456 B2 JPH0636456 B2 JP H0636456B2
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- JP
- Japan
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- laser
- refractive index
- semiconductor laser
- laser device
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
-
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- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
Description
【発明の詳細な説明】 〈技術分野〉 本発明は発振横モードが制御され、しかも非点収差のな
い半導体レーザ素子に関するものである。
い半導体レーザ素子に関するものである。
〈従来技術〉 従来の半導体レーザ素子を光導波機構から分類すると、
利得導波形と屈折率導波形に区分される。前者の利得導
波形は横モードが不安定であり、接合に平行な方向と垂
直な方向とで光ビーム幅が最小となるビームウエストの
位置から３０μｍ以上異って、非点収差が大きくなるた
め、応用上種々の不都合がある。
利得導波形と屈折率導波形に区分される。前者の利得導
波形は横モードが不安定であり、接合に平行な方向と垂
直な方向とで光ビーム幅が最小となるビームウエストの
位置から３０μｍ以上異って、非点収差が大きくなるた
め、応用上種々の不都合がある。
後者の屈折率導波形は横モードが安定で、非点収差も小
さいという利点がある。この屈折率導波形半導体レーザ
の代表的な例として、埋め込みレーザ及びＶＳＩＳ(Ｖ
−channelled Ｓubstrate Ｉnner Ｓtripe) レーザ
がある。
さいという利点がある。この屈折率導波形半導体レーザ
の代表的な例として、埋め込みレーザ及びＶＳＩＳ(Ｖ
−channelled Ｓubstrate Ｉnner Ｓtripe) レーザ
がある。
埋め込みレーザは、活性層を低屈折率物質で埋め込んで
いるため、完全な屈折率導波を示し、しきい値電流Ｉth
が小さく、基本横モードで発振し、非点収差もないとい
う利点を有する。その反面、比較的低い光出力で高次横
モードが発生し、端面が破壊しやすいという欠点を有し
ているので高出力レーザには不向きである。
いるため、完全な屈折率導波を示し、しきい値電流Ｉth
が小さく、基本横モードで発振し、非点収差もないとい
う利点を有する。その反面、比較的低い光出力で高次横
モードが発生し、端面が破壊しやすいという欠点を有し
ているので高出力レーザには不向きである。
第７図に示されるＧaＡs−ＧaＡｌＡs系ＶＳＩＳレーザ
は、Ｖ−チャネル９の内側と外側での活性層４の実効屈
折率差ΔＮと損失差Δαによって、光が導波される。従
って、埋め込みレーザに比べてしきい値電流Ｉthは高く
なるが、実効屈折率差ΔＮを十分大きくしても、チャネ
ル外側で高次モードの光を電流阻止層２で吸収してしま
うので、高出力まで基本横モードを維持できるという利
点がある。しかしながら、実効屈折率差ΔＮを大きくす
ると、損失差Δαも同時に大きくなる。
は、Ｖ−チャネル９の内側と外側での活性層４の実効屈
折率差ΔＮと損失差Δαによって、光が導波される。従
って、埋め込みレーザに比べてしきい値電流Ｉthは高く
なるが、実効屈折率差ΔＮを十分大きくしても、チャネ
ル外側で高次モードの光を電流阻止層２で吸収してしま
うので、高出力まで基本横モードを維持できるという利
点がある。しかしながら、実効屈折率差ΔＮを大きくす
ると、損失差Δαも同時に大きくなる。
例えば従来のＶＳＩＳレーザのΔαは１０００〜２００
０cm−１である。Ｖ−チャネル外の損失が大きいと、そ
こでの光の位相が遅れ、ビームウエストは端面より奥へ
入り込み易くなる。この理由により、従来のＶＳＩＳレ
ーザは接合に平行方向のビームウエストが端面から５〜
１５μｍ奥に入り込でしまうという欠点を有していた。
０cm−１である。Ｖ−チャネル外の損失が大きいと、そ
こでの光の位相が遅れ、ビームウエストは端面より奥へ
入り込み易くなる。この理由により、従来のＶＳＩＳレ
ーザは接合に平行方向のビームウエストが端面から５〜
１５μｍ奥に入り込でしまうという欠点を有していた。
〈発明の目的〉 本発明は、高出力まで安定な基本横モードで発振し、ビ
ームウエストが端面に一致した、即ち非点収差のない半
導体レーザを提供することを目的とする。
ームウエストが端面に一致した、即ち非点収差のない半
導体レーザを提供することを目的とする。
〈発明の構成及び作用〉 本発明の半導体レーザ素子について、第１図を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
p−ＧaＡs基板１１上に n−ＧaＡs電流阻止層１２を堆
積して、 p−ＧaＡs基板１１に対する電流遮断機能を付
与した後、電流阻止層１２表面より幅 w１、深さＤの広
幅溝１９をエッチングにより形成する。次に、溝１９の
中央部に最大幅 w２のＶ字形溝２０をエッチングにより
形成する。このようにして、形成された二段式チャネル
２１を有する基板１１上に、 p−ＧaＡｌＡsクラッド層
１３、 p−ＧaＡｌＡs活性層１４、 n−ＧaＡｌＡsクラ
ッド層１５、 n−ＧaＡsキャップ層１６からなるダブル
ヘテロ構造を積層する。
積して、 p−ＧaＡs基板１１に対する電流遮断機能を付
与した後、電流阻止層１２表面より幅 w１、深さＤの広
幅溝１９をエッチングにより形成する。次に、溝１９の
中央部に最大幅 w２のＶ字形溝２０をエッチングにより
形成する。このようにして、形成された二段式チャネル
２１を有する基板１１上に、 p−ＧaＡｌＡsクラッド層
１３、 p−ＧaＡｌＡs活性層１４、 n−ＧaＡｌＡsクラ
ッド層１５、 n−ＧaＡsキャップ層１６からなるダブル
ヘテロ構造を積層する。
ここで、Ｖ字形溝２０の内側と外側との複素屈折率差 の実数部 と虚数部 が活性層厚d2と溝１９内の p−クラッド層厚 によって、いかに変るかを計算した結果を第２図に示
す。また、 は次式で表わされる。
す。また、 は次式で表わされる。
但し、ΔＮは実効屈折率差，ΔαはＶ−チャネルの外側
における損失差，k は波数（２π／λ）である。第２図
には、波長λｌが７８０ｎｍで，ｐ−ＧａＡｌＡｓクラ
ツド層１３およびｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層１５の屈
折率1.3がいずれも３．３７であり、かつ、ｐ−Ｇａ
ＡｌＡｓ活性層１４の屈折率２が３．５６である場合
について示した。この図より、 は が厚くなる程、減少することがわかる。
における損失差，k は波数（２π／λ）である。第２図
には、波長λｌが７８０ｎｍで，ｐ−ＧａＡｌＡｓクラ
ツド層１３およびｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層１５の屈
折率1.3がいずれも３．３７であり、かつ、ｐ−Ｇａ
ＡｌＡｓ活性層１４の屈折率２が３．５６である場合
について示した。この図より、 は が厚くなる程、減少することがわかる。
上に述べた作り込みの実効屈折率差ΔＮ及び損失差Δα
の他に、活性層１４への注入キャリアによる屈折率変化
を考慮する必要がある。光出力を増加させると、空間的
ホールバーニング等によりキャリア分布に変動が起り、
屈折率分布も変化し、横モードを乱す原因となる。その
変動は3×10−３程度である。
の他に、活性層１４への注入キャリアによる屈折率変化
を考慮する必要がある。光出力を増加させると、空間的
ホールバーニング等によりキャリア分布に変動が起り、
屈折率分布も変化し、横モードを乱す原因となる。その
変動は3×10−３程度である。
従って、横モードを安定化させるには、作り込みの実効
屈折率差ΔＮを十分大きくして、キャリア分布の変動に
影響を受けないようにする必要がある。従来のＶＳＩＳ
レーザでは活性層厚 d2＝０．１μｍ、クラッド層厚 であるので、ΔＮ＝１．５×１０−２と十分大きい反
面、Ｖ−チャネル外側の吸収がΔα＝２０００cm−１と
大き過ぎる。
屈折率差ΔＮを十分大きくして、キャリア分布の変動に
影響を受けないようにする必要がある。従来のＶＳＩＳ
レーザでは活性層厚 d2＝０．１μｍ、クラッド層厚 であるので、ΔＮ＝１．５×１０−２と十分大きい反
面、Ｖ−チャネル外側の吸収がΔα＝２０００cm−１と
大き過ぎる。
このΔαが大き過ぎると、そこで光の位相が遅れ、ビー
ムウエストは端面より奥へ入り込み易くなる。その上、
微分量子効率も１５％以下に低くなる。
ムウエストは端面より奥へ入り込み易くなる。その上、
微分量子効率も１５％以下に低くなる。
以上述べた理由により、ΔＮはできるだけ大きく、Δα
はできるだけ小さくするような活性層厚d2とｐ−クラッ
ド層厚 が存在するはずである。そこで、 の比をパラメータＲと定義し、d2及び にどう依存するかを計算により調べた。
はできるだけ小さくするような活性層厚d2とｐ−クラッ
ド層厚 が存在するはずである。そこで、 の比をパラメータＲと定義し、d2及び にどう依存するかを計算により調べた。
第３図はＲパラメータのd2依存性、第４図はＲパラメー
タの 依存性を夫々示している。これらの図からＲパラメータ
はd2に大きく依存し、 にはほとんど依存しないことがわかった。
タの 依存性を夫々示している。これらの図からＲパラメータ
はd2に大きく依存し、 にはほとんど依存しないことがわかった。
そこで、本発明者等は、種々の活性層厚d2を有するサン
プルについて、ビームウエストの端面からの距離が３μ
ｍ以内にあるものおよび３μｍより奥にあるものについ
て、 を算出したところ、第５図に示すような結果を得た。
プルについて、ビームウエストの端面からの距離が３μ
ｍ以内にあるものおよび３μｍより奥にあるものについ
て、 を算出したところ、第５図に示すような結果を得た。
第５図において、○印はビームウエストが端面から３μ
ｍ以内にある場合を示し、×印はビームウエストが端面
から３μｍよりも奥にある場合を示す。
ｍ以内にある場合を示し、×印はビームウエストが端面
から３μｍよりも奥にある場合を示す。
上記第５図から明らかなように、ビームウエストが端面
から３μｍ以内にあるようにするには、 Ｒ≧１．５であればよいことが分かる。
から３μｍ以内にあるようにするには、 Ｒ≧１．５であればよいことが分かる。
上記条件を満足するようにすれば、高出力まで横モード
が安定で非点収差のない半導体レーザが実現できること
がわかった。従って、活性層厚d2はＩthが増加しない範
囲で薄い方が良く、p−クラッド層厚 は上の条件を満足するまで厚くした方が良い。
が安定で非点収差のない半導体レーザが実現できること
がわかった。従って、活性層厚d2はＩthが増加しない範
囲で薄い方が良く、p−クラッド層厚 は上の条件を満足するまで厚くした方が良い。
本発明の半導体レーザのもう１つの利点は、従来のＶＳ
ＩＳレーザが一段の屈折率／損失分布により横モードを
決定しているのに対し、二段の屈折率／損失分布により
横モードを固定しているので、高出力動作においても、
ピークシフトが見られないことである。
ＩＳレーザが一段の屈折率／損失分布により横モードを
決定しているのに対し、二段の屈折率／損失分布により
横モードを固定しているので、高出力動作においても、
ピークシフトが見られないことである。
本発明のレーザは p−クラッド層厚 の層厚制御の点からも優れている。なぜなら、広幅溝１
９の深さＤはエッチングによって形成するので基板全面
で均一となり、また、液相エピタキシャル法による広幅
溝１９の外側の p−クラッド層 は０．１５μｍ程度までは内面で均一な層厚が得られる
からである。従って、 は面内でほとんど均一となる。もし、０．３μｍの厚さ
を液相エピタキシャル法だけで形成しようとすると、層
厚は傾き易く、０．２〜０．４５μｍと不均一になり易
い。このレーザをＢＳＩＳレーザ(Broad - channelled
Ｓubstrate Ｉnner Ｓtripe laser) と命名し
た。
９の深さＤはエッチングによって形成するので基板全面
で均一となり、また、液相エピタキシャル法による広幅
溝１９の外側の p−クラッド層 は０．１５μｍ程度までは内面で均一な層厚が得られる
からである。従って、 は面内でほとんど均一となる。もし、０．３μｍの厚さ
を液相エピタキシャル法だけで形成しようとすると、層
厚は傾き易く、０．２〜０．４５μｍと不均一になり易
い。このレーザをＢＳＩＳレーザ(Broad - channelled
Ｓubstrate Ｉnner Ｓtripe laser) と命名し
た。
〈実施例〉 ＧaＡs−ＧaＡｌＡs系の化合物半導体を用いて、本発明
の半導体レーザ素子の実施例について説明する。
の半導体レーザ素子の実施例について説明する。
第１図に示すように、 p型ＧaＡs 基板１１の（100）面
上にn 型ＧaＡs の電流阻止層１２を０．８μｍの厚さ
に、液相エピタキシャル成長させ、その表面よりホトリ
ソグラフィ技術とケミカル・エッチングによって、幅w1
＝６．５μｍ、深さＤ＝０．２μｍの溝１９を形成し
た。次に、溝１９の中心部に幅w2＝３．５μｍのＶ字形
溝２０をp−ＧaＡs基板１１に到達するようにエッチン
グした。このようにして形成された二段式チャネルを有
する基板上に p−Ｇa0.5Ａｌ0.5Ａsクラッド層１３、p
−Ｇa0.85Ａｌ0.15Ａs活性層１４、n−Ｇa0.5Ａｌ0.5Ａ
sクラッド層１５、n−ＧaＡsキャップ層１６からなるダ
ブルヘテロ構造を液相エピタキシャル成長させた。層厚
は、 d2＝０．０６μｍになるようにした。この時、計算によ
り求められるＲパラメータ、ΔＮ及びΔαはそれぞれ、
２，８×１０−３及び６５０cm−１である。
上にn 型ＧaＡs の電流阻止層１２を０．８μｍの厚さ
に、液相エピタキシャル成長させ、その表面よりホトリ
ソグラフィ技術とケミカル・エッチングによって、幅w1
＝６．５μｍ、深さＤ＝０．２μｍの溝１９を形成し
た。次に、溝１９の中心部に幅w2＝３．５μｍのＶ字形
溝２０をp−ＧaＡs基板１１に到達するようにエッチン
グした。このようにして形成された二段式チャネルを有
する基板上に p−Ｇa0.5Ａｌ0.5Ａsクラッド層１３、p
−Ｇa0.85Ａｌ0.15Ａs活性層１４、n−Ｇa0.5Ａｌ0.5Ａ
sクラッド層１５、n−ＧaＡsキャップ層１６からなるダ
ブルヘテロ構造を液相エピタキシャル成長させた。層厚
は、 d2＝０．０６μｍになるようにした。この時、計算によ
り求められるＲパラメータ、ΔＮ及びΔαはそれぞれ、
２，８×１０−３及び６５０cm−１である。
次に、基板裏面をラッピングすることにより半導体レー
ザ素子の厚さを約１００μｍとした後、n−ＧaＡsキャ
ップ層１６表面には n側電極として、Ａu−Ｇe−Ｎi
を、また、半導体レーザ素子１１裏面には p側電極とし
てＡu−Ｚnを蒸着し、４５０℃に加熱して合金化した。
その後、共振器長が２５０μｍになるように劈開した。
ザ素子の厚さを約１００μｍとした後、n−ＧaＡsキャ
ップ層１６表面には n側電極として、Ａu−Ｇe−Ｎi
を、また、半導体レーザ素子１１裏面には p側電極とし
てＡu−Ｚnを蒸着し、４５０℃に加熱して合金化した。
その後、共振器長が２５０μｍになるように劈開した。
このように、本発明のＢＳＩＳレーザの製作方法は容易
である。本実施例のＢＳＩＳレーザはしきい値電流Ｉth
＝４５mＡ、発振波長λ＝７８０ｎｍで発振し、ほとん
どの素子が発光出力４０mＷまで安定な基本横モードで
動作し、近視野像，遠視野像ともにピークシフトは見ら
れなかった。更に、ビームウエストは接合に平行方向と
垂直方向ともに、４０mＷまで端面に一致していた。微
分量子効率は片面で２５％であった。
である。本実施例のＢＳＩＳレーザはしきい値電流Ｉth
＝４５mＡ、発振波長λ＝７８０ｎｍで発振し、ほとん
どの素子が発光出力４０mＷまで安定な基本横モードで
動作し、近視野像，遠視野像ともにピークシフトは見ら
れなかった。更に、ビームウエストは接合に平行方向と
垂直方向ともに、４０mＷまで端面に一致していた。微
分量子効率は片面で２５％であった。
第６図は第１図で示す実施例の溝形成をＲＩＥ（リアク
ティブ・イオン・エッチング）により行った場合の断面
図である。ケミカル・エッチングによって形成した溝と
比較して、溝側面がテーパーをもたないところに特徴が
ある。このＲＩＥを利用して製作したＢＳＩＳレーザも
前実施例とほとんど同じ特性を示した。
ティブ・イオン・エッチング）により行った場合の断面
図である。ケミカル・エッチングによって形成した溝と
比較して、溝側面がテーパーをもたないところに特徴が
ある。このＲＩＥを利用して製作したＢＳＩＳレーザも
前実施例とほとんど同じ特性を示した。
〈発明の効果〉 以上述べたように、本発明の半導体レーザ（ＢＳＩＳレ
ーザ）は、二段式チャネルによる二段の屈折率／損失分
布、及び活性層厚、p −クラッド層厚の制御によるＲパ
ラメータ、ΔＮ，Δαの最適化により、高出力まで安定
横モード，無非点収差が実現できる。
ーザ）は、二段式チャネルによる二段の屈折率／損失分
布、及び活性層厚、p −クラッド層厚の制御によるＲパ
ラメータ、ΔＮ，Δαの最適化により、高出力まで安定
横モード，無非点収差が実現できる。
なお、本発明の半導体レーザ素子は、上述したＧaＡs−
ＧaＡｌＡs系に限定されず、ＩnＰ−ＩnＧaＡsＰ系やそ
の他のヘテロ接合レーザ素子に適用することができる。
また、成長方法は液相エピタキシャル(ＬＰＥ)法に限定
されず、ＭＯ−ＣＶＤ法，ＶＰＥ法，ＭＢＥ法等も適用
することができる。
ＧaＡｌＡs系に限定されず、ＩnＰ−ＩnＧaＡsＰ系やそ
の他のヘテロ接合レーザ素子に適用することができる。
また、成長方法は液相エピタキシャル(ＬＰＥ)法に限定
されず、ＭＯ−ＣＶＤ法，ＶＰＥ法，ＭＢＥ法等も適用
することができる。
第１図は本発明のＢＳＩＳレーザの断面図， 第２図は複素屈折率差 と実数部 と虚数部 の p−クラッド層厚 依存性を示すグラフ， 第３図はＲパラメータの活性層厚d2依存性を示すグラ
フ， 第４図はＲパラメータのp−クラッド層厚 依存性を示すグラフ， 第５図は Ｒパラメータの最適範囲の説明図， 第６図は本発明の他の実施例の断面図， 第７図は従来のＶＳＩＳレーザの断面図である。 １１，２１……p−ＧaＡs基板， １２，２２……n−ＧaＡs電流阻止層， １３，２３……p−ＧaＡｌＡsクラッド層， １４，２４……p−ＧaＡｌＡs活性層， １５，２５……n−ＧaＡｌＡsクラッド層， １６，２６……n−ＧaＡsキャップ層， １７，２７……n側電極， １８，２８……p側電極， １９，２９……幅w1，深さＤをもつ溝， ２０，３０……幅w2をもつ溝。
フ， 第４図はＲパラメータのp−クラッド層厚 依存性を示すグラフ， 第５図は Ｒパラメータの最適範囲の説明図， 第６図は本発明の他の実施例の断面図， 第７図は従来のＶＳＩＳレーザの断面図である。 １１，２１……p−ＧaＡs基板， １２，２２……n−ＧaＡs電流阻止層， １３，２３……p−ＧaＡｌＡsクラッド層， １４，２４……p−ＧaＡｌＡs活性層， １５，２５……n−ＧaＡｌＡsクラッド層， １６，２６……n−ＧaＡsキャップ層， １７，２７……n側電極， １８，２８……p側電極， １９，２９……幅w1，深さＤをもつ溝， ２０，３０……幅w2をもつ溝。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 矢野 盛規 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−63885（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に、広狭２段の溝幅を有するチャネ
ルが形成され、少なくとも上記チャネル部にダブルヘテ
ロ接合構造が形成され、該ダブルヘテロ接合部の狭幅の
溝部の内側と外側との複素屈折率差 の実数部 が４×１０−３以上、虚数部 が４×１０−３以下で、その比 が１．５以上であることを特徴とする半導体レーザ素
子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59101354A JPH0636456B2 (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 半導体レ−ザ素子 |
| EP85302632A EP0162569A3 (en) | 1984-04-17 | 1985-04-15 | A semiconductor laser |
| DE90111456T DE3587561T2 (de) | 1984-04-17 | 1985-04-15 | Halbleiterlaser. |
| EP90111456A EP0396157B1 (en) | 1984-04-17 | 1985-04-15 | A semiconductor laser |
| US06/723,390 US4677633A (en) | 1984-04-17 | 1985-04-15 | Semiconductor laser with a two-striped channel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59101354A JPH0636456B2 (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245189A JPS60245189A (ja) | 1985-12-04 |
| JPH0636456B2 true JPH0636456B2 (ja) | 1994-05-11 |
Family
ID=14298496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59101354A Expired - Fee Related JPH0636456B2 (ja) | 1984-04-17 | 1984-05-18 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0636456B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2203117C (en) * | 1994-10-18 | 2001-12-25 | Atsushi Okubo | Semiconductor laser device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5763885A (en) * | 1980-10-06 | 1982-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser device |
-
1984
- 1984-05-18 JP JP59101354A patent/JPH0636456B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60245189A (ja) | 1985-12-04 |
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