JPS5961981A - 半導体レ−ザ− - Google Patents
半導体レ−ザ−Info
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- JPS5961981A JPS5961981A JP57172201A JP17220182A JPS5961981A JP S5961981 A JPS5961981 A JP S5961981A JP 57172201 A JP57172201 A JP 57172201A JP 17220182 A JP17220182 A JP 17220182A JP S5961981 A JPS5961981 A JP S5961981A
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- semiconductor laser
- region
- light
- refractive index
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1053—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction
- H01S5/1064—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction varying width along the optical axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は例えば光学式ビデオディスク、デシクルオーデ
ィオディスク等の記録、或いは再生装置において、その
記録或いは読出しの光源として用いられて好適な半導体
レーザーに係る。
ィオディスク等の記録、或いは再生装置において、その
記録或いは読出しの光源として用いられて好適な半導体
レーザーに係る。
１１景技術とその問題点
従来一般の半導体レーザーは、その垂直方向のモードの
閉じ込め機構によって屈折率カイト（インデックスガイ
ド）型と利得ガイド（ゲインガイド）型に大別される。
閉じ込め機構によって屈折率カイト（インデックスガイ
ド）型と利得ガイド（ゲインガイド）型に大別される。
屈折率ガイド型の半導体レーザーの例としては、例えば
第１図にボずものが挙げられる。この半導体レーザーは
Ｎ型のＧａＡｓ基板ｆＪ、）上に、Ｎ型のへＩｙＧａ１
−ｙ八Ｓよりなる第１クラツドＪ偕（２）と、Ｎ型のＡ
ｌｘＧａ１−ｙΔＳよりなる活性層（３）と、Ｎ型の同
様にへ１ｙＧａ１−ｙ八Ｓよりなる第２のクラッド層（
４）とＮ型のＧａＡｓギヤノブ層（５）が順次エピクキ
シャ店成長され、その例えば中央に第１図においてａ、
而と直交する方向に延長してストライプ状にＰ型の不純
物のＺｎが選択的拡散等によって注入されてなる高屈折
率層（６）が形成されてなる。この高屈折率層（６）の
深さは、活性層（３月Ｉ）に入り込む深さか或いはこれ
より数千人だけ第１のクラット層（２）に入り込む程度
の深さに選定される。半導体！ｔＪ （５１の表面には
５ｉＣｈ等の絶ＩＩＩ！、層（７）が形成され、これに
穿設された電極窓を通じて高屈折率層（６）上にオーミ
ックに電極（８）が被着され、基板＋１１の裏面に他方
の電極（９）が同様にオーミックに被着されてなる。こ
のようにして活性層（３）に層（６）が存在する部分と
存在しない部分との間に屈折率差を形成してこれによっ
て発光領域の規制がなされる。
第１図にボずものが挙げられる。この半導体レーザーは
Ｎ型のＧａＡｓ基板ｆＪ、）上に、Ｎ型のへＩｙＧａ１
−ｙ八Ｓよりなる第１クラツドＪ偕（２）と、Ｎ型のＡ
ｌｘＧａ１−ｙΔＳよりなる活性層（３）と、Ｎ型の同
様にへ１ｙＧａ１−ｙ八Ｓよりなる第２のクラッド層（
４）とＮ型のＧａＡｓギヤノブ層（５）が順次エピクキ
シャ店成長され、その例えば中央に第１図においてａ、
而と直交する方向に延長してストライプ状にＰ型の不純
物のＺｎが選択的拡散等によって注入されてなる高屈折
率層（６）が形成されてなる。この高屈折率層（６）の
深さは、活性層（３月Ｉ）に入り込む深さか或いはこれ
より数千人だけ第１のクラット層（２）に入り込む程度
の深さに選定される。半導体！ｔＪ （５１の表面には
５ｉＣｈ等の絶ＩＩＩ！、層（７）が形成され、これに
穿設された電極窓を通じて高屈折率層（６）上にオーミ
ックに電極（８）が被着され、基板＋１１の裏面に他方
の電極（９）が同様にオーミックに被着されてなる。こ
のようにして活性層（３）に層（６）が存在する部分と
存在しない部分との間に屈折率差を形成してこれによっ
て発光領域の規制がなされる。
また、利１ηガイド型の半導体レーザーの例としては、
例えば第２図に示すものが挙げられる。この場合におい
ても例えはＮ型のＧａＡｓ基板（１）上にＮ型のＡｌｙ
Ｇａ１−ｙ 八ｓよりなる第１のクラッド層（２）が
形成されこれの上にＮ型若しくはＰ型のＡＩＸ Ｇａ１
．、ｙ Ａｓよりなる活性層（３）、更にこれの上に１
）型のへ１ｙＧａｌ−ｙ八Ｓよりなる第２のクラッド層
（４）、更にこれの上にＮ型のＧａＡｓキ十ツブ層（５
）が夫々順次エピタキシャル成長されて形成され、例え
ば中央には同様に第２図において紙面と直交する方向に
延在するストライプ状のＰ型の不純物例えばＺｎが選択
的に拡散された領域００）が形成される。この領域ａＯ
＋の深さは、第２のクラッド層（４）中に至る深さに選
定される。この場合におい′Ｃも、半導体層（５）上に
絶縁層（７）が被着され、これに穿設されたストライブ
状の電極窓を通じて領域００）上に一方の電極（８）が
オーミック接続をもつ一ζ被着され、また基板（１）の
裏面に他方の電極（９）がオーミック接続をもって被着
されてなる。このような構成による半導体レーザーにお
いζは、そのストライプ伏領域００１によって動作電流
の築中がなされこのストライブ直下例近に注入される動
作電流により活性層内でレーザー発振が行われるように
なされる。すなわち活性層の注入キャリアの横方向の濃
度分布に起因するゲイン分布が横モードを決めるように
なされている。
例えば第２図に示すものが挙げられる。この場合におい
ても例えはＮ型のＧａＡｓ基板（１）上にＮ型のＡｌｙ
Ｇａ１−ｙ 八ｓよりなる第１のクラッド層（２）が
形成されこれの上にＮ型若しくはＰ型のＡＩＸ Ｇａ１
．、ｙ Ａｓよりなる活性層（３）、更にこれの上に１
）型のへ１ｙＧａｌ−ｙ八Ｓよりなる第２のクラッド層
（４）、更にこれの上にＮ型のＧａＡｓキ十ツブ層（５
）が夫々順次エピタキシャル成長されて形成され、例え
ば中央には同様に第２図において紙面と直交する方向に
延在するストライプ状のＰ型の不純物例えばＺｎが選択
的に拡散された領域００）が形成される。この領域ａＯ
＋の深さは、第２のクラッド層（４）中に至る深さに選
定される。この場合におい′Ｃも、半導体層（５）上に
絶縁層（７）が被着され、これに穿設されたストライブ
状の電極窓を通じて領域００）上に一方の電極（８）が
オーミック接続をもつ一ζ被着され、また基板（１）の
裏面に他方の電極（９）がオーミック接続をもって被着
されてなる。このような構成による半導体レーザーにお
いζは、そのストライプ伏領域００１によって動作電流
の築中がなされこのストライブ直下例近に注入される動
作電流により活性層内でレーザー発振が行われるように
なされる。すなわち活性層の注入キャリアの横方向の濃
度分布に起因するゲイン分布が横モードを決めるように
なされている。
上述した屈折率ガイド型の半導体レーザー及び利得ガイ
ド型半導体レーザーは、夫々利点を有する反面人々欠点
を有する。すなわち、屈折率ガイド型によるものにおい
°ζは、その縦モードが単一モードであるため例えば光
学式ビデオディスク等においてのその書込み或いは続出
し用光源として用いた場合に戻り光によるノイズに弱い
という欠点がある反面、いわゆるビームウェスト位置（
ｂｅａｍ ｗａｉｓｔ ｐｏｓｉｔｉｏｎ ）が発光領
域の先端面近傍に存するために実際の使用に当っての焦
点位置の設定がし易いという利点を有する。更にまた接
合に平行方向に関する断面における遠距離像、いわゆる
ファーフィールドパターン（ｆａｒ ｆｉｅｌｄｐａｔ
ｔｅｒｎ ）が左右対称的であって同様に例えば実際の
使用における読出し或いは書込み光として歪力の小さい
スポット形状を得易いという利点がある。これに比し上
述した利得ガイド型半導体レーザーにおいては、ビーム
ウェスト位置が発光領域の光端面より内側２０μｍ程度
のとごろに存在し′Ｃしまい、更にまたファーフィール
ドパターンが左右非対称であるために非点収差が人でス
ポット歪のが比較的大きくなるという欠点がある。しか
しながらこの利得ガイド型半導体レーザーにおい−Ｃは
、その紺モードがマルチモードであって前述した戻り光
によるノイスに強いという利点を有する。
ド型半導体レーザーは、夫々利点を有する反面人々欠点
を有する。すなわち、屈折率ガイド型によるものにおい
°ζは、その縦モードが単一モードであるため例えば光
学式ビデオディスク等においてのその書込み或いは続出
し用光源として用いた場合に戻り光によるノイズに弱い
という欠点がある反面、いわゆるビームウェスト位置（
ｂｅａｍ ｗａｉｓｔ ｐｏｓｉｔｉｏｎ ）が発光領
域の先端面近傍に存するために実際の使用に当っての焦
点位置の設定がし易いという利点を有する。更にまた接
合に平行方向に関する断面における遠距離像、いわゆる
ファーフィールドパターン（ｆａｒ ｆｉｅｌｄｐａｔ
ｔｅｒｎ ）が左右対称的であって同様に例えば実際の
使用における読出し或いは書込み光として歪力の小さい
スポット形状を得易いという利点がある。これに比し上
述した利得ガイド型半導体レーザーにおいては、ビーム
ウェスト位置が発光領域の光端面より内側２０μｍ程度
のとごろに存在し′Ｃしまい、更にまたファーフィール
ドパターンが左右非対称であるために非点収差が人でス
ポット歪のが比較的大きくなるという欠点がある。しか
しながらこの利得ガイド型半導体レーザーにおい−Ｃは
、その紺モードがマルチモードであって前述した戻り光
によるノイスに強いという利点を有する。
発明の目的
本発明は、上述した屈折率型半導体レーザーと利得ガイ
ド型半導体レーザーの両者の利点を生かし、両者の欠点
を相補うようにして例えば光学式ビデオディスク或いは
デジタルオーディオディスク等のν（込め或いは読出し
光源としてそのスポット形状に優れ、光学式レンズ等の
設剖を容易にし、更に優れたビームスポット形状が容易
に得られるようにした半導体レーザーを提供するもので
ある。
ド型半導体レーザーの両者の利点を生かし、両者の欠点
を相補うようにして例えば光学式ビデオディスク或いは
デジタルオーディオディスク等のν（込め或いは読出し
光源としてそのスポット形状に優れ、光学式レンズ等の
設剖を容易にし、更に優れたビームスポット形状が容易
に得られるようにした半導体レーザーを提供するもので
ある。
発明の概要
本発明においては、平坦な活性層にストライブ状の発光
領域が形成され、この発光領域の光端面部において屈折
率ガイド的に動作させる手段を有すると共に、この発光
領域の光端面部より内側に相当する中央部において利得
ガイド的に動作させる手段を設ける。
領域が形成され、この発光領域の光端面部において屈折
率ガイド的に動作させる手段を有すると共に、この発光
領域の光端面部より内側に相当する中央部において利得
ガイド的に動作させる手段を設ける。
実施例
第３図及び第４図を参照して本発明の詳細な説明しよう
。第３図は本発明による半導体レーザーの一例の拡大路
線的斜視図で、第４図はその鎖線ａに沿う面で切断した
拡大路線的斜視図である。
。第３図は本発明による半導体レーザーの一例の拡大路
線的斜視図で、第４図はその鎖線ａに沿う面で切断した
拡大路線的斜視図である。
本発明においても、箱１導電型の基板（１１）、例えば
Ｎ型のＧａＡｓ単結晶基板を設け、その−主面−にに基
板（１１）と同導電型を有しバッファ層兼第１クラッド
層となる第１の半導体ＩＷ（１２）、例えばＮ型の＾１
ｙＧａｌ−ｙΔＳ層をエピタキシャル成長し、更にこれ
の上に第１導電型或いはこれとは逆の第２導電型を有す
る活性層となる第２の半導体層（１３）ｉ列えばへ１ｘ
Ｇａｌ−ｙへｓ層をエビクキシャル成Ｉ司し、史にこれ
のにに第２導電型の第２のクラッド層となる第３の半導
体層（１４）例えばＰ型の八Ｉｙ Ｇａ１ｙ八ｓ１へを
コニピタキシャル成１良し、史にこれの一ヒに第１導電
型のキャップ層となる第４の半導体１ｍ （１５） 、
例えばＮ型のＧＨｚｂ層を同様にエピタキシャル成長す
る。これら半導体層（１２）〜（１５）の各エピタキシ
ャル成長は、例えばトリメチルアルミニウム、トリメチ
ルガリウム、アルシンを反応ガスとする熱分解法或いは
液晶エピタキシ中ル法等によっζ一連の連続した作業に
よって形成し得る。尚、実際上半導体レーザーを得るに
当たっては、」二連したように基体（１１）上に各半導
体層（１２）〜（１５）をエピタキシャル成長して得た
半導体ウェファ−より複数個の半導体レーザーをいわゆ
るペレソタイズし′（得るものであり、この場合レーザ
ー光のとり出し側となる相対向するｉ’１ｊ（１６ａ）
及び（１６ｂ）においては、臂開面がその切断面とし°
ζ生ずるようになされ、他の相対向する側面（１６Ｃ，
）及び（１６ｄ）におい”Ｃは機械的切断法等の任意°
の方法によって分Ｗ１されてなる。
Ｎ型のＧａＡｓ単結晶基板を設け、その−主面−にに基
板（１１）と同導電型を有しバッファ層兼第１クラッド
層となる第１の半導体ＩＷ（１２）、例えばＮ型の＾１
ｙＧａｌ−ｙΔＳ層をエピタキシャル成長し、更にこれ
の上に第１導電型或いはこれとは逆の第２導電型を有す
る活性層となる第２の半導体層（１３）ｉ列えばへ１ｘ
Ｇａｌ−ｙへｓ層をエビクキシャル成Ｉ司し、史にこれ
のにに第２導電型の第２のクラッド層となる第３の半導
体層（１４）例えばＰ型の八Ｉｙ Ｇａ１ｙ八ｓ１へを
コニピタキシャル成１良し、史にこれの一ヒに第１導電
型のキャップ層となる第４の半導体１ｍ （１５） 、
例えばＮ型のＧＨｚｂ層を同様にエピタキシャル成長す
る。これら半導体層（１２）〜（１５）の各エピタキシ
ャル成長は、例えばトリメチルアルミニウム、トリメチ
ルガリウム、アルシンを反応ガスとする熱分解法或いは
液晶エピタキシ中ル法等によっζ一連の連続した作業に
よって形成し得る。尚、実際上半導体レーザーを得るに
当たっては、」二連したように基体（１１）上に各半導
体層（１２）〜（１５）をエピタキシャル成長して得た
半導体ウェファ−より複数個の半導体レーザーをいわゆ
るペレソタイズし′（得るものであり、この場合レーザ
ー光のとり出し側となる相対向するｉ’１ｊ（１６ａ）
及び（１６ｂ）においては、臂開面がその切断面とし°
ζ生ずるようになされ、他の相対向する側面（１６Ｃ，
）及び（１６ｄ）におい”Ｃは機械的切断法等の任意°
の方法によって分Ｗ１されてなる。
そして、例えばこのペレノクイスｎ；１におＩＪるウェ
ファ状において、側面（１６ａ）及び（１６ｂ）を形成
する方向に沿って所要の間隔ｌをもつ一ζ所要の幅の溝
を例えば選択的にエツチングＪることによって、この半
導体ｊ響（１５）に、中央部に肉厚部（１５ｆ）を、そ
の両側に肉薄部（１５ｔ＋）及び（１５ｔ２）を形成す
る。その後、キャップＩｔｓ（１５）の表面側より選択
的に肉薄部（１５ｔユ）、肉厚部（］５ｆ）、肉薄部（
１５Ｌ２）に差渡っ゛（ストライプ状にＰ型すなわち第
２導電型の不純物のＺｎを拡１１＆法或いはイオン注入
法等によって導入する。この場合、導入の表ｉｆ＋ｉか
らの深さは各部はぼ一様になして、肉ｊマ部（１５ｆ）
を有する部分と肉ａ１部（１５ｔ＋ ）及び（１５ｈ）
を有する部分とで不純物導入領域（１７）の底面位置を
異ならしめる。すなわちこの場合例えば、これの後にペ
レソタイズされ゛（生ずる側面（１６ａ）及び（１６ｂ
）に接する部分においζは、活性層（１３）を横切るか
、活性層（１１）か、或いは第１のクラッド１４１ （
１２） 中に数十へ程度の深さに入り込むようにじてこ
の両側面（１６ａ）及び（１６ｂ）に接する部分、すな
わち端面において第１し１で説明した屈折率ガイド機構
的作用をなす手段（１１３ａ）及び（１８ｂ）を形成し
、またこれより内側の肉厚部（１５ｆ）を有する中央部
においては不純物導入領域（１７）が活性層に達するこ
となくその底面が第２のクラッド層（１４）中に存在す
るようになし−ご第２図で説明した利得ガイド的動作を
行わしめる手段（１８ｃ）を構成する。そして図示しな
いがごのストライブ状の領域（１７）上に一方の電極を
オーミック接続をもって被着し、基鈑（１１）の裏面に
他方の電極をオーミック接続をもって被着する。
ファ状において、側面（１６ａ）及び（１６ｂ）を形成
する方向に沿って所要の間隔ｌをもつ一ζ所要の幅の溝
を例えば選択的にエツチングＪることによって、この半
導体ｊ響（１５）に、中央部に肉厚部（１５ｆ）を、そ
の両側に肉薄部（１５ｔ＋）及び（１５ｔ２）を形成す
る。その後、キャップＩｔｓ（１５）の表面側より選択
的に肉薄部（１５ｔユ）、肉厚部（］５ｆ）、肉薄部（
１５Ｌ２）に差渡っ゛（ストライプ状にＰ型すなわち第
２導電型の不純物のＺｎを拡１１＆法或いはイオン注入
法等によって導入する。この場合、導入の表ｉｆ＋ｉか
らの深さは各部はぼ一様になして、肉ｊマ部（１５ｆ）
を有する部分と肉ａ１部（１５ｔ＋ ）及び（１５ｈ）
を有する部分とで不純物導入領域（１７）の底面位置を
異ならしめる。すなわちこの場合例えば、これの後にペ
レソタイズされ゛（生ずる側面（１６ａ）及び（１６ｂ
）に接する部分においζは、活性層（１３）を横切るか
、活性層（１１）か、或いは第１のクラッド１４１ （
１２） 中に数十へ程度の深さに入り込むようにじてこ
の両側面（１６ａ）及び（１６ｂ）に接する部分、すな
わち端面において第１し１で説明した屈折率ガイド機構
的作用をなす手段（１１３ａ）及び（１８ｂ）を形成し
、またこれより内側の肉厚部（１５ｆ）を有する中央部
においては不純物導入領域（１７）が活性層に達するこ
となくその底面が第２のクラッド層（１４）中に存在す
るようになし−ご第２図で説明した利得ガイド的動作を
行わしめる手段（１８ｃ）を構成する。そして図示しな
いがごのストライブ状の領域（１７）上に一方の電極を
オーミック接続をもって被着し、基鈑（１１）の裏面に
他方の電極をオーミック接続をもって被着する。
」二連の本発明による半導体レーザーによれば、屈折率
ガイド型Ｗｔ成と利得ガイド型構成との両育が１つの半
導体レーザーに組込まれた構成を自するものである。ず
なわぢ、本発明においては、ストライブ状の領域（１７
）によっ°ζ電流通路の制限がなされて活性層に所要の
幅に規制された領域が形成されるものごあり、従ってそ
の発振姿態の縦モードは、マルチモードとされこれがた
め前述したように戻り光によるノイズの影響が小さくで
きるという利益を奏することができる。また、この発振
領域の側面、すなわち光導出面（１６ａ）、（１６ｂ）
の光端面部におい゛ζ屈折率ガイド動作手段が設けられ
たことによってそのビームウェストポジションをこの端
面位置に持ち来すことができる効果が奏され、またファ
ーフィールドパターンの左右対称性の向上ができ、これ
がためこの半導体レーザーを用いた場合のビームスポッ
トの焦点の形成、設定が止確且つ容易となり、またその
スポット形状は歪みの少ないスポット形状となすことが
できる。
ガイド型Ｗｔ成と利得ガイド型構成との両育が１つの半
導体レーザーに組込まれた構成を自するものである。ず
なわぢ、本発明においては、ストライブ状の領域（１７
）によっ°ζ電流通路の制限がなされて活性層に所要の
幅に規制された領域が形成されるものごあり、従ってそ
の発振姿態の縦モードは、マルチモードとされこれがた
め前述したように戻り光によるノイズの影響が小さくで
きるという利益を奏することができる。また、この発振
領域の側面、すなわち光導出面（１６ａ）、（１６ｂ）
の光端面部におい゛ζ屈折率ガイド動作手段が設けられ
たことによってそのビームウェストポジションをこの端
面位置に持ち来すことができる効果が奏され、またファ
ーフィールドパターンの左右対称性の向上ができ、これ
がためこの半導体レーザーを用いた場合のビームスポッ
トの焦点の形成、設定が止確且つ容易となり、またその
スポット形状は歪みの少ないスポット形状となすことが
できる。
尚、屈折率ガイド的動作を行わしめる手段としては上述
したような活性層に至るＺｎ導入領域（１７）による形
成に限らず、例えば第２のクラッド層中に埋込まれた光
吸収層によって形成した作り付けの屈折率差による屈折
率ガイド動作手段を構成するごともできる。この場合の
一例を第５図ないし第７図を参照して説明するに第５図
はその半導体レーザーの拡大路線的平面図を示し、第６
図及び第７図は第５図へ−へ線上及びＴ３− Ｂ線上の
拡大ｌＵｉ面図を示ず。尚、第５図ないし第７図におい
て第３図及び第４図の各部と対応する部分には同一符号
を４１し“ζ重複説明を省略するも、この例においＣは
、第２のクラッド層（１４）内に光吸収層（１８）を埋
込め形成した場合である。この光吸収層＜１ｆ３）は、
その禁ＩＩ−帯１ｌＶｉｆが４！１性屓（１３）におけ
るそれと同じかそれより人の高屈折率を有する。
したような活性層に至るＺｎ導入領域（１７）による形
成に限らず、例えば第２のクラッド層中に埋込まれた光
吸収層によって形成した作り付けの屈折率差による屈折
率ガイド動作手段を構成するごともできる。この場合の
一例を第５図ないし第７図を参照して説明するに第５図
はその半導体レーザーの拡大路線的平面図を示し、第６
図及び第７図は第５図へ−へ線上及びＴ３− Ｂ線上の
拡大ｌＵｉ面図を示ず。尚、第５図ないし第７図におい
て第３図及び第４図の各部と対応する部分には同一符号
を４１し“ζ重複説明を省略するも、この例においＣは
、第２のクラッド層（１４）内に光吸収層（１８）を埋
込め形成した場合である。この光吸収層＜１ｆ３）は、
その禁ＩＩ−帯１ｌＶｉｆが４！１性屓（１３）におけ
るそれと同じかそれより人の高屈折率を有する。
そしてこの例においては、キャップ層（１５）の表面は
、平坦に形成され、その両側面（１（ｉａ）及び（１６
ｂ）に差渡って所要の狭小の鳴１をもってストライブ状
に第２導電型の例えば不純物、例えばＺｎの導入領域（
１９）が設りられる。光吸収ＩＮ （Ｉｌｌは、第５図
に破線によってそのパターンをネオようにストライプ領
域域（１９）の両側トに、ずなゎらストライブ領域（１
９）の直十を挾んごその両側に配置されるものであり、
特にこの両側に配置された光吸収層口１；分ＣＩｔ））
間の間隔は、発光領域の両端向、ずなわら側面（１６ａ
）及び（１６ｂ）に臨む端部にオフいては、両者の間隔
が狭められてストライプ領域（１９）の直［・に迫るか
ないしは入込むようになされた小なる間隔１１ｎを有し
、これより内側（中央部側）においてはストライプ領域
（１９）の直下よりＡｌｌ ＩＮｊ Ｌだ位置に配置さ
れるような犬なる間隔１）ｗを自するパターンとなされ
る。またごごに光吸収層（ｊ８）と活性層（１３）との
間隔は、活性ｊｔＦｔ（１３）から発振する光が、光吸
収層（１８）に到達しくＭる距離で、その波長程度の距
離に選定される。
、平坦に形成され、その両側面（１（ｉａ）及び（１６
ｂ）に差渡って所要の狭小の鳴１をもってストライブ状
に第２導電型の例えば不純物、例えばＺｎの導入領域（
１９）が設りられる。光吸収ＩＮ （Ｉｌｌは、第５図
に破線によってそのパターンをネオようにストライプ領
域域（１９）の両側トに、ずなゎらストライブ領域（１
９）の直十を挾んごその両側に配置されるものであり、
特にこの両側に配置された光吸収層口１；分ＣＩｔ））
間の間隔は、発光領域の両端向、ずなわら側面（１６ａ
）及び（１６ｂ）に臨む端部にオフいては、両者の間隔
が狭められてストライプ領域（１９）の直［・に迫るか
ないしは入込むようになされた小なる間隔１１ｎを有し
、これより内側（中央部側）においてはストライプ領域
（１９）の直下よりＡｌｌ ＩＮｊ Ｌだ位置に配置さ
れるような犬なる間隔１）ｗを自するパターンとなされ
る。またごごに光吸収層（ｊ８）と活性層（１３）との
間隔は、活性ｊｔＦｔ（１３）から発振する光が、光吸
収層（１８）に到達しくＭる距離で、その波長程度の距
離に選定される。
このような構成によれは、ストライブ領域（１９）の存
在によって電流通路の制限、−３なゎｔ）？ｌｉｌ集流
がなされ゛（その利得ガイド′釣動作によ−、て活ｆ２
１゛１ｍ（１３）の中央部に限定的にキ、トリア注入に
よる動作電流が集中し、ごごに実効的発光領域が形成さ
れるものであるが、加えてこのような構成による場合そ
のストライブの両端におりる光吸収層（１８）が、スト
ライプ領域（１９）ｌ−に迫るようにストライプ領域（
１９）直−トに臨む部５３においては実質的にこれによ
る影響によって屈折４！ｉ差によるガイド動作が生じる
。そしてこの両端より内（則の中央部では光吸収層（１
８）が領域（１９）直下より充分遠去りらられ“ζいる
ことによってストライプ領域（１９）による利得ガイド
動作のめが寄与するごとになる。すなわち活性層（１３
）の発光領域から発生した光が光吸収１ｍ（１８）の存
在する部分に達する部分においζは、実質的に光の吸収
がなされ、ストライプ領域（１９）の直ト部とこれを挾
む両側の領域におい′ζ屈折率の差が生じ、結果的に作
り付けの屈折率差が形成されるごとによってこの部分に
おける従っζ特に発光領域の端面においてはＪ１■折率
ガイド動作が生じるごとになる。
在によって電流通路の制限、−３なゎｔ）？ｌｉｌ集流
がなされ゛（その利得ガイド′釣動作によ−、て活ｆ２
１゛１ｍ（１３）の中央部に限定的にキ、トリア注入に
よる動作電流が集中し、ごごに実効的発光領域が形成さ
れるものであるが、加えてこのような構成による場合そ
のストライブの両端におりる光吸収層（１８）が、スト
ライプ領域（１９）ｌ−に迫るようにストライプ領域（
１９）直−トに臨む部５３においては実質的にこれによ
る影響によって屈折４！ｉ差によるガイド動作が生じる
。そしてこの両端より内（則の中央部では光吸収層（１
８）が領域（１９）直下より充分遠去りらられ“ζいる
ことによってストライプ領域（１９）による利得ガイド
動作のめが寄与するごとになる。すなわち活性層（１３
）の発光領域から発生した光が光吸収１ｍ（１８）の存
在する部分に達する部分においζは、実質的に光の吸収
がなされ、ストライプ領域（１９）の直ト部とこれを挾
む両側の領域におい′ζ屈折率の差が生じ、結果的に作
り付けの屈折率差が形成されるごとによってこの部分に
おける従っζ特に発光領域の端面においてはＪ１■折率
ガイド動作が生じるごとになる。
従ってこの場合においても第３図及び第４図で訝１明し
た例におけると同様に屈折率ガイド型半導体レーザーの
特徴と利得ガイド型半導体レーザーにおける特性とが相
俟って優れたレーデ−スポットを得ることのできる半導
体レーザーが構成される。
た例におけると同様に屈折率ガイド型半導体レーザーの
特徴と利得ガイド型半導体レーザーにおける特性とが相
俟って優れたレーデ−スポットを得ることのできる半導
体レーザーが構成される。
面、光吸収層（１８）のパターンは、第８図に示すよう
にストライブの両端で小間隔Ｄｎとするが、これより内
側で大小側間隔Ｄｉｖ、 ｒｌｎが交」に配置されたジ
グザクパターンとすることもできる。
にストライブの両端で小間隔Ｄｎとするが、これより内
側で大小側間隔Ｄｉｖ、 ｒｌｎが交」に配置されたジ
グザクパターンとすることもできる。
尚、上述した光吸収層（１８）の形成方法としては、半
導体基板（１１）上に半導体層（１２） ＜１３）及
び第２のクラッド１ｉｆ（１４）の一部の厚さをエピタ
キシャル成長し、これの上に光吸収層（１Ｂ）を構成す
る半導体層を続いてエピタキシャル成長し、その後この
光吸収層を構成するエピタキシャル層を第５図ないし第
８図で示したような前述したパターンにエツチング除去
し、ごのエツチングＩｔ ｉされた部分に１ガび第２の
クラッド層を構成する半導体層（１４）を、光吸収Ｈ（
１８）のエツチング除去された部分を埋込むようにエピ
タキシャル成島し、これの上にキャップ層（１５）をコ
ニビタキシャル成長する。その後不純物Ｚｎの選択的拡
散或いは選１フク的イオン注入によってストライブ状の
領域（１９）を形成して得ることができる。
導体基板（１１）上に半導体層（１２） ＜１３）及
び第２のクラッド１ｉｆ（１４）の一部の厚さをエピタ
キシャル成長し、これの上に光吸収層（１Ｂ）を構成す
る半導体層を続いてエピタキシャル成長し、その後この
光吸収層を構成するエピタキシャル層を第５図ないし第
８図で示したような前述したパターンにエツチング除去
し、ごのエツチングＩｔ ｉされた部分に１ガび第２の
クラッド層を構成する半導体層（１４）を、光吸収Ｈ（
１８）のエツチング除去された部分を埋込むようにエピ
タキシャル成島し、これの上にキャップ層（１５）をコ
ニビタキシャル成長する。その後不純物Ｚｎの選択的拡
散或いは選１フク的イオン注入によってストライブ状の
領域（１９）を形成して得ることができる。
尚、第５図ないし第７図、及び第８図で説明したような
光吸収層（１８）が埋込まれた構造を採る場合、各半導
体層（１２）〜（１５）を連続したエピタキシャル成長
によって形成することができず、途中に例えばエソチン
クエ稈を介在さ−ヒるためにごのｊ−稈において例えば
特に４１を含む半導体層におい“（はごれが酸化され易
いために酸化膜が生じたりあるいはｔｌｊ染などが生し
て特性劣化を来す恐れがあ己〕。このような恐れがある
場合は、この光吸収ｗＪ（１８）をクラッド層中に埋込
んだ形態を採らずに虜面に最終的に形成するようになず
こともできる。第９図及び第１０図は、この場合の例を
示し、第１］図は発光領域の他面近傍の拡大断面図、第
１０図はそれより内側におりる拡大Ｗ「面図で、第１）
図及び第１０図において第６図及び第７図と対応」゛る
部分には同一符号を伺し′ζ車複説明を省１■８′□Ｊ
るも、ごの場合においては、光吸収Ｉｆｆ（１Ｂ）をク
ラッド層（１４）中に埋込むことなく半導体層（１２）
〜（１５）のエビクキシャル成長］−稈を終’ｊ’Ｌ、
’（後、キャップ層（ｉ５）上よりクラット層（１４）
に至る深さにメザエノ千ングを施し、これの−１−に光
吸収層（１８）となる半導体層をエピタキシートル成１
ηしてその後にス）・ライブ領域（１９）の選択的不純
物導入を行うようにすることもできる°・。この場合に
おい′Ｃも光吸収層のパターン、ずなわちメザエ・７チ
ングのパターンは第５図及び第８図で説明したと同様に
ス１−ライブ領域（１９）を挾むその両側の間隔が発光
領域の両１瑞而においてストライプ直トにすなわち電流
通路に臨む幅狭部とし中ソ４部においては幅広ないしは
ジグザグパターンとする。
光吸収層（１８）が埋込まれた構造を採る場合、各半導
体層（１２）〜（１５）を連続したエピタキシャル成長
によって形成することができず、途中に例えばエソチン
クエ稈を介在さ−ヒるためにごのｊ−稈において例えば
特に４１を含む半導体層におい“（はごれが酸化され易
いために酸化膜が生じたりあるいはｔｌｊ染などが生し
て特性劣化を来す恐れがあ己〕。このような恐れがある
場合は、この光吸収ｗＪ（１８）をクラッド層中に埋込
んだ形態を採らずに虜面に最終的に形成するようになず
こともできる。第９図及び第１０図は、この場合の例を
示し、第１］図は発光領域の他面近傍の拡大断面図、第
１０図はそれより内側におりる拡大Ｗ「面図で、第１）
図及び第１０図において第６図及び第７図と対応」゛る
部分には同一符号を伺し′ζ車複説明を省１■８′□Ｊ
るも、ごの場合においては、光吸収Ｉｆｆ（１Ｂ）をク
ラッド層（１４）中に埋込むことなく半導体層（１２）
〜（１５）のエビクキシャル成長］−稈を終’ｊ’Ｌ、
’（後、キャップ層（ｉ５）上よりクラット層（１４）
に至る深さにメザエノ千ングを施し、これの−１−に光
吸収層（１８）となる半導体層をエピタキシートル成１
ηしてその後にス）・ライブ領域（１９）の選択的不純
物導入を行うようにすることもできる°・。この場合に
おい′Ｃも光吸収層のパターン、ずなわちメザエ・７チ
ングのパターンは第５図及び第８図で説明したと同様に
ス１−ライブ領域（１９）を挾むその両側の間隔が発光
領域の両１瑞而においてストライプ直トにすなわち電流
通路に臨む幅狭部とし中ソ４部においては幅広ないしは
ジグザグパターンとする。
発明の効果
」二連したように本発明による半導体レーザーによれば
、発光領域の両端に屈折率ガイｉ゛動作機構を右する部
分を設け、これより内側の少なくとも一部には利得ガイ
ド動作機構を有する部分を設けたので両者の特徴が相俟
つ’ｒ ａＦする。すなわち、不発１９Ｂこれいては、
発光領域の端面にビームウェス１−位置が得られて史に
ファーフィールドパターンの対称性にすぐれていること
から、スポット中が少い焦点の出し易い光学的設計の容
易な半導体レーザーを構成することができ、また戻り先
のノイズが小さい半導体レーザーがｉＶられるので光パ
ｊ４式ビデオディスク等の記録或いは読出し光源として
用いてその記録及び読出しを正確に行わしめるごとがＣ
きる。
、発光領域の両端に屈折率ガイｉ゛動作機構を右する部
分を設け、これより内側の少なくとも一部には利得ガイ
ド動作機構を有する部分を設けたので両者の特徴が相俟
つ’ｒ ａＦする。すなわち、不発１９Ｂこれいては、
発光領域の端面にビームウェス１−位置が得られて史に
ファーフィールドパターンの対称性にすぐれていること
から、スポット中が少い焦点の出し易い光学的設計の容
易な半導体レーザーを構成することができ、また戻り先
のノイズが小さい半導体レーザーがｉＶられるので光パ
ｊ４式ビデオディスク等の記録或いは読出し光源として
用いてその記録及び読出しを正確に行わしめるごとがＣ
きる。
第１図及び第２図Ｇ、１人々従来の半導体レーザーの各
別のｔｌｊ、人Ｉυ「面図、第３図及び第４図は本発明
によるｉ１≧導体レーデ−の−例の拡大斜視図及びその
−・ｊ’ｉｌを切ｌｖｉ した拡大斜視図、第５図は本
発明による半導体レーデ−の他の例の拡大１１１面図、
第〔５図及び第７しＩは第５図へ−へ線］二及び１３−
１３線上の拡大断１ｆ１１図、第８図は他の例の拡大３
１１曲図、第９図及び第１０図は本発明による半導体レ
ーザーの史に他の例の夫々異なる曲におりる拡大１ｔｌ
Ｅ面図である。 （１１）は基板、（１２）〜（１５）は）１部専体１−
である。 同 松隈秀盛−２ 第１図 ツ 第２図 第３図 手続補正書 １．事イ１１の表示 昭和５７年特許願第 １７２２０１ 号２、発明の名
称半導体ッーザー ３、 ？ｉｌｉ ｊＦヲ１− ル者 ４、代 理 人 東京都新宿区西新°宿ＩＪ’ｌ」８計
１号（ｎ山ｌ（ニル）置東φ（（０３）３４３−５８２
］ を代表）６、補正により増加する発明の数 ７、補正の月 象 明細書の発明の詳細な説明の欄。 （ＩＩ Ｅ！Ａ細書中、第７頁、９行「液晶ゴを「液
相」と訂正する。 （２）同、第１１頁、８行「それより大の高屈折率を有
する。」を１それより小で、屈折率が活性層（１３にお
けるそれと同じかそれより高い屈折率を有する。」と訂
正する。 以 上 手続補正書 昭和５８年３月２８日 １、事件の表示 昭和５７年特許願第 １７２２０１ 号２、発明の名称
半導体ッーヤ１．− ３、補正をする者 ５、補正命令のｒＪ （＝Ｊ 昭和 年 月
日６、袖正により増加する発明の数 ＋ｌ） 明細書中、第８頁１８〜１９行Ｆ活性層（１
３）を横切るか・・・（１１１か、」を１活性層（１３
）か、」と訂正する。 （２）同、第９ Ｒｌｆｉ〜２０行「本発明においては
、・・・マルチモード」を［本発明においては、キャビ
ティ内の主要部を占める利得ガイドが発掘態様の縦モー
ドを決めるので、マルチモート−１と削正する。 （３） 図面中、第２図、第３図及び第４図を象付図
面のように補正する。 以 上 第２図 ８ 第８図
別のｔｌｊ、人Ｉυ「面図、第３図及び第４図は本発明
によるｉ１≧導体レーデ−の−例の拡大斜視図及びその
−・ｊ’ｉｌを切ｌｖｉ した拡大斜視図、第５図は本
発明による半導体レーデ−の他の例の拡大１１１面図、
第〔５図及び第７しＩは第５図へ−へ線］二及び１３−
１３線上の拡大断１ｆ１１図、第８図は他の例の拡大３
１１曲図、第９図及び第１０図は本発明による半導体レ
ーザーの史に他の例の夫々異なる曲におりる拡大１ｔｌ
Ｅ面図である。 （１１）は基板、（１２）〜（１５）は）１部専体１−
である。 同 松隈秀盛−２ 第１図 ツ 第２図 第３図 手続補正書 １．事イ１１の表示 昭和５７年特許願第 １７２２０１ 号２、発明の名
称半導体ッーザー ３、 ？ｉｌｉ ｊＦヲ１− ル者 ４、代 理 人 東京都新宿区西新°宿ＩＪ’ｌ」８計
１号（ｎ山ｌ（ニル）置東φ（（０３）３４３−５８２
］ を代表）６、補正により増加する発明の数 ７、補正の月 象 明細書の発明の詳細な説明の欄。 （ＩＩ Ｅ！Ａ細書中、第７頁、９行「液晶ゴを「液
相」と訂正する。 （２）同、第１１頁、８行「それより大の高屈折率を有
する。」を１それより小で、屈折率が活性層（１３にお
けるそれと同じかそれより高い屈折率を有する。」と訂
正する。 以 上 手続補正書 昭和５８年３月２８日 １、事件の表示 昭和５７年特許願第 １７２２０１ 号２、発明の名称
半導体ッーヤ１．− ３、補正をする者 ５、補正命令のｒＪ （＝Ｊ 昭和 年 月
日６、袖正により増加する発明の数 ＋ｌ） 明細書中、第８頁１８〜１９行Ｆ活性層（１
３）を横切るか・・・（１１１か、」を１活性層（１３
）か、」と訂正する。 （２）同、第９ Ｒｌｆｉ〜２０行「本発明においては
、・・・マルチモード」を［本発明においては、キャビ
ティ内の主要部を占める利得ガイドが発掘態様の縦モー
ドを決めるので、マルチモート−１と削正する。 （３） 図面中、第２図、第３図及び第４図を象付図
面のように補正する。 以 上 第２図 ８ 第８図
Claims (1)
- はぼ平坦な活性層にストライプ状の発光領域が形成され
、該発光領域の先端面部におい゛ζ屈折率カイト的に動
作させる手段を有すると共に、上記発光領域の中火部に
おいて利得ガイド的に動作させる手段を有する半導体レ
ーザー。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57172201A JPS5961981A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 半導体レ−ザ− |
| US06/535,789 US4606033A (en) | 1982-09-30 | 1983-09-26 | Combination refractive index-guiding type and a gain-guiding type semiconductor laser device |
| FR8315256A FR2534078B1 (fr) | 1982-09-30 | 1983-09-26 | Dispositif laser a semi-conducteur |
| CA000437553A CA1239464A (en) | 1982-09-30 | 1983-09-26 | Semiconductor laser device |
| KR1019830004536A KR850002705A (ko) | 1982-09-30 | 1983-09-28 | 반도체 레이저 |
| DE19833335372 DE3335372A1 (de) | 1982-09-30 | 1983-09-29 | Halbleiterlaser |
| NL8303339A NL8303339A (nl) | 1982-09-30 | 1983-09-29 | Halfgeleider-laserinrichting. |
| GB08326054A GB2129212B (en) | 1982-09-30 | 1983-09-29 | Semiconductor laser devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57172201A JPS5961981A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 半導体レ−ザ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5961981A true JPS5961981A (ja) | 1984-04-09 |
Family
ID=15937454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57172201A Pending JPS5961981A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 半導体レ−ザ− |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4606033A (ja) |
| JP (1) | JPS5961981A (ja) |
| KR (1) | KR850002705A (ja) |
| CA (1) | CA1239464A (ja) |
| DE (1) | DE3335372A1 (ja) |
| FR (1) | FR2534078B1 (ja) |
| GB (1) | GB2129212B (ja) |
| NL (1) | NL8303339A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121381A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6218783A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS62130586A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPH04155988A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-05-28 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5136601A (en) * | 1984-11-19 | 1992-08-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser |
| JPS61289689A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
| EP0213826A3 (en) * | 1985-08-12 | 1988-03-16 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device and method of fabricating the same |
| DE3604293A1 (de) * | 1986-02-12 | 1987-08-13 | Telefunken Electronic Gmbh | Heterostruktur-halbleiterlaserdiode |
| DE3604295A1 (de) * | 1986-02-12 | 1987-08-13 | Telefunken Electronic Gmbh | Heterostruktur-halbleiterlaserdiode |
| JPS6348888A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| US4821278A (en) * | 1987-04-02 | 1989-04-11 | Trw Inc. | Inverted channel substrate planar semiconductor laser |
| JP3714984B2 (ja) * | 1995-03-06 | 2005-11-09 | シャープ株式会社 | 分布帰還型半導体レーザ装置 |
| JP2017050318A (ja) | 2015-08-31 | 2017-03-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3838359A (en) * | 1973-11-23 | 1974-09-24 | Bell Telephone Labor Inc | Gain asymmetry in heterostructure junction lasers operating in a fundamental transverse mode |
| US4309668A (en) * | 1978-02-20 | 1982-01-05 | Nippon Electric Co., Ltd. | Stripe-geometry double heterojunction laser device |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP57172201A patent/JPS5961981A/ja active Pending
-
1983
- 1983-09-26 CA CA000437553A patent/CA1239464A/en not_active Expired
- 1983-09-26 FR FR8315256A patent/FR2534078B1/fr not_active Expired
- 1983-09-26 US US06/535,789 patent/US4606033A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-09-28 KR KR1019830004536A patent/KR850002705A/ko not_active Ceased
- 1983-09-29 GB GB08326054A patent/GB2129212B/en not_active Expired
- 1983-09-29 DE DE19833335372 patent/DE3335372A1/de not_active Withdrawn
- 1983-09-29 NL NL8303339A patent/NL8303339A/nl not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121381A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6218783A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS62130586A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPH04155988A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-05-28 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2129212B (en) | 1986-07-16 |
| KR850002705A (ko) | 1985-05-15 |
| NL8303339A (nl) | 1984-04-16 |
| CA1239464A (en) | 1988-07-19 |
| GB8326054D0 (en) | 1983-11-02 |
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