JPH055391B2 - - Google Patents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
-
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/082—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors defining a plurality of resonators, e.g. for mode selection or suppression
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- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
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Description
【発明の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本発明は半導体レーザアレイ装置に関し、特に
高出力まで0°位相モードのみで発振する半導体レ
ーザアレイ素子構造に関する。
高出力まで0°位相モードのみで発振する半導体レ
ーザアレイ素子構造に関する。
＜従来の技術＞
光デイスク、レーザプリンタ、光計測システム
などの光源として半導体レーザが用いられている
が、現在その高出力化が切望されている。しか
し、現状の半導体レーザは単一活性導波路構造で
あり、窓効果や端面反射率制御などを応用しても
出力は実用上60〜70ｍＷ程度が限界である。
などの光源として半導体レーザが用いられている
が、現在その高出力化が切望されている。しか
し、現状の半導体レーザは単一活性導波路構造で
あり、窓効果や端面反射率制御などを応用しても
出力は実用上60〜70ｍＷ程度が限界である。
そこで、複数の活性導波路を有する半導体レー
ザアレイの研究開発が盛んに行なわれている。こ
の半導体レーザアレイは全ての導波路における光
電界位相が同期したスーパーモード（0°位相モー
ド）を選択的に発振させることにより、細い１本
のビームで高出力光を放出できる可能性がある。
ザアレイの研究開発が盛んに行なわれている。こ
の半導体レーザアレイは全ての導波路における光
電界位相が同期したスーパーモード（0°位相モー
ド）を選択的に発振させることにより、細い１本
のビームで高出力光を放出できる可能性がある。
＜発明が解決しようとする問題点＞
しかし、従来の半導体レーザアレイにおいて
は、上述のような全ての導波路での光位相の完全
な一致は実現されていない。具体的には次のよう
な現象が観測される。
は、上述のような全ての導波路での光位相の完全
な一致は実現されていない。具体的には次のよう
な現象が観測される。
(1) 隣接する導波路間での光位相が180°のずれを
もつたスーパーモード（180°位相モード）で発
振し、出力光がある開き角をもつた２本のビー
ムの形で放射される。
もつたスーパーモード（180°位相モード）で発
振し、出力光がある開き角をもつた２本のビー
ムの形で放射される。
(2) 0°位相モードまたは180°位相モード以外のス
ーパーモードで発振し、出力光は複数のビーム
となつて放射される。
ーパーモードで発振し、出力光は複数のビーム
となつて放射される。
(3) ２つ以上のスーパーモードが非干渉の状態で
重なり合い、ビームが太くなる。
重なり合い、ビームが太くなる。
これらの現象は半導体レーザアレイを使用する
立場からは不都合であり、光デイスクやレーザプ
リンタなどへの応用には出力光は単一のスーパー
モード発振で且つ細い１本のビームであることが
望ましい。
立場からは不都合であり、光デイスクやレーザプ
リンタなどへの応用には出力光は単一のスーパー
モード発振で且つ細い１本のビームであることが
望ましい。
以下、従来例の１つとして(1)の現象が観測され
る半導体レーザアレイ素子について説明する。第
４図と第５図は、それぞれこの素子の断面構造と
斜視構造を示す。まず、ｐ−GaAs基板１０１の
（001）面上にn+−Al0.1Ga0.9As電流狭窄層１０２
を0.7μｍ厚に、またｎ−GaAs表面保護層１０３
を0.1μｍ厚にそれぞれ成長させる。成長方法とし
ては、液相成長法が用いられる。次にこれらの２
層１０２，１０３を貫通してｐ−GaAs基板１０
１に達する直線的な溝１０８を３本互いに平行に
形成する。この溝１０８の幅は4μｍ、深さは約
1μｍ、溝１０８相互間の中心間距離は5μｍであ
る。溝１０８の方向は、レーザ共振器端面である
（110）面に垂直である。ｎ−GaAs表面保護層１
０３及び溝１０８の上に、さらに、液相成長法に
よりｐ−Al0.42Ga0.58Asクラツド層１０４を溝１
０８以外の部分で0.2μｍ厚となるように、さらに
ｐ−またはｎ−Al0.14Ga0.86As活性層１０５を
0.08μｍ厚、ｎ−Al0.42Ga0.58Asクラツド層１０６
を0.8μｍ厚、n+−GaAsコンタクト層１０７を
1.5μｍ厚にそれぞれ成長させる。このとき、溝１
０８はｐ型クラツド層１０４により完全に埋めら
れるため、層１０４，１０５，１０６，１０７の
それぞれの界面は平坦に形成される。この後、こ
のウエハーの両面に抵抗性全面電極を付け、合金
化処理を行なつた後、（110）面で劈開して素子化
が完了する。
る半導体レーザアレイ素子について説明する。第
４図と第５図は、それぞれこの素子の断面構造と
斜視構造を示す。まず、ｐ−GaAs基板１０１の
（001）面上にn+−Al0.1Ga0.9As電流狭窄層１０２
を0.7μｍ厚に、またｎ−GaAs表面保護層１０３
を0.1μｍ厚にそれぞれ成長させる。成長方法とし
ては、液相成長法が用いられる。次にこれらの２
層１０２，１０３を貫通してｐ−GaAs基板１０
１に達する直線的な溝１０８を３本互いに平行に
形成する。この溝１０８の幅は4μｍ、深さは約
1μｍ、溝１０８相互間の中心間距離は5μｍであ
る。溝１０８の方向は、レーザ共振器端面である
（110）面に垂直である。ｎ−GaAs表面保護層１
０３及び溝１０８の上に、さらに、液相成長法に
よりｐ−Al0.42Ga0.58Asクラツド層１０４を溝１
０８以外の部分で0.2μｍ厚となるように、さらに
ｐ−またはｎ−Al0.14Ga0.86As活性層１０５を
0.08μｍ厚、ｎ−Al0.42Ga0.58Asクラツド層１０６
を0.8μｍ厚、n+−GaAsコンタクト層１０７を
1.5μｍ厚にそれぞれ成長させる。このとき、溝１
０８はｐ型クラツド層１０４により完全に埋めら
れるため、層１０４，１０５，１０６，１０７の
それぞれの界面は平坦に形成される。この後、こ
のウエハーの両面に抵抗性全面電極を付け、合金
化処理を行なつた後、（110）面で劈開して素子化
が完了する。
このようにして作製された複数平行損失導波路
構造の半導体レーザアレイの発振ビームの光電界
分布と遠視野像をそれぞれ第６図と第７図に示
す。これらの結果より、隣接する活性導波路間で
光の位相差が180°であることがわかる。180°位相
モードが選択的に発振するのは、この素子のよう
に複数平行損失導波路構造では各活性導波路間の
光結合領域で光吸収が存在するため、180°位相モ
ードのしきい値ゲインが最低になるからである。
これは、理論計算からも理解される。導波路解析
より３エレメント平行損失導波路素子における３
つのスーパーモードにしきい値ゲインの横方向屈
折率差依存性を求めた結果を第８図に示す。この
ように、180°位相モードを選択的かつ安定に発振
させることが実験的にも理論的にも可能であるこ
とが理解される。しかし、180°位相モードは、半
導体レーザアレイの応用の面からは、上述のよう
に大きな障害となる。
構造の半導体レーザアレイの発振ビームの光電界
分布と遠視野像をそれぞれ第６図と第７図に示
す。これらの結果より、隣接する活性導波路間で
光の位相差が180°であることがわかる。180°位相
モードが選択的に発振するのは、この素子のよう
に複数平行損失導波路構造では各活性導波路間の
光結合領域で光吸収が存在するため、180°位相モ
ードのしきい値ゲインが最低になるからである。
これは、理論計算からも理解される。導波路解析
より３エレメント平行損失導波路素子における３
つのスーパーモードにしきい値ゲインの横方向屈
折率差依存性を求めた結果を第８図に示す。この
ように、180°位相モードを選択的かつ安定に発振
させることが実験的にも理論的にも可能であるこ
とが理解される。しかし、180°位相モードは、半
導体レーザアレイの応用の面からは、上述のよう
に大きな障害となる。
上述の素子における欠点を改良するために、結
合領域での損失を無くして実屈折率導波路構造の
半導体レーザアレイが用いられる。第９図はこの
実屈折率導波路構造の半導体レーザアレイを示
す。ｐ−GaAs基板１１１の（001）面上にｎ−
AlxGa1-xAsクラツド層１１２を0.8μｍ厚、n-ま
たはｐ−AlyGa1-yAs活性層１１３を0.1μｍ厚、
ｎ−AlxGa1-xAsクラツド層１１４を0.8μｍ厚、
p+−GaAsコンタクト層１１５を0.1μｍ厚にそれ
ぞれ成長させる。成長方法としては、有機金属化
学折出法（MOCVD法）、分子線エピタキシヤル
法（MBE法）あるいは液相成長法（LPE法）な
どが適用可能である。その後、ウエハーの両面に
抵抗性電極を形成する。さらに、このウエハーに
ホトリソグラフイ技術と反応性イオンビームエツ
チング（RIBE）技術を用いて、３本の平行なメ
サストライプ１１６を形成する。このメサストラ
イプ１１６の幅は3μｍ、中心間距離は4μｍ、高
さは1.5μｍであり、方向は基板１１１の＜110＞
方向に平行である。すなわち、メサストライプ１
１６以外の部分のｐ型クラツド層１０４は厚さ
0.3μｍになるまでエツチングされる。さらに、結
晶の（110）面を劈開することにより、レーザ共
振器１１７を形成する。素子の長さは約250μｍ
である。
合領域での損失を無くして実屈折率導波路構造の
半導体レーザアレイが用いられる。第９図はこの
実屈折率導波路構造の半導体レーザアレイを示
す。ｐ−GaAs基板１１１の（001）面上にｎ−
AlxGa1-xAsクラツド層１１２を0.8μｍ厚、n-ま
たはｐ−AlyGa1-yAs活性層１１３を0.1μｍ厚、
ｎ−AlxGa1-xAsクラツド層１１４を0.8μｍ厚、
p+−GaAsコンタクト層１１５を0.1μｍ厚にそれ
ぞれ成長させる。成長方法としては、有機金属化
学折出法（MOCVD法）、分子線エピタキシヤル
法（MBE法）あるいは液相成長法（LPE法）な
どが適用可能である。その後、ウエハーの両面に
抵抗性電極を形成する。さらに、このウエハーに
ホトリソグラフイ技術と反応性イオンビームエツ
チング（RIBE）技術を用いて、３本の平行なメ
サストライプ１１６を形成する。このメサストラ
イプ１１６の幅は3μｍ、中心間距離は4μｍ、高
さは1.5μｍであり、方向は基板１１１の＜110＞
方向に平行である。すなわち、メサストライプ１
１６以外の部分のｐ型クラツド層１０４は厚さ
0.3μｍになるまでエツチングされる。さらに、結
晶の（110）面を劈開することにより、レーザ共
振器１１７を形成する。素子の長さは約250μｍ
である。
この実屈折率導波路構造素子の発振横モードを
観察すると、複数のスーパーモードが混在してい
る。この現象は次のような理由によるものと考え
られる。上述の損失導波路構造素子では結合領域
での光吸収が大きいため180°位相モードが選択さ
れたのに対して、この実屈折率導波路構造素子で
は、結合領域で光吸収が無いため、素子構造が許
容するすべてのスーパーモードのしきい値ゲイン
がほぼ等しくなる。そのため、すべてのスーパー
モードが同時に発振するのである。このように複
数のスーパーモードが混在して発振する素子の出
力ビームは、回折限界の数倍の太さになる。これ
は、上述の(3)の現象であり、実用上の大きな問題
となる。
観察すると、複数のスーパーモードが混在してい
る。この現象は次のような理由によるものと考え
られる。上述の損失導波路構造素子では結合領域
での光吸収が大きいため180°位相モードが選択さ
れたのに対して、この実屈折率導波路構造素子で
は、結合領域で光吸収が無いため、素子構造が許
容するすべてのスーパーモードのしきい値ゲイン
がほぼ等しくなる。そのため、すべてのスーパー
モードが同時に発振するのである。このように複
数のスーパーモードが混在して発振する素子の出
力ビームは、回折限界の数倍の太さになる。これ
は、上述の(3)の現象であり、実用上の大きな問題
となる。
上述のように従来の半導体レーザアレイでは、
出力ビームが２本になることや複数のスーパーモ
ードが混在発振するなどの問題があり、レーザプ
リンターや光フアイルのようなシステムの光源と
しての実用化に際して大きな障害となる。
出力ビームが２本になることや複数のスーパーモ
ードが混在発振するなどの問題があり、レーザプ
リンターや光フアイルのようなシステムの光源と
しての実用化に際して大きな障害となる。
＜発明の目的＞
本発明の目的は、高出力まで単一0°位相モード
で発振する半導体レーザアレイを提供することで
ある。即ち、本発明はレーザ発振用フイラメント
部と電流ストライプ構造を互いに関連させて並設
し、単一ビームで0°位相モード発振を高出力まで
可能としたものである。
で発振する半導体レーザアレイを提供することで
ある。即ち、本発明はレーザ発振用フイラメント
部と電流ストライプ構造を互いに関連させて並設
し、単一ビームで0°位相モード発振を高出力まで
可能としたものである。
＜実施例＞
以下、本発明の１実施例である半導体レーザア
レイ素子について第１図に示す断面構造図に従つ
て製作工程順に説明する。（001）面を結晶成長面
とするｐ型GaAs基板１にｎ型GaAs電流ブロツ
ク層２を0.8μｍ厚成長させる。結晶成長法として
は、液相エピタキシヤル成長（LPE）法、有機
金属気相エピタキシヤル成長（OM−VPE）法、
分子線エピタキシヤル成長（MBE）法などが適
用される。次にこの基板１に第２図に示すような
分岐・結合部をもつ複数の溝１０１を通常のホト
リソグラフイ技術とエツチング技術を用いて形成
する。このときこれらの溝は幅Ｗを4μｍ、ピツ
チを5μｍとし深さは電流ブロツク層２表面から
ｐ−GaAs基板１に達するように1.0μｍとした。
また、分岐・結合部の曲率半径Ｒは光学損失の無
視できる範囲で500μｍを選択した。これらの溝
の全体の横幅は34μｍとなつている。次にこの複
数の溝１０１を有する基板１上に液相エピタキシ
ヤル成長法を用いてＰ型AlxGa1-xAsクラツド層
３を溝外部で0.2μｍ厚、ｐ型又はｎ型AlyGa1-y
As活性層４を0.08μｍ厚、Ｎ型AlxGa1-xAsクラツ
ド層５を0.8μｍ厚、n+型GaAsコンタクト層６を
0.5μｍ厚成長させる（ただし混晶比はｘ＞ｙであ
る。）。このとき、Ｐ型AlxGa1-xAsクラツド層３
で溝１０１は完全に平坦に埋設されるように成長
条件を選定し活性層４はわん曲部が存在しないも
のとした。この構成によりフイラメント形状は第
２図の溝１０１の形状に対応したものとなる。
レイ素子について第１図に示す断面構造図に従つ
て製作工程順に説明する。（001）面を結晶成長面
とするｐ型GaAs基板１にｎ型GaAs電流ブロツ
ク層２を0.8μｍ厚成長させる。結晶成長法として
は、液相エピタキシヤル成長（LPE）法、有機
金属気相エピタキシヤル成長（OM−VPE）法、
分子線エピタキシヤル成長（MBE）法などが適
用される。次にこの基板１に第２図に示すような
分岐・結合部をもつ複数の溝１０１を通常のホト
リソグラフイ技術とエツチング技術を用いて形成
する。このときこれらの溝は幅Ｗを4μｍ、ピツ
チを5μｍとし深さは電流ブロツク層２表面から
ｐ−GaAs基板１に達するように1.0μｍとした。
また、分岐・結合部の曲率半径Ｒは光学損失の無
視できる範囲で500μｍを選択した。これらの溝
の全体の横幅は34μｍとなつている。次にこの複
数の溝１０１を有する基板１上に液相エピタキシ
ヤル成長法を用いてＰ型AlxGa1-xAsクラツド層
３を溝外部で0.2μｍ厚、ｐ型又はｎ型AlyGa1-y
As活性層４を0.08μｍ厚、Ｎ型AlxGa1-xAsクラツ
ド層５を0.8μｍ厚、n+型GaAsコンタクト層６を
0.5μｍ厚成長させる（ただし混晶比はｘ＞ｙであ
る。）。このとき、Ｐ型AlxGa1-xAsクラツド層３
で溝１０１は完全に平坦に埋設されるように成長
条件を選定し活性層４はわん曲部が存在しないも
のとした。この構成によりフイラメント形状は第
２図の溝１０１の形状に対応したものとなる。
次にウエハー表面に幅ｄでフイラメント方向と
平行に電極１０を形成し、その後ホトリソグラフ
イ技術とリアクテイブ・イオン・ビーム・エツチ
ング（RIBE）法を用いて、電極１０以外の部分
をＮ型クラツド層５の途中までエツチングしメサ
ストライプ２０を形成する。このメサストライプ
２０の幅ｄはフイラメントの全体幅34μｍより小
さく設定する。また、メサストライプの位置はフ
イラメントの存在する中央に相対する位置とす
る。このとき残存するＮ型クラツド層５厚は0.5μ
ｍである。次にプラブマ化学析出（Ｐ−CVD）
法を用いてSiNx膜９を4000Åの厚さで表面に形
成し、電極部１０にのみ電極引き出し用の孔を穿
設する。そして基板側をラツプしウエハー全体の
厚さを約100μｍにし基板側にも全面電極を形成
する。このウエハーを劈開することにより共振器
長約250μｍのレーザ素子が作製される。
平行に電極１０を形成し、その後ホトリソグラフ
イ技術とリアクテイブ・イオン・ビーム・エツチ
ング（RIBE）法を用いて、電極１０以外の部分
をＮ型クラツド層５の途中までエツチングしメサ
ストライプ２０を形成する。このメサストライプ
２０の幅ｄはフイラメントの全体幅34μｍより小
さく設定する。また、メサストライプの位置はフ
イラメントの存在する中央に相対する位置とす
る。このとき残存するＮ型クラツド層５厚は0.5μ
ｍである。次にプラブマ化学析出（Ｐ−CVD）
法を用いてSiNx膜９を4000Åの厚さで表面に形
成し、電極部１０にのみ電極引き出し用の孔を穿
設する。そして基板側をラツプしウエハー全体の
厚さを約100μｍにし基板側にも全面電極を形成
する。このウエハーを劈開することにより共振器
長約250μｍのレーザ素子が作製される。
このようにして作製されたレーザアレイ素子は
ｎ−GaAs電流狭窄層２と幅ｄのメサストライプ
により、それぞれ電流通路幅が狭窄される。すな
わちフイラメントは第２図の溝１０１で示したよ
うな形状に規定される。一方、メサストライプ２
０により注入電流が狭窄されるため結果としてフ
イラメントの中央に多数のキヤリアが重点的に注
入され、端に近い部分にあるフイラメントへは比
較的少ないキヤリアが注入されることになる。こ
れは0°位相モードの発振アレイモード（スーパー
モード）形態と形状的に一致するものである。こ
の結果、このアレイ素子は高出力領域まで0°位相
モードで発振するのである。
ｎ−GaAs電流狭窄層２と幅ｄのメサストライプ
により、それぞれ電流通路幅が狭窄される。すな
わちフイラメントは第２図の溝１０１で示したよ
うな形状に規定される。一方、メサストライプ２
０により注入電流が狭窄されるため結果としてフ
イラメントの中央に多数のキヤリアが重点的に注
入され、端に近い部分にあるフイラメントへは比
較的少ないキヤリアが注入されることになる。こ
れは0°位相モードの発振アレイモード（スーパー
モード）形態と形状的に一致するものである。こ
の結果、このアレイ素子は高出力領域まで0°位相
モードで発振するのである。
上記実施例のレーザアレイ素子では250ｍＷま
で単一0°位相モード発振が得られる。このときの
遠視野像を第３図に示す。0°位置に単峰のパター
ンを呈しておりこの半値全角は1.0℃でこの値は
ほぼ回折限界の値と一致している。
で単一0°位相モード発振が得られる。このときの
遠視野像を第３図に示す。0°位置に単峰のパター
ンを呈しておりこの半値全角は1.0℃でこの値は
ほぼ回折限界の値と一致している。
上記実施例以外にも電流狭窄構造やフイラメン
ト構造が異なるもの、半導体材料が異なるもの、
導電型の逆転したもの、電流狭窄構造とフイラメ
ント構造が上下逆転したもの等種々の実施例が考
えられる。
ト構造が異なるもの、半導体材料が異なるもの、
導電型の逆転したもの、電流狭窄構造とフイラメ
ント構造が上下逆転したもの等種々の実施例が考
えられる。
第１図は本発明の１実施例を示す半導体レーザ
アレイ素子の構成断面図である。第２図は第１図
に示す基板部分の平面図である。第３図は第１図
に示すレーザアレイ素子の遠視野像を示す説明図
である。第４図及び第５図は従来の半導体レーザ
アレイ素子の構成図である。第６図及び第７図は
第４図に示す半導体レーザアレイ素子の発振ビー
ムの光電界強度分布と遠視野を示す説明図であ
る。第８図はスーパーモードの横方向屈折率差を
解折した説明図である。第９図は改良された実屈
折率導波路構造半導体レーザアレイ素子の斜視図
である。 １……GaAs基板、２……電流ブロツク層、３
……クラツド層、４……活性層、５……クラツド
層、６……コンタクト層、１０……電極、１０１
……溝。
アレイ素子の構成断面図である。第２図は第１図
に示す基板部分の平面図である。第３図は第１図
に示すレーザアレイ素子の遠視野像を示す説明図
である。第４図及び第５図は従来の半導体レーザ
アレイ素子の構成図である。第６図及び第７図は
第４図に示す半導体レーザアレイ素子の発振ビー
ムの光電界強度分布と遠視野を示す説明図であ
る。第８図はスーパーモードの横方向屈折率差を
解折した説明図である。第９図は改良された実屈
折率導波路構造半導体レーザアレイ素子の斜視図
である。 １……GaAs基板、２……電流ブロツク層、３
……クラツド層、４……活性層、５……クラツド
層、６……コンタクト層、１０……電極、１０１
……溝。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数の活性導波路を備え、前記導波路におけ
る光電界位相が同期した0°位相モードを選択的に
発振させる半導体レーザアレイ装置において、複
数のレーザ発振用フイラメント部と、該フイラメ
ント部を形成する屈折率ガイド構造を有し、前記
フイラメント部より横幅の狭い電流通路を形成す
る電流ストライプ構造が並設されていることを特
徴とする半導体レーザアレイ装置。 ２ 電流ストライプ構造がフイラメント部の中央
部に位置する特許請求の範囲第１項記載の半導体
レーザアレイ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61126725A JPS62282483A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| GB8711654A GB2192486B (en) | 1986-05-30 | 1987-05-18 | A semiconductor laser array device |
| US07/052,686 US4791651A (en) | 1986-05-30 | 1987-05-20 | Semiconductor laser array device |
| DE3717535A DE3717535C2 (de) | 1986-05-30 | 1987-05-25 | Halbleiterlaseranordnung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61126725A JPS62282483A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62282483A JPS62282483A (ja) | 1987-12-08 |
| JPH055391B2 true JPH055391B2 (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=14942326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61126725A Granted JPS62282483A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4791651A (ja) |
| JP (1) | JPS62282483A (ja) |
| DE (1) | DE3717535C2 (ja) |
| GB (1) | GB2192486B (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4903274A (en) * | 1987-05-19 | 1990-02-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser array device |
| JPH0548202A (ja) * | 1990-12-27 | 1993-02-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子 |
| US5311533A (en) * | 1992-10-23 | 1994-05-10 | Polaroid Corporation | Index-guided laser array with select current paths defined by migration-enhanced dopant incorporation and dopant diffusion |
| US6504859B1 (en) | 2000-01-21 | 2003-01-07 | Sandia Corporation | Light sources based on semiconductor current filaments |
| US6547876B2 (en) | 2001-02-07 | 2003-04-15 | Emcore Corporation | Apparatus for growing epitaxial layers on wafers by chemical vapor deposition |
| JP2009088425A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-23 | Sony Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| JP2012231000A (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57170584A (en) * | 1981-04-15 | 1982-10-20 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS58162088A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-09-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レ−ザ |
| JPS594192A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| US4569054A (en) * | 1983-06-17 | 1986-02-04 | Rca Corporation | Double heterostructure laser |
| US4768201A (en) * | 1984-08-06 | 1988-08-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser array |
| US4730326A (en) * | 1984-09-12 | 1988-03-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser array device |
| EP0199588B1 (en) * | 1985-04-23 | 1993-09-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device |
| JPS62169389A (ja) * | 1986-01-21 | 1987-07-25 | Sharp Corp | 半導体レ−ザアレイ装置 |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP61126725A patent/JPS62282483A/ja active Granted
-
1987
- 1987-05-18 GB GB8711654A patent/GB2192486B/en not_active Expired
- 1987-05-20 US US07/052,686 patent/US4791651A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-05-25 DE DE3717535A patent/DE3717535C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB8711654D0 (en) | 1987-06-24 |
| DE3717535A1 (de) | 1987-12-03 |
| GB2192486B (en) | 1989-12-13 |
| JPS62282483A (ja) | 1987-12-08 |
| GB2192486A (en) | 1988-01-13 |
| DE3717535C2 (de) | 1994-09-22 |
| US4791651A (en) | 1988-12-13 |
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