JPS61236187A - 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置及びその製造方法Info
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- JPS61236187A JPS61236187A JP7668085A JP7668085A JPS61236187A JP S61236187 A JPS61236187 A JP S61236187A JP 7668085 A JP7668085 A JP 7668085A JP 7668085 A JP7668085 A JP 7668085A JP S61236187 A JPS61236187 A JP S61236187A
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- active layer
- semiconductor
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は半導体基板上に複数の量子井戸型構造の発光
領域を横方向にアレイ状に配列した半導体レーザ装置及
びその製造方法に関するものである。
領域を横方向にアレイ状に配列した半導体レーザ装置及
びその製造方法に関するものである。
（従来の技術）
従蓮、横方向単一モード発振の半導体レーザ装置は活性
領域の周囲が禁制帯幅の大きな半導体によって囲まれた
埋込み形へテロ構造がとられている。この埋込み形ヘテ
ｐ構造のレーザー置は２回の液相成長法とメサエッチン
グを用いて製造されている。即ち、第１Ｉｇｌ目の液相
成長でダブルへテロ構造結晶が作られ、この結晶を化学
エツチングでメサ・ストライプ状にした後、第２＠目の
液相成長によりこのメサ・ストライプが禁制帯幅の大き
い半導体によって埋込まれる。このように従来の埋込み
形へテロ構造レーザ装置は製造工程が煩雑でストライプ
の幅の制゛御がむずかしく、製品の歩留りが悪かった０
上記に鑑み、本出願人は量子井戸型構造の活性層の上下
を量子井戸型を構成している二種の半導体の平均組成よ
りも大きな組成を有する半導体で構成し、活性層の左右
は量子井戸型構造に亜鉛を拡散して量子井戸型構造の平
均組成の半導体で構成する半導体レーザ装置を提案し魁
この半導体レーザ装置はエピタキシャル成長法で形成し
た多層半導体結晶成長層に不純物の拡散処理を行うのみ
で量子井戸構造を活性層とした埋込み型ダブルへテロ構
造と同じ構成の半導体レーザ装置が製造できるようにな
った（特開昭５９−２１０８４号）。
領域の周囲が禁制帯幅の大きな半導体によって囲まれた
埋込み形へテロ構造がとられている。この埋込み形ヘテ
ｐ構造のレーザー置は２回の液相成長法とメサエッチン
グを用いて製造されている。即ち、第１Ｉｇｌ目の液相
成長でダブルへテロ構造結晶が作られ、この結晶を化学
エツチングでメサ・ストライプ状にした後、第２＠目の
液相成長によりこのメサ・ストライプが禁制帯幅の大き
い半導体によって埋込まれる。このように従来の埋込み
形へテロ構造レーザ装置は製造工程が煩雑でストライプ
の幅の制゛御がむずかしく、製品の歩留りが悪かった０
上記に鑑み、本出願人は量子井戸型構造の活性層の上下
を量子井戸型を構成している二種の半導体の平均組成よ
りも大きな組成を有する半導体で構成し、活性層の左右
は量子井戸型構造に亜鉛を拡散して量子井戸型構造の平
均組成の半導体で構成する半導体レーザ装置を提案し魁
この半導体レーザ装置はエピタキシャル成長法で形成し
た多層半導体結晶成長層に不純物の拡散処理を行うのみ
で量子井戸構造を活性層とした埋込み型ダブルへテロ構
造と同じ構成の半導体レーザ装置が製造できるようにな
った（特開昭５９−２１０８４号）。
上述のように埋込み型ダブルへテロ構造と同じ構成を有
する半導体レーザ装置が容易に製造することができるよ
うになったが、その光出力は数１０ｍＷと小さく充分な
ものと言えない。大きな光出力を得るためには、そのよ
うな半導体レーザ装置を多数並列に並べ発振すれば、並
べた半導体レーザ装置の数に応じて大きな出力が得られ
、レーザビームの幅は装置数に従って大きくなる。
する半導体レーザ装置が容易に製造することができるよ
うになったが、その光出力は数１０ｍＷと小さく充分な
ものと言えない。大きな光出力を得るためには、そのよ
うな半導体レーザ装置を多数並列に並べ発振すれば、並
べた半導体レーザ装置の数に応じて大きな出力が得られ
、レーザビームの幅は装置数に従って大きくなる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、多数の半導体レーザ装置を並べて発振したとき
の問題点は各半導体レーザ装置より発振するレーザビー
ムの位相を一致させることであって、種々検討されてい
るのが現況である。
の問題点は各半導体レーザ装置より発振するレーザビー
ムの位相を一致させることであって、種々検討されてい
るのが現況である。
この発明は上記に鑑みなされたものであって、複数の発
光領域より位相の揃ったレーザ光が発振する高出力半導
体レーザ装置及び上記半導体レーザ装置を容易に且う再
現性良く製造する方法を提供することを目的とするもの
である。
光領域より位相の揃ったレーザ光が発振する高出力半導
体レーザ装置及び上記半導体レーザ装置を容易に且う再
現性良く製造する方法を提供することを目的とするもの
である。
（問題点を解決するための手段）
この発明による半導体レーザ装置は量子井戸型構造の活
性層をレーザ共振器方向に活性層を構成する二種の化合
物半導体の平均組成とした半導体にて区切って複数の発
光領域をアレイ状に配列させる。このように一つの活性
層を仕切って複数の発光領域をアレイ状に配列すること
により各発光領域よりは位相の同調した光が出力するた
め、光出力が大幅に増加する。
性層をレーザ共振器方向に活性層を構成する二種の化合
物半導体の平均組成とした半導体にて区切って複数の発
光領域をアレイ状に配列させる。このように一つの活性
層を仕切って複数の発光領域をアレイ状に配列すること
により各発光領域よりは位相の同調した光が出力するた
め、光出力が大幅に増加する。
またこの半導体レーザ装置は半導体基板上に下部クラッ
ド層、量子井戸型構造の活性層、上部クラッド層を順次
結晶成長させた後に、上面に複数の直線状マスクを所定
の間隔で設け、不純物を活性層の最下層に達するまで拡
散することにより、活性層に不純物の拡散領域と非拡散
領域が交互に隣合って形成し、不純物の非拡散領域を発
光領域として用いるので、容易に且つ再現性良く製造す
ることができる。
ド層、量子井戸型構造の活性層、上部クラッド層を順次
結晶成長させた後に、上面に複数の直線状マスクを所定
の間隔で設け、不純物を活性層の最下層に達するまで拡
散することにより、活性層に不純物の拡散領域と非拡散
領域が交互に隣合って形成し、不純物の非拡散領域を発
光領域として用いるので、容易に且つ再現性良く製造す
ることができる。
以下、この発明を添付の図面に基き説明すると、第１図
はこの発明の半導体レーザ装置の一実施例を示し、ｌは
ｐｆＪｉ半導体基板であって、この半導体基板／の上に
は下部クラッド層として後述の活性層を構成する半導体
より禁制帯幅の大きいｐ型半導体層λがある。このｐ型
半導体層２の上には厚さ数１０〜数１０ＯＡの組成の異
なる二種の化合物半導体極薄膜を交互に三層以上積層し
た量子井戸型構造の活性層ψが存在する。この量子井戸
型構造を構成する化合物半導体としてはＧａムａ 、
ＧａＡｌＡｍ 、 ＧａムａＰ 、 Ｇｇｌ５Ａａ。
はこの発明の半導体レーザ装置の一実施例を示し、ｌは
ｐｆＪｉ半導体基板であって、この半導体基板／の上に
は下部クラッド層として後述の活性層を構成する半導体
より禁制帯幅の大きいｐ型半導体層λがある。このｐ型
半導体層２の上には厚さ数１０〜数１０ＯＡの組成の異
なる二種の化合物半導体極薄膜を交互に三層以上積層し
た量子井戸型構造の活性層ψが存在する。この量子井戸
型構造を構成する化合物半導体としてはＧａムａ 、
ＧａＡｌＡｍ 、 ＧａムａＰ 、 Ｇｇｌ５Ａａ。
ｌ５ＧａＡａＰなどの２元系、３元系、４元系の禁制帯
幅の異なる半導体が挙げられる。上記の活性層ψの上に
は上部クラッド層として活性層≠を構成する半導体より
禁制帯幅の大きい爲型半導体層３がある。上記上部クラ
ッド層３の上面中央にはクラッド層よりも禁制帯幅の狭
いストライプ状の５型半導体よをレーザ共振器方向に所
定の間隔を隔てて設ける。各ストライプ状半導体５の下
の下部クラッド層λまでの領域７を除゛いて亜鉛などの
ｐ型不純物を拡散した不純物拡散領域６があり、活性コ
リの不純物拡散領域は量子井戸型構造を構成している二
種の半導体の合金化により活性コリの不純物非拡散領域
ｔより禁制帯幅が大きくなり、屈折率は小さくなる。
幅の異なる半導体が挙げられる。上記の活性層ψの上に
は上部クラッド層として活性層≠を構成する半導体より
禁制帯幅の大きい爲型半導体層３がある。上記上部クラ
ッド層３の上面中央にはクラッド層よりも禁制帯幅の狭
いストライプ状の５型半導体よをレーザ共振器方向に所
定の間隔を隔てて設ける。各ストライプ状半導体５の下
の下部クラッド層λまでの領域７を除゛いて亜鉛などの
ｐ型不純物を拡散した不純物拡散領域６があり、活性コ
リの不純物拡散領域は量子井戸型構造を構成している二
種の半導体の合金化により活性コリの不純物非拡散領域
ｔより禁制帯幅が大きくなり、屈折率は小さくなる。
この活性コリの不純物非拡散領域ｔは半導体レーザのス
トライプ発振領域となる。上部タラッド層３上のストラ
イプ状外型半導体ｊを設けた領域を除いて絶縁膜９で被
覆する。また発光領域ｔを通らない洩れ電流が生じるの
を防ぐため、各ストライプ状外型半導体よと上部クラッ
ド層３の不純物拡散領域とはｔ気的に上部クラッド層Ｊ
の不純物非拡散領域を介して接続された状態とする。％
塵半導体Ｓの上面には外側電極ＩＯがあり、半導体基板
ｌの底面にはｐ側電極ｌ／がある。
トライプ発振領域となる。上部タラッド層３上のストラ
イプ状外型半導体ｊを設けた領域を除いて絶縁膜９で被
覆する。また発光領域ｔを通らない洩れ電流が生じるの
を防ぐため、各ストライプ状外型半導体よと上部クラッ
ド層３の不純物拡散領域とはｔ気的に上部クラッド層Ｊ
の不純物非拡散領域を介して接続された状態とする。％
塵半導体Ｓの上面には外側電極ＩＯがあり、半導体基板
ｌの底面にはｐ側電極ｌ／がある。
上記量子井戸型構造の活性層に不純物の拡散により形成
する二つの半導体の合金により区切られて形成する発光
領域の幅は１〜１０μｍ程度であり、また発光領域を区
画する不純物拡散領域の幅も同じく１〜１０μｍ程度で
あって、領域の幅を上記より広くすると、発光領域が各
々独笠、に作用するために発光ビームが複数になる。
する二つの半導体の合金により区切られて形成する発光
領域の幅は１〜１０μｍ程度であり、また発光領域を区
画する不純物拡散領域の幅も同じく１〜１０μｍ程度で
あって、領域の幅を上記より広くすると、発光領域が各
々独笠、に作用するために発光ビームが複数になる。
また発光領域の数は多ければそれだけ光出力が大きくな
るが、実用的には５〜２０程度である。
るが、実用的には５〜２０程度である。
次にこの発明の半導体装置の製造方法の一実施例を第２
図及び第３図により説明する。先ず、ｐ型ＧａＡｓ基板
有機ｌを有機洗浄及び化学エツチングした後に分子線エ
ピタキシャル成長法、気相エピタキシャル成長法などを
用いて基板ｌ上に下部クラッド層として活性層を構成す
る半導体より禁制帯幅の大きいｐ型ＧａＡＪＡａ ７１
２を形成する。次いで下部クラッド層２上に禁制帯幅の
桑なる二種の化合物半導体薄膜を数１０〜数１００Ａ程
度の厚さで交互に三層以上積層し、この量子井戸型構造
を活性層μとする。続いて、量子井戸型構造活性層μの
上に活性層を構成する半導体より禁制帯幅の大きいｎ型
ＧａＡｊＡｍ層３を上部クラッド層として形成し、所謂
ダブルへテロ接合構造とする。
図及び第３図により説明する。先ず、ｐ型ＧａＡｓ基板
有機ｌを有機洗浄及び化学エツチングした後に分子線エ
ピタキシャル成長法、気相エピタキシャル成長法などを
用いて基板ｌ上に下部クラッド層として活性層を構成す
る半導体より禁制帯幅の大きいｐ型ＧａＡＪＡａ ７１
２を形成する。次いで下部クラッド層２上に禁制帯幅の
桑なる二種の化合物半導体薄膜を数１０〜数１００Ａ程
度の厚さで交互に三層以上積層し、この量子井戸型構造
を活性層μとする。続いて、量子井戸型構造活性層μの
上に活性層を構成する半導体より禁制帯幅の大きいｎ型
ＧａＡｊＡｍ層３を上部クラッド層として形成し、所謂
ダブルへテロ接合構造とする。
上部クラッド層３上には次に上部クラッド層より禁制帯
幅の狭い％型ＧｃＬＡ＃層ｊ′を電極と接続性を良くす
るために成長する。必要に応じて基板結晶ｌと下部クラ
ッド層−との間にはｐ型ＧａＡｘ層またはｐ型Ｇａムｌ
ＡＪ層をバッファ層として設けても良い。
幅の狭い％型ＧｃＬＡ＃層ｊ′を電極と接続性を良くす
るために成長する。必要に応じて基板結晶ｌと下部クラ
ッド層−との間にはｐ型ＧａＡｘ層またはｐ型Ｇａムｌ
ＡＪ層をバッファ層として設けても良い。
上述の如く多層構造が形成したらｎ型ＧａＡｓ層β′上
にシリカ、シリコンナイトライドなどの膜を被着した後
にレーザめ共振器となる方向で所定の幅の膜を所定の間
隔で除き不純物拡散用のマスク１２とする（第２図）。
にシリカ、シリコンナイトライドなどの膜を被着した後
にレーザめ共振器となる方向で所定の幅の膜を所定の間
隔で除き不純物拡散用のマスク１２とする（第２図）。
次にこのマスク／２を利用して最上層のｆ＆型、ＧａＡ
ｓ層Ｓ′をメサ状にエツチングし、マスク／２と同じよ
うな多数のストライプ状の半導体よとする。しかる後に
上面より加熱した亜鉛（ｈ）などのｐ型不純物１３を少
くとも活性コルを構成している量子井戸型構造の最下層
の半導体極薄膜に達するまで拡散する。第３図において
不純物拡散領域６は斜線で示す。この不純物の深さ方゛
向と横方向の拡散の制御は不純物の拡散温度と拡散時
間により行う。このように不純物の拡散により活性コル
の不純物拡散領域は量子井戸型を構成している二つの半
導体が合金化し、非拡散領域、即ち、ストライプ状ｓ
Ｉ［ＧａＡｘ Ｎ ｊの下部の発光領域ｒとなる活性層
よりも禁制帯幅は大きくなり、屈折率は小さくなる。
ｓ層Ｓ′をメサ状にエツチングし、マスク／２と同じよ
うな多数のストライプ状の半導体よとする。しかる後に
上面より加熱した亜鉛（ｈ）などのｐ型不純物１３を少
くとも活性コルを構成している量子井戸型構造の最下層
の半導体極薄膜に達するまで拡散する。第３図において
不純物拡散領域６は斜線で示す。この不純物の深さ方゛
向と横方向の拡散の制御は不純物の拡散温度と拡散時
間により行う。このように不純物の拡散により活性コル
の不純物拡散領域は量子井戸型を構成している二つの半
導体が合金化し、非拡散領域、即ち、ストライプ状ｓ
Ｉ［ＧａＡｘ Ｎ ｊの下部の発光領域ｒとなる活性層
よりも禁制帯幅は大きくなり、屈折率は小さくなる。
上述の如く、不純物を所定の間隔で拡散して活性層を隣
合せて交互に不純物の拡散領域と非拡散領域としたら、
マスク／２を除き、不純物拡散領域６上を絶縁膜りで被
覆し、その上より五ｕＧａＮｉ合金ＩＯを蒸着して外側
電極とする。また基板ｌの裏面を研磨した後に０ｒＡｕ
合金／Ｉを蒸着してｐ側電極とする。最後に形成した多
層構造体の両端面を骨間して第１図に示した多数の発光
領域ｒをアレイ状に配列した半導体レーザ装置となる。
合せて交互に不純物の拡散領域と非拡散領域としたら、
マスク／２を除き、不純物拡散領域６上を絶縁膜りで被
覆し、その上より五ｕＧａＮｉ合金ＩＯを蒸着して外側
電極とする。また基板ｌの裏面を研磨した後に０ｒＡｕ
合金／Ｉを蒸着してｐ側電極とする。最後に形成した多
層構造体の両端面を骨間して第１図に示した多数の発光
領域ｒをアレイ状に配列した半導体レーザ装置となる。
（作用）
上述の如き構成の半導体レーザ装置において、外側電極
１０に電子電流を、ｐｔＮＩＬ極／ノに正孔電流を供給
すると、電流は各不純物非拡散領域７の活性層（発光領
域）！へ集中する。各発光領域ｌの両側面は量子井戸型
構造が合金化した不純物拡散領域で構成されているため
、発光領域より屈折率が小さく、また上下のクラッド層
３゜２も発光領域より屈折率が小さく、従って、横方向
に単一モードのレーザ光が発振し、光の閉じ込めが行わ
れて光は発光領域内を伝搬する。
１０に電子電流を、ｐｔＮＩＬ極／ノに正孔電流を供給
すると、電流は各不純物非拡散領域７の活性層（発光領
域）！へ集中する。各発光領域ｌの両側面は量子井戸型
構造が合金化した不純物拡散領域で構成されているため
、発光領域より屈折率が小さく、また上下のクラッド層
３゜２も発光領域より屈折率が小さく、従って、横方向
に単一モードのレーザ光が発振し、光の閉じ込めが行わ
れて光は発光領域内を伝搬する。
このようにして、活性層グに形成された複数の不純物非
拡散領域を発光領域ｌとして半導体レーザ装置が構成さ
れ、発光領域が量子井戸型構造であるため、小さい発振
閾値電流にて横方向単一モードのレーザ光が発振するこ
とになる。
拡散領域を発光領域ｌとして半導体レーザ装置が構成さ
れ、発光領域が量子井戸型構造であるため、小さい発振
閾値電流にて横方向単一モードのレーザ光が発振するこ
とになる。
また、各発光領域？より発振されるレーザ光の位相は揃
っていて、発光領域の数に応じて光出力も大きくなる。
っていて、発光領域の数に応じて光出力も大きくなる。
発振するレーザ光は単峰性または双峰性を示すため集光
することも容易である。
することも容易である。
（実施例）
次にこの発明を実施例により説明する。
有機洗浄及び化学エツチングを施したｐ型ＧａＡｓ基板
結晶の上に分子線エピタキシ法を用いて、下部クラッド
層としてｐ型Ｇａ６，１ｌＡ１６．＠ Ａｓ ’層をＬ
５μｍの厚さで成長させ、次いでその上に活性層として
１００ム厚のＧａＡｓ層と７０ム厚のＧａ６，７ム１０
８．ム８層を交互に合計１０層形成し、続いて上部クラ
ッド層として１．５μｍ厚の５型Ｇａ６．６ Ａ１６，
６１１層及び０．３μｍ厚の外型ＧｃＬＡＪ層を結晶成
長した。
結晶の上に分子線エピタキシ法を用いて、下部クラッド
層としてｐ型Ｇａ６，１ｌＡ１６．＠ Ａｓ ’層をＬ
５μｍの厚さで成長させ、次いでその上に活性層として
１００ム厚のＧａＡｓ層と７０ム厚のＧａ６，７ム１０
８．ム８層を交互に合計１０層形成し、続いて上部クラ
ッド層として１．５μｍ厚の５型Ｇａ６．６ Ａ１６，
６１１層及び０．３μｍ厚の外型ＧｃＬＡＪ層を結晶成
長した。
この多層構造体の上面にシリコンナイトライドを被着し
た後にフォトリソグラフィ法により上記膜に幅５μｍの
ストライプ状溝を３μｍの間隔で１０本設け、この膜を
マスクとして用いて最上層の外型ＧｃＬＡＪ層をメサ状
にエツチングし、続いて６００℃の溶融亜鉛を活性層の
最下層に達するまで拡散した。活性層での亜鉛の非拡散
領域は横方向の拡散が存在するためマスク幅より狭く約
４μｍであった。このようにして、活性層には幅約４μ
ｍの発光領域が１０本形成した。次に最上層のＩＳ型Ｇ
ａＡｓ層の亜鉛が拡散された部分をサイドエツチングで
除失し、陽極酸化法により、露出している％型ＧａＡＩ
Ａａ層の上に酸化膜を形成させ、マスクとしていたシリ
コンナイトライドを除去し、ｎ型Ｇａｈ層を除いて絶縁
膜で被覆し、次に５型Ｇ（１１１層上にムｕＧａＮ（合
金を蒸着して外側電極とした。またｐ型ＧａＡａ基板の
底面は研磨して０ｒＡｕを蒸着し、ｐ側電極とし、両端
面を襞間し、切断して長さ約３００μｍ、幅約４００μ
ｍの半導体装置とした。
た後にフォトリソグラフィ法により上記膜に幅５μｍの
ストライプ状溝を３μｍの間隔で１０本設け、この膜を
マスクとして用いて最上層の外型ＧｃＬＡＪ層をメサ状
にエツチングし、続いて６００℃の溶融亜鉛を活性層の
最下層に達するまで拡散した。活性層での亜鉛の非拡散
領域は横方向の拡散が存在するためマスク幅より狭く約
４μｍであった。このようにして、活性層には幅約４μ
ｍの発光領域が１０本形成した。次に最上層のＩＳ型Ｇ
ａＡｓ層の亜鉛が拡散された部分をサイドエツチングで
除失し、陽極酸化法により、露出している％型ＧａＡＩ
Ａａ層の上に酸化膜を形成させ、マスクとしていたシリ
コンナイトライドを除去し、ｎ型Ｇａｈ層を除いて絶縁
膜で被覆し、次に５型Ｇ（１１１層上にムｕＧａＮ（合
金を蒸着して外側電極とした。またｐ型ＧａＡａ基板の
底面は研磨して０ｒＡｕを蒸着し、ｐ側電極とし、両端
面を襞間し、切断して長さ約３００μｍ、幅約４００μ
ｍの半導体装置とした。
１００ｐＷ＆、高さ約２μ怨であった。
上記と同様の構造で発光領域を５本とした半導体レーザ
装置の場合、発振閾値電流は１００−１発振波長は７８
００人、光出力は５００ｍＷであり、幅は約５０μｍ１
高さは約２μｍの大口径ビームが発振した。
装置の場合、発振閾値電流は１００−１発振波長は７８
００人、光出力は５００ｍＷであり、幅は約５０μｍ１
高さは約２μｍの大口径ビームが発振した。
（発明の効果）
この発明は上述の説明で明らかなように、膜厚制御性の
良い分子線エピタキシャル成長性成るいは気相エピタキ
シャル成長法を用いた多層構造体の結晶成長工程と７オ
トリソグラフイによるマスクの形成と、難かしいマスク
合せの技術を必要としない自己整合（セルファライン）
方式による不純物拡散工程の極めて簡単な方法により、
量子井戸型構造の発光領域を多数アレイ状に備えた高出
力半導体レーザ装置を製造することができ、光出力を大
幅に向上させることができるので、コンパクトディスク
、追記型光ディスク、消去・再書き込み用の光ディスク
などの記録を高速に行うことができる。また宇宙通信や
無中継のり一カルエリアネットワークへの利用にも期待
できる。
良い分子線エピタキシャル成長性成るいは気相エピタキ
シャル成長法を用いた多層構造体の結晶成長工程と７オ
トリソグラフイによるマスクの形成と、難かしいマスク
合せの技術を必要としない自己整合（セルファライン）
方式による不純物拡散工程の極めて簡単な方法により、
量子井戸型構造の発光領域を多数アレイ状に備えた高出
力半導体レーザ装置を製造することができ、光出力を大
幅に向上させることができるので、コンパクトディスク
、追記型光ディスク、消去・再書き込み用の光ディスク
などの記録を高速に行うことができる。また宇宙通信や
無中継のり一カルエリアネットワークへの利用にも期待
できる。
第１図はこの発明による半導体レーザ装置の一実施例を
示す斜視図、第２図及び第３図はこの半導体レーザ装置
の製造過程を示す正面図である。 ｌ・・・半導体基板、２・・・下部クラッド層、３・・
・上部クラッド層、弘・・・活性層、６・・・不純物拡
散領域、７・・・不純物非拡散領域、ｒ・・・発光領域
、１０・・・外側電極、７ノ・・・ｐ側電極、／２・・
・マスク、１３・・・不純物。
示す斜視図、第２図及び第３図はこの半導体レーザ装置
の製造過程を示す正面図である。 ｌ・・・半導体基板、２・・・下部クラッド層、３・・
・上部クラッド層、弘・・・活性層、６・・・不純物拡
散領域、７・・・不純物非拡散領域、ｒ・・・発光領域
、１０・・・外側電極、７ノ・・・ｐ側電極、／２・・
・マスク、１３・・・不純物。
Claims (2)
- （１）半導体基板上に上下より活性層を構成する二種の
化合物半導体の平均組成より大きな組成の化合物半導体
で挾まれた量子井戸型構造の活性層をレーザ共振器方向
に活性層を構成する二種の化合物半導体の平均組成の化
合物半導体にて区切つて複数の発光領域をアレイ状に配
列したことを特徴とする半導体レーザ装置。 - （２）半導体基板上に下部クラッド層、二種の組成の異
なる化合物半導体極薄膜を交互に三層以上積み重ねて構
成した量子井戸型構造の活性層、上部クラッド層を順次
結晶成長させ、形成した多層構造体の上面に所定の幅を
有する複数の直線状のマスクを所定の間隔で設けて不純
物を最上層より少くとも活性層の最下層に達するまで拡
散し、不純物の非拡散領域の上面に電極を設けて、活性
層のそれぞれの不純物非拡散領域を発光領域としたこと
を特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7668085A JPS61236187A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7668085A JPS61236187A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61236187A true JPS61236187A (ja) | 1986-10-21 |
Family
ID=13612143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7668085A Pending JPS61236187A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61236187A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214488A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-23 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
| US4980895A (en) * | 1988-03-28 | 1990-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Distributed feedback semiconductor laser having a laser-active layer serving as diffraction grating |
-
1985
- 1985-04-12 JP JP7668085A patent/JPS61236187A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214488A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-23 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
| US4980895A (en) * | 1988-03-28 | 1990-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Distributed feedback semiconductor laser having a laser-active layer serving as diffraction grating |
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