JPH0426232B2 - - Google Patents
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- JPH0426232B2 JPH0426232B2 JP58116791A JP11679183A JPH0426232B2 JP H0426232 B2 JPH0426232 B2 JP H0426232B2 JP 58116791 A JP58116791 A JP 58116791A JP 11679183 A JP11679183 A JP 11679183A JP H0426232 B2 JPH0426232 B2 JP H0426232B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜発明の分野＞
この発明は半導体レーザに関するものであり、
特にミラー切子面に隣接した非吸収性領域を有す
るレーザに関するものである。
特にミラー切子面に隣接した非吸収性領域を有す
るレーザに関するものである。
＜発明の背景＞
代表的な半導体レーザは、一般に−族化合
物、このような化合物の合金等、反対導電形式の
層間に薄い活性層を持つた材料の本体から成る。
米国特許第4347486号明細書に記載されたレーザ
や、アプライドフイジツクスレターズ（Applied
Physics Letters）の1982年８月15日発行、
vol.41、No.４の第310頁乃至312頁のコノリ氏
（Connolly）他によつて発表された制限された２
重ヘテロ構造レーザは、単一のトランスバース
（レーザの面に垂直の方向）およびラテラル（光
の伝播方向）モードの高出力レーザビームを発生
することができる。これらのレーザは活性層に隣
接して案内層を有するので、活性層中で発生され
た光は大部分隣接する案内層中を伝播し、それに
よつて光が発生することのできるより大きな切子
面領域を作り出している。このようなレーザのミ
ラー切子面（mirror facet）の１つからの光放射
はなお小部分のみから行なわれ、一般には装置の
ミラー切子面の数平方ミクロンにすぎない。その
ため局部出力密度は非常に高く、放射ミラー・レ
ーザ切子面に損傷を与え、それがゆつくりとした
長い期間にわたる切子面の腐食あるいは酸化を生
じさせる可能性があり、最終的には装置を破壊し
てしまう可能性がある。いずれの形式の損傷が生
ずるのも防止するために、切子面におけるレーザ
出力の密度をこのような損傷が生ずる閾値以下に
維持する必要がある。上記の損傷が生ずる閾値を
高くするために、例えば米国特許第4178564号に
示されているような透明被膜をさらに放射切子面
上に形成してもよい。このような方法の組合せに
よつてレーザ切子面が損傷を受けるのを少なくす
ることができるが、レーザの固有出力パワーを充
分に利用するには程遠いものであつた。
物、このような化合物の合金等、反対導電形式の
層間に薄い活性層を持つた材料の本体から成る。
米国特許第4347486号明細書に記載されたレーザ
や、アプライドフイジツクスレターズ（Applied
Physics Letters）の1982年８月15日発行、
vol.41、No.４の第310頁乃至312頁のコノリ氏
（Connolly）他によつて発表された制限された２
重ヘテロ構造レーザは、単一のトランスバース
（レーザの面に垂直の方向）およびラテラル（光
の伝播方向）モードの高出力レーザビームを発生
することができる。これらのレーザは活性層に隣
接して案内層を有するので、活性層中で発生され
た光は大部分隣接する案内層中を伝播し、それに
よつて光が発生することのできるより大きな切子
面領域を作り出している。このようなレーザのミ
ラー切子面（mirror facet）の１つからの光放射
はなお小部分のみから行なわれ、一般には装置の
ミラー切子面の数平方ミクロンにすぎない。その
ため局部出力密度は非常に高く、放射ミラー・レ
ーザ切子面に損傷を与え、それがゆつくりとした
長い期間にわたる切子面の腐食あるいは酸化を生
じさせる可能性があり、最終的には装置を破壊し
てしまう可能性がある。いずれの形式の損傷が生
ずるのも防止するために、切子面におけるレーザ
出力の密度をこのような損傷が生ずる閾値以下に
維持する必要がある。上記の損傷が生ずる閾値を
高くするために、例えば米国特許第4178564号に
示されているような透明被膜をさらに放射切子面
上に形成してもよい。このような方法の組合せに
よつてレーザ切子面が損傷を受けるのを少なくす
ることができるが、レーザの固有出力パワーを充
分に利用するには程遠いものであつた。
ミラー切子面の破壊は、レーザ光の吸収によつ
て材料の融解温度に近い温度にまで上記ミラー切
子面が局部加熱されることによつて生ずるという
ことが解明された。この影響を小さくするため
に、装置の光吸収活性層が切子面にまで延びるこ
とがないように半導体レーザを構成した。活性層
と切子面の端部間の領域は光透過性材料で作ら
れ、それによつて切子面での光吸収の問題を低減
している。このような装置は、長期間の破壊的な
損傷が生ずる閾値パワーが５倍乃至10倍に増大す
ることが判つた。
て材料の融解温度に近い温度にまで上記ミラー切
子面が局部加熱されることによつて生ずるという
ことが解明された。この影響を小さくするため
に、装置の光吸収活性層が切子面にまで延びるこ
とがないように半導体レーザを構成した。活性層
と切子面の端部間の領域は光透過性材料で作ら
れ、それによつて切子面での光吸収の問題を低減
している。このような装置は、長期間の破壊的な
損傷が生ずる閾値パワーが５倍乃至10倍に増大す
ることが判つた。
しかしながら、このような装置は、特にミラー
切子面に隣接する透明領域においてラテラル・モ
ードの制御を行なうことができない。従つて、出
力光ビームのラテラル・モード特性は、切子面を
形成するために使用される劈開処理が不正確であ
るために、装置毎に異なる透明領域の長さに依存
することになる。従つて、非吸収切子面にまで延
びるラテラル・モード制御を具えた半導体レーザ
を提供することが望ましい。
切子面に隣接する透明領域においてラテラル・モ
ードの制御を行なうことができない。従つて、出
力光ビームのラテラル・モード特性は、切子面を
形成するために使用される劈開処理が不正確であ
るために、装置毎に異なる透明領域の長さに依存
することになる。従つて、非吸収切子面にまで延
びるラテラル・モード制御を具えた半導体レーザ
を提供することが望ましい。
＜発明の概要＞
この発明は、１対の平行なミラー切子面を有
し、表面に実質的に平行な１対のチヤンネルを持
つた基体を含む本体からなる半導体レーザに関す
るものである。第１の閉じ込め層は基体とチヤン
ネルの表面上にあり、厚みがラテラル方向にテー
パ状になつた案内層は第１の閉じ込め層上にあ
る。活性層は案内層の一部分上に乗つており、光
が放射される切子面に向つて伸びているが、しか
しこの切子面には接触していない。第２の閉じ込
め層は活性層上にあり、閉じ込め領域は活性層が
存在しない案内層上にある。この装置は切子面に
伸びるラテラル・モード制御およびトランスバー
ス・モード制御の両方を持つている。放射切子面
におけるモードの形を変えるために、案内層の形
状はラテラル方向およびトランスバース方向の双
方で変えることができる。
し、表面に実質的に平行な１対のチヤンネルを持
つた基体を含む本体からなる半導体レーザに関す
るものである。第１の閉じ込め層は基体とチヤン
ネルの表面上にあり、厚みがラテラル方向にテー
パ状になつた案内層は第１の閉じ込め層上にあ
る。活性層は案内層の一部分上に乗つており、光
が放射される切子面に向つて伸びているが、しか
しこの切子面には接触していない。第２の閉じ込
め層は活性層上にあり、閉じ込め領域は活性層が
存在しない案内層上にある。この装置は切子面に
伸びるラテラル・モード制御およびトランスバー
ス・モード制御の両方を持つている。放射切子面
におけるモードの形を変えるために、案内層の形
状はラテラル方向およびトランスバース方向の双
方で変えることができる。
＜実施例の説明＞
以下、図を参照しつゝこの発明を詳細に説明す
る。
る。
第１図の半導体レーザ１０は平行六面体の形の
単結晶半導体材料の本体１２からなつている。本
体１２は光反射性の間隔をおいた平行なミラー切
子面１４ａ，１４ｂを有し、切子面の少なくとも
一方は部分的に透明で、そこから光が放射され
る。本体１２はまた切子面１４ａと１４ｂとの間
で、これらと垂直の間隔をおいた平行な側面１６
を持つている。
単結晶半導体材料の本体１２からなつている。本
体１２は光反射性の間隔をおいた平行なミラー切
子面１４ａ，１４ｂを有し、切子面の少なくとも
一方は部分的に透明で、そこから光が放射され
る。本体１２はまた切子面１４ａと１４ｂとの間
で、これらと垂直の間隔をおいた平行な側面１６
を持つている。
半導体本体１２は基体１８を有し、この基体１
８は各各切子面１４ａと１４ｂとの間、および側
面１６の間にこれらと垂直に伸びる平行な第１お
よび第２の表面２０および２２を持つている。基
体１８の主表面２０内には間隔をおいて実質的に
平行な１対のチヤンネル２４が形成されており、
これらのチヤンネルは切子面１４ａと１４ｂとの
間で延びている。チヤンネル２４間の主表面２０
の部分はメサ（台地状部分）２０ａを構成してい
る。緩衝層２６は主表面２０およびメサ２０ａ上
にあり、且つ部分的にチヤンネル２４を満たして
いる。第１の閉じ込め層２８が緩衝層２６上に形
成され、案内層３０が第１の閉じ込め層２８上に
形成されている。活性層３２が案内層３０の表面
の一部分上に形成されており、側面１６間に延在
し、切子面１４ａと１４ｂに向けて伸延している
が、これらの切子面とは接触していない。第２の
閉じ込め層３４は活性層３２上にあり、キヤツピ
ング層３６は第２の閉じ込め層３４上にある。閉
じ込め領域３８は案内層３０上にあり、案内層３
０のこの領域は活性層３２によつて覆われていな
い。キヤツピング層３６および閉じ込め領域３８
を覆つて電気絶縁層４０が形成されており、この
電気絶縁層４０には貫通孔４１が穿設されてい
る。第１の電気的接触４２が電気絶縁層４０およ
び孔４１内のキヤツピング層３６上に形成されて
いる。第２の電気的接触４４が基体１８の表面２
２上に形成されている。電気的接触４２および４
４は本体１２に対する電気的接触手段となつてい
る。
８は各各切子面１４ａと１４ｂとの間、および側
面１６の間にこれらと垂直に伸びる平行な第１お
よび第２の表面２０および２２を持つている。基
体１８の主表面２０内には間隔をおいて実質的に
平行な１対のチヤンネル２４が形成されており、
これらのチヤンネルは切子面１４ａと１４ｂとの
間で延びている。チヤンネル２４間の主表面２０
の部分はメサ（台地状部分）２０ａを構成してい
る。緩衝層２６は主表面２０およびメサ２０ａ上
にあり、且つ部分的にチヤンネル２４を満たして
いる。第１の閉じ込め層２８が緩衝層２６上に形
成され、案内層３０が第１の閉じ込め層２８上に
形成されている。活性層３２が案内層３０の表面
の一部分上に形成されており、側面１６間に延在
し、切子面１４ａと１４ｂに向けて伸延している
が、これらの切子面とは接触していない。第２の
閉じ込め層３４は活性層３２上にあり、キヤツピ
ング層３６は第２の閉じ込め層３４上にある。閉
じ込め領域３８は案内層３０上にあり、案内層３
０のこの領域は活性層３２によつて覆われていな
い。キヤツピング層３６および閉じ込め領域３８
を覆つて電気絶縁層４０が形成されており、この
電気絶縁層４０には貫通孔４１が穿設されてい
る。第１の電気的接触４２が電気絶縁層４０およ
び孔４１内のキヤツピング層３６上に形成されて
いる。第２の電気的接触４４が基体１８の表面２
２上に形成されている。電気的接触４２および４
４は本体１２に対する電気的接触手段となつてい
る。
第２図乃至第５図において、これらの各図の素
子に共通の参照番号は第１図の素子と同じ番号が
付されている。第２図には第１図の２−２線に沿
うレーザ１０の断面が示されている。活性層３
２、第２の閉じ込め層３４およびキヤツピング層
３６は両側面１６間に伸びているように示されて
いる。
子に共通の参照番号は第１図の素子と同じ番号が
付されている。第２図には第１図の２−２線に沿
うレーザ１０の断面が示されている。活性層３
２、第２の閉じ込め層３４およびキヤツピング層
３６は両側面１６間に伸びているように示されて
いる。
基体１８、緩衝層２６、第１の閉じ込め層２８
および案内層３０は一方の導電形式となつてい
る。第２の閉じ込め層３４とキヤツピング層４０
は反対導電形式である。活性層３２はいずれの導
電形式でもよく、一般には軽く導電性とされてい
るにすぎない。閉じ込め領域３８はいずれの導電
形式でもよく、通常ｎ導電形とされている。閉じ
込め領域３８の高抵抗は活性層３２の周囲に電流
が流れるのを阻止するように働く。他の例とし
て、閉じ込め領域３８はｐ−ｎ接合を有し、それ
らの間で電流が流れるのを阻止する反対導電形式
の２つの層からなるものでもよい。
および案内層３０は一方の導電形式となつてい
る。第２の閉じ込め層３４とキヤツピング層４０
は反対導電形式である。活性層３２はいずれの導
電形式でもよく、一般には軽く導電性とされてい
るにすぎない。閉じ込め領域３８はいずれの導電
形式でもよく、通常ｎ導電形とされている。閉じ
込め領域３８の高抵抗は活性層３２の周囲に電流
が流れるのを阻止するように働く。他の例とし
て、閉じ込め領域３８はｐ−ｎ接合を有し、それ
らの間で電流が流れるのを阻止する反対導電形式
の２つの層からなるものでもよい。
活性層３２のレーザ波長における屈折率は案内
層３０の屈折率より大きく、案内層３０の屈折率
は閉じ込め層２８，３４および閉じ込め領域３８
の屈折率よりも大である。
層３０の屈折率より大きく、案内層３０の屈折率
は閉じ込め層２８，３４および閉じ込め領域３８
の屈折率よりも大である。
第３図は、レーザ光が放射される切子面１４ａ
上を覆う光透過性被膜６２を含むレーザ１０の側
面図を示す。このような被膜は米国特許第
4178564号明細書中に示されている。光反射器６
４は反対側の切子面１４ｂ上に形成されている。
有効な光反射器は米国特許第3701047号明細書に
示されているような金属および米国特許第
4092659号明細書に示されているような誘電体積
層反射器とを含んでいる。
上を覆う光透過性被膜６２を含むレーザ１０の側
面図を示す。このような被膜は米国特許第
4178564号明細書中に示されている。光反射器６
４は反対側の切子面１４ｂ上に形成されている。
有効な光反射器は米国特許第3701047号明細書に
示されているような金属および米国特許第
4092659号明細書に示されているような誘電体積
層反射器とを含んでいる。
米国特許第4215319号、米国特許第3753801号の
各明細書に示されているような周知の液晶エピタ
クシの方法を使つて各種の層が基本１８上に順次
被着される。液相エピタクシでは、層の局部成長
率は、それが成長する表面の局部湾曲と共に変化
する。表面の局部正湾曲の量が大きくなればなる
程、重畳層の方向から見たとき、局部成長率は高
くなる。例えば第１の閉じ込め層２８は、案内層
３０が被着される上記閉じ込め層２８の表面がメ
サ２０ａ上に局部的な凹部が形成されるような厚
みに成長させる。そのため、最大の正湾曲、すな
わちくぼみの凸状部を有する第１の閉じ込め層２
８の部分上で案内層３０は最大の局部成長率を持
つ。案内層３０の上面はメサ２０ａ上に中心のあ
る凸状の形状を持つている。案内層上の活性層３
２の成長率は、チヤンネル２４上よりもメサ２０
ａ上でより高くなり、その結果、メサ２０ａ上で
最大の厚みを持ち、ラテラル方向に厚みが減少し
てテーパ状の活性層３２が形成される。全体とし
て、案内層３０はその層のメサ２０ａ上の部分か
らラテラル方向に厚みが段々と増大するテーパ状
になり、一方活性層２８はラテラル方向に厚みが
段々と減少するテーパ状になつている。
各明細書に示されているような周知の液晶エピタ
クシの方法を使つて各種の層が基本１８上に順次
被着される。液相エピタクシでは、層の局部成長
率は、それが成長する表面の局部湾曲と共に変化
する。表面の局部正湾曲の量が大きくなればなる
程、重畳層の方向から見たとき、局部成長率は高
くなる。例えば第１の閉じ込め層２８は、案内層
３０が被着される上記閉じ込め層２８の表面がメ
サ２０ａ上に局部的な凹部が形成されるような厚
みに成長させる。そのため、最大の正湾曲、すな
わちくぼみの凸状部を有する第１の閉じ込め層２
８の部分上で案内層３０は最大の局部成長率を持
つ。案内層３０の上面はメサ２０ａ上に中心のあ
る凸状の形状を持つている。案内層上の活性層３
２の成長率は、チヤンネル２４上よりもメサ２０
ａ上でより高くなり、その結果、メサ２０ａ上で
最大の厚みを持ち、ラテラル方向に厚みが減少し
てテーパ状の活性層３２が形成される。全体とし
て、案内層３０はその層のメサ２０ａ上の部分か
らラテラル方向に厚みが段々と増大するテーパ状
になり、一方活性層２８はラテラル方向に厚みが
段々と減少するテーパ状になつている。
基体１８は好ましくはGaAsからなる２元−
族化合物からなり、｛100｝結晶面と平行か、あ
るいは好ましくはその結晶面からずれた方位をも
つた主表面２０を有し、且つ＜110＞結晶学軸と
平行に配列されたチヤンネル軸を持つている。結
晶学軸の＜110＞群のものを使用することは、半
導体本体１２のミラー切子面１４ａおよび１４ｂ
が劈開面となるので好ましい。方位（オリエンテ
ーシヨン）ずれはチヤンネルの軸に沿つている
か、あるいはその軸とある角度をなしている。好
ましくは（001）面に対する基体表面の方位ずれ
は約5°と45°との間の角度にあり、約35°が最適で
ある。主表面２０からの（001）面の傾斜角は約
0.2°から1.5°の間にあり、好ましくは約1°である。
これについては「製産歩留りの高い半導体レーザ
（Semiconductor Laser having High
Manufacturing Yield）」という名称の米国特許
第4523318号明細書中に示されている。別の実施
例として、米国特許第4461008号明細書に示され
ているように、方位ずれの角度がチヤンネルの軸
に対して約90°であつてもよい。この後者の方位
ずれを採用すると、案内層は台地状の表面を持
ち、活性層はその台地状の表面上の部分から厚み
がテーパ状になる構造となる。
族化合物からなり、｛100｝結晶面と平行か、あ
るいは好ましくはその結晶面からずれた方位をも
つた主表面２０を有し、且つ＜110＞結晶学軸と
平行に配列されたチヤンネル軸を持つている。結
晶学軸の＜110＞群のものを使用することは、半
導体本体１２のミラー切子面１４ａおよび１４ｂ
が劈開面となるので好ましい。方位（オリエンテ
ーシヨン）ずれはチヤンネルの軸に沿つている
か、あるいはその軸とある角度をなしている。好
ましくは（001）面に対する基体表面の方位ずれ
は約5°と45°との間の角度にあり、約35°が最適で
ある。主表面２０からの（001）面の傾斜角は約
0.2°から1.5°の間にあり、好ましくは約1°である。
これについては「製産歩留りの高い半導体レーザ
（Semiconductor Laser having High
Manufacturing Yield）」という名称の米国特許
第4523318号明細書中に示されている。別の実施
例として、米国特許第4461008号明細書に示され
ているように、方位ずれの角度がチヤンネルの軸
に対して約90°であつてもよい。この後者の方位
ずれを採用すると、案内層は台地状の表面を持
ち、活性層はその台地状の表面上の部分から厚み
がテーパ状になる構造となる。
チヤンネル２４は第１図に示すようにありつぎ
状の形態を有し、そのためチヤンネル軸は＜110
＞結晶学方向と平行になる。チヤンネル２４とし
ては、別の結晶学軸あるいは別の化学腐食剤（エ
ツチヤント）を使用する場合は、例えばＵ形、Ｖ
形あるいは矩形状のものを使用することができ
る。チヤンネル２４は一般には表面２０で約４乃
至20ミクロン、好ましくは10ミクロンの幅で、深
さが約４ミクロンである。溝と溝の中心間距離は
一般には約20乃至45ミクロンで、好ましくは約32
ミクロンである。溝は米国特許第4215319号明細
書に示されているように、通常の写真石版および
エツチング法を使つて形成される。
状の形態を有し、そのためチヤンネル軸は＜110
＞結晶学方向と平行になる。チヤンネル２４とし
ては、別の結晶学軸あるいは別の化学腐食剤（エ
ツチヤント）を使用する場合は、例えばＵ形、Ｖ
形あるいは矩形状のものを使用することができ
る。チヤンネル２４は一般には表面２０で約４乃
至20ミクロン、好ましくは10ミクロンの幅で、深
さが約４ミクロンである。溝と溝の中心間距離は
一般には約20乃至45ミクロンで、好ましくは約32
ミクロンである。溝は米国特許第4215319号明細
書に示されているように、通常の写真石版および
エツチング法を使つて形成される。
メサ２０ａの表面の高さは、米国特許第
4426701号明細書に示されているように、チヤン
ネル２４の底の上の主表面２０の高さと異つてい
る。この高さの差によつて、メサとその周囲が同
じ高さの場合よりもそこに形成される層の湾曲が
より大きくなる。この高さの差は通常約0.5乃至
３ミクロンで、好ましくは１乃至２ミクロンの間
である。
4426701号明細書に示されているように、チヤン
ネル２４の底の上の主表面２０の高さと異つてい
る。この高さの差によつて、メサとその周囲が同
じ高さの場合よりもそこに形成される層の湾曲が
より大きくなる。この高さの差は通常約0.5乃至
３ミクロンで、好ましくは１乃至２ミクロンの間
である。
緩衝層２６は通常基体１８と同じ材料で作られ
ており、一般にはメサ２０ａ上に約１乃至３ミク
ロンの厚みに形成される。この層の厚みは下にあ
る溝上の一様でない成長率によつてラテラル方向
に変化し、基体表面がチヤンネルの軸と不平行な
方向にある｛100｝面からの方位ずれがある場合
は非対称になる。
ており、一般にはメサ２０ａ上に約１乃至３ミク
ロンの厚みに形成される。この層の厚みは下にあ
る溝上の一様でない成長率によつてラテラル方向
に変化し、基体表面がチヤンネルの軸と不平行な
方向にある｛100｝面からの方位ずれがある場合
は非対称になる。
第１の閉じ込め層２８は一般にはAlwGa1-wAl
によつて構成され、Alの分別濃度を示す量Ｗは
約0.25乃至約0.4の間にあり、一般には約0.35であ
る。この層の厚みはメサ２０ａの上で約１乃至３
ミクロンで、その厚みはラテラル方向に非対称に
変化する。
によつて構成され、Alの分別濃度を示す量Ｗは
約0.25乃至約0.4の間にあり、一般には約0.35であ
る。この層の厚みはメサ２０ａの上で約１乃至３
ミクロンで、その厚みはラテラル方向に非対称に
変化する。
案内層３０は一般にAlxGa1-xによつて構成さ
れ、Alの分別量ｘは第１の閉じ込め層２８のそ
れよりも小さく活性層３２のそれよりも大で、一
般には約0.1乃至約0.3で、好ましくは約0.2であ
る。案内層３０はメサ２０ａの上にある部分から
厚みが段々と増大するテーパ状をなし、メサ２０
ａの上で約0.5乃至約0.3ミクロンの厚みを持つて
いる。
れ、Alの分別量ｘは第１の閉じ込め層２８のそ
れよりも小さく活性層３２のそれよりも大で、一
般には約0.1乃至約0.3で、好ましくは約0.2であ
る。案内層３０はメサ２０ａの上にある部分から
厚みが段々と増大するテーパ状をなし、メサ２０
ａの上で約0.5乃至約0.3ミクロンの厚みを持つて
いる。
活性層３２は一般にはAlyGa1-yによつて構成
され、Alの分別量ｙは案内層３０のそれよりも
小さく、一般には約０乃至約0.07の間にある。こ
の層はメサ２０ａ上で通常約0.05乃至0.2ミクロ
ンの厚みを有し、ラテラル方向に厚みが段々と減
少するテーパ状をなしている。活性層３２は一般
にはミラー切子面１４ａと１４ｂとの間で約100
乃至200ミクロンの距離にわたつて伸延しており、
ミラー切子面の約10乃至100ミクロン、通常は約
50ミクロン内側にまで伸びている。
され、Alの分別量ｙは案内層３０のそれよりも
小さく、一般には約０乃至約0.07の間にある。こ
の層はメサ２０ａ上で通常約0.05乃至0.2ミクロ
ンの厚みを有し、ラテラル方向に厚みが段々と減
少するテーパ状をなしている。活性層３２は一般
にはミラー切子面１４ａと１４ｂとの間で約100
乃至200ミクロンの距離にわたつて伸延しており、
ミラー切子面の約10乃至100ミクロン、通常は約
50ミクロン内側にまで伸びている。
第２の閉じ込め層３４は一般にAlzGa1-zによつ
て構成されている。Alの分別量ｚは約0.3乃至0.5
で、好ましくは約0.4である。第２の閉じ込め層
３４はメサ２０ａ上で約１乃至３ミクロンの厚み
である。キヤツピング層３６は通常約0.1乃至0.5
ミクロンの厚みで、GaAsによつて構成されてい
る。
て構成されている。Alの分別量ｚは約0.3乃至0.5
で、好ましくは約0.4である。第２の閉じ込め層
３４はメサ２０ａ上で約１乃至３ミクロンの厚み
である。キヤツピング層３６は通常約0.1乃至0.5
ミクロンの厚みで、GaAsによつて構成されてい
る。
閉じ込め領域３８は一般にAlnGa1-nによつて
構成され、Alの分別量ｍは約0.2乃至0.4の間にあ
り、通常は約0.3である。閉じ込め領域３８の厚
みは、活性層３２、第２の閉じ込め層３４および
キツピング層３６の合計の厚みにほゞ等しいこと
が望ましく、これらの層と領域３８とかほゞ平面
をなすようにされている。
構成され、Alの分別量ｍは約0.2乃至0.4の間にあ
り、通常は約0.3である。閉じ込め領域３８の厚
みは、活性層３２、第２の閉じ込め層３４および
キツピング層３６の合計の厚みにほゞ等しいこと
が望ましく、これらの層と領域３８とかほゞ平面
をなすようにされている。
この発明のレーザを構成するに当つて、活性
層、第２の閉じ込め層およびキツピング層は液相
エピタクシを使つて案内層の全表面上に順次被着
される。次いで切子面の一方または双方に隣接す
るキツピング層、第２の閉じ込め層、および活性
層の一部は一連の選択性化学的エツチング工程に
よつて除去される。層がチヤンネルの形成された
基体によつて非平面であることから選択的エツチ
ングは好ましい。キヤツピング層３６はGaAsで
構成されている場合は、例えば1H2SO4：
8H2O2：8H2Oあるいは20H2O2：1NH4OHの腐
食剤を使用して20℃で約15分間で除去される。第
２の閉じ込め層３４は、Ｐ型のAlGaAsで構成さ
れている場合は、1HF：1H2Oあるいは1HCl：
1H2Oのいずれかの腐食剤を使用して除去され
る。活性層３２は、GaAs、あるいはAlqGal-q
（こゝでｑは約0.07よりも小さな値）で構成され
ている場合は、20H2O：1NH4OHの腐食剤を使
用して除去される。これらの化学式の相対的濃度
は体積濃度である。活性層中のAlの濃度ｑが約
0.07よりも小さな値である場合は、この層を除去
するために使用される腐食剤は、たとえ下に案内
層３０があつても、これを殆んど除去しない。活
性層を溶解エツチングによつて取除いてもよい。
層、第２の閉じ込め層およびキツピング層は液相
エピタクシを使つて案内層の全表面上に順次被着
される。次いで切子面の一方または双方に隣接す
るキツピング層、第２の閉じ込め層、および活性
層の一部は一連の選択性化学的エツチング工程に
よつて除去される。層がチヤンネルの形成された
基体によつて非平面であることから選択的エツチ
ングは好ましい。キヤツピング層３６はGaAsで
構成されている場合は、例えば1H2SO4：
8H2O2：8H2Oあるいは20H2O2：1NH4OHの腐
食剤を使用して20℃で約15分間で除去される。第
２の閉じ込め層３４は、Ｐ型のAlGaAsで構成さ
れている場合は、1HF：1H2Oあるいは1HCl：
1H2Oのいずれかの腐食剤を使用して除去され
る。活性層３２は、GaAs、あるいはAlqGal-q
（こゝでｑは約0.07よりも小さな値）で構成され
ている場合は、20H2O：1NH4OHの腐食剤を使
用して除去される。これらの化学式の相対的濃度
は体積濃度である。活性層中のAlの濃度ｑが約
0.07よりも小さな値である場合は、この層を除去
するために使用される腐食剤は、たとえ下に案内
層３０があつても、これを殆んど除去しない。活
性層を溶解エツチングによつて取除いてもよい。
エツチング処理が終ると、キツピング層３６上
にマスクが形成され、標準の液相エピタクシを使
用して閉じ込め領域３８が成長される。閉じ込め
領域３８を気相エピタクシあるいは分子線エピタ
クシによつて被着してもよい。被着処理の終了
後、キヤツピング層３６上のマスク層が除去さ
れ、キヤツピング層３６および閉じ込め領域３８
上に電気的絶縁層４０が形成される。
にマスクが形成され、標準の液相エピタクシを使
用して閉じ込め領域３８が成長される。閉じ込め
領域３８を気相エピタクシあるいは分子線エピタ
クシによつて被着してもよい。被着処理の終了
後、キヤツピング層３６上のマスク層が除去さ
れ、キヤツピング層３６および閉じ込め領域３８
上に電気的絶縁層４０が形成される。
電気的絶縁層４０は２酸化シリコンからなるこ
とが望ましく、酸素あるいは水蒸気中でシランの
ようなシリコン含有ガスを熱分解することによつ
てキヤツピング層３６および閉じ込め領域３８上
に被着される。
とが望ましく、酸素あるいは水蒸気中でシランの
ようなシリコン含有ガスを熱分解することによつ
てキヤツピング層３６および閉じ込め領域３８上
に被着される。
標準的な写真石版技法およびエツチング処理を
使用して、電気絶縁層４０を貫通してチヤンネル
間のメサ２０ａ上のキヤツピング層３６に通ずる
開孔４１が形成される。開孔４１はキツピング層
３６にまで伸びることが必要である。
使用して、電気絶縁層４０を貫通してチヤンネル
間のメサ２０ａ上のキヤツピング層３６に通ずる
開孔４１が形成される。開孔４１はキツピング層
３６にまで伸びることが必要である。
チタン、白金および金からなることが好ましい
電気的接触４２が、電気的絶縁層４０およびキツ
ピング層３６上に一連の真空蒸着によつて被着さ
れる。基体１８の第２の主表面２２上の電気的接
触４４は、すずおよび金の真空蒸着およびシンタ
によつて形成される。
電気的接触４２が、電気的絶縁層４０およびキツ
ピング層３６上に一連の真空蒸着によつて被着さ
れる。基体１８の第２の主表面２２上の電気的接
触４４は、すずおよび金の真空蒸着およびシンタ
によつて形成される。
別の例として、キヤツピング層３６と電気的絶
縁層４０とを、第２の閉じ込め層３４の導電形式
と反対の導電形式のGaAsのような半導体材料の
阻止層に綜合することができる。活性層の最も厚
い部分上の一般には縞状形式の阻止層の一部は、
その縞状部分の導電形式を第２の閉じ込め層の導
電形式に変える過剰濃度の導電形式変換体を含ん
でいる。電気的接触相互間に印加される順バイア
ス電圧によつて阻止層と第２の閉じ込め層との間
の接合を逆バイアスし、それによつて縞の領域を
除いて阻止電流が層を通つて流れる。
縁層４０とを、第２の閉じ込め層３４の導電形式
と反対の導電形式のGaAsのような半導体材料の
阻止層に綜合することができる。活性層の最も厚
い部分上の一般には縞状形式の阻止層の一部は、
その縞状部分の導電形式を第２の閉じ込め層の導
電形式に変える過剰濃度の導電形式変換体を含ん
でいる。電気的接触相互間に印加される順バイア
ス電圧によつて阻止層と第２の閉じ込め層との間
の接合を逆バイアスし、それによつて縞の領域を
除いて阻止電流が層を通つて流れる。
各別の層の厚みと組成とによつて生ずる実効的
なトランスバース屈折率の変化によつて装置のラ
テラル方向にレーザ・ビームが伝播するのを制限
することができる。この発明のレーザでは、その
構造の違いによつて考慮しなければならない２つ
の別々の領域、すなわち第４図および第５図で活
性層３２が案内層３０上にあると示された第１
の領域と、同じく第４図および第５図で、活性層
が案内層上に存在しないと示された第２の領域
とが存在する。屈折率のこの変化に寄与する２つ
のもの、すなわち別々の層の個々の体積屈折率
と、個々の層の厚みの違いによる実効屈折率の変
化がある。第４図には第１および第２の領域のト
ランスバース方向の空間パワー変化が概略的に示
されている。第１の領域では、ビームは活性層
３２あるいはその近くに集中しており、一方第２
の領域では、ビームは案内層３０に集中してい
る。第１の領域から第２の領域へ結合される
パワーの量を最大にするために、２つの領域にお
ける実効トランスバース方向伝播定数が出来るだ
け接近して接合していることが望ましい。第２の
領域のトランスバース方向実効屈折率が第１の
領域のそれとほゞ等しくなるように、閉じ込め
領域３８におけるAlの濃度を選択し、トランス
バース方向屈折率が、光ビームの伝播する層の各
作用の組合せとなるようにすることによつて上記
の整合が得られる。この点については、アイ・イ
ー・イー・イー・ジヤーナルオブクオンタムエレ
クトロニツクス（IEEE Journal of Quantum
Electronics）Ｑ−17、78（1981）のボテツ
（Botez）氏の論文に示されている。
なトランスバース屈折率の変化によつて装置のラ
テラル方向にレーザ・ビームが伝播するのを制限
することができる。この発明のレーザでは、その
構造の違いによつて考慮しなければならない２つ
の別々の領域、すなわち第４図および第５図で活
性層３２が案内層３０上にあると示された第１
の領域と、同じく第４図および第５図で、活性層
が案内層上に存在しないと示された第２の領域
とが存在する。屈折率のこの変化に寄与する２つ
のもの、すなわち別々の層の個々の体積屈折率
と、個々の層の厚みの違いによる実効屈折率の変
化がある。第４図には第１および第２の領域のト
ランスバース方向の空間パワー変化が概略的に示
されている。第１の領域では、ビームは活性層
３２あるいはその近くに集中しており、一方第２
の領域では、ビームは案内層３０に集中してい
る。第１の領域から第２の領域へ結合される
パワーの量を最大にするために、２つの領域にお
ける実効トランスバース方向伝播定数が出来るだ
け接近して接合していることが望ましい。第２の
領域のトランスバース方向実効屈折率が第１の
領域のそれとほゞ等しくなるように、閉じ込め
領域３８におけるAlの濃度を選択し、トランス
バース方向屈折率が、光ビームの伝播する層の各
作用の組合せとなるようにすることによつて上記
の整合が得られる。この点については、アイ・イ
ー・イー・イー・ジヤーナルオブクオンタムエレ
クトロニツクス（IEEE Journal of Quantum
Electronics）Ｑ−17、78（1981）のボテツ
（Botez）氏の論文に示されている。
この発明のレーザの出力ビームは、第２の領域
の案内層の形状およびテーパを変えることによ
つて、放射切子面の楕円形状からほゞ円形あるい
は他の所望の形状に変えることができる。これは
例えば第１と第２の領域間のメサの高さを変える
ことによつて行なわれる。第５図は、第１の領域
のチヤンネルの底の上のメサの高さが第２の領
域のメサの高さよりも高いときの第１および第
２の領域のレーザ構造の横断面を概略的に示して
いる。案内層３０の形状は、第１の領域で厚み
が増大するテーパから第２の領域で厚みが減少
するテーパに変更される。これによつて第２の領
域で案内されるビームは第１の領域における
よりもより円形に近くなる。
の案内層の形状およびテーパを変えることによ
つて、放射切子面の楕円形状からほゞ円形あるい
は他の所望の形状に変えることができる。これは
例えば第１と第２の領域間のメサの高さを変える
ことによつて行なわれる。第５図は、第１の領域
のチヤンネルの底の上のメサの高さが第２の領
域のメサの高さよりも高いときの第１および第
２の領域のレーザ構造の横断面を概略的に示して
いる。案内層３０の形状は、第１の領域で厚み
が増大するテーパから第２の領域で厚みが減少
するテーパに変更される。これによつて第２の領
域で案内されるビームは第１の領域における
よりもより円形に近くなる。
第１図はこの発明の半導体レーザの斜視図、第
２図は第１図のレーザの２−２線に沿う断面図、
第３図は切子面被覆をもつた第１図の半導体レー
ザの側面図、第４図はこの発明による半導体レー
ザにおけるレーザ・ビーム強度分布を示す概略
図、第５図は層の異つたテーパを示す第１および
第２の領域におけるレーザ構造の断面図および対
応するレーザ・ビーム形態を示す図である。 １０……半導体レーザ、１２……本体、１４
ａ，１４ｂ……ミラー切子面、１８……基体、２
０ａ……メサ、２４……チヤンネル、２８……第
１の閉じ込め層、３０……案内層、３２……活性
層、３４……第２の閉じ込め層、３８……閉じ込
め領域、４２，４４……電気的接触。
２図は第１図のレーザの２−２線に沿う断面図、
第３図は切子面被覆をもつた第１図の半導体レー
ザの側面図、第４図はこの発明による半導体レー
ザにおけるレーザ・ビーム強度分布を示す概略
図、第５図は層の異つたテーパを示す第１および
第２の領域におけるレーザ構造の断面図および対
応するレーザ・ビーム形態を示す図である。 １０……半導体レーザ、１２……本体、１４
ａ，１４ｂ……ミラー切子面、１８……基体、２
０ａ……メサ、２４……チヤンネル、２８……第
１の閉じ込め層、３０……案内層、３２……活性
層、３４……第２の閉じ込め層、３８……閉じ込
め領域、４２，４４……電気的接触。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光反射性の１対の対向するミラー切子面を有
し、少なくとも一方のミラー切子面は部分的に光
透過性とされている材料の本体からなり；該本体
は、 第１および第２の対向する主表面を有し、その
第１の主表面に上記切子面間に延在する１対の実
質的に平行なチヤンネルと、そのチヤンネル間の
メサとを有する基体と、 上記基体の第１の主表面と上記チヤンネルおよ
びメサの表面上に形成された第１の閉じ込め層
と、 上記第１の閉じ込め層上に形成され、厚みがラ
テラル方向にテーパ状になつている案内層と、 上記案内層の一部と重畳し、上記ミラー切子面
の少なくとも一方に向つて伸延しているがこれと
接触しないように形成された活性層であつて、こ
の活性層が上記案内層と重畳する本体内の第１の
領域と、活性層が上記案内層と重畳しない第２
の領域とを形成するように配置された上記活性
層と、 上記活性層上に重畳して形成された第２の閉じ
込め層と、 上記第２の領域内の案内層上に形成された閉じ
込め領域と、 上記第２の閉じ込め層上に形成された第１の電
気的接触および上記基体の第２の主表面上に形成
された第２の電気的接触とからなり、 上記第１および第２の領域中の案内層のラテラ
ル方向のテーパは異つており、 上記活性層は上記案内層よりも大きな屈折率を
有し、上記案内層は上記第１および第２の閉じ込
め層および閉じ込め領域よりも大きな屈折率を有
する、 半導体レーザ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US437838 | 1982-10-29 | ||
| US06/437,838 US4523316A (en) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | Semiconductor laser with non-absorbing mirror facet |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5984577A JPS5984577A (ja) | 1984-05-16 |
| JPH0426232B2 true JPH0426232B2 (ja) | 1992-05-06 |
Family
ID=23738115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58116791A Granted JPS5984577A (ja) | 1982-10-29 | 1983-06-28 | 半導体レ−ザ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4523316A (ja) |
| JP (1) | JPS5984577A (ja) |
| CA (1) | CA1206572A (ja) |
| DE (1) | DE3322388C2 (ja) |
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Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0750808B2 (ja) * | 1984-10-17 | 1995-05-31 | 日本電気株式会社 | 光素子 |
| JPS63124486A (ja) * | 1986-11-13 | 1988-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
| US4942585A (en) * | 1987-12-22 | 1990-07-17 | Ortel Corporation | High power semiconductor laser |
| FR2685135B1 (fr) * | 1991-12-16 | 1994-02-04 | Commissariat A Energie Atomique | Mini cavite laser pompee optiquement, son procede de fabrication et laser utilisant cette cavite. |
| US5555544A (en) * | 1992-01-31 | 1996-09-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Tapered semiconductor laser oscillator |
| JPH0794833A (ja) * | 1993-09-22 | 1995-04-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| US5656539A (en) * | 1994-07-25 | 1997-08-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of fabricating a semiconductor laser |
| US8198112B2 (en) | 2010-04-14 | 2012-06-12 | Corning Incorporated | Laser diodes comprising QWI output window and waveguide areas and methods of manufacture |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5661190A (en) * | 1979-10-12 | 1981-05-26 | Rca Corp | Semiconductor laser |
| JPS57106192A (en) * | 1980-11-06 | 1982-07-01 | Xerox Corp | Active strip and hetero structure laser with passive guide wave strip |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3701047A (en) * | 1966-08-16 | 1972-10-24 | Rca Corp | Semiconductor laser devices utilizing light reflective metallic layers |
| BE788374A (fr) * | 1971-12-08 | 1973-01-02 | Rca Corp | Procede de depot d'une couche epitaxiale d'un materiau semi-conducteur sur la surface d'un substrat |
| US3993963A (en) * | 1974-06-20 | 1976-11-23 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Heterostructure devices, a light guiding layer having contiguous zones of different thickness and bandgap and method of making same |
| US3978426A (en) * | 1975-03-11 | 1976-08-31 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Heterostructure devices including tapered optical couplers |
| US4178564A (en) * | 1976-01-15 | 1979-12-11 | Rca Corporation | Half wave protection layers on injection lasers |
| US4092659A (en) * | 1977-04-28 | 1978-05-30 | Rca Corporation | Multi-layer reflector for electroluminescent device |
| US4215319A (en) * | 1979-01-17 | 1980-07-29 | Rca Corporation | Single filament semiconductor laser |
| JPS5562792A (en) * | 1978-10-11 | 1980-05-12 | Nec Corp | Injection type semiconductor laser element |
| JPS568889A (en) * | 1979-06-12 | 1981-01-29 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor laser |
| JPS568890A (en) * | 1979-06-27 | 1981-01-29 | Nec Corp | Semiconductor laser and manufacture thereof |
| US4347486A (en) * | 1979-10-12 | 1982-08-31 | Rca Corporation | Single filament semiconductor laser with large emitting area |
| US4383320A (en) * | 1981-04-27 | 1983-05-10 | Rca Corporation | Positive index lateral waveguide semiconductor laser |
| GB2109155A (en) * | 1981-10-26 | 1983-05-25 | Philips Electronic Associated | Semiconductor laser manufacture |
| NL8104893A (nl) * | 1981-10-29 | 1983-05-16 | Philips Nv | Kathodestraalbuis en halfgeleiderinrichting voor toepassing in een dergelijke kathodestraalbuis. |
| US4426701A (en) * | 1981-12-23 | 1984-01-17 | Rca Corporation | Constricted double heterostructure semiconductor laser |
-
1982
- 1982-10-29 US US06/437,838 patent/US4523316A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-06-22 DE DE3322388A patent/DE3322388C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1983-06-27 GB GB08317403A patent/GB2130007B/en not_active Expired
- 1983-06-28 JP JP58116791A patent/JPS5984577A/ja active Granted
- 1983-09-26 CA CA000437586A patent/CA1206572A/en not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5661190A (en) * | 1979-10-12 | 1981-05-26 | Rca Corp | Semiconductor laser |
| JPS57106192A (en) * | 1980-11-06 | 1982-07-01 | Xerox Corp | Active strip and hetero structure laser with passive guide wave strip |
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| Publication number | Publication date |
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