JPS61196592A - 複合共振器型半導体レ−ザ装置の製造方法 - Google Patents
複合共振器型半導体レ−ザ装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、製造が容易で、共振器間の間隔が精度よく
制御できる複合共振器型半導体レーザ装置の製造方法に
関するものである。
制御できる複合共振器型半導体レーザ装置の製造方法に
関するものである。
第４図は例えばサイエンティフック・アメリカ：／ （
８ｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ａｍｅｒｉｃａｎ ） １９８
４年第１４８頁に示された共振器長の異なる２つのレー
ザ部を１つのチップ上に集積したレーザ装置（Ｃ１ｅａ
ｖｅｄ ＣｏｕｐｌｅｄＣａｖｉｔｙ Ｌａ５ｅｖ ）
の層構造を示すもので、第４図（ａ）は正面図、第４図
（ｂ）はそのｆｆｂ−ｆｆｂ線断面図である。（１）は
第１電極、（２）は電流阻止層、（３）はキャップ層、
（４）は第１クラッド層、（５）は活性層１（６）は第
２クラッド層、（７）は基板、（８）は第２電極、（２
）は工アーギャップ、（２）は第１レーザ部、肴は第２
レーザ部である。なお矢印はレーザ光を示す。
８ｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ａｍｅｒｉｃａｎ ） １９８
４年第１４８頁に示された共振器長の異なる２つのレー
ザ部を１つのチップ上に集積したレーザ装置（Ｃ１ｅａ
ｖｅｄ ＣｏｕｐｌｅｄＣａｖｉｔｙ Ｌａ５ｅｖ ）
の層構造を示すもので、第４図（ａ）は正面図、第４図
（ｂ）はそのｆｆｂ−ｆｆｂ線断面図である。（１）は
第１電極、（２）は電流阻止層、（３）はキャップ層、
（４）は第１クラッド層、（５）は活性層１（６）は第
２クラッド層、（７）は基板、（８）は第２電極、（２
）は工アーギャップ、（２）は第１レーザ部、肴は第２
レーザ部である。なお矢印はレーザ光を示す。
次にこのレーザ装置の動作について説明する。
第１電極（１）と第２電極（８）の間鉦こ電流を流すと
電子とホールが活性層（５）にとじ込られ再結合し発光
する。ここでダイオード型半導体レーザ装置ではあるし
きい値以上の電流を流すと反転分布が生じ共振器長によ
り決まる特定の波長（縦モード）が何本かレーザ発振す
る。以上は通常のファブリペロ−型レーザ装置と同様で
あるが、この第４図のレーザ装置は２つの独立な共振器
長の異なるレーザ部を光軸を合せて並べであるため、第
ル−ザ部（イ）と第２レーザ部（至）の発振縦モードは
一般に異なりそのうち波長が合うモードのみが干渉し合
い発振する。そのモードの数は一般に一本にすることが
可能である。以上のようにこのタイプのレーザ装置では
縦モードの安定化ができる。
電子とホールが活性層（５）にとじ込られ再結合し発光
する。ここでダイオード型半導体レーザ装置ではあるし
きい値以上の電流を流すと反転分布が生じ共振器長によ
り決まる特定の波長（縦モード）が何本かレーザ発振す
る。以上は通常のファブリペロ−型レーザ装置と同様で
あるが、この第４図のレーザ装置は２つの独立な共振器
長の異なるレーザ部を光軸を合せて並べであるため、第
ル−ザ部（イ）と第２レーザ部（至）の発振縦モードは
一般に異なりそのうち波長が合うモードのみが干渉し合
い発振する。そのモードの数は一般に一本にすることが
可能である。以上のようにこのタイプのレーザ装置では
縦モードの安定化ができる。
さらに上記では２つのレーザ部を発振させる場合の効果
を説明したが、第１のレーザ部（２）に流す電流をしき
い値以下にし、その電流量をかえれば注入されるキャリ
アの数が変わり、第１のレーザ部（イ）の屈折率を変化
させることができ、従ってレーザ装置の共振器長を変化
させた場合と同様の効果がえられ第２レーザ部（２）の
発振波長をチューニングすることができる。
を説明したが、第１のレーザ部（２）に流す電流をしき
い値以下にし、その電流量をかえれば注入されるキャリ
アの数が変わり、第１のレーザ部（イ）の屈折率を変化
させることができ、従ってレーザ装置の共振器長を変化
させた場合と同様の効果がえられ第２レーザ部（２）の
発振波長をチューニングすることができる。
以上ではへつ開を用いた複合共振器型半導体レーザ装置
（Ｃ１ｅａｖｅｄ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｌａ５ｅｖ ）に
ついて述べたが、前者の干渉効果を用いた縦モードの安
定化の目的のためには、電波新聞昭和６９年１２月１４
日昏こ掲載された干渉型レーザ装置もある。その構造を
第５図に示し、第６図（ａ）は正面図、第５図（ｂ）は
そのｖｂ −ｖｂ線断面図である。このレーザ装置は溝
をきった基板上の結晶成長により２つの共振器長の異な
るレーザ部を形成するものである。
（Ｃ１ｅａｖｅｄ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｌａ５ｅｖ ）に
ついて述べたが、前者の干渉効果を用いた縦モードの安
定化の目的のためには、電波新聞昭和６９年１２月１４
日昏こ掲載された干渉型レーザ装置もある。その構造を
第５図に示し、第６図（ａ）は正面図、第５図（ｂ）は
そのｖｂ −ｖｂ線断面図である。このレーザ装置は溝
をきった基板上の結晶成長により２つの共振器長の異な
るレーザ部を形成するものである。
なお横方向（第４図、第５図のイーイ方向）の光とじ込
めは第４図ではうめこみ構造で、第５図では■溝による
電流狭さくにより行なった場合を示しである。
めは第４図ではうめこみ構造で、第５図では■溝による
電流狭さくにより行なった場合を示しである。
従来のこれら複合共振器型半導体レーザ装置は、第４図
のレーザ装置ではエアギャップ（財）をへき開でつくる
ためその作製がきわめて難しく、また第５図のレーザ装
置では溝の上の成長を行うため結晶成長が困難などの欠
点があった。
のレーザ装置ではエアギャップ（財）をへき開でつくる
ためその作製がきわめて難しく、また第５図のレーザ装
置では溝の上の成長を行うため結晶成長が困難などの欠
点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、２つ以上の共振器長の異なるレーザ部を有す
る複合共振器型半導体レーザ装置を容易に精度よく製造
する方法を提供しようとするものである。
たもので、２つ以上の共振器長の異なるレーザ部を有す
る複合共振器型半導体レーザ装置を容易に精度よく製造
する方法を提供しようとするものである。
この発明の接合共振器型半導体レーザ装置の製造方法は
、光導波路部を有するものにおいて、上記光導波路部の
少なくとも一部を超格子構造又は量子井戸構造で構成し
、この超格子構造又は量子井戸構造の一部を混晶化して
、２つ以上の共振器長の異なるレーザ部を形成するよう
にしたものである。
、光導波路部を有するものにおいて、上記光導波路部の
少なくとも一部を超格子構造又は量子井戸構造で構成し
、この超格子構造又は量子井戸構造の一部を混晶化して
、２つ以上の共振器長の異なるレーザ部を形成するよう
にしたものである。
この発明では光導波路部の少なくとも一部を超格子構造
又は量子井戸構造で構成し、この超格子構造又は量子井
戸構造の、共振器を分ける部分を混晶化し、その部分の
屈折率を下げて、２つ以上の共振′ａ長の異なるレーザ
部を形成するようにしたので、製造が困難なへき開を用
いなくてよく、そのため、製造が容易で精度がよく製造
でき、又溝上の結晶成長を用いなくてもよく、そのため
平坦な面上の結晶成長で製造で・き、製造が容易で精度
よく製造できる。
又は量子井戸構造で構成し、この超格子構造又は量子井
戸構造の、共振器を分ける部分を混晶化し、その部分の
屈折率を下げて、２つ以上の共振′ａ長の異なるレーザ
部を形成するようにしたので、製造が困難なへき開を用
いなくてよく、そのため、製造が容易で精度がよく製造
でき、又溝上の結晶成長を用いなくてもよく、そのため
平坦な面上の結晶成長で製造で・き、製造が容易で精度
よく製造できる。
以下この発明の複合共振器型半導体レーザ装置の製造方
法の一実施例を第１図をもとに説明する。
法の一実施例を第１図をもとに説明する。
第１図（ａ） （ｂ） −（ｃ） （ｄ） −（ｅ）
（ｆ）は製造工程順に示すもので、（ａ）（ｃ）ｔｅｌ
は斜視図、（ｂ）は（ａｌのＩｂ−Ｉｂ線断面図、（ｄ
ｌは（ｃ）の）ｄ −ｊｄ線断面図、げ）は（ｅ）のＩ
ｆ −Ｉｆ線断面図である。（９）は多重量子井戸構造
を用いた活性層、αＧはＺｎ拡散により混晶化した部分
、ａυはマスクである。
（ｆ）は製造工程順に示すもので、（ａ）（ｃ）ｔｅｌ
は斜視図、（ｂ）は（ａｌのＩｂ−Ｉｂ線断面図、（ｄ
ｌは（ｃ）の）ｄ −ｊｄ線断面図、げ）は（ｅ）のＩ
ｆ −Ｉｆ線断面図である。（９）は多重量子井戸構造
を用いた活性層、αＧはＺｎ拡散により混晶化した部分
、ａυはマスクである。
第１図のレーザ装置の製造は次のようにして行なわれる
。ｐ型ＧａＡｓ ＆板（７）上にｐ型ＡｌＧａＡｓ第２
クラッド層（６）及び多重量子井戸構造の活性層（９）
を順に例えば分子線エビタキシャ〃法を用いて作製する
（第１図（ａ）（ｂ） ）。
。ｐ型ＧａＡｓ ＆板（７）上にｐ型ＡｌＧａＡｓ第２
クラッド層（６）及び多重量子井戸構造の活性層（９）
を順に例えば分子線エビタキシャ〃法を用いて作製する
（第１図（ａ）（ｂ） ）。
次にその上にシリコンナイトライドからなるマスク材料
を形成し、フォトリングラフイーをこよりマスクαυの
一部をエツチング除去し、マスクパターンヲ作る。エツ
チング除去されている部分は、共振器を分ける部分、す
なわちレーザ部に）（２）の間の部分とレーザ部（２）
、に）の横方向の両端部分である。マスクパターンをし
たものをＺｎＡＳ、とともに封入して数１００度例えば
６００℃でアニールし、マスクで被われていない部分に
Ｚｎを拡散させる。これにより多重量子井戸構造のうち
拡散された部分がその多重量子井戸構造を貫いて混晶化
する（第１図（ｃｌ（ｄ） ）。次にマスクａυを取除
き、平坦である活性層（９）上にｎ型ａ１ａａＡ３第１
クラッド層（４）及びｎ１ｌＣａＡ４キャップ層（３）
を順に例えば分子線エピタキシャル法を用いて作製する
。続いてＯＶＤ法で８ｉ０．からなる電流阻止層（２）
を横方向両端部分に形成し、最後に第１電極（１）、第
２電極（８）を蒸着して形成しく第１図（ｅ）（ｆ）
） 、複合共振器型半導体レーザ装置が製造される。
を形成し、フォトリングラフイーをこよりマスクαυの
一部をエツチング除去し、マスクパターンヲ作る。エツ
チング除去されている部分は、共振器を分ける部分、す
なわちレーザ部に）（２）の間の部分とレーザ部（２）
、に）の横方向の両端部分である。マスクパターンをし
たものをＺｎＡＳ、とともに封入して数１００度例えば
６００℃でアニールし、マスクで被われていない部分に
Ｚｎを拡散させる。これにより多重量子井戸構造のうち
拡散された部分がその多重量子井戸構造を貫いて混晶化
する（第１図（ｃｌ（ｄ） ）。次にマスクａυを取除
き、平坦である活性層（９）上にｎ型ａ１ａａＡ３第１
クラッド層（４）及びｎ１ｌＣａＡ４キャップ層（３）
を順に例えば分子線エピタキシャル法を用いて作製する
。続いてＯＶＤ法で８ｉ０．からなる電流阻止層（２）
を横方向両端部分に形成し、最後に第１電極（１）、第
２電極（８）を蒸着して形成しく第１図（ｅ）（ｆ）
） 、複合共振器型半導体レーザ装置が製造される。
動作は従来法と同様の原理により、縦モードの安定化、
波長チューニングが行える。
波長チューニングが行える。
第１図では、Ｚｎ拡散により、２つの共振器に分離する
と同時に横方向の光とじ込めも同時に行なった。すなわ
ち横方向の光とじ込めは、レーザ部＠（２）の横方向の
両端部分をＺｎ拡散で行なっている。
と同時に横方向の光とじ込めも同時に行なった。すなわ
ち横方向の光とじ込めは、レーザ部＠（２）の横方向の
両端部分をＺｎ拡散で行なっている。
しかし横方向の光とじ込めは、うめ込み構造を用いても
よい。
よい。
又混晶化する方法は、マスクで被われていない部分にｚ
ｎなどの不純物を拡散して行なう以外に、イオン注入法
を用いてＺｎなどの不純物を打込みアニールして混晶化
する方法、ハイパワーの干渉露光によるレーザアニーμ
の効果で直接混晶化する方法などがある。
ｎなどの不純物を拡散して行なう以外に、イオン注入法
を用いてＺｎなどの不純物を打込みアニールして混晶化
する方法、ハイパワーの干渉露光によるレーザアニーμ
の効果で直接混晶化する方法などがある。
又活性層を多重量子井戸構造で構成したものを示したが
、−重量子井戸構造でもよく、又超格子構造で構成して
もよい。これらの量子井戸構造又は超格子構造は一般に
よく知られた構造であるが、例えば厚さがり、のＧａＡ
３と厚さがＬＢのム１ＧａＡｓ （又はＡＩＡｓ）を交
互に積み重ね、−重のときはＧａＡｓとＡＩ ＧａＡ、
を−回づつ、多重のときは交互に何回も通常５〜６回づ
つ積み重ねる。そして厚さＬｚは２ｏｉ境としてＬＢが
大のとき量子井戸構造となりＬＢが小のとき超格子構造
となる。第１図の実施例の場合。
、−重量子井戸構造でもよく、又超格子構造で構成して
もよい。これらの量子井戸構造又は超格子構造は一般に
よく知られた構造であるが、例えば厚さがり、のＧａＡ
３と厚さがＬＢのム１ＧａＡｓ （又はＡＩＡｓ）を交
互に積み重ね、−重のときはＧａＡｓとＡＩ ＧａＡ、
を−回づつ、多重のときは交互に何回も通常５〜６回づ
つ積み重ねる。そして厚さＬｚは２ｏｉ境としてＬＢが
大のとき量子井戸構造となりＬＢが小のとき超格子構造
となる。第１図の実施例の場合。
は多重量子井戸構造であり、５重量子弁戸構造でＬａ
＝ ｘｏｏｉ、ＬＺ ＝ ｔｏｏｆである。
＝ ｘｏｏｉ、ＬＺ ＝ ｔｏｏｆである。
又第１図の場合はＺｎの拡散を活性層（９）まで成長さ
せた状態で選択拡散させたが、第２図１こ示すように一
挙にキャップ層（３）までを成長させてからあを選択拡
散して活性層を貫くまで拡散してもよい。
せた状態で選択拡散させたが、第２図１こ示すように一
挙にキャップ層（３）までを成長させてからあを選択拡
散して活性層を貫くまで拡散してもよい。
なお第２図の（ａｌは正面図、（ｂｌは（ａ）のＩｂ−
■ｂ線断面図である。
■ｂ線断面図である。
又活性層が比較的厚い通常のダブルへテロレーザを用い
る場合は、第８図に示すように、活性層（５）に接して
超格子構造の光とじ込め層又は超格子光ガイド層を設け
、共振器を分ける部分をＺｎなどの拡散により混晶化す
ればよい。
る場合は、第８図に示すように、活性層（５）に接して
超格子構造の光とじ込め層又は超格子光ガイド層を設け
、共振器を分ける部分をＺｎなどの拡散により混晶化す
ればよい。
又共振器を分ける部分を一箇所とした場合を示したが複
数箇所とし、同様に混晶化すれば、同一基板上に２つ以
上の共振器長の異なるレーザ部を形成できる。
数箇所とし、同様に混晶化すれば、同一基板上に２つ以
上の共振器長の異なるレーザ部を形成できる。
さらに第１のレーザ部（財）と第２のレーザ部（２）の
電流の分離を行なうには、活性層（９）から上部の層を
ｎ型をこすればよく、チューニング効果を使う場合には
、有効である。
電流の分離を行なうには、活性層（９）から上部の層を
ｎ型をこすればよく、チューニング効果を使う場合には
、有効である。
この発明は光導波路部の少なくとも一部を超格子構造又
は量子井戸構造で構成し、この超格子構造又は量子井戸
構造の、共振器を分ける部分を混晶化し、その部分の屈
折率を下げて、２つ以上の共振器長の異なるレーザ部を
形成するよう：こしたので、製造が困難なへき開を用い
なくてもよく、そのため、製造が容易で精度がよく製造
でき、又溝上の結晶成長を用いなくてもよく、そのため
平坦な面上の結晶成長で製造でき、製造が容易で精度よ
く製造できる。
は量子井戸構造で構成し、この超格子構造又は量子井戸
構造の、共振器を分ける部分を混晶化し、その部分の屈
折率を下げて、２つ以上の共振器長の異なるレーザ部を
形成するよう：こしたので、製造が困難なへき開を用い
なくてもよく、そのため、製造が容易で精度がよく製造
でき、又溝上の結晶成長を用いなくてもよく、そのため
平坦な面上の結晶成長で製造でき、製造が容易で精度よ
く製造できる。
第１図はこの発明の複合共振器型半導体レーザ装置の製
造方法の一実施例を示すもので、その（ａ）（ｂ） −
（ｃ） （ｄ） −（ｅ）げ）は製造工程順に示し、そ
の（ａ） （ｃ）（ｅ）は斜視図、（ｂ） （ｄｌ （
ｅ）はそれぞれの断面図、第２図はこの発明の他の実施
例を示すもので、その（ａ）は正面図、（ｂ）は断面図
、第８図はこの発明のさらに他の実施例を示す断面図、
第４図は従来の複合共振器型半導体レーザ装置を示すも
ので、その（ａ）は正面図、（ｂ）は断面図、第６図は
従来のものを示し１その（ａ）は正面図、（ｂ）は断面
図である。 図において、（１）は第１！極、（２）は電流阻止層、
（３）は牛ヤツプ層、（４）は第１クラッド層、（６）
は第２クラッド層、（７）は基板、（８）は第２電極、
（９）は活性層、ＱＯは混晶化部分、に）は第ル−ザ部
、勾は第２レーザ部である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代珊人大岩増雄 第１図 第２図 （（１） （ｂ）第３図 第５図 ＜Ｑ）（ｂ） １（ｑｂ 手続補正書（自発） １．事件の表示 特願昭６０−８９６９！号２、発
明の名称 複合共振器型半導体レーザ装置の製造方法３、補正をす
る者 代表者片山仁へ部 ４６代理人 ５６ 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、 Ｍ正の内容 （１）明細書第２頁第１６行及び第４頁第７行の「Ｌａ
５ｅｖ Ｊをそれぞれ「Ｌａ５ｅｒ Ｊに訂正する。 （２）同第９頁第１行〜第８行の「交互に桐み〜重ねる
。」を「交互に何層か積み重ねたものである。」に訂正
する。 以上
造方法の一実施例を示すもので、その（ａ）（ｂ） −
（ｃ） （ｄ） −（ｅ）げ）は製造工程順に示し、そ
の（ａ） （ｃ）（ｅ）は斜視図、（ｂ） （ｄｌ （
ｅ）はそれぞれの断面図、第２図はこの発明の他の実施
例を示すもので、その（ａ）は正面図、（ｂ）は断面図
、第８図はこの発明のさらに他の実施例を示す断面図、
第４図は従来の複合共振器型半導体レーザ装置を示すも
ので、その（ａ）は正面図、（ｂ）は断面図、第６図は
従来のものを示し１その（ａ）は正面図、（ｂ）は断面
図である。 図において、（１）は第１！極、（２）は電流阻止層、
（３）は牛ヤツプ層、（４）は第１クラッド層、（６）
は第２クラッド層、（７）は基板、（８）は第２電極、
（９）は活性層、ＱＯは混晶化部分、に）は第ル−ザ部
、勾は第２レーザ部である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代珊人大岩増雄 第１図 第２図 （（１） （ｂ）第３図 第５図 ＜Ｑ）（ｂ） １（ｑｂ 手続補正書（自発） １．事件の表示 特願昭６０−８９６９！号２、発
明の名称 複合共振器型半導体レーザ装置の製造方法３、補正をす
る者 代表者片山仁へ部 ４６代理人 ５６ 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、 Ｍ正の内容 （１）明細書第２頁第１６行及び第４頁第７行の「Ｌａ
５ｅｖ Ｊをそれぞれ「Ｌａ５ｅｒ Ｊに訂正する。 （２）同第９頁第１行〜第８行の「交互に桐み〜重ねる
。」を「交互に何層か積み重ねたものである。」に訂正
する。 以上
Claims (4)
- （１）光導波路部を有するものにおいて、上記光導波路
部の少なくとも一部を超格子構造又は量子井戸構造で構
成し、この超格子構造又は量子井戸構造の一部を混晶化
して２つ以上の共振器長の異なるレーザ部を形成するよ
うにした複合共振器型半導体レーザ装置の製造方法。 - （２）光導波路部が量子井戸構造の活性層である特許請
求の範囲第１項記載の複合共振器型半導体レーザ装置の
製造方法。 - （３）光導波路部を、活性層と、超格子構造の光とじ込
め層とで構成し、上記光とじ込め層の一部をその光とじ
込め層を貫くように混晶化して２つ以上の共振器長の異
なるレーザ部を形成するようにした特許請求の範囲第１
項記載の複合共振器型半導体レーザ装置の製造方法。 - （４）光導波路部を、活性層と、超格子構造の光ガイド
層とで構成し、上記光ガイド層の一部をその光ガイド層
を貫くように混晶化して２つ以上の共振器長の異なるレ
ーザ部を形成するようにした特許請求の範囲第１項記載
の複合共振器型半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60039591A JPS61196592A (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 複合共振器型半導体レ−ザ装置の製造方法 |
| US06/829,969 US4788689A (en) | 1985-02-26 | 1986-02-18 | Composite resonator-type semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60039591A JPS61196592A (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 複合共振器型半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61196592A true JPS61196592A (ja) | 1986-08-30 |
Family
ID=12557344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60039591A Pending JPS61196592A (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 複合共振器型半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JPS61196592A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03239385A (ja) * | 1990-02-16 | 1991-10-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ装置 |
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| US5060235A (en) * | 1989-03-31 | 1991-10-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser element selectively emitting lights of different wavelengths |
| US5126803A (en) * | 1991-03-11 | 1992-06-30 | The Boeing Company | Broadband quantum well LED |
| US5185754A (en) * | 1991-07-29 | 1993-02-09 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Spectrally stable laser diode with internal reflector |
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| CN101771394A (zh) * | 2010-02-05 | 2010-07-07 | 无锡市好达电子有限公司 | 超晶格晶体谐振器及其作为超晶格晶体滤波器的用途 |
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- 1985-02-26 JP JP60039591A patent/JPS61196592A/ja active Pending
-
1986
- 1986-02-18 US US06/829,969 patent/US4788689A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03239385A (ja) * | 1990-02-16 | 1991-10-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4788689A (en) | 1988-11-29 |
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