JPS61236189A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents
半導体レ−ザ素子Info
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- JPS61236189A JPS61236189A JP60078004A JP7800485A JPS61236189A JP S61236189 A JPS61236189 A JP S61236189A JP 60078004 A JP60078004 A JP 60078004A JP 7800485 A JP7800485 A JP 7800485A JP S61236189 A JPS61236189 A JP S61236189A
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- Japan
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は極めて低いしきい値電流を有する屈折率導波路
形半導体レーザの素子構造に関するものである。
形半導体レーザの素子構造に関するものである。
〈従来技術〉
従来の半導体レーザ素子を光導波機構で分類すると利得
導波形と屈折率導波形とに分類されるが、実用面で重要
な横モード安定性の点からは屈折率導波形の方が断熱有
利であり、様々な構造の屈折率導波路を有する半導体レ
ーザが開発された。この代表的な例としてＢ Ｈ（Ｂｕ
ｒｉｅｄ Ｈｅｔｅｒｏ ）レーザ及びＶ Ｓ Ｉ Ｓ
（Ｖ−ｃｈａｎｎｅｔｅｄ ５ｕｂｓｔｒａｔｅＩｎ
ｎｅｒ ５ｔｒｉｐｅ ）レーザが周知である。
導波形と屈折率導波形とに分類されるが、実用面で重要
な横モード安定性の点からは屈折率導波形の方が断熱有
利であり、様々な構造の屈折率導波路を有する半導体レ
ーザが開発された。この代表的な例としてＢ Ｈ（Ｂｕ
ｒｉｅｄ Ｈｅｔｅｒｏ ）レーザ及びＶ Ｓ Ｉ Ｓ
（Ｖ−ｃｈａｎｎｅｔｅｄ ５ｕｂｓｔｒａｔｅＩｎ
ｎｅｒ ５ｔｒｉｐｅ ）レーザが周知である。
第２図（Ａ）に示すＢＨレーザは基板１上にレーザ発振
用活性層３を両面からクラッド層２．４で挟設したダブ
ルへテロ接合構造をメサ型に堆積し、このメサ型構造の
両側を低屈折率物質で埋め込んでいるので完全な屈折率
導波作用に基くレーザ発振動作を示し、しきい値電流が
１０ｍＡ以下の非常に小さい値になるという利点を有す
る。しかしながら、低屈折率物質の埋め込み層１３の屈
折率及びメサ型構造の幅に相当する導波路幅Ｗを適尚に
選択しないと高次横モードで発振し易いという欠点があ
る。従って、製作条件に制約が多く、シかも基本モード
で発振させるには導波路幅Ｗを２μｍ以下にする必要が
あるので、レーザ端面が比較的低出力でも破壊し易くな
り量産性及び信頼性が確保されない。尚、図中の５は電
極とオーミックコンタクトを得るだめのキャップ層であ
る。
用活性層３を両面からクラッド層２．４で挟設したダブ
ルへテロ接合構造をメサ型に堆積し、このメサ型構造の
両側を低屈折率物質で埋め込んでいるので完全な屈折率
導波作用に基くレーザ発振動作を示し、しきい値電流が
１０ｍＡ以下の非常に小さい値になるという利点を有す
る。しかしながら、低屈折率物質の埋め込み層１３の屈
折率及びメサ型構造の幅に相当する導波路幅Ｗを適尚に
選択しないと高次横モードで発振し易いという欠点があ
る。従って、製作条件に制約が多く、シかも基本モード
で発振させるには導波路幅Ｗを２μｍ以下にする必要が
あるので、レーザ端面が比較的低出力でも破壊し易くな
り量産性及び信頼性が確保されない。尚、図中の５は電
極とオーミックコンタクトを得るだめのキャップ層であ
る。
一方、第２図（Ｂ）で示すＶＳＩＳレーザは基板１上に
電流阻止層６を層設し、電流阻止層６より基板１に達す
る７字溝を形成して電流通路を開通させた上に平坦な活
性層３をクラッド層２．４で挟設したダブルへテロ接合
構造を積層したもので、７字溝の幅に相当する導波路幅
Ｗは４〜７μｍに広く設定しても高次横モードが発生し
ないという利点を有している。これは、導波路の外側の
光が基板１に吸収されるため、高次モード利得が抑制さ
れるからである。しかし、しきい値電流が４０〜６０ｍ
Ａ程度になり、上記ＢＨレーザに比べて非常に高いとい
う欠点がある。この理由は、電流が゛ 電流阻止層６に
よる内部ストライプ構造によって狭窄されているが活性
層３内に注入されたキャリアは活性層３の両側方向へ拡
散する結果、レーザ発振に対して無効となるキャリアが
増大するためである。第３図にＶＳＩＳレーザの活性層
３内におけるキャリア密度ｎを接合に平行方向ｙに沿っ
て求めたキャリア分布を示す。導波路幅Ｗを４μｍとす
ると斜線で示した部分のキャリアはレーザ発振に寄与し
ない無効なキャリアである。この無効キャリアは不必要
な自然放出光及び発熱に消費され、しきい値電流を増加
させると同時にレーザ素子の信頼性に悪影響を与える。
電流阻止層６を層設し、電流阻止層６より基板１に達す
る７字溝を形成して電流通路を開通させた上に平坦な活
性層３をクラッド層２．４で挟設したダブルへテロ接合
構造を積層したもので、７字溝の幅に相当する導波路幅
Ｗは４〜７μｍに広く設定しても高次横モードが発生し
ないという利点を有している。これは、導波路の外側の
光が基板１に吸収されるため、高次モード利得が抑制さ
れるからである。しかし、しきい値電流が４０〜６０ｍ
Ａ程度になり、上記ＢＨレーザに比べて非常に高いとい
う欠点がある。この理由は、電流が゛ 電流阻止層６に
よる内部ストライプ構造によって狭窄されているが活性
層３内に注入されたキャリアは活性層３の両側方向へ拡
散する結果、レーザ発振に対して無効となるキャリアが
増大するためである。第３図にＶＳＩＳレーザの活性層
３内におけるキャリア密度ｎを接合に平行方向ｙに沿っ
て求めたキャリア分布を示す。導波路幅Ｗを４μｍとす
ると斜線で示した部分のキャリアはレーザ発振に寄与し
ない無効なキャリアである。この無効キャリアは不必要
な自然放出光及び発熱に消費され、しきい値電流を増加
させると同時にレーザ素子の信頼性に悪影響を与える。
〈発明の目的〉
本発明は、上述のＢＨレーザとＶＳＩＳレーザのそれぞ
れの問題点を解決したものであり、しきい値電流が低く
しかも導波路幅を４〜７μｍと広くしても高次モードの
発生のない新規な半導体レーザ素子を提供することを目
的とする。
れの問題点を解決したものであり、しきい値電流が低く
しかも導波路幅を４〜７μｍと広くしても高次モードの
発生のない新規な半導体レーザ素子を提供することを目
的とする。
〈構成及び効果の説明〉
本発明の半導体レーザ素子は上記目的を達成するため、
光導波路の外側に活性層内キャリアの拡散を阻止する領
域を形成したことを特徴とする。
光導波路の外側に活性層内キャリアの拡散を阻止する領
域を形成したことを特徴とする。
即ち、素子内部に形成された電流狭窄用のストライプ溝
の両肩部で直上の活性層の光を吸収することにより活性
層内に屈折率導波形の光導波路を形成し、この光導波路
の両性側に溝を形成して活性層内のキャリアの横方向拡
散を阻止する。この溝には活性層よりもエネルギーギャ
ップの大きい結晶を挿入して溝を埋設するようにしても
良い。
の両肩部で直上の活性層の光を吸収することにより活性
層内に屈折率導波形の光導波路を形成し、この光導波路
の両性側に溝を形成して活性層内のキャリアの横方向拡
散を阻止する。この溝には活性層よりもエネルギーギャ
ップの大きい結晶を挿入して溝を埋設するようにしても
良い。
本発明によれば、光導波路はストライプ溝によって決定
されるため、高次モードの発生が抑制され、またレーザ
発振に対して無効となるキャリアが少なくなるためしき
い値電流を低く抑えることも可能となり、作製条件的に
も容易な構造であるため実用上非常に優れた効果を奏す
ることができる０ 〈実施例〉 第１図（Ａ）は本発明の１実施例を示す半導体レーザ素
子の模式断面であり、ｖＳ工ＳレーザのＶチャンネル溝
の両側にキャップ層表面から活性層よりも深いメサ溝を
形成した場合の構成を示す。
されるため、高次モードの発生が抑制され、またレーザ
発振に対して無効となるキャリアが少なくなるためしき
い値電流を低く抑えることも可能となり、作製条件的に
も容易な構造であるため実用上非常に優れた効果を奏す
ることができる０ 〈実施例〉 第１図（Ａ）は本発明の１実施例を示す半導体レーザ素
子の模式断面であり、ｖＳ工ＳレーザのＶチャンネル溝
の両側にキャップ層表面から活性層よりも深いメサ溝を
形成した場合の構成を示す。
チャネル幅をＷ、メサ溝間の幅をＷとすると、ｗ（Ｗと
なるように製作される。第１図（Ｂ）は本発明の他の実
施例を示す半導体レーザ素子の模式断面図であり、第１
図（Ａ）に示すメサ溝を活性層よりもエネルギーギャッ
プの大きい結晶及びキャップ層と同じ結晶で埋設した場
合の構成を示す。
なるように製作される。第１図（Ｂ）は本発明の他の実
施例を示す半導体レーザ素子の模式断面図であり、第１
図（Ａ）に示すメサ溝を活性層よりもエネルギーギャッ
プの大きい結晶及びキャップ層と同じ結晶で埋設した場
合の構成を示す。
ＶＳＩＳレーザにおいては、屈折率光導波路はその動作
原理より活性層からの光が電流阻止層へ吸収されること
により形成されるので、光導波路の幅はＶチャネル溝の
幅Ｗと一致する。また活性層内キャリアはＶチャネル溝
の両側に形成されたメサ溝又はメサ溝の埋め込み層によ
り拡散が阻止され、第１図（Ｃ）に示すようなキャリア
密度分布となる。従って、斜線部で示される無効キャリ
アは第３図で示される従来例に比べて大幅に減少し、そ
の結果発振しきい値電流も大幅に減少する。
原理より活性層からの光が電流阻止層へ吸収されること
により形成されるので、光導波路の幅はＶチャネル溝の
幅Ｗと一致する。また活性層内キャリアはＶチャネル溝
の両側に形成されたメサ溝又はメサ溝の埋め込み層によ
り拡散が阻止され、第１図（Ｃ）に示すようなキャリア
密度分布となる。従って、斜線部で示される無効キャリ
アは第３図で示される従来例に比べて大幅に減少し、そ
の結果発振しきい値電流も大幅に減少する。
以下、ＧａＡｓ−ＧａＡｔＡｓ系の化合物半導体から成
る半導体レーザ素子を用いて第１図（Ａ）を参照しなが
ら製造工程に従って説明する。
る半導体レーザ素子を用いて第１図（Ａ）を参照しなが
ら製造工程に従って説明する。
Ｐ −Ｇ ａＡ ｓ基板１の（１００）面上にｎ −Ｇ
ａＡ ｓの電流阻止層６を０．８μｍの厚さにエピタ
キシャル成長させ、その表面よりホトリソグラフィ技術
と化学エツチングによって、深さが１．２μｍ１幅Ｗが
４μｍの７字溝７を形成する。この基板上にＰ−Ｇａｏ
、７ Ａ４，３Ａｓクラッド層２ ｒ Ｐ −Ｇａｏ
、９５ ”０．０５ Ａｓ活性層３ 、 ｎ−Ｇａｏ、
ｙＡ４＋、３Ａｓクラッド層４及びｎ、−ＧａＡ＋キャ
ップ層５からなるダブルへテロ接合構造のレーザ発振用
多層結晶を順次液相エピタキシャル成長させる。次に、
キャップ層５表面にｎ側電極９としてＡｕ−Ｇｅを蒸着
した後、ホトリソグラフィ技術とＲＩＥ （リアクティ
ブイオンエツチング）技術によって７字溝７の両側にメ
サ溝８をｎ側電極９表面からｎ−ＧａＡｓ電流阻止層６
に到達する深さに形成する。メサ溝８間の幅Ｗは５．５
μｍ （’）−）とする。さらに、基板１の裏面を研磨
することにより素子全体の厚さを約１００μｍとした後
、その基板１裏面にＰ側電極１０としてＡｕ −Ｚ ｎ
を蒸着し、４５０℃に加熱してｎ側電極９とＰ側電極１
０を同時に合金化する。襞間法により共振長２５０暉の
７１プリペロー共振器を形成し、ｎ側電極９側を銅板上
にＩｎ金属を介してマウントし素子化を完了する。
ａＡ ｓの電流阻止層６を０．８μｍの厚さにエピタ
キシャル成長させ、その表面よりホトリソグラフィ技術
と化学エツチングによって、深さが１．２μｍ１幅Ｗが
４μｍの７字溝７を形成する。この基板上にＰ−Ｇａｏ
、７ Ａ４，３Ａｓクラッド層２ ｒ Ｐ −Ｇａｏ
、９５ ”０．０５ Ａｓ活性層３ 、 ｎ−Ｇａｏ、
ｙＡ４＋、３Ａｓクラッド層４及びｎ、−ＧａＡ＋キャ
ップ層５からなるダブルへテロ接合構造のレーザ発振用
多層結晶を順次液相エピタキシャル成長させる。次に、
キャップ層５表面にｎ側電極９としてＡｕ−Ｇｅを蒸着
した後、ホトリソグラフィ技術とＲＩＥ （リアクティ
ブイオンエツチング）技術によって７字溝７の両側にメ
サ溝８をｎ側電極９表面からｎ−ＧａＡｓ電流阻止層６
に到達する深さに形成する。メサ溝８間の幅Ｗは５．５
μｍ （’）−）とする。さらに、基板１の裏面を研磨
することにより素子全体の厚さを約１００μｍとした後
、その基板１裏面にＰ側電極１０としてＡｕ −Ｚ ｎ
を蒸着し、４５０℃に加熱してｎ側電極９とＰ側電極１
０を同時に合金化する。襞間法により共振長２５０暉の
７１プリペロー共振器を形成し、ｎ側電極９側を銅板上
にＩｎ金属を介してマウントし素子化を完了する。
以上の工程を介して作製された半導体レーザは、波長８
２０ｎｍで発振し、しきい値電流は１２ｍＡと極めて低
い値を示しだ。また、ＣＷ動作で、光１ 出力３０ ｍ
Ｗ以上迄、安定な基本横モードで発振した。
２０ｎｍで発振し、しきい値電流は１２ｍＡと極めて低
い値を示しだ。また、ＣＷ動作で、光１ 出力３０ ｍ
Ｗ以上迄、安定な基本横モードで発振した。
次に、他の実施例について第１図（Ｒ）を参照しながら
説明する。第１図（Ａ）の実施例と同様に基板１上に７
字溝７とダブルへテロ接合構造のレーザ発振用多層結晶
を形成し、７字溝７の両側にメサ溝８を刻設した後、再
び液相エピタキシャル法によりメサ溝８内をＰ−Ｇａｏ
、５Ａｔｏ、２Ａｓ 埋込層１１によって埋め込み、活
性層３の両側面をこの埋込層１１で限定する。次にキャ
ップ層５と同じｎ−ＧａＡｓから成るコンタクト層１２
を堆積させてその成長層表面が平坦になるまで成長させ
た。
説明する。第１図（Ａ）の実施例と同様に基板１上に７
字溝７とダブルへテロ接合構造のレーザ発振用多層結晶
を形成し、７字溝７の両側にメサ溝８を刻設した後、再
び液相エピタキシャル法によりメサ溝８内をＰ−Ｇａｏ
、５Ａｔｏ、２Ａｓ 埋込層１１によって埋め込み、活
性層３の両側面をこの埋込層１１で限定する。次にキャ
ップ層５と同じｎ−ＧａＡｓから成るコンタクト層１２
を堆積させてその成長層表面が平坦になるまで成長させ
た。
Ｐ−Ｇａｏ、ｇＡ４，２Ａｓ埋込層１１は活性層３より
もエネルギーギャップが大きいのでキャリアの拡散を阻
止することができる。コンタクト層１２の表面にはｎ側
電極９としてＡｕ−Ｇｅを、Ｐ−ＧａＡｓ基板１の裏面
にはＰ側電極１０としてＡｕ−Ｚｎを蒸着した後、４５
０℃に加熱して合金化する。
もエネルギーギャップが大きいのでキャリアの拡散を阻
止することができる。コンタクト層１２の表面にはｎ側
電極９としてＡｕ−Ｇｅを、Ｐ−ＧａＡｓ基板１の裏面
にはＰ側電極１０としてＡｕ−Ｚｎを蒸着した後、４５
０℃に加熱して合金化する。
以上の工程を介して作製された半導体レーザは８２０
ｎｍの波長で発振し、しきい値電流は１０ｍＡと極めて
低い値を示しだ。本実施例の半導体レーザは第１図（Ａ
）の実施例のそれに比べて熱放散が良好となるため、特
に高出力動作において有利である。
ｎｍの波長で発振し、しきい値電流は１０ｍＡと極めて
低い値を示しだ。本実施例の半導体レーザは第１図（Ａ
）の実施例のそれに比べて熱放散が良好となるため、特
に高出力動作において有利である。
尚、本発明の半導体レーザ素子は上述したＧａＡｓ−Ｇ
ａＡｔＡｓ系に限定されず、ＩｎＰ−ＩｎＧａＡｓＰ系
やその他のへテロ接合レーザ素子にも適用することがで
きる。また成長方法はＬＰＥ（液相エピタキシャル成長
）法具外にもＭＯ（有機金属）−ＣＶＤ法、ＶＰＥ（気
相成長）法、ＭＢＥ（分子線エピタキシャル成長）法等
を利用しても良い。
ａＡｔＡｓ系に限定されず、ＩｎＰ−ＩｎＧａＡｓＰ系
やその他のへテロ接合レーザ素子にも適用することがで
きる。また成長方法はＬＰＥ（液相エピタキシャル成長
）法具外にもＭＯ（有機金属）−ＣＶＤ法、ＶＰＥ（気
相成長）法、ＭＢＥ（分子線エピタキシャル成長）法等
を利用しても良い。
第１図（Ａ）（Ｂ）はそれぞれ本発明の１実施例を示す
半導体レーザ素子の模式断面図、同（Ｃ）はキャリア密
度分布を示す説明図である。 第２図（Ａ）は従来のＢＨレーザの概略断面図、同（Ｂ
）は従来のＶＳＩＳレーザの概略断面図である。 第３図はｖｓｒｓレーザのキャリア密度分布を示す説明
図である。 １−Ｐ−ＧａＡｓ基板、２−Ｐ−ＧａＡＡＡｓクラッド
層３−Ｐ−ＧａＡｔＡｓ活性層＋ ４−ｎ−ＧａＡｔＡ
ｓクラッド層５・・・ｎ−ＧａＡｓキャップ層、６・・
・Ｈ−ＧａＡｓ電流阻止層７・・・７字溝、
８・・・メサ溝９・・・ｎ側電極、 １０・・・
Ｐ側電極１１・・・Ｐ−ＧａＡｔＡｓ埋込層（キャリア
阻止層）１２・・・ｎ−ＧａＡｓコンタクト層 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第２図 Ｙ （％ｍ）
半導体レーザ素子の模式断面図、同（Ｃ）はキャリア密
度分布を示す説明図である。 第２図（Ａ）は従来のＢＨレーザの概略断面図、同（Ｂ
）は従来のＶＳＩＳレーザの概略断面図である。 第３図はｖｓｒｓレーザのキャリア密度分布を示す説明
図である。 １−Ｐ−ＧａＡｓ基板、２−Ｐ−ＧａＡＡＡｓクラッド
層３−Ｐ−ＧａＡｔＡｓ活性層＋ ４−ｎ−ＧａＡｔＡ
ｓクラッド層５・・・ｎ−ＧａＡｓキャップ層、６・・
・Ｈ−ＧａＡｓ電流阻止層７・・・７字溝、
８・・・メサ溝９・・・ｎ側電極、 １０・・・
Ｐ側電極１１・・・Ｐ−ＧａＡｔＡｓ埋込層（キャリア
阻止層）１２・・・ｎ−ＧａＡｓコンタクト層 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第２図 Ｙ （％ｍ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、素子内部に形成された電流狭窄用ストライプ溝の両
肩部でレーザ発振用活性層の光を吸収することにより得
られる光導波路の左右両外側で前記両肩部間距離より広
い位置に前記活性層を切断する溝を設けたことを特徴と
する半導体レーザ素子。 ２、活性層を切断する溝には該活性層よりエネルギーギ
ャプの大きい層が埋設されている特許請求の範囲第１項
記載の半導体レーザ素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60078004A JPS61236189A (ja) | 1985-04-11 | 1985-04-11 | 半導体レ−ザ素子 |
| EP86302607A EP0198656A3 (en) | 1985-04-11 | 1986-04-09 | A semiconductor laser device |
| US06/849,973 US4754462A (en) | 1985-04-11 | 1986-04-10 | Semiconductor laser device with a V-channel and a mesa |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60078004A JPS61236189A (ja) | 1985-04-11 | 1985-04-11 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61236189A true JPS61236189A (ja) | 1986-10-21 |
Family
ID=13649642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60078004A Pending JPS61236189A (ja) | 1985-04-11 | 1985-04-11 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4754462A (ja) |
| EP (1) | EP0198656A3 (ja) |
| JP (1) | JPS61236189A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63287082A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-24 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3788841T2 (de) * | 1986-10-07 | 1994-05-05 | Sharp Kk | Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben. |
| DE3854423T2 (de) * | 1987-12-18 | 1996-04-18 | Sharp Kk | Halbleiterlaservorrichtung. |
| JPH01220492A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-09-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| US6577658B1 (en) | 1999-09-20 | 2003-06-10 | E20 Corporation, Inc. | Method and apparatus for planar index guided vertical cavity surface emitting lasers |
| AU2003301055A1 (en) * | 2002-12-20 | 2004-07-22 | Cree, Inc. | Methods of forming semiconductor devices having self aligned semiconductor mesas and contact layers and related devices |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5596694A (en) * | 1979-01-18 | 1980-07-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser device and method of fabricating the same |
| JPS5617093A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-18 | Nec Corp | Semiconductor laser |
| JPS5887893A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-25 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ−素子 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2422287A1 (de) * | 1974-05-08 | 1975-11-13 | Siemens Ag | Halbleiter-laserdiode fuer dauerbetrieb |
| JPS5855674B2 (ja) * | 1979-12-29 | 1983-12-10 | 富士通株式会社 | 半導体発光装置の製造方法 |
| JPS56117287A (en) * | 1980-02-21 | 1981-09-14 | Sharp Kk | Indicator driving system |
| JPS59117287A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
| JPS605587A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-12 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS6057988A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-03 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
-
1985
- 1985-04-11 JP JP60078004A patent/JPS61236189A/ja active Pending
-
1986
- 1986-04-09 EP EP86302607A patent/EP0198656A3/en not_active Ceased
- 1986-04-10 US US06/849,973 patent/US4754462A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5596694A (en) * | 1979-01-18 | 1980-07-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser device and method of fabricating the same |
| JPS5617093A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-18 | Nec Corp | Semiconductor laser |
| JPS5887893A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-25 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ−素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63287082A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-24 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4754462A (en) | 1988-06-28 |
| EP0198656A3 (en) | 1988-01-07 |
| EP0198656A2 (en) | 1986-10-22 |
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