JPS5887893A - 半導体レ−ザ−素子 - Google Patents
半導体レ−ザ−素子Info
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- JPS5887893A JPS5887893A JP18543081A JP18543081A JPS5887893A JP S5887893 A JPS5887893 A JP S5887893A JP 18543081 A JP18543081 A JP 18543081A JP 18543081 A JP18543081 A JP 18543081A JP S5887893 A JPS5887893 A JP S5887893A
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/3235—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers
- H01S5/32391—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers based on In(Ga)(As)P
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体１ノーサー素子に関する。
半導体１ノ−ザー素子として、第１図に示すような埋込
へテロ（ＢＨ）形の素子あるいは第２図に示すようなダ
ブルへテロ構造の素子が開発されている。
へテロ（ＢＨ）形の素子あるいは第２図に示すようなダ
ブルへテロ構造の素子が開発されている。
第１図で示す前者の半導体レーザー素子は、ｎ導電型（
略してｎ型と称す。）のＩｎＰからなる基板１上にｎ型
クラッド層２．活性層３． ９導電型（略してｐ型と称
す。）のクラッド層４を順次液相エピタキシャル成長に
よって形成した後、中央を除く両側のｎ型クラッド層４
．活性層３をエンチング除去するとともに、エツチング
をｎ型クラッド層２中に壕で及ぼし、メサ形とする。そ
の後、露出するｎ型クラッド層２上に順次ｐ型のブロッ
キング層５． ｎ型埋込層６を形成してエツチングに
よって掘り下げた部分を埋め、全体の表面をｐ型のキャ
ップ層７で被うことによって形成される。
略してｎ型と称す。）のＩｎＰからなる基板１上にｎ型
クラッド層２．活性層３． ９導電型（略してｐ型と称
す。）のクラッド層４を順次液相エピタキシャル成長に
よって形成した後、中央を除く両側のｎ型クラッド層４
．活性層３をエンチング除去するとともに、エツチング
をｎ型クラッド層２中に壕で及ぼし、メサ形とする。そ
の後、露出するｎ型クラッド層２上に順次ｐ型のブロッ
キング層５． ｎ型埋込層６を形成してエツチングに
よって掘り下げた部分を埋め、全体の表面をｐ型のキャ
ップ層７で被うことによって形成される。
また、活性層３の真上のキャンプ層７部分にはｐ型りラ
レド＃４に１で達するようにＺｎを拡散させて電極コン
タクト用のｐ型の拡散層８（図中クロスハツチングを施
した領域）を形成しである。
レド＃４に１で達するようにＺｎを拡散させて電極コン
タクト用のｐ型の拡散層８（図中クロスハツチングを施
した領域）を形成しである。
また、基板】の下面にカソード電極９を、キャップ層７
上にアノード′電極１０をそれぞれ金糸の電極材で形成
している。なお、ｎ型クラッド層２およびｎ型埋込層６
はＩｎＰ（Ｔｅ）からなり、ｐ型のブロッキング層５お
よびｐ型りラッド層４はＩｎＰ（Ｚｎ）からなる。１ｋ
、活性層３はＩｎＧａＡｓＰ、キャップ層７はＩｎＧａ
ＡｓＰ（Ｚｎ）となっている。
上にアノード′電極１０をそれぞれ金糸の電極材で形成
している。なお、ｎ型クラッド層２およびｎ型埋込層６
はＩｎＰ（Ｔｅ）からなり、ｐ型のブロッキング層５お
よびｐ型りラッド層４はＩｎＰ（Ｚｎ）からなる。１ｋ
、活性層３はＩｎＧａＡｓＰ、キャップ層７はＩｎＧａ
ＡｓＰ（Ｚｎ）となっている。
−万、第２図で示すダブルへテロ構造の２子は、たとえ
ばｎｇのＧ ａ Ａ ｓ基板１を基にして形成され
。
ばｎｇのＧ ａ Ａ ｓ基板１を基にして形成され
。
ている。すなわち、この基板１の主面（上向）にはその
長手方向に沿って溝（チャネル）】１が形成されている
。そして、この基板１の主面−ヒには順次数千Ａ〜数数
円ｍ前後厚さにｎ型Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓからなるク
ランド層（下クラッドｊ―）２、ＧａＡｓからなる活性
層３、ｐ型Ｇ ａ Ａ （ｌ Ａ ｓ からなるクラッ
ド層（−ヒフラッド層）４、ｐ型ＧａＡｓからなるキャ
ップ層７が液相エピタキシャル成長方法で積層形成され
るとともに、キャップ層７上にはアノード電極】０が、
基板Ｊの下面にはカソード電極９が全系電極材料で形成
されている。１″＃、キャップ層７およびその下層の上
クラッド層４表層部ＫＺｎが拡散され”’ｃｐ型のコン
タクト用の拡散層８（図でクロスハツチングを施した領
域）が形成されている。この拡散層８は一足の幅を有し
、チャネル】１に平行に延在している。なお、これらの
図において、太幅矢印はレーザー光１２を示す。
長手方向に沿って溝（チャネル）】１が形成されている
。そして、この基板１の主面−ヒには順次数千Ａ〜数数
円ｍ前後厚さにｎ型Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓからなるク
ランド層（下クラッドｊ―）２、ＧａＡｓからなる活性
層３、ｐ型Ｇ ａ Ａ （ｌ Ａ ｓ からなるクラッ
ド層（−ヒフラッド層）４、ｐ型ＧａＡｓからなるキャ
ップ層７が液相エピタキシャル成長方法で積層形成され
るとともに、キャップ層７上にはアノード電極】０が、
基板Ｊの下面にはカソード電極９が全系電極材料で形成
されている。１″＃、キャップ層７およびその下層の上
クラッド層４表層部ＫＺｎが拡散され”’ｃｐ型のコン
タクト用の拡散層８（図でクロスハツチングを施した領
域）が形成されている。この拡散層８は一足の幅を有し
、チャネル】１に平行に延在している。なお、これらの
図において、太幅矢印はレーザー光１２を示す。
ところで、このようＡＣタイプのレーザー素子ではそれ
ぞれつぎのような長所、短所がある。
ぞれつぎのような長所、短所がある。
（１）、前者のＢＨ形はｔｌＡ電流値が］ ０〜４０
ｍＡと低い利点はあるが、遠視野像（ファー フィール
ド・パターン； ＦＦＰ ）が第３図ｆａｔで示すよう
にぎれいに現われず、光伝送における結合効率が低い。
ｍＡと低い利点はあるが、遠視野像（ファー フィール
ド・パターン； ＦＦＰ ）が第３図ｆａｔで示すよう
にぎれいに現われず、光伝送における結合効率が低い。
また、モードも不安定であり、かつ活性層幅が２．５ｔ
ｉｍと狭いことから、製造マージンか小さい。
ｉｍと狭いことから、製造マージンか小さい。
（２）、後者のチャネルを有する素子は、第３図（ｂｌ
に示すように、Ｆ’ＦＰがきれいであることと、モード
が安定するため光通信用光源とし又望ましいが、閾電流
値がたとえば８０〜１００ｍ八と高く、温度上昇が高（
なる欠点がある。
に示すように、Ｆ’ＦＰがきれいであることと、モード
が安定するため光通信用光源とし又望ましいが、閾電流
値がたとえば８０〜１００ｍ八と高く、温度上昇が高（
なる欠点がある。
したがって、本発明の目的は、光発ｆｔ、特性が優れた
低使用電力の半導体１〕−ザー菓子を提供することにあ
る。
低使用電力の半導体１〕−ザー菓子を提供することにあ
る。
また、本発明の他の目的は、製造マージンが大きくとれ
、製造歩留りの高い半導体レーザー素子を提供すること
にある。
、製造歩留りの高い半導体レーザー素子を提供すること
にある。
このような目的を達成するために本発明は、第１導電型
の化合物半導体基板の主面上に、下を第１導電型のクラ
ッド層、上を第２導電型のクラッドｒ＝、両側を第１導
屯型の埋込層で挾持される活性層を有する半導体レーザ
ー素子において、前記基板の主面中央は活性層に沿って
平行に延在する溝を有するとともに、この溝は前記第１
導篭型のクラッド層で埋められているものであっ又、以
下実施例により本発明を説明する。
の化合物半導体基板の主面上に、下を第１導電型のクラ
ッド層、上を第２導電型のクラッドｒ＝、両側を第１導
屯型の埋込層で挾持される活性層を有する半導体レーザ
ー素子において、前記基板の主面中央は活性層に沿って
平行に延在する溝を有するとともに、この溝は前記第１
導篭型のクラッド層で埋められているものであっ又、以
下実施例により本発明を説明する。
第５図は本発明の一実施例による半導体レーザー素子を
示す斜視図である。同図に示すように、ｎ型のＩｎＰか
らなる基板１はその主面中央に長手方向に沿って溝（チ
ャネル）１１が設けられ又いる。この溝Ｊ】は深さが１
．２μｍ９幅が６μｍとなるとともに、溝１１の側面は
４５°前後の傾斜面となっている。この基板１土にはＴ
ｅを含んでｎ型となり＃ＩｎＰからなるクラッド層２が
重ねて形成されている。したがって、＃Ｊ１１１はこの
クラッド層２で埋められ又いる。
示す斜視図である。同図に示すように、ｎ型のＩｎＰか
らなる基板１はその主面中央に長手方向に沿って溝（チ
ャネル）１１が設けられ又いる。この溝Ｊ】は深さが１
．２μｍ９幅が６μｍとなるとともに、溝１１の側面は
４５°前後の傾斜面となっている。この基板１土にはＴ
ｅを含んでｎ型となり＃ＩｎＰからなるクラッド層２が
重ねて形成されている。したがって、＃Ｊ１１１はこの
クラッド層２で埋められ又いる。
一万、クラッド層２の中央にはＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ
Ｐからなる活性層３．Ｚｎを含んでｐ型となったＩｎ
Ｐからなるクラッド層４が重ねられるとともに、これら
の層の両側にはＺｎを含んでｐ型となったブロッキング
層７．Ｔｅを含んでｎ型となった埋込層６が順次重ねて
形成されている。これらの層の形成にあっ又は、基板１
上に液相エピタキシャル成長方法によって、順次ｎ型ク
ラッド層２．活性層３、ｐ型りランド層４を所望厚さに
積層形成した後、常用のエツチング技術によって、溝】
１の真上から外れる部分のｐ型りラッド層４．活性層３
を除去する。この際、エツチングはｎ型クラッド層２０
表層部にも達するようにする。その後、再び部分液相エ
ピタキシャル成長方法によって、エツチングによって除
去された領域にｐ型のブロッキング層５および埋込層６
を形成する。埋込層６は活性層３の側面を塞ぐようにな
る。なお、活性層３０幅は真下に延在する溝１１の幅と
同一あるいはわずかに大きい。換言するならば、活性層
３の側縁は溝１１の側縁を形作る斜面−ヒに位置してい
る。
Ｐからなる活性層３．Ｚｎを含んでｐ型となったＩｎ
Ｐからなるクラッド層４が重ねられるとともに、これら
の層の両側にはＺｎを含んでｐ型となったブロッキング
層７．Ｔｅを含んでｎ型となった埋込層６が順次重ねて
形成されている。これらの層の形成にあっ又は、基板１
上に液相エピタキシャル成長方法によって、順次ｎ型ク
ラッド層２．活性層３、ｐ型りランド層４を所望厚さに
積層形成した後、常用のエツチング技術によって、溝】
１の真上から外れる部分のｐ型りラッド層４．活性層３
を除去する。この際、エツチングはｎ型クラッド層２０
表層部にも達するようにする。その後、再び部分液相エ
ピタキシャル成長方法によって、エツチングによって除
去された領域にｐ型のブロッキング層５および埋込層６
を形成する。埋込層６は活性層３の側面を塞ぐようにな
る。なお、活性層３０幅は真下に延在する溝１１の幅と
同一あるいはわずかに大きい。換言するならば、活性層
３の側縁は溝１１の側縁を形作る斜面−ヒに位置してい
る。
他方、ｐ型クラッド層４と埋込層６との上面をＺｎを含
んでｎ型となったＩｎＰＧａＡｓからなるキャンプ層７
で被う。また、活性層３の真上のキャップ層７部分には
、ｐ型クラッド層４および埋込層６に１で達するように
Ｚｎを一部拡散させて電極コンタクト用のｐ型の拡散層
８（図中クロスハンチングを施した領域）を形成しであ
る。さらに金糸の電極材料を用い壬、基板】の下面にカ
ソード電極９を、キャップ層７上にアノード電極】Ｏを
それぞれ形成している。
んでｎ型となったＩｎＰＧａＡｓからなるキャンプ層７
で被う。また、活性層３の真上のキャップ層７部分には
、ｐ型クラッド層４および埋込層６に１で達するように
Ｚｎを一部拡散させて電極コンタクト用のｐ型の拡散層
８（図中クロスハンチングを施した領域）を形成しであ
る。さらに金糸の電極材料を用い壬、基板】の下面にカ
ソード電極９を、キャップ層７上にアノード電極】Ｏを
それぞれ形成している。
このような実施例によれば、活性層３は土工をｎ型およ
びｐ型のクラッド層２．４で塞がれるとともに、両側を
１対のｎ型の埋込１４６で塞がれ、埋込ヘテロ構造とな
っているため、閾電流値がｌＯ〜４０ｍＡと低くとれる
。この結果、光出力に対する印加パワーは小さく、ｐｎ
ジャンクションにおける温度上昇率も小さい。
びｐ型のクラッド層２．４で塞がれるとともに、両側を
１対のｎ型の埋込１４６で塞がれ、埋込ヘテロ構造とな
っているため、閾電流値がｌＯ〜４０ｍＡと低くとれる
。この結果、光出力に対する印加パワーは小さく、ｐｎ
ジャンクションにおける温度上昇率も小さい。
また、この実施例では、活性層３の真下にはチャネル】
１が設けられている。このチャネル幅は活性層３の幅と
同一あるいは小さくなっているため、活性層３０幅方向
の屈折率は第６図（ｂｌに示すように、活性層３の両側
部で徐々に低くなる。したがって、Ｅ’ Ｆ Ｐは第６
図（ａｔに示すようにぎれいに現われ、光通信の伝送効
率を向上させることができる。なお、第４図１ａｌ、
（ｂｌは第１図および第２図で示す従来の半導体！／−
ザー素子の屈折率を示すものであって、埋込ヘテロ型で
は活性層の両端で折屈率が急に降下し、ダブルへテロ型
では活性層の両側で徐々に降下する。この結果、ＦＦＰ
は第３図（ａｔ、 ｔｂｌで示すように、ダブルへテロ
型ではきれいに現われ、埋込型ではきれいに現われない
ことになる。しかし、本発明の実施例では、一部にダブ
ルへテロ型構造の溝を採用しているので、ＦＦＰはきれ
いに現われることになる。
１が設けられている。このチャネル幅は活性層３の幅と
同一あるいは小さくなっているため、活性層３０幅方向
の屈折率は第６図（ｂｌに示すように、活性層３の両側
部で徐々に低くなる。したがって、Ｅ’ Ｆ Ｐは第６
図（ａｔに示すようにぎれいに現われ、光通信の伝送効
率を向上させることができる。なお、第４図１ａｌ、
（ｂｌは第１図および第２図で示す従来の半導体！／−
ザー素子の屈折率を示すものであって、埋込ヘテロ型で
は活性層の両端で折屈率が急に降下し、ダブルへテロ型
では活性層の両側で徐々に降下する。この結果、ＦＦＰ
は第３図（ａｔ、 ｔｂｌで示すように、ダブルへテロ
型ではきれいに現われ、埋込型ではきれいに現われない
ことになる。しかし、本発明の実施例では、一部にダブ
ルへテロ型構造の溝を採用しているので、ＦＦＰはきれ
いに現われることになる。
さらに、この実施例では、溝によって導波路の幅を規制
している。この溝構造では活性層の幅は６μｍとＢＨ槽
構造２．５μｍに対して太き（できる。このため、製造
マージンが大きくとれ、歩留も高くすることができ、コ
ストの低減も図れる。
している。この溝構造では活性層の幅は６μｍとＢＨ槽
構造２．５μｍに対して太き（できる。このため、製造
マージンが大きくとれ、歩留も高くすることができ、コ
ストの低減も図れる。
なお、本発明は前記実施例に限定されるものではな（、
本発明の技術思想に基いてその変形が可能である。
本発明の技術思想に基いてその変形が可能である。
以上のように、本発明によれば、光発光特性が優れた低
電力の半導体ｌ／−ザー累子菓子価に提供することがで
きる。
電力の半導体ｌ／−ザー累子菓子価に提供することがで
きる。
第１図および第２図は従来の半導体レーザー素子を示す
斜視図、第３図（ａｔ、 （ｂｌおよび第４図（ａ）。 （ｂｌは同じ（遠視野像および屈折率分布を示すグラフ
、第５図は本発明の一実施例による半導体レーザー素子
を示す斜視図、第６図（ａｌ、 （ｂｌは同じ（遠視野
像および屈折率分布を示すグラフである。 Ｊ・・・基板、２，４・・・クラッド層、３・・・活性
層、５・・・ブロッキング層、６・・・埋込層、７・・
・キャップ層、８・・・拡散層、１］・・・溝、１２・
・・レーザー元。 第 １ 図 第 ２ 図
斜視図、第３図（ａｔ、 （ｂｌおよび第４図（ａ）。 （ｂｌは同じ（遠視野像および屈折率分布を示すグラフ
、第５図は本発明の一実施例による半導体レーザー素子
を示す斜視図、第６図（ａｌ、 （ｂｌは同じ（遠視野
像および屈折率分布を示すグラフである。 Ｊ・・・基板、２，４・・・クラッド層、３・・・活性
層、５・・・ブロッキング層、６・・・埋込層、７・・
・キャップ層、８・・・拡散層、１］・・・溝、１２・
・・レーザー元。 第 １ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１導電型の化合物半導体基板の主面上に、下を第
１導電型のクラッド層、土を第２導電型のクラッド層１
両側を第１導電型の埋込層で挾持される活性層を有する
半導体レーザー素子において、前記基板の主面中央は活
性層に沿っ又平行に延在する溝を有するとともに、この
溝は前記第１導電型のクラッド層で埋められていること
を特徴とする半導体レーザー素子。 ２、前記溝の縁は傾斜した斜面となるとともに、溝の幅
は活性層の幅と同一あるいはわずかに狭（なっているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体１）
−ザー素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18543081A JPS5887893A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 半導体レ−ザ−素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18543081A JPS5887893A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 半導体レ−ザ−素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5887893A true JPS5887893A (ja) | 1983-05-25 |
Family
ID=16170641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18543081A Pending JPS5887893A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 半導体レ−ザ−素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5887893A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61222293A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ |
| JPS61236189A (ja) * | 1985-04-11 | 1986-10-21 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5596694A (en) * | 1979-01-18 | 1980-07-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser device and method of fabricating the same |
-
1981
- 1981-11-20 JP JP18543081A patent/JPS5887893A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5596694A (en) * | 1979-01-18 | 1980-07-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser device and method of fabricating the same |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61222293A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ |
| JPS61236189A (ja) * | 1985-04-11 | 1986-10-21 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
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