JPS601881A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents
半導体レ−ザ素子Info
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- JPS601881A JPS601881A JP10984483A JP10984483A JPS601881A JP S601881 A JPS601881 A JP S601881A JP 10984483 A JP10984483 A JP 10984483A JP 10984483 A JP10984483 A JP 10984483A JP S601881 A JPS601881 A JP S601881A
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0265—Intensity modulators
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明はレーザ光の吸収の少ない窓領域を有する半導体
レーザ素子の構造に関するものである。
レーザ素子の構造に関するものである。
〈従来技術〉
半導体レーサ素子の動作寿命を制限する要因の１つとし
て、レーザ光出射面となるファブリ・ベロー共振器端面
の劣化があることはよく知られている。また、半導体レ
ーザ素子は一般に高出力動作させるとこの共振器端面が
破壊され易くなり、レーザ動作が不可能な事態を招くと
いった問題点を有している。このときの端面破壊出力Ｐ
ｍａｘは従来の半導体レーザ素子ではおおよそＩＱ’Ｗ
／Ｃ１１２程度であった。
て、レーザ光出射面となるファブリ・ベロー共振器端面
の劣化があることはよく知られている。また、半導体レ
ーザ素子は一般に高出力動作させるとこの共振器端面が
破壊され易くなり、レーザ動作が不可能な事態を招くと
いった問題点を有している。このときの端面破壊出力Ｐ
ｍａｘは従来の半導体レーザ素子ではおおよそＩＱ’Ｗ
／Ｃ１１２程度であった。
レーザ光を安定に高出力発振させるためには、レーザ光
出射端面の劣化を抑制するとともにＰｍａＸを増大させ
ることが必要である。この観点に立って、レーザ光出射
端面でのレーザ光の吸収を少なくして端面劣化を防止す
るとともにＰｍａＸを有効に増加せしめた端面窓形半導
体し−サ素子として例えばＡｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔ
ｔ、１５Ｍａｙ １９７９Ｐ６３７に記載されたＷＳレ
ーザ素子や端面近傍を活性層よりもバンドギャップの広
い物質で埋め込んだ構造の半導体レーザ素子が開発され
、動作特性の向上が確かめられている。しかしながら、
これらの窓形半導体レーザ素子は、その窓領域において
接合に平行な方向に光導波路か形成されていない。従っ
て、窓領域ではレーザ光か拡がって伝播するため、共振
器反射面で反射してレーザ発振領域に戻る光の量が少な
くなり、発振の効率が低下して発振閾値電流が高くなる
といった欠点を有する。また、レーザビームの焦点（ビ
ームウェスト）は、接合に平行な方向ではレーザ発振領
域端に存在し、接合に垂直な方向では共振器端面に存在
する、この非点収差はレンズ等により光学的結合を行な
う−して非常に不都合なものとなる。
出射端面の劣化を抑制するとともにＰｍａＸを増大させ
ることが必要である。この観点に立って、レーザ光出射
端面でのレーザ光の吸収を少なくして端面劣化を防止す
るとともにＰｍａＸを有効に増加せしめた端面窓形半導
体し−サ素子として例えばＡｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔ
ｔ、１５Ｍａｙ １９７９Ｐ６３７に記載されたＷＳレ
ーザ素子や端面近傍を活性層よりもバンドギャップの広
い物質で埋め込んだ構造の半導体レーザ素子が開発され
、動作特性の向上が確かめられている。しかしながら、
これらの窓形半導体レーザ素子は、その窓領域において
接合に平行な方向に光導波路か形成されていない。従っ
て、窓領域ではレーザ光か拡がって伝播するため、共振
器反射面で反射してレーザ発振領域に戻る光の量が少な
くなり、発振の効率が低下して発振閾値電流が高くなる
といった欠点を有する。また、レーザビームの焦点（ビ
ームウェスト）は、接合に平行な方向ではレーザ発振領
域端に存在し、接合に垂直な方向では共振器端面に存在
する、この非点収差はレンズ等により光学的結合を行な
う−して非常に不都合なものとなる。
〈発明の目的〉
本発明は上述した従来の窓形半導体レーザ素子の有する
欠点を克服したものであり、発振閾値電流が低く光学系
への結合に適する構造を有する新規有用な半導体レーザ
素子を提供することを目的とする。
欠点を克服したものであり、発振閾値電流が低く光学系
への結合に適する構造を有する新規有用な半導体レーザ
素子を提供することを目的とする。
〈構成及び効果〉
本発明は、接合に平行な方向にストライプ状の屈折率導
波路を有する半導体レーザ素子の共振器端面近傍に共振
器内部よりも多くの電流を流すこ電子の数を多くしかつ
その吸収端波長を共振器内部で発生するレーザ光の波長
よりも大きくするように窓形半導体レーザ素子を構成し
ている。電子の蓄積による吸収端波長の高エネルギー側
への移動はバンドフィリング効果あるいはバースタイン
効果と呼ばれている。共振器端面近傍と共振器中央部と
は別個に設けられた電極を介して通電されまた共振器端
面近傍に流れる電流を制御することにより閾値電流を変
化させてスイッチンク動作を行なうように構成すること
ができる。
波路を有する半導体レーザ素子の共振器端面近傍に共振
器内部よりも多くの電流を流すこ電子の数を多くしかつ
その吸収端波長を共振器内部で発生するレーザ光の波長
よりも大きくするように窓形半導体レーザ素子を構成し
ている。電子の蓄積による吸収端波長の高エネルギー側
への移動はバンドフィリング効果あるいはバースタイン
効果と呼ばれている。共振器端面近傍と共振器中央部と
は別個に設けられた電極を介して通電されまた共振器端
面近傍に流れる電流を制御することにより閾値電流を変
化させてスイッチンク動作を行なうように構成すること
ができる。
以上の如く窓形半導体レーザ素子に技術的改良を伺与す
ることにより、閾値電流を上けることなく高出力動作を
得ることが可能となり、また光学系に対しても結合が容
易な半導体レーザ素子が得られる。
ることにより、閾値電流を上けることなく高出力動作を
得ることが可能となり、また光学系に対しても結合が容
易な半導体レーザ素子が得られる。
〈実施例〉
第１図は本発明の一実施例を示す半導体レーザ素子の構
成斜視図である。第２図（Ａ Ｉ ＬＢ ＋は第１図に
示す半導体レーザ素子の共振方向断面図及び共振方向に
垂直方向の端面図である。
成斜視図である。第２図（Ａ Ｉ ＬＢ ＋は第１図に
示す半導体レーザ素子の共振方向断面図及び共振方向に
垂直方向の端面図である。
Ｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板１上にｎ−ＧａＡｓ電流阻止
層２を０，８μｍの厚さに液相エピタキシャル成長させ
た後、幅４μｍで深さ１．２μｍのＶ字形断面を有する
溝１０をエツチングにより形成し、溝ｌＯ内の上記電流
阻止層２が除去された領域で電流通路を形成する。次に
、再度液晶エピタキシャル成長法てｐ−ＡｊＢｙＧａｌ
−ｙＡｓクラ・ノド層３、ｐ（またはｎ ） −Ａノｘ
Ｇａ１−）（Ａｓ活性層４、ｎ−ＡｉｙＧａｌ−ｙＡｓ
クラッド層５、ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓキャラプ層６を順
次積層成長させ、ダブルへテロ接合型のレーザ動作用多
層結晶構造を形成する。
層２を０，８μｍの厚さに液相エピタキシャル成長させ
た後、幅４μｍで深さ１．２μｍのＶ字形断面を有する
溝１０をエツチングにより形成し、溝ｌＯ内の上記電流
阻止層２が除去された領域で電流通路を形成する。次に
、再度液晶エピタキシャル成長法てｐ−ＡｊＢｙＧａｌ
−ｙＡｓクラ・ノド層３、ｐ（またはｎ ） −Ａノｘ
Ｇａ１−）（Ａｓ活性層４、ｎ−ＡｉｙＧａｌ−ｙＡｓ
クラッド層５、ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓキャラプ層６を順
次積層成長させ、ダブルへテロ接合型のレーザ動作用多
層結晶構造を形成する。
尚、本実施例ではｘ＝０．１５ 、 ｙ＝０．４３とし
た。
た。
また、溝１０以外の部分での厚さはｐ−クラ・ノド層３
が０．２μｍ、活性層４が０．１ｐｍ、ｎ−クラッド層
５が１．０μｍ１キヤツプ層６か２．０μｍとなるよう
に設定した１、キャップ層６１にはｎ側電極７としてＡ
ｕ −Ｇ ｅ−Ｎ ｉを、またＧａＡｓ基板１の裏面
にはｎ側電極８としてＡ ｕ −Ｚ ｎを蒸着形成する
。次に、対向する両端面近くでかつ溝ｌＯのストライプ
方向と直交する方向にｎ側電極７からｎ−クラッド層５
１こ達する溝幅の細い２木のメサエッチ溝９，９′を形
成する。各メサエッチ溝９．９′と端面間の距離Ｌｗは
約２５μｍ程度、メサエッチ溝９，９′間の距離Ｌａは
約２００μｍ程度に設定する。これによってＬｗに対応
する活性層４領域は機能−Ｌ窓領域となって分離され、
両端面位置の窓領域で挾まれた内部のＬ ａに対応する
活性層４領域が実質的な活性領域となる。活性領域でレ
ーザ発振動作を行なうためには活性領域の長さＬａはｌ
、ａ ＞ ２ Ｌ ｗとなるように条件設定することが
必要である。
が０．２μｍ、活性層４が０．１ｐｍ、ｎ−クラッド層
５が１．０μｍ１キヤツプ層６か２．０μｍとなるよう
に設定した１、キャップ層６１にはｎ側電極７としてＡ
ｕ −Ｇ ｅ−Ｎ ｉを、またＧａＡｓ基板１の裏面
にはｎ側電極８としてＡ ｕ −Ｚ ｎを蒸着形成する
。次に、対向する両端面近くでかつ溝ｌＯのストライプ
方向と直交する方向にｎ側電極７からｎ−クラッド層５
１こ達する溝幅の細い２木のメサエッチ溝９，９′を形
成する。各メサエッチ溝９．９′と端面間の距離Ｌｗは
約２５μｍ程度、メサエッチ溝９，９′間の距離Ｌａは
約２００μｍ程度に設定する。これによってＬｗに対応
する活性層４領域は機能−Ｌ窓領域となって分離され、
両端面位置の窓領域で挾まれた内部のＬ ａに対応する
活性層４領域が実質的な活性領域となる。活性領域でレ
ーザ発振動作を行なうためには活性領域の長さＬａはｌ
、ａ ＞ ２ Ｌ ｗとなるように条件設定することが
必要である。
直流電源Ｅより上記半導体レーザ素子＋（二流す電流を
可変抵抗ＲＬによって制御し、更に窓領域に流す電流１
ｗと活性領域に流す電流１ａの比率を可変抵抗Ｒｗ及び
Ｒａで調整する。ｎ側電極７（４メサエッチ溝９，９′
によって活性領域直上に位置する中央電極１２と窓領域
直−Ｌに位置する端電極１３に分割されており、１ｗは
ｎ側電極８と端電極１３、Ｉａはｎ側電極８と中央電極
１２を介してそれぞれ素子内へ注入される。
可変抵抗ＲＬによって制御し、更に窓領域に流す電流１
ｗと活性領域に流す電流１ａの比率を可変抵抗Ｒｗ及び
Ｒａで調整する。ｎ側電極７（４メサエッチ溝９，９′
によって活性領域直上に位置する中央電極１２と窓領域
直−Ｌに位置する端電極１３に分割されており、１ｗは
ｎ側電極８と端電極１３、Ｉａはｎ側電極８と中央電極
１２を介してそれぞれ素子内へ注入される。
Ｉ ａ ） Ｉ ｗの場合には、窓領域の活性層４は活
性領域の活性層４て発生するレーザ光に対して吸収作用
を有し、レーザ発振がなされないかあるいはレーザ発振
の閾値電流１ｔｈが上昇して消費電力が増加した（ Ｉ
ｔｈ＞４０ｍＡ）。Ｉａ＝Ｉｗの場合には、メサエッ
チ溝９，９′を設けない場合の半導体レーザ素子と同様
のＩｔｈ＝４０ｍＡなる値で発振しその発振波長λは７
８０ｎｍてあった。ｌ ａ ＜ Ｉ ｗの場合には、窓
領域の活性層４に活性領域の活性層４よりも多くの電子
が蓄積しｔ子の擬フエルミレベルが上昇する。その結果
、窓領域の活性層４の吸収端波長が高エネルギー側へ移
動し、完全な窓機能か形成される。この場合の吸収端波
長の移動はバンドフィリング効果又はバースタイン効果
と呼ばれている。レーザ発振させた場合、λ−７８０ｎ
ｍてのパルス破壊限界出力は２００ｍＷ以上に上昇した
、また、Ｉｗを増加していくと、窓領域の活性層４は光
増幅器としても作用し、結果的に１ｔｈが減少してＩ
ｔｈ＜４０ｍＡとなった。即ち、上記半導体レーザ素子
は高出力動作用としてのみならずＴｗを制御することに
よりレーザ発振のスイッチング動作を行なうことができ
、端電極１３を変調入力電極とする光スイツチング素子
として利用することができる。
性領域の活性層４て発生するレーザ光に対して吸収作用
を有し、レーザ発振がなされないかあるいはレーザ発振
の閾値電流１ｔｈが上昇して消費電力が増加した（ Ｉ
ｔｈ＞４０ｍＡ）。Ｉａ＝Ｉｗの場合には、メサエッ
チ溝９，９′を設けない場合の半導体レーザ素子と同様
のＩｔｈ＝４０ｍＡなる値で発振しその発振波長λは７
８０ｎｍてあった。ｌ ａ ＜ Ｉ ｗの場合には、窓
領域の活性層４に活性領域の活性層４よりも多くの電子
が蓄積しｔ子の擬フエルミレベルが上昇する。その結果
、窓領域の活性層４の吸収端波長が高エネルギー側へ移
動し、完全な窓機能か形成される。この場合の吸収端波
長の移動はバンドフィリング効果又はバースタイン効果
と呼ばれている。レーザ発振させた場合、λ−７８０ｎ
ｍてのパルス破壊限界出力は２００ｍＷ以上に上昇した
、また、Ｉｗを増加していくと、窓領域の活性層４は光
増幅器としても作用し、結果的に１ｔｈが減少してＩ
ｔｈ＜４０ｍＡとなった。即ち、上記半導体レーザ素子
は高出力動作用としてのみならずＴｗを制御することに
よりレーザ発振のスイッチング動作を行なうことができ
、端電極１３を変調入力電極とする光スイツチング素子
として利用することができる。
上記実施例に於いて、メサエッチ溝９，９′を形成して
窓領域を分離する代わりにプロトン注入によって高抵抗
部をメサエッチ溝９，９′の部分に形成しても同様の効
果が達成される。この場合プロトンを活性層４内にまで
注入すると活性層４で活性領域と窓領域間の光学的結合
が妨げられるため、プロトンはｎ側電極７からｎ−クラ
ッド層５の途中まで注入するようにイオン注入条件を設
定する。
窓領域を分離する代わりにプロトン注入によって高抵抗
部をメサエッチ溝９，９′の部分に形成しても同様の効
果が達成される。この場合プロトンを活性層４内にまで
注入すると活性層４で活性領域と窓領域間の光学的結合
が妨げられるため、プロトンはｎ側電極７からｎ−クラ
ッド層５の途中まで注入するようにイオン注入条件を設
定する。
第３図（ＡｌｔＢｌ（Ｃ１は本発明の他の実施例を示す
半導体レーザ素子の共振方向断面図、Ｘ −Ｘ断面図及
びＹ−Ｙ断面図である。
半導体レーザ素子の共振方向断面図、Ｘ −Ｘ断面図及
びＹ−Ｙ断面図である。
本実施例に於いては、窓領域に対応する電流通路の溝ｌ
Ｏは第３図ｔｃ＋に示す如くＶ字型にエツチング成形さ
れており、活性層４は平坦に層設されている。一方、活
性領域に対応する部分の溝１０は第３図［Ｂｌに示す如
く窓領域のそれより幅か広く加工成形されており、その
直上の活性層４は下面が下方へ湾曲して層厚が窓領域よ
り厚く層設されている。窓領域での活性層４を活性領域
よりも薄くすると、注入キャリアか窓領域にそれたけ多
く蓄積してフェルミレベルが上昇することとなり、窓効
果が生じる。この場合、活性領域と窓領域が共通電極に
よって通電されると、高出力動作時に窓領域での電流の
流れが一定とならず、横モードの不安定なレーザ発振を
呈する。従って、第３図（Ａ＋の如くｎ側電極７はメサ
エッチ溝９，９′で活性領域への通電用中央電極１２と
窓領域への通電用端電極１３に分割され、相互に独立し
て通電されるように構成されている。
Ｏは第３図ｔｃ＋に示す如くＶ字型にエツチング成形さ
れており、活性層４は平坦に層設されている。一方、活
性領域に対応する部分の溝１０は第３図［Ｂｌに示す如
く窓領域のそれより幅か広く加工成形されており、その
直上の活性層４は下面が下方へ湾曲して層厚が窓領域よ
り厚く層設されている。窓領域での活性層４を活性領域
よりも薄くすると、注入キャリアか窓領域にそれたけ多
く蓄積してフェルミレベルが上昇することとなり、窓効
果が生じる。この場合、活性領域と窓領域が共通電極に
よって通電されると、高出力動作時に窓領域での電流の
流れが一定とならず、横モードの不安定なレーザ発振を
呈する。従って、第３図（Ａ＋の如くｎ側電極７はメサ
エッチ溝９，９′で活性領域への通電用中央電極１２と
窓領域への通電用端電極１３に分割され、相互に独立し
て通電されるように構成されている。
本実施例では、１００ｍＷの高出力まで安定な横基本モ
ードのレーザ発振を得ることができた。
ードのレーザ発振を得ることができた。
第４図（ＡｌｔＢｌ（Ｃ１は本発明の更に他の実施例を
示す半導体レーザ素子の共振方向断面図、Ｘ−Ｘ断面図
及びＹ−Ｙ断面図である。
示す半導体レーザ素子の共振方向断面図、Ｘ−Ｘ断面図
及びＹ−Ｙ断面図である。
本実施例に於いては、ｐ−クラッド層３と活性層４の間
にｐ Ａ ｉ ｚ Ｇ ａ １− ｚ Ａ ｓ光ガイド
層１４（ｘ＜ｚ＜ｙ）を挿入し、その層厚を窓領域に対
応する部分で厚く層設している。即ち、活性領域に対応
する電流通路の溝１０を第４図（Ｂｌに示す如くｖ字形
にエツチング成形してその直−りの光ガイド層１４を平
坦に層設する。一方、窓領域に対応する電流通路の溝］
０は活性領域のそれよりも幅広に成形され、従ってその
直−Ｌの光ガイド層１４は下方に湾曲して層厚が厚くな
るように層設される。これによって形成される活性領域
と罫領域での光強度分布が図中に示されている。接合に
垂直方向に閉じ込められる光強度分布のピークは活性領
域では活性層４内に存在し、窓領域では光ガイド層１４
内に存在する。従って、端面で活性層４内に存在する光
の割合が減少し、しかも窓効果によって端面ての光吸収
も減少する。その結果、端面破壊出力は更に増大する。
にｐ Ａ ｉ ｚ Ｇ ａ １− ｚ Ａ ｓ光ガイド
層１４（ｘ＜ｚ＜ｙ）を挿入し、その層厚を窓領域に対
応する部分で厚く層設している。即ち、活性領域に対応
する電流通路の溝１０を第４図（Ｂｌに示す如くｖ字形
にエツチング成形してその直−りの光ガイド層１４を平
坦に層設する。一方、窓領域に対応する電流通路の溝］
０は活性領域のそれよりも幅広に成形され、従ってその
直−Ｌの光ガイド層１４は下方に湾曲して層厚が厚くな
るように層設される。これによって形成される活性領域
と罫領域での光強度分布が図中に示されている。接合に
垂直方向に閉じ込められる光強度分布のピークは活性領
域では活性層４内に存在し、窓領域では光ガイド層１４
内に存在する。従って、端面で活性層４内に存在する光
の割合が減少し、しかも窓効果によって端面ての光吸収
も減少する。その結果、端面破壊出力は更に増大する。
実際にパルス動作で７００ｍＷ、連続動作で２００ｒｒ
＋Ｗの値を得ることができた。
＋Ｗの値を得ることができた。
第１図及び第３図で示される構造の窓形半導体レーザ素
子を発振波長７８０ｎｍ、出力３０ｍＷ、５０℃で連続
動作させたところいずれも４０００時間経過した時点で
閾値電流の上昇は観察されていない。また素子の端面劣
化も皆無であった。
子を発振波長７８０ｎｍ、出力３０ｍＷ、５０℃で連続
動作させたところいずれも４０００時間経過した時点で
閾値電流の上昇は観察されていない。また素子の端面劣
化も皆無であった。
尚、本発明の半導体レーザ素子は上述したＡｉＧ ａ
Ａ ｓ系に限定されるものではなく、１ｎｐ−Ｉ ｎ
Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ 系やその他のへテロ接合レーザ素
子に適用することができる。
Ａ ｓ系に限定されるものではなく、１ｎｐ−Ｉ ｎ
Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ 系やその他のへテロ接合レーザ素
子に適用することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体レーザ素子の構
成斜視図である。第２図（ＡｌｔＢｌは第１図に示す半
導体レーザ素子の共振方向断面図及び共振方向に垂直方
向の端面図である。 第３図［ＡｌｔＢｌ（Ｃ１は本発明の他の実施例を示す
半導体レーザ素子の共振方向断面図、Ｘ−Ｘ断面図及び
Ｙ−Ｙ断面図である。 第４図（Ａｌ（Ｂｌ（Ｃ＋は本発明の更に他の実施例を
示す半導体レーザ素子の共振方向断面図、Ｘ−Ｘ断面図
及びＹ−Ｙ断面図である。 １・・・ＧａＡｓ基板、 ２・・・電流阻止層、３・・
・ｐ−クラッド層、 ４・・・活性層、５・・・ｎ−ク
ラッド層、６・・・キャップ層、７・・・ｎ側電極、
８・・・ｐ側電極、９．９′・・・メサエッチ溝、 １
０・・・溝、１２・・・中央電極、 １３・・・端電極
、１４・・・光ガイド層。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第７図 （Ａ） Ｕ 第２図 第３図 （Ｂ） （Ｃ） 第４１１２１
成斜視図である。第２図（ＡｌｔＢｌは第１図に示す半
導体レーザ素子の共振方向断面図及び共振方向に垂直方
向の端面図である。 第３図［ＡｌｔＢｌ（Ｃ１は本発明の他の実施例を示す
半導体レーザ素子の共振方向断面図、Ｘ−Ｘ断面図及び
Ｙ−Ｙ断面図である。 第４図（Ａｌ（Ｂｌ（Ｃ＋は本発明の更に他の実施例を
示す半導体レーザ素子の共振方向断面図、Ｘ−Ｘ断面図
及びＹ−Ｙ断面図である。 １・・・ＧａＡｓ基板、 ２・・・電流阻止層、３・・
・ｐ−クラッド層、 ４・・・活性層、５・・・ｎ−ク
ラッド層、６・・・キャップ層、７・・・ｎ側電極、
８・・・ｐ側電極、９．９′・・・メサエッチ溝、 １
０・・・溝、１２・・・中央電極、 １３・・・端電極
、１４・・・光ガイド層。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第７図 （Ａ） Ｕ 第２図 第３図 （Ｂ） （Ｃ） 第４１１２１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 共振器端面近傍に流れる電流と共振器中央部に流れ
る電流を各々独立の電極を介して注入するようにしたこ
とを特徴とする半導体レーザ素子。 ２ 共振器端面近傍に流れる電流を多くして窓効果を形
成した特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ素子。 ３ 共振器端面近傍に流れる電流を制御してレーザ発振
をスイッチングするようにした特許請求の範囲第１項記
載の半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10984483A JPS601881A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 半導体レ−ザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10984483A JPS601881A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS601881A true JPS601881A (ja) | 1985-01-08 |
Family
ID=14520627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10984483A Pending JPS601881A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS601881A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56135517A (en) * | 1980-02-12 | 1981-10-23 | Gen Electric | Coating epoxy composition |
| JPS62128584A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Sharp Corp | 半導体レ−ザの駆動方法 |
| JPS63284876A (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-22 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JP2007134400A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Toshiba Corp | レーザ誘導光配線装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5367390A (en) * | 1976-11-29 | 1978-06-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser device |
| JPS57211791A (en) * | 1981-06-24 | 1982-12-25 | Sharp Corp | Semiconductor laser element |
-
1983
- 1983-06-17 JP JP10984483A patent/JPS601881A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5367390A (en) * | 1976-11-29 | 1978-06-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser device |
| JPS57211791A (en) * | 1981-06-24 | 1982-12-25 | Sharp Corp | Semiconductor laser element |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0457117B2 (ja) * | 1985-11-29 | 1992-09-10 | Sharp Kk | |
| JPS63284876A (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-22 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JP2007134400A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Toshiba Corp | レーザ誘導光配線装置 |
| US8000370B2 (en) | 2005-11-08 | 2011-08-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Laser-induced optical wiring apparatus |
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