JPH0337877B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0337877B2 JPH0337877B2 JP60140048A JP14004885A JPH0337877B2 JP H0337877 B2 JPH0337877 B2 JP H0337877B2 JP 60140048 A JP60140048 A JP 60140048A JP 14004885 A JP14004885 A JP 14004885A JP H0337877 B2 JPH0337877 B2 JP H0337877B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase
- semiconductor laser
- mode
- film
- laser array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4068—Edge-emitting structures with lateral coupling by axially offset or by merging waveguides, e.g. Y-couplers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は高出力動作を可能とした0°位相同期型
半導体レーザアレイ装置の構造に関するものであ
る。
半導体レーザアレイ装置の構造に関するものであ
る。
［従来技術とその問題点］
半導体レーザを高出力で動作させる場合、単体
の半導体レーザでは現在のところ実用性を考慮す
るとレーザ光の最大出力値は50ｍＷ程度で限界と
なる。
の半導体レーザでは現在のところ実用性を考慮す
るとレーザ光の最大出力値は50ｍＷ程度で限界と
なる。
そこで、複数の半導体レーザを同一基板上に平
行に並べることにより高出力化を計る半導体レー
ザアレイの研究が進められている。
行に並べることにより高出力化を計る半導体レー
ザアレイの研究が進められている。
しかしながら、複数本の屈折率導波型半導体レ
ーザを平行に光学的結合を持たせて並べ、各レー
ザに均一な利得を与えても、各半導体レーザによ
る光は、0°位相で同期する状態よりもむしろ位相
が反転した180°位相モードの方が光の電界分布と
利得分布が良く一致するので発振域値利得が小さ
くなり、定常状態において、発振してしまう。こ
れを避けるためには、180°位相モードの発振域値
利得を大きくして180°位相モードの抑制を行なう
必要があり、第５図ａに示すように両へき開面５
０に分岐結合型の導波路５１を有する構造の半導
体レーザアレイが提案されている。この導波路は
２本の導波路を進んできた0°位相モードの光は１
本の導波路部に進行する際に位相が同相であるた
め互に強め合うが、180°位相モードの光は逆相に
なるため互に弱められ、放射モードとなつて導波
路外に放射していくことを利用して180°位相モー
ドの損失を増大させ、その結果、180°位相モード
の発振域値利得を増大させている。
ーザを平行に光学的結合を持たせて並べ、各レー
ザに均一な利得を与えても、各半導体レーザによ
る光は、0°位相で同期する状態よりもむしろ位相
が反転した180°位相モードの方が光の電界分布と
利得分布が良く一致するので発振域値利得が小さ
くなり、定常状態において、発振してしまう。こ
れを避けるためには、180°位相モードの発振域値
利得を大きくして180°位相モードの抑制を行なう
必要があり、第５図ａに示すように両へき開面５
０に分岐結合型の導波路５１を有する構造の半導
体レーザアレイが提案されている。この導波路は
２本の導波路を進んできた0°位相モードの光は１
本の導波路部に進行する際に位相が同相であるた
め互に強め合うが、180°位相モードの光は逆相に
なるため互に弱められ、放射モードとなつて導波
路外に放射していくことを利用して180°位相モー
ドの損失を増大させ、その結果、180°位相モード
の発振域値利得を増大させている。
しかしながら、導波路の本数が増大していく
と、0°位相モードと180°位相モードの中間モード
の発振或値利得が最も小さくなつてしまい、0°位
相モードによる発振が出来なくなる。例えば第５
図ｂのレーザアレにおける0°位相モードａ、180°
位相モードｄ、各中間モードｂ，ｃの電界Ｅの分
布をそれぞれ第６図ａ〜ｄに示す。
と、0°位相モードと180°位相モードの中間モード
の発振或値利得が最も小さくなつてしまい、0°位
相モードによる発振が出来なくなる。例えば第５
図ｂのレーザアレにおける0°位相モードａ、180°
位相モードｄ、各中間モードｂ，ｃの電界Ｅの分
布をそれぞれ第６図ａ〜ｄに示す。
この図からわかるように、0°位相同期モードａ
の電界Ｅは中央部に分布したレーザ光となり、一
方、他のアレモードｂ，ｃ，ｄの電界Ｅは周辺部
に分布したレーザ光となる。
の電界Ｅは中央部に分布したレーザ光となり、一
方、他のアレモードｂ，ｃ，ｄの電界Ｅは周辺部
に分布したレーザ光となる。
半導体レーザアレイから放射されるレーザ光の
遠視野像は0°位相同期状態では単峰性の強度分布
を示し、レンズで単一の微小スポツトに絞ること
ができるが、180°位相同期モード及び各中間モー
ド状態では遠視野像が複数の双峰性のピークとな
りレンズで単一のスポツトに絞ることはできな
い。
遠視野像は0°位相同期状態では単峰性の強度分布
を示し、レンズで単一の微小スポツトに絞ること
ができるが、180°位相同期モード及び各中間モー
ド状態では遠視野像が複数の双峰性のピークとな
りレンズで単一のスポツトに絞ることはできな
い。
レーザ光を単一のスポツトに絞れないと各種光
学系との結合に不都合が生じ、光通信、光デイス
クシステム等の光源としての実用性が阻害される
ことになる。
学系との結合に不都合が生じ、光通信、光デイス
クシステム等の光源としての実用性が阻害される
ことになる。
従つて半導体レーザアレイが0°位相同期して発
振するように、即ち0°位相周期モードの発振利得
が180°位相同期モード及び中間モードよりも高く
なるように技術的手段を駆使して通信用光源等と
しての利用価値を確保することが半導体レーザア
レイ装置に対して強く要望されている。
振するように、即ち0°位相周期モードの発振利得
が180°位相同期モード及び中間モードよりも高く
なるように技術的手段を駆使して通信用光源等と
しての利用価値を確保することが半導体レーザア
レイ装置に対して強く要望されている。
［発明の目的］
本発明は平行にならびかつ互いがなめらかに結
合された複数本の屈折率導波型半導体レーザが0°
位相同期して発振し、単峰性の放射パターンで高
出力のレーザ光を放射する半導体レーザアレイ装
置を提供することを目的とする。
合された複数本の屈折率導波型半導体レーザが0°
位相同期して発振し、単峰性の放射パターンで高
出力のレーザ光を放射する半導体レーザアレイ装
置を提供することを目的とする。
［発明の構成］
本発明の半導体レーザアレイ装置は複数の屈折
率導波型活性導波路を有し、且つ前記導波路が互
いになめらかに光学的に平行結合されている半導
体レーザアレイ装置であつて、少なくとも一方の
活性導波路のへき開面の中央部における反射率を
周辺部における反射率よりも大きくしたことを特
徴とする。
率導波型活性導波路を有し、且つ前記導波路が互
いになめらかに光学的に平行結合されている半導
体レーザアレイ装置であつて、少なくとも一方の
活性導波路のへき開面の中央部における反射率を
周辺部における反射率よりも大きくしたことを特
徴とする。
［実施例］
以下、本発明の１実施例を第１図に示すような
平坦な活性層を有するGaAs−GaAlAs系半導体
レーザアレイを用いて説明する。
平坦な活性層を有するGaAs−GaAlAs系半導体
レーザアレイを用いて説明する。
ｐ−GaAs基板１上にLPE（液相エピキシヤル
成長）法などの結晶成長法により、逆極性接合と
なるｎ−GaAs電流阻止層２を成長させる。次に
フオトリソグラフイとエツチング技術により、Ｖ
字形溝３を電流阻止層２表面から基板１内へ達す
る深さ迄形成する。Ｖ字形溝３を形成することに
より基板１上から電流阻止層２の除去された部分
が電流の通路となる。再度、LPE法を用いて溝
付きの基板１上にｐ−AlxGa1−xAsクラツド層
４、ｐまたはｎ−AlyGa1−yAs活性層５、ｎ−
AlxGa1−xAsクラツド層６を順次成長させダブ
ルヘテロ接合を介する活性層５を得る。ただし、
上記クラツド層４，６において、ｘ＞ｙである。
さらに、この上にn+GaAsキヤツプ層７を連続的
に成長させてレーザ動作用の多層結晶構造を構成
し、基板側にｐ型抵抗性電極８を、成長層側即ち
キヤツプ層７上にｎ型抵抗性電極９を形成した
後、共振器長が200〜300μｍとなるように前記溝
３と直角にへき（劈）開する。
成長）法などの結晶成長法により、逆極性接合と
なるｎ−GaAs電流阻止層２を成長させる。次に
フオトリソグラフイとエツチング技術により、Ｖ
字形溝３を電流阻止層２表面から基板１内へ達す
る深さ迄形成する。Ｖ字形溝３を形成することに
より基板１上から電流阻止層２の除去された部分
が電流の通路となる。再度、LPE法を用いて溝
付きの基板１上にｐ−AlxGa1−xAsクラツド層
４、ｐまたはｎ−AlyGa1−yAs活性層５、ｎ−
AlxGa1−xAsクラツド層６を順次成長させダブ
ルヘテロ接合を介する活性層５を得る。ただし、
上記クラツド層４，６において、ｘ＞ｙである。
さらに、この上にn+GaAsキヤツプ層７を連続的
に成長させてレーザ動作用の多層結晶構造を構成
し、基板側にｐ型抵抗性電極８を、成長層側即ち
キヤツプ層７上にｎ型抵抗性電極９を形成した
後、共振器長が200〜300μｍとなるように前記溝
３と直角にへき（劈）開する。
次に両へき開面にAl2O3膜あるいはアモルフア
スSi膜を電子ビーム蒸着法で被覆して、レーザ面
ミラーを形成する。この時単層のAl2O3膜あるい
は多層のAl2O3膜とアモルフアスSi膜で構成され
る反射膜における各層の厚さを適当に変えること
によつて反射膜の反射率を約２％〜95％まで任意
に設定することができる。本実施例ではλ／４厚
（λ：発振波長）のAl2O3膜とλ／４厚のAl2O3膜
を用いていて、それぞれの反射率を約２％と約32
％としている。このために、まず、第２図で示す
ように、両へき開面１０にλ／４厚のAl2O3膜１
１を電子ビーム蒸着法で形成し、次に周知のホト
リソグラフイ技術によつてAl2O3膜１１のコーテ
イングされたへき開面上の周辺部の活性導波路部
w1，w2，w3，w4にレジスト膜１２を形成した
後、再度λ／４厚のAl2O3膜１３を被覆する。次
に第３図に示すように、レジスト膜１２をリムー
バーで除去することによつて、中央部の活性導波
路w2，w3，wbの両へき開面１０上にはλ／４厚
のAl2O3膜（反射率32％）、そして、周辺部の活
性導波路w1，w4，wa，wc上にはλ／４厚の
Al2O3膜（反射率２％）の共振器ミラーが形成さ
れることになる。
スSi膜を電子ビーム蒸着法で被覆して、レーザ面
ミラーを形成する。この時単層のAl2O3膜あるい
は多層のAl2O3膜とアモルフアスSi膜で構成され
る反射膜における各層の厚さを適当に変えること
によつて反射膜の反射率を約２％〜95％まで任意
に設定することができる。本実施例ではλ／４厚
（λ：発振波長）のAl2O3膜とλ／４厚のAl2O3膜
を用いていて、それぞれの反射率を約２％と約32
％としている。このために、まず、第２図で示す
ように、両へき開面１０にλ／４厚のAl2O3膜１
１を電子ビーム蒸着法で形成し、次に周知のホト
リソグラフイ技術によつてAl2O3膜１１のコーテ
イングされたへき開面上の周辺部の活性導波路部
w1，w2，w3，w4にレジスト膜１２を形成した
後、再度λ／４厚のAl2O3膜１３を被覆する。次
に第３図に示すように、レジスト膜１２をリムー
バーで除去することによつて、中央部の活性導波
路w2，w3，wbの両へき開面１０上にはλ／４厚
のAl2O3膜（反射率32％）、そして、周辺部の活
性導波路w1，w4，wa，wc上にはλ／４厚の
Al2O3膜（反射率２％）の共振器ミラーが形成さ
れることになる。
このようにへき開面１０上に異なる誘電膜を形
成することにより、へき開面１０の反射率が活性
導波路Ｗの中央部で高く、活性導波路Ｗの周辺部
で低くなる。
成することにより、へき開面１０の反射率が活性
導波路Ｗの中央部で高く、活性導波路Ｗの周辺部
で低くなる。
従つて、共振器ミラーによる損失は、0°位相同
期モードでは第６図ａに示したように中央部の活
性導波路Ｗに分布する電界の割合が大きいので、
共振器ミラーによる損失は少なく、一方他のアレ
イモードにおいては周辺部の活性導波路Ｗに多く
分布しているので、損失は大きくなる。
期モードでは第６図ａに示したように中央部の活
性導波路Ｗに分布する電界の割合が大きいので、
共振器ミラーによる損失は少なく、一方他のアレ
イモードにおいては周辺部の活性導波路Ｗに多く
分布しているので、損失は大きくなる。
この結果、0°位相同期モードの全体としての損
失は他のアレイモードに比べて少なく、発振域値
利得も小さくなるため、第４図で示すように、0°
位相で同期したレーザ光を安定して出力すること
ができる。
失は他のアレイモードに比べて少なく、発振域値
利得も小さくなるため、第４図で示すように、0°
位相で同期したレーザ光を安定して出力すること
ができる。
この時、各導波路間のエバネツセント波を利用
して光学的に結合している方が安定な0°位相同期
モードが得られるが、各活性導波路が均一にでき
ていれば、エバネツセント波を利用した光学的結
合は必ずしも必要ではない。
して光学的に結合している方が安定な0°位相同期
モードが得られるが、各活性導波路が均一にでき
ていれば、エバネツセント波を利用した光学的結
合は必ずしも必要ではない。
第５図ｂに示す活性導波路構造のアレイで、活
性導波路Ｗが4μｍ、中間領域幅Wsが1μｍ、中央
部の活性導波路部のへき開端面反射率32％、周辺
部の活性導波路部のへき開端面反射率２％に設定
した半導体レーザアレイ装置を試作した場合、発
振域値電流は120〜150ｍＡ、出力130ｍＷまで0°
位相同期モードで発振し、他の位相同期モードの
発振を抑制することができた。
性導波路Ｗが4μｍ、中間領域幅Wsが1μｍ、中央
部の活性導波路部のへき開端面反射率32％、周辺
部の活性導波路部のへき開端面反射率２％に設定
した半導体レーザアレイ装置を試作した場合、発
振域値電流は120〜150ｍＡ、出力130ｍＷまで0°
位相同期モードで発振し、他の位相同期モードの
発振を抑制することができた。
尚、本発明の半導体レーザアレイは上述した屈
折率型導波路構造に限らずリツヂ構造型あるいは
埋込み構造型等の屈折率型導波路に適用できるこ
とはいうまでもない。さらにGaAlAs−GaAs系
に限らずInP−InGaAsP系、その他の材料を用い
た半導体レーザに適用することができる。
折率型導波路構造に限らずリツヂ構造型あるいは
埋込み構造型等の屈折率型導波路に適用できるこ
とはいうまでもない。さらにGaAlAs−GaAs系
に限らずInP−InGaAsP系、その他の材料を用い
た半導体レーザに適用することができる。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明は、半導体レー
ザアレイ装置のへき開面における中央部での反射
率が周辺部における反射率よりも高くなるように
し、たとえば0°位相同期モードの発振域値利得を
他のアレイモードにおける利得よりも小さくした
ので0°位相で同期したレーザ光を安定して放射す
ることができる。これによりレンズ等により微小
面積の単一のスポツトに絞ることができ、解像度
のすぐれた各種のレーザ光応用機器の実現が可能
となる。
ザアレイ装置のへき開面における中央部での反射
率が周辺部における反射率よりも高くなるように
し、たとえば0°位相同期モードの発振域値利得を
他のアレイモードにおける利得よりも小さくした
ので0°位相で同期したレーザ光を安定して放射す
ることができる。これによりレンズ等により微小
面積の単一のスポツトに絞ることができ、解像度
のすぐれた各種のレーザ光応用機器の実現が可能
となる。
第１図は本発明の１実施例を示す半導体レーザ
アレイ装置の断面図、第２図及び第３図は第１図
におけるへき開面上に反射膜を形成する過程を示
す平面図、第４図は本発明の実施例により得られ
たレーザ光の強度分布を示す図、第５図ａ，ｂは
従来の半導体レーザアレイ装置における分岐結合
型導波路を示す図、第６図は第５図ｂにおける各
位相同期モードの電界分布を示す図である。 １０……へき開面、１１，１３……Al2O3膜、
１２……レジスト膜、Ｗ……活性導波路。
アレイ装置の断面図、第２図及び第３図は第１図
におけるへき開面上に反射膜を形成する過程を示
す平面図、第４図は本発明の実施例により得られ
たレーザ光の強度分布を示す図、第５図ａ，ｂは
従来の半導体レーザアレイ装置における分岐結合
型導波路を示す図、第６図は第５図ｂにおける各
位相同期モードの電界分布を示す図である。 １０……へき開面、１１，１３……Al2O3膜、
１２……レジスト膜、Ｗ……活性導波路。
Claims (1)
- １ 複数の屈折率導波型活性導波路を有し、且つ
前記導波路が互いになめらかに光学的に平行結合
されている半導体レーザアレイ装置であつて、少
なくとも一方の活性導波路のへき開面の中央部に
おける反射率を周辺部における反射率よりも大き
くしたことを特徴とする半導体レーザアレイ装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60140048A JPS61296785A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| US06/876,223 US4772082A (en) | 1985-06-25 | 1986-06-19 | Semiconductor laser array device |
| GB08614932A GB2176939B (en) | 1985-06-25 | 1986-06-19 | A semiconductor laser array device |
| DE19863621198 DE3621198A1 (de) | 1985-06-25 | 1986-06-25 | Halbleiter-laseranordnung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60140048A JPS61296785A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61296785A JPS61296785A (ja) | 1986-12-27 |
| JPH0337877B2 true JPH0337877B2 (ja) | 1991-06-06 |
Family
ID=15259768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60140048A Granted JPS61296785A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4772082A (ja) |
| JP (1) | JPS61296785A (ja) |
| DE (1) | DE3621198A1 (ja) |
| GB (1) | GB2176939B (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6215877A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-24 | Sharp Corp | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| JPS6392079A (ja) * | 1986-10-07 | 1988-04-22 | Sharp Corp | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| US4852113A (en) * | 1986-10-21 | 1989-07-25 | Trw Inc. | Laser array with wide-waveguide coupling region |
| US4866724A (en) * | 1986-10-21 | 1989-09-12 | Trw Inc. | Wide-waveguide interferometric array with interelement losses |
| JPS63199480A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-17 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ走査装置 |
| JPH06103775B2 (ja) * | 1987-07-31 | 1994-12-14 | シャープ株式会社 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| US5050180A (en) * | 1989-10-10 | 1991-09-17 | Trw Inc. | Phase-locked arrays of coupled X-junctions |
| US6577658B1 (en) | 1999-09-20 | 2003-06-10 | E20 Corporation, Inc. | Method and apparatus for planar index guided vertical cavity surface emitting lasers |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5411117B2 (ja) * | 1972-02-23 | 1979-05-11 | ||
| GB1407351A (en) * | 1973-02-06 | 1975-09-24 | Standard Telephones Cables Ltd | Injection lasers |
| US4255717A (en) * | 1978-10-30 | 1981-03-10 | Xerox Corporation | Monolithic multi-emitting laser device |
| JPS55115386A (en) * | 1979-02-26 | 1980-09-05 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser unit |
| JPS55595A (en) * | 1979-06-01 | 1980-01-05 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Data imprinting device of camera |
| US4536940A (en) * | 1981-06-12 | 1985-08-27 | At&T Bell Laboratories | Method of making a loss stabilized buried heterostructure laser |
| US4603421A (en) * | 1982-11-24 | 1986-07-29 | Xerox Corporation | Incoherent composite multi-emitter laser for an optical arrangement |
| US4594718A (en) * | 1983-02-01 | 1986-06-10 | Xerox Corporation | Combination index/gain guided semiconductor lasers |
| US4641311A (en) * | 1983-12-20 | 1987-02-03 | Rca Corporation | Phase-locked semiconductor laser array with integral phase shifters |
| US4624000A (en) * | 1984-11-01 | 1986-11-18 | Xerox Corporation | Phased array semiconductor lasers with preferred emission in a single lobe |
-
1985
- 1985-06-25 JP JP60140048A patent/JPS61296785A/ja active Granted
-
1986
- 1986-06-19 US US06/876,223 patent/US4772082A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-06-19 GB GB08614932A patent/GB2176939B/en not_active Expired
- 1986-06-25 DE DE19863621198 patent/DE3621198A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3621198C2 (ja) | 1992-10-08 |
| GB8614932D0 (en) | 1986-07-23 |
| US4772082A (en) | 1988-09-20 |
| GB2176939B (en) | 1988-08-03 |
| DE3621198A1 (de) | 1987-01-08 |
| GB2176939A (en) | 1987-01-07 |
| JPS61296785A (ja) | 1986-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2959902B2 (ja) | 半導体レーザとそれを有する装置とその製造方法 | |
| GB2181892A (en) | A semi-conductor laser | |
| JPS5940592A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPH0337877B2 (ja) | ||
| US5396511A (en) | Semiconductor laser apparatus with curved waveguide | |
| JP2008124287A (ja) | 波長変換素子 | |
| US4751709A (en) | Semiconductor laser array device | |
| US4791651A (en) | Semiconductor laser array device | |
| US4815088A (en) | Semiconductor laser array device | |
| JPH054835B2 (ja) | ||
| US4811351A (en) | Semiconductor laser array device | |
| JPH05167197A (ja) | 光半導体装置 | |
| US5727016A (en) | Spatially coherent diode laser with lenslike media and feedback from straight-toothed gratings | |
| US4764936A (en) | Semiconductor laser array device | |
| US4764937A (en) | Semiconductor laser array device | |
| JP2532449B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH0440874B2 (ja) | ||
| JPS6215879A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JPS61263185A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JPH01175280A (ja) | 半導体レーザアレイ装置 | |
| JPH0334875B2 (ja) | ||
| JPS61290788A (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
| CN119602082A (zh) | 半导体脉冲激光器 | |
| JPS63164287A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JPH0439797B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |