JPS63199480A - 半導体レ−ザ走査装置 - Google Patents

半導体レ−ザ走査装置

Info

Publication number
JPS63199480A
JPS63199480A JP62033004A JP3300487A JPS63199480A JP S63199480 A JPS63199480 A JP S63199480A JP 62033004 A JP62033004 A JP 62033004A JP 3300487 A JP3300487 A JP 3300487A JP S63199480 A JPS63199480 A JP S63199480A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
semiconductor laser
optical deflection
laser beam
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP62033004A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0542148B2 (ja
Inventor
Kaneki Matsui
完益 松井
Mototaka Tanetani
元隆 種谷
Akihiro Matsumoto
晃広 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP62033004A priority Critical patent/JPS63199480A/ja
Priority to US07/156,263 priority patent/US4939737A/en
Priority to EP88301283A priority patent/EP0280459B1/en
Publication of JPS63199480A publication Critical patent/JPS63199480A/ja
Publication of JPH0542148B2 publication Critical patent/JPH0542148B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
    • G02F1/295—Analog deflection from or in an optical waveguide structure]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures
    • H01S5/4068—Edge-emitting structures with lateral coupling by axially offset or by merging waveguides, e.g. Y-couplers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/06233—Controlling other output parameters than intensity or frequency
    • H01S5/06243—Controlling other output parameters than intensity or frequency controlling the position or direction of the emitted beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4075—Beam steering

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は半導体レーザ走査装置に関し、特に光学偏向
機能を半導体レーザ装置に一体に組込んだ電気光学式光
ビーム走査装置に関するものである。
「従来の技術］ ヘテロ構造注入型レーザと光学偏向領域とが同一基板上
に一体化された光ビーム走査装置どじて、モノリシック
型レーザ走査装置（特開昭５７−７９９２１）がある。
この装置においてはビーム幅の広いレーザ光を導波路上
でその位相を制御することによって、レーザ光を偏向さ
せ高い走査解像度を得るものである。
［発明が解決しようとする問題点］ 上記のような従来の走査装置では、ビーム幅が広いこと
がらレーザ光の位相を制御するためには相当多数の電極
を独立に準備しかつ精度良く制御する必要があるが、こ
の制御は非常に回動で複雑であった。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、半導体レーザと光学偏向領域とを同一基板上に一体
化した簡便な偏向構造とを右する半導体レーザ走査装置
を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］ この発明に係る走査装置は、半導体レーザより発振した
レーザ光が斜めに入射する入射面を有する導波路部を半
導体レーザと一体に対向配置し、さらに導波路部の屈折
率を変化させる電界印加手段を設けたものである。
１作用］ この発明においてはレーザ光が導波路部に斜めに入射す
るので、導波路部の屈折率を可変調することによって容
易にレーザ光の屈折角が変化し、レーザ光を偏向させる
ことができる。
［実施例］ 第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図であり、第２
図は（の形成途中の電流阻止層の平面図である。
図において、ｎ　−Ｇａ　Ａｓ基板１の上にＭＯＣＶ［
）（有機金属気相成長）法またはＭＢＥ（分子線Ｌビタ
キシャル成長）法等の結晶成長法によって、厚さ０．５
μｍのｎ　−Ｇａ　ＡＳＳバラフッ２、厚さ１．４μｍ
のｎ　−Ｇａ　ｏ、５Δｆｌｏ、ｓＡｓクラッド層３、
厚さ１３０犬のＧａへ５ｊｌ−１層と厚さ５０△のＧａ
Ｏ，ＧΔ北。、ｓＡｓバリア層とからなる多層量子井戸
の活性層４、厚さ０．３μｍのｐＧａｏ、ｓＡ証。−ｓ
　Ａｓクラッド層５および厚さ０．５μｍのｎ　−Ｑａ
　ＡＳ電流阻止層６を順次形成する。
次にフォトリソグラフィ技術によって半導体レーザアレ
イ１１になる部分のｎ　−Ｇａ　Ａｓ電流阻止ｍ６を第
２図に示す形状になるように部分的に除去し、光学偏向
領［１３を含む光ガイド領域１５となるべき領域におい
ては電流阻止層６をづ−べて除去する。この除去に際し
ては、ＮＨ−：Ｈ７Ｏ２：Ｈ２Ｏ−１＋１５：１４４（
重量比）のエツチング液を用いることによってｎ　−Ｇ
ａ　Ａｓ層を選択的に除去することができる。
さらに、ＭＯＣＶＤ法によって第２図の状態の上に厚さ
１．２μｍのＤ−Ｇａｏ、ｓΔｊ−ｏ、５ΔＳクラッド
層７および厚さ１．０μｍのｐ−Ｇａ△Ｓキャップ層８
を順次エピタキシャル成長させる。
次に光学偏向領域１３を形成するために境界領域１６を
プロトン注入による高抵抗化を用いて導波路層である活
性層４を貫通するように形成する。
なお、この境界領域１６の形成は、符号５，７゜８がｎ
型電導層の場合においてはＳ（硫黄）の選択拡散による
ｎ型電導層の形成、また同じく符号５．７．８がｎ型電
導層の場合においてはｚｎ（亜鉛）の選択拡散によるｎ
型電導層の形成によっても可能である。
境界領域１６形成後、ｎ　−Ｇａ　Ａｓ　Ｍ板１を１０
０μｍＰｉ！度に研磨、洗浄した後その表面とρ−Ｇａ
　ＡＳＳキャラ層８の表面とにそれぞれｎ型オーミック
電極９およびｎ型オーミック電極１０を形成りる。
さらに、半導体レーデアレイ阻止１１の一方のノを振部
１２と光学偏向ｆｒ４域１３とを含む光ガイド領域１５
のレーデ光入射面１４を多層レジスト膜をマスクとして
塩素ガスを用いた反応性イオンエツブ−フグ法を用いて
形成するが、半導体レーザアレイ１１力口ら発振するレ
ーザ光を効率良く光学偏向領域１３に結合するために、
共振面１２およびレーザ光入射面１４は１〜２μｍ幅の
エツチング幅によって形成する。
最後に、半導体レーザアレイ１１の共振器長は約２５０
μｍになるように、他方光学偏向領域１３の長さが２５
０μｍになるようにそれぞれ男開を行ない、走査装置を
完成する。
以下、この発明の走査装置の動作を説明する。
半導体レーザアレイ１１はｎ　−Ｇａ　Ａｓ電電流比止
層６よって活性層４に注入される電流通路が形成され、
一方、ｎ　−Ｇａ　Ａｓ電電流比止層６よる光の吸収に
よって第２図のごとく半導体レーザアレイ部１７にＹ分
岐導波路が形成される。したがってこのＹ分岐導波路構
造を有する半導体レーザアレイは各導波路の位相が同位
相となる００位相モードの単峰ビームとしてレーザ光を
発振する。
この実施例では第２図において導波路部幅（Ｗ）は３μ
ｍ１ピツチ（Ｐ　’）は５μｍとし、導波路数は片側１
２本、他方側を１１木としている（図面上は表示の便宜
上導波路数の本数は減らして図示している）。
第３図はこのときのレーザ光発振の光出力−電流特性を
示した図表である。
図において横軸に半導体レーザアレイ部に印加される駆
動電流をとり、縦軸に発振されるレーザ光の光出力をと
っておりレーザ光発振のしきい値３５０ｍ△が示されて
いる。
第４図はこの発明の一実施例のレーザ光出力の遠視野像
を示した図表である。
図において、横軸にレーザの活性層に平行方向の遠視野
像の幅を示す角度をとり、縦軸にレーザ光の光強度がと
られている。レーザ出力１００１ＩＩＷ時での光強度が
示されており、その結果遠視野像の半値全幅が０．９°
である狭い放射ビームとなっていることが理解される。
第５図はこの発明の一実施例の光学偏向領域にお（プる
電界強度と屈折率変化量との関係を示した図表である。
図において、横軸に光学偏向領域の多層母子井戸構造よ
りなる活性層に印加される電界強度をとり、縦軸に活性
層の屈折率変化量がとられており実線はλｌ　（発振波
長）〈励起子による吸収波長の場合を示し、破線はλＬ
　（発振波長）〉励起子による吸収波長の場合を示して
いる。
この結果活性層に逆バイアス電圧を印加して高電界とす
ると、その屈折率が大きく増加または減少するがこの増
減は入射光すなわらレーザ光の発振波長と励起子による
吸収波長との関係に依存することがわかる。
一般的には、多層量子井戸構造を活性層とした半導体レ
ーザの通常の発振波長に対しては破線で示されるごとく
印加電界にほぼ比例して屈折率が増加する。たとえば１
　Ｘ　１０’　Ｖ／ｃｍ２の電界強度を印加するときの
活性層の屈折率の変化は約４％になる。
第６図はこの発明の一実施例における光学偏向領域にレ
ーザ光が入射したときの偏向状態を示した図である。
図において光学偏向領域１３の入射面１９ど反射面２０
（レーザ光入射面１４に平行）の角度をαとし、光ガイ
ド領域１５の屈折率をｎ＋、光学偏向領域１３の屈折率
をｎ２、空気の屈折率をｎ。−１とする。またレーデ光
１８と各々の面との４１す角度として入射面１つにおい
て入射角を０１、出射角をθ２、出射面２０において入
射角をθ。、出射角をθ１、レーザ光出射面において入
射角を０４、出射角をθｈとするとスネルの法則から次
式が成立する。
ｎ　、　ｓｉｎθ＋　＝ｎ　２　Ｓｌｎθ２ｎ　、　ｓ
ｉｎθ、　＝ｎ　、　ｓｉｎθ４ｎ　、　ｓｉｎθ４　
＝ｎ　ＯＳｉｎθｂここで　θ、−α、θ３＝α−０２
であるので２−区Ｇ「ヌ；販−へＵ媛・Ｉ〆＝馬−忍が
ｔ’１られる。Ｉ）２　＝　ｎ　１　＋Δｎ＋　＋　ｎ
　Ｏ””　１とすると −９ぴ外、４４４を久（Ｅ呈ｉ廼時−一四％ｄ）どなる
。
第７図はこのＯ６とΔｎ　＋　／　ｎ　＋との関係をα
をパラメータとして示した図表である。
図において横軸にΔｎ　、　／ｎ　、をとり、縦軸にｆ
ｌ　Ｄｉ角（θゎ）をとっており、たとえばαが６００
の場合＋４％の屈折率変化で約１２％の偏向角がＩｌｌ
られることを示している。
＝９− 第８図は第７図と似ているが、光学偏向領域に電界を印
加したときその屈折率が減少するとぎのθ５とΔｎ　、
　／ｎ　、との関係をαをパラメータとして示した図表
である。これは、第５図においてλＬ　（発振波長）く
励起子による吸収波長のとき生じるので具体的には半導
体レーザアレイの共振器長を短くしたり、活性層をより
薄くすることで発振波長を短波長化することによって達
成ｒぎる。
第９図はこの発明の他の実施例を示す平面図である。
図において、境界領域１６に囲まれた光学偏向領域１３
が２組存在する以外第１図の構成と同様である。光学偏
向領域１３は２組直列に形成されているのでどちらか一
方の光学偏向領域に電界を印加することによって右側ま
たは左側へどちらの方向へも出射レーザ光を偏向するこ
とができ、結果として偏向角を大きくすることがでさ−
る。
第２図にて示した半導体レーザアレイを用いてαを６０
０とした第９図に示す構成のレーリ゛走査装置において
、出射レーリ゛光の半値全幅０．９゜の狭いビームを左
右にそれぞれ１２°４Ｍ向することがｌ認された。
４ｆお、上記実施例では半導体レージ“としてＱａＡ麩
△５−ＧａＡｓ系を用いているがＩｎＰ−１ｎＧａＡＳ
Ｐ系等、他の材料を用いても同様の効果を久づる。１ Ｊ、た、−に記実施例ではレーザ光発振手段はＹ分岐導
波路を使用しているが、これにはこだわらず他の発振手
段を用いても同様の偏向効果を奏することは言うまでも
ない。
ざらに、上記実施例では光学偏向領域を１組またＬＪ　
２紺としているが３組以上であってもまたその組合わけ
方向についてもこだわらない。
［発明の効果］ この発明は」ズ上説明したとおり、半導体レーザと光学
偏向領域とを同一基板上に形成し、光学偏向領域の導波
路部の屈折率を印加電界によって変化させるので、半導
体レーザから発振するレーザ光を簡ｉ１に偏向させる効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第８図はすべてこの発明の一実施例を示すもの
であり、第９図はこの発明の他の実施例を示すものであ
る。 第１図は走査装置の斜視図、第２図はその形成途中の電
流阻止層の平面図、第３図はレーザ発振の光出力−電流
特性を示した図表、第４図はレーザ光出力の遠視野像を
示した図表、第５図は光学偏向領域にお（ブる電界強度
と屈折率変化量との関係を示した図表、第６図は光学偏
向領域に入射したレーデ光の偏向状態を示した図、第７
図、第８図は第６図におけるθ５とΔｎ、（＝ｎ、、−
ｎ、）／ｎ＋どの関係をαをパラメータとして示した図
表、第９図は光学偏向領域を２組備えた走査装置の平面
図である。 図において、１はｎ−ＧａＡｓ　＋３板、４は活性層、
６はｎ−Ｇａ　Ａｓ電流阻止層、９は０型オーミツク電
極、１０はｐ型オーミック電極、１１は半導体レーザア
レイ、１２は共振面、１３は光学偏向領域、１７は半導
体レーザアレイ部、１８はレーザ光、１９は入射面であ
る。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 萬１図 １０：Ｐ型オーミ・／７宅掃 萬３図 扁区１力１１坏し　（憫、ハ） 萬４図 策６Ｍ 第Ｓ図 電＊強及 Ｌｏｖ　じ臼 １３：光争鴎峠領域 １９：入射面 ２０：＄４を面 ２１；レーサ゛九ホ１寸面 萬′７図 第８図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 光学偏向機能を一体に有した半導体レーザ走査装置であ
    って、 レーザ光発振手段と、 前記レーザ光発振手段によって発振されたレーザ光が、
    その入射面に斜めに入射する導波路部と、前記導波路部
    の屈折率を変化させるために電界を印加する電界印加手
    段とを備えた、半導体レーザ走査装置。
JP62033004A 1987-02-16 1987-02-16 半導体レ−ザ走査装置 Granted JPS63199480A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62033004A JPS63199480A (ja) 1987-02-16 1987-02-16 半導体レ−ザ走査装置
US07/156,263 US4939737A (en) 1987-02-16 1988-02-16 Scanning apparatus with refracting area of variable refractive index
EP88301283A EP0280459B1 (en) 1987-02-16 1988-02-16 A scanning apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62033004A JPS63199480A (ja) 1987-02-16 1987-02-16 半導体レ−ザ走査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63199480A true JPS63199480A (ja) 1988-08-17
JPH0542148B2 JPH0542148B2 (ja) 1993-06-25

Family

ID=12374691

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62033004A Granted JPS63199480A (ja) 1987-02-16 1987-02-16 半導体レ−ザ走査装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4939737A (ja)
EP (1) EP0280459B1 (ja)
JP (1) JPS63199480A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0459025A2 (en) * 1990-05-29 1991-12-04 Symbol Technologies, Inc. Scanning system implemented on semiconductor or electro-optical substrate
US5625483A (en) * 1990-05-29 1997-04-29 Symbol Technologies, Inc. Integrated light source and scanning element implemented on a semiconductor or electro-optical substrate
US6102294A (en) * 1990-05-29 2000-08-15 Symbol Technologies Integrated scanner on a common substrate
JP2007273549A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Anritsu Corp 半導体光素子及び光スイッチングシステム並びに波長可変レーザ

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5023882A (en) * 1990-05-07 1991-06-11 Xerox Corporation Phased locked arrays with single lobe output beam
WO2002014943A1 (en) * 2000-08-16 2002-02-21 Accelight Investments, Inc. Arbitrary deflection waveform generation using cascaded scanners
DE102011015411A1 (de) * 2011-03-29 2012-10-04 Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur Ablenkung von Laserstrahlung sowie Laservorrichtung mit einer derartigen Vorrichtung
US10209509B1 (en) * 2017-07-28 2019-02-19 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Optical scanning device that includes mirrors and optical waveguide region

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5779921A (en) * 1980-09-17 1982-05-19 Xerox Corp Monolithic laser scanner
JPS61264325A (ja) * 1985-05-18 1986-11-22 Toshio Utsunomiya 光偏向素子

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3344365A (en) * 1963-06-03 1967-09-26 Rca Corp Laser system employing means with no moving parts for producing an angularly rotatable beam of coherent light
US3402366A (en) * 1965-02-26 1968-09-17 Ibm Beam scanning in injection lasers
US3436679A (en) * 1966-03-07 1969-04-01 Gen Electric Semiconductor junction laser with electronically displaceable and deflectable beam
US3517337A (en) * 1967-10-26 1970-06-23 Ibm Modulation of scanning beams in injection lasers
GB1482936A (en) * 1974-10-29 1977-08-17 Standard Telephones Cables Ltd Semiconductor lasers
US4063189A (en) * 1976-04-08 1977-12-13 Xerox Corporation Leaky wave diode laser
NL185118C (nl) * 1979-06-07 1990-01-16 Philips Nv Halfgeleiderschakelinrichting voor het geleiden en versterken van straling.
US4462658A (en) * 1980-09-17 1984-07-31 Xerox Corporation Optical scanner
US4325802A (en) * 1980-11-17 1982-04-20 Pentanyl Technologies, Inc. Method of liquefaction of carbonaceous materials
JPS57130488A (en) * 1981-02-05 1982-08-12 Sumitomo Electric Ind Ltd Optical semiconductor element
US4503541A (en) * 1982-11-10 1985-03-05 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Controlled-linewidth laser source
US4564946A (en) * 1983-02-25 1986-01-14 At&T Bell Laboratories Optical communications system using frequency shift keying
US4608697A (en) * 1983-04-11 1986-08-26 At&T Bell Laboratories Spectral control arrangement for coupled cavity laser
JPS60110187A (ja) * 1983-11-18 1985-06-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光帰還型半導体レ−ザ装置
JPS60260024A (ja) * 1984-06-07 1985-12-23 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> 光変調素子
US4768201A (en) * 1984-08-06 1988-08-30 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser array
US4675873A (en) * 1984-09-28 1987-06-23 Bell Communications Research, Inc. Single mode injection laser structure
JPS61296785A (ja) * 1985-06-25 1986-12-27 Sharp Corp 半導体レ−ザアレイ装置
JPS6254991A (ja) * 1985-09-04 1987-03-10 Hitachi Ltd 半導体レ−ザ装置
JPS63222485A (ja) * 1987-03-12 1988-09-16 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> モニタ付分布帰還形半導体レ−ザ
US4815084A (en) * 1987-05-20 1989-03-21 Spectra Diode Laboratories, Inc. Semiconductor laser with integrated optical elements

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5779921A (en) * 1980-09-17 1982-05-19 Xerox Corp Monolithic laser scanner
JPS61264325A (ja) * 1985-05-18 1986-11-22 Toshio Utsunomiya 光偏向素子

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0459025A2 (en) * 1990-05-29 1991-12-04 Symbol Technologies, Inc. Scanning system implemented on semiconductor or electro-optical substrate
US5625483A (en) * 1990-05-29 1997-04-29 Symbol Technologies, Inc. Integrated light source and scanning element implemented on a semiconductor or electro-optical substrate
US5914480A (en) * 1990-05-29 1999-06-22 Symbol Technologies, Inc. Scanning device formed from integrated components on a semiconductor substrate
US6021947A (en) * 1990-05-29 2000-02-08 Symbol Technologies, Inc. Integrated circuit implemented on a semiconductor substrate in a bar code reader
US6102294A (en) * 1990-05-29 2000-08-15 Symbol Technologies Integrated scanner on a common substrate
JP2007273549A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Anritsu Corp 半導体光素子及び光スイッチングシステム並びに波長可変レーザ

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0542148B2 (ja) 1993-06-25
US4939737A (en) 1990-07-03
EP0280459B1 (en) 1993-12-22
EP0280459A1 (en) 1988-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4971415A (en) Multibeam emitting device
CA1132695A (en) Beam scanning using radiation pattern distortion
US4792962A (en) A ring-shaped resonator type semiconductor laser device
JPS63199480A (ja) 半導体レ−ザ走査装置
US4791651A (en) Semiconductor laser array device
JP2846668B2 (ja) ブロードエリアレーザ
JPS5861695A (ja) 半導体レ−ザ素子
JP2516953B2 (ja) 半導体レ―ザ装置の製造方法
JPS6076182A (ja) 出射ビ−ムの偏向スイツチ機能を有する半導体レ−ザ
JPH01108789A (ja) 面発光半導体レーザ素子
US4750185A (en) Semiconductor laser array device
JPS6142188A (ja) 半導体レ−ザ装置
JPH01175280A (ja) 半導体レーザアレイ装置
JPS62269377A (ja) 半導体レ−ザ装置
JPH01260881A (ja) 半導体集積素子
JPS60224289A (ja) 外部共振器型レ−ザダイオ−ド
JPH065982A (ja) 半導体レーザ素子
JPS63202722A (ja) 光スイツチ
JPS60224290A (ja) 外部共振器型レ−ザダイオ−ド
JPS62140486A (ja) 半導体レ−ザアレイ装置
JPS62269385A (ja) 半導体レ−ザ装置
JPS61244082A (ja) 半導体レ−ザ装置
JPH0552679B2 (ja)
JPH02191388A (ja) 半導体レーザーの製造方法
JPS63288086A (ja) 半導体レ−ザ