JPS62269377A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS62269377A JPS62269377A JP11400386A JP11400386A JPS62269377A JP S62269377 A JPS62269377 A JP S62269377A JP 11400386 A JP11400386 A JP 11400386A JP 11400386 A JP11400386 A JP 11400386A JP S62269377 A JPS62269377 A JP S62269377A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- face
- laser device
- etching
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、複数個の半導体レーザかモノリシックに形成
された半導体レーザ装置に関する。
された半導体レーザ装置に関する。
我々は、特開昭５９−２４０４１８号、特開昭６０−４
２４号等によって、干ノリシックに形成され、かつ複数
個の半導体レーザの出射方向が異なっているような半導
体装置（以下創出アレー１ノーサーと呼ぶ）を出願して
いる。
２４号等によって、干ノリシックに形成され、かつ複数
個の半導体レーザの出射方向が異なっているような半導
体装置（以下創出アレー１ノーサーと呼ぶ）を出願して
いる。
このような斜出アレーレーザにおいては放ＩＪ角のなす
角が大きくなり、互いの間隔か狭くなると第４図に示す
ように注入域か交叉する為設削上の制約かあった。即ち
キャヒテイ長Ｌ ｃはレーザ発振させる為にはある程度
以上の長さが必要であり通常３００μｍくらいか採用さ
れる。従ってビッヂか２０μｍとすると互いのなす角が
３〜４度以上になると注入域が重なり合ってしまう。
角が大きくなり、互いの間隔か狭くなると第４図に示す
ように注入域か交叉する為設削上の制約かあった。即ち
キャヒテイ長Ｌ ｃはレーザ発振させる為にはある程度
以上の長さが必要であり通常３００μｍくらいか採用さ
れる。従ってビッヂか２０μｍとすると互いのなす角が
３〜４度以上になると注入域が重なり合ってしまう。
本発明は、簡単に製造でき、レンズ等と組み合せて光路
長の短い光学系を構成出来る半導体レーザ装置を提イハ
することを目的とし、更に」二記既提案の装置を設計す
る上での自由度を増すものである。
長の短い光学系を構成出来る半導体レーザ装置を提イハ
することを目的とし、更に」二記既提案の装置を設計す
る上での自由度を増すものである。
本発明の上記目的は、複数個の半導体レーザかモノリシ
ックに形成された半導体レーザ装置において、前記各々
の半導体レーザを互いに異なる方向に光を出射するよう
に形成し、かつ、これらの光出射方向のなす角を半導体
レーザの前側と後側とで異Ｉｔら−ｔＪることによって
達成される。
ックに形成された半導体レーザ装置において、前記各々
の半導体レーザを互いに異なる方向に光を出射するよう
に形成し、かつ、これらの光出射方向のなす角を半導体
レーザの前側と後側とで異Ｉｔら−ｔＪることによって
達成される。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しなから説明
する。
する。
′ｉｉ、１図は特開昭５９−２４０４１８号等においで
提案されている斜出アレーレーザの一例である。図中、
１）〜１５は個々の半導体レーザを示し、Ｉｌａ〜１５
ａは各半導体レーザ１）〜１５におりる電流の注入域、
即ち発光域に対応する。
提案されている斜出アレーレーザの一例である。図中、
１）〜１５は個々の半導体レーザを示し、Ｉｌａ〜１５
ａは各半導体レーザ１）〜１５におりる電流の注入域、
即ち発光域に対応する。
そして、この注入域＋１ａ〜＋５ａの延長線（以下、共
振方向と称する。）１）ｂ〜１５ｂど共振面１６おＪ：
び１７に立てた法線１８どの／Ｊず角がそれぞれφａ、
φｂ１ φＣ１φｄ、φｅと２ざるように形成されてい
る。
振方向と称する。）１）ｂ〜１５ｂど共振面１６おＪ：
び１７に立てた法線１８どの／Ｊず角がそれぞれφａ、
φｂ１ φＣ１φｄ、φｅと２ざるように形成されてい
る。
なお、共振面１６および１７は、通常基板として用いら
れる液晶（例えばＧａＡｓ）のへき開面が利用されるの
で平行であるが、ドライエツチングのように平行度が若
干界なる可能性のあるような場合には、レーザ出射前面
側の共振面１６を基準に考える。
れる液晶（例えばＧａＡｓ）のへき開面が利用されるの
で平行であるが、ドライエツチングのように平行度が若
干界なる可能性のあるような場合には、レーザ出射前面
側の共振面１６を基準に考える。
共振面１６および１７で共振した光（」レーザ光として
共振面１６ｊ二り出射する時、はぼスネルの法則に従っ
て曲げらねる。図中、Ｉｌｃ〜１５ｃは光出射方向を示
す。
共振面１６ｊ二り出射する時、はぼスネルの法則に従っ
て曲げらねる。図中、Ｉｌｃ〜１５ｃは光出射方向を示
す。
ここで、任意の光出射方向と法線１８とのなす角、すな
わち出射角をθとすねは、ｎ／ｎｏ−５ｉｎθ／ ｓ
ｉ ｎφの関係か成り立つ。例えはＧａＡｓ結晶から出
ｎ」する場合を考えると、ｎ（結晶の屈折率）は約３５
、ｎＯ（空気の屈折率）は約１であるので、φを１度に
選べは、レーザ光は法線１８に対して約３，５度傾いて
出射する。
わち出射角をθとすねは、ｎ／ｎｏ−５ｉｎθ／ ｓ
ｉ ｎφの関係か成り立つ。例えはＧａＡｓ結晶から出
ｎ」する場合を考えると、ｎ（結晶の屈折率）は約３５
、ｎＯ（空気の屈折率）は約１であるので、φを１度に
選べは、レーザ光は法線１８に対して約３，５度傾いて
出射する。
第１図に示す実施例では、φａ、φｂ、φＣ１φｄ、φ
ｅをそれぞれ＋１．０度、＋０．５度。
ｅをそれぞれ＋１．０度、＋０．５度。
００度、−０５度、−１０度に設定することにより、出
ｎ］角θａ、θｂ、θＣ５θｄ、θｅかそねぞれ＋３．
５度、＋１．７５度、０．０度、−１，７５度、−３，
５度となるようなアレーレーザを作成することができた
。
ｎ］角θａ、θｂ、θＣ５θｄ、θｅかそねぞれ＋３．
５度、＋１．７５度、０．０度、−１，７５度、−３，
５度となるようなアレーレーザを作成することができた
。
第２−１図は本発明の実施例である。２１はモノリシッ
クに形成された斜出アレーレーザ装置、２２は、レーザ
光の出射方向、２５は、湾曲させたｌノーサのス１〜ラ
イブ部、２６，２７４；ｉレーザの共振器を形成するミ
ラー面である。
クに形成された斜出アレーレーザ装置、２２は、レーザ
光の出射方向、２５は、湾曲させたｌノーサのス１〜ラ
イブ部、２６，２７４；ｉレーザの共振器を形成するミ
ラー面である。
しかし斜出アレーレーザ装置において、レーザ端面にお
ける活性層の屈折率をｎｌｉ レーザス］・ライブ２５
か、レーザ端面において、法線２３と成す角を０１とす
ると、θ＋２ｓｉｎ−’（１／口２）の場合、第２図の
実施例ではレーザの端面において全反射を生ずるために
利用出来なくなる。
ける活性層の屈折率をｎｌｉ レーザス］・ライブ２５
か、レーザ端面において、法線２３と成す角を０１とす
ると、θ＋２ｓｉｎ−’（１／口２）の場合、第２図の
実施例ではレーザの端面において全反射を生ずるために
利用出来なくなる。
この場合の実施例を第３図に示す。共振器面をレーザの
ストライブとほぼ垂直に作成するために、エツチングで
作成する必要が生じるが、レーザのストライブか湾曲し
ているために、片面３４はエツチングで形成し、他面３
５はヘキ開によって作成できる。したがって、ミラー面
のエツチング形成による反則率の低下さ、片面のみにに
することか出来るので放射角が大きい場合においても良
好なアレーレーザ装置の作成が可能となる。
ストライブとほぼ垂直に作成するために、エツチングで
作成する必要が生じるが、レーザのストライブか湾曲し
ているために、片面３４はエツチングで形成し、他面３
５はヘキ開によって作成できる。したがって、ミラー面
のエツチング形成による反則率の低下さ、片面のみにに
することか出来るので放射角が大きい場合においても良
好なアレーレーザ装置の作成が可能となる。
−に記湾曲或いは第２−２図実施例の如き、屈曲は曲率
か極めて大きくならない限り任意に設定出来る。又、２
つのレーザを例にとると互いに同じ形状をしている必要
は全くなる第２−３図のような変形例も可能である。
か極めて大きくならない限り任意に設定出来る。又、２
つのレーザを例にとると互いに同じ形状をしている必要
は全くなる第２−３図のような変形例も可能である。
個々のレーザ構造については言及していないが、電極ス
トライブ等の利得ガイド型のみならすＢＨ構造、リッジ
型、チャンネルス］・ライブ等の屈折率導波型のレーザ
について一般的に通用する。
トライブ等の利得ガイド型のみならすＢＨ構造、リッジ
型、チャンネルス］・ライブ等の屈折率導波型のレーザ
について一般的に通用する。
又、材料はＧ ａ Ａ ｓ ／ Ａ ｎ Ｇ ａ Ａ
ｓ系からＩ ｎ ｐ ／ Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ ｐ
系など注入型レーザー酸に適用されるのは言うまでもな
い。
ｓ系からＩ ｎ ｐ ／ Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ ｐ
系など注入型レーザー酸に適用されるのは言うまでもな
い。
（発明の効果）
以上説明したように本発明は、斜出アレーレーザ装置に
おいて、半導体レーザ光のストライブ部を湾曲又は屈曲
させることにより、レーザ光の放射角が犬でも、高密度
に集積された斜出アレーレーザを提供することか可能に
なった。
おいて、半導体レーザ光のストライブ部を湾曲又は屈曲
させることにより、レーザ光の放射角が犬でも、高密度
に集積された斜出アレーレーザを提供することか可能に
なった。
第１図は斜出ア１ノ−レーサの一例を示す平面図、
第２−１図番Ｊレーザのス］−ライブ部か湾曲している
本発明の実施例を示す図、 第２−２図、第２−３図及び第３図は本発明の変形例を
示す図、 第４図はストライブ部か交叉する場合を示す平面図であ
る。 １）〜１５−一一一半導体レーザ、 １６．１７−−−−共振面。
本発明の実施例を示す図、 第２−２図、第２−３図及び第３図は本発明の変形例を
示す図、 第４図はストライブ部か交叉する場合を示す平面図であ
る。 １）〜１５−一一一半導体レーザ、 １６．１７−−−−共振面。
Claims (1)
- （１）複数個の半導体レーザがモノリシックに形成され
た半導体レーザ装置において、前記各々の半導体レーザ
が互いに異なる方向に光を出射するように形成され、か
つ、これらの光出射方向のなす角が半導体レーザの前側
と後側とで異なっていることを特徴とする半導体レーザ
装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11400386A JPH06101608B2 (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 半導体レ−ザ装置 |
| US07/049,165 US4799229A (en) | 1986-05-15 | 1987-05-13 | Semiconductor laser array |
| DE19873716191 DE3716191A1 (de) | 1986-05-15 | 1987-05-14 | Halbleiterlaser-anordnung |
| GB8711344A GB2192095B (en) | 1986-05-15 | 1987-05-14 | Semiconductor laser array |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11400386A JPH06101608B2 (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62269377A true JPS62269377A (ja) | 1987-11-21 |
| JPH06101608B2 JPH06101608B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=14626622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11400386A Expired - Fee Related JPH06101608B2 (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-19 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06101608B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011507263A (ja) * | 2007-12-13 | 2011-03-03 | エレクトロニクス アンド テレコミュニケーションズ リサーチ インスチチュート | 波長可変半導体レーザー装置 |
-
1986
- 1986-05-19 JP JP11400386A patent/JPH06101608B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011507263A (ja) * | 2007-12-13 | 2011-03-03 | エレクトロニクス アンド テレコミュニケーションズ リサーチ インスチチュート | 波長可変半導体レーザー装置 |
| US8275008B2 (en) | 2007-12-13 | 2012-09-25 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Wavelength tunable semiconductor laser apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06101608B2 (ja) | 1994-12-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5710847A (en) | Semiconductor optical functional device | |
| US4971415A (en) | Multibeam emitting device | |
| JPH1012959A (ja) | 半導体発光素子、発光素子モジュールおよび半導体発光素子の製造方法 | |
| JPH02156592A (ja) | 半導体レーザー装置 | |
| US4799229A (en) | Semiconductor laser array | |
| GB2181892A (en) | A semi-conductor laser | |
| JP2001004877A (ja) | 光導波路、光モジュールおよび光システム | |
| US5396511A (en) | Semiconductor laser apparatus with curved waveguide | |
| US4747109A (en) | Semiconductor laser array device | |
| US4772082A (en) | Semiconductor laser array device | |
| JPS62269377A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS63199480A (ja) | 半導体レ−ザ走査装置 | |
| US5563901A (en) | Semiconductor laser array | |
| JPH054835B2 (ja) | ||
| JP2672710B2 (ja) | 光増幅器および光集積回路 | |
| JP2018046118A (ja) | ブロードエリア半導体レーザ素子 | |
| JPH055391B2 (ja) | ||
| US4764937A (en) | Semiconductor laser array device | |
| JPS6079791A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP2516953B2 (ja) | 半導体レ―ザ装置の製造方法 | |
| JPS61263185A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JPH0552679B2 (ja) | ||
| JP3049916B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH01175280A (ja) | 半導体レーザアレイ装置 | |
| JPS61290788A (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |