JPH02156592A - 半導体レーザー装置 - Google Patents
半導体レーザー装置Info
- Publication number
- JPH02156592A JPH02156592A JP1273645A JP27364589A JPH02156592A JP H02156592 A JPH02156592 A JP H02156592A JP 1273645 A JP1273645 A JP 1273645A JP 27364589 A JP27364589 A JP 27364589A JP H02156592 A JPH02156592 A JP H02156592A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- area
- zone
- laser
- amplification
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 20
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 35
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 35
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 24
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 24
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 24
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 20
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 2
- 241001508691 Martes zibellina Species 0.000 abstract 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は動作電圧印加用の第１接触と第２接触を備え
る放射発生のためのレーザー区域と、放射の伝搬方向に
関して横方向および垂直方向に導く導波路と、鏡面化さ
れた第１共振器境界面と、放射放出面とを持つ半導体レ
ーザー装置に関する。
る放射発生のためのレーザー区域と、放射の伝搬方向に
関して横方向および垂直方向に導く導波路と、鏡面化さ
れた第１共振器境界面と、放射放出面とを持つ半導体レ
ーザー装置に関する。
ＡｌＧａＡｓレーザーの最大出力電力は一般に特定の光
電力密度においてはじまる不可逆的の鏡面損傷によって
限定される。出力電力の増大に対しては放出面を活性領
域に平行に拡げることができる。これによって最大電力
密度を等しくして平均光電力が上昇する。これを実現す
る方法とじては例えば多数の光結合された単独ストライ
プレーザーから成るレーザー配列構造又は広幅ストライ
プレーザーと呼ばれているものが挙げられる。このレー
ザー構造は一般に多数の広幅構造の横モードが伝搬可能
であり、同時に振動するという特性を示す、この場合多
数の放射ローブを持つ広い横遠隔場となる。最小斑点直
径への回折によって限定された投影はこのような多モー
ド構造によっては不可能である。
電力密度においてはじまる不可逆的の鏡面損傷によって
限定される。出力電力の増大に対しては放出面を活性領
域に平行に拡げることができる。これによって最大電力
密度を等しくして平均光電力が上昇する。これを実現す
る方法とじては例えば多数の光結合された単独ストライ
プレーザーから成るレーザー配列構造又は広幅ストライ
プレーザーと呼ばれているものが挙げられる。このレー
ザー構造は一般に多数の広幅構造の横モードが伝搬可能
であり、同時に振動するという特性を示す、この場合多
数の放射ローブを持つ広い横遠隔場となる。最小斑点直
径への回折によって限定された投影はこのような多モー
ド構造によっては不可能である。
横ベースモードに対して強いモード選択作用のある一連
の配列構造が公知である。しかし技術的に生しる不均一
性および光電力と光波伝送との強い交互作用により安定
な横モードを広い出力範囲に亘って確保することは困難
である。
の配列構造が公知である。しかし技術的に生しる不均一
性および光電力と光波伝送との強い交互作用により安定
な横モードを広い出力範囲に亘って確保することは困難
である。
米国特許第４７１３８２１号明細書には活性レーザース
トライプを備えるレーザー区域および狭い結合区域によ
ってレーザー区域から分離された増幅区域から成る半導
体レーザーが記載されている。増幅区域では活性層が台
形に拡げられている。
トライプを備えるレーザー区域および狭い結合区域によ
ってレーザー区域から分離された増幅区域から成る半導
体レーザーが記載されている。増幅区域では活性層が台
形に拡げられている。
増幅区域内に出結合された放射は横向きに拡張され、前
面を通してデバイスから放出される。このデバイスはま
ず基板がその上に成長した半導体層と共に平面の基準面
に固定された後レーザー区域と増幅区域の境界を形成す
る格子面に沿って分割されることによって製作される。
面を通してデバイスから放出される。このデバイスはま
ず基板がその上に成長した半導体層と共に平面の基準面
に固定された後レーザー区域と増幅区域の境界を形成す
る格子面に沿って分割されることによって製作される。
米国特許第４７７３０７６号明細書には貫通して導かれ
た導波路が活性層として幅を異にする２つの区域を形成
している半導体レーザーが記載されている。この明細書
の第１ｂ図には活性層の側面構成が破線で示されている
。存在する２つの区域はここでは増幅区域ではなく、第
２レーザー共振器に結合された第２レーザー共振器とな
っている０貫通して導かれた活性層とそれに対応する共
振器終端面のためこれは実質上互いに異なる共振器特性
を示す２つの区域に分割されたレーザーとなっている。
た導波路が活性層として幅を異にする２つの区域を形成
している半導体レーザーが記載されている。この明細書
の第１ｂ図には活性層の側面構成が破線で示されている
。存在する２つの区域はここでは増幅区域ではなく、第
２レーザー共振器に結合された第２レーザー共振器とな
っている０貫通して導かれた活性層とそれに対応する共
振器終端面のためこれは実質上互いに異なる共振器特性
を示す２つの区域に分割されたレーザーとなっている。
この発明の課題は、横基本モードが安定であり放射面が
できるだけ大きい製作簡単な半導体レーザー構造を提供
することである。
できるだけ大きい製作簡単な半導体レーザー構造を提供
することである。
この課題は特許請求の範囲の請求項１に特徴として挙げ
た構成の半導体レーザー装置によって達成される。
た構成の半導体レーザー装置によって達成される。
第１図ないし第５図についてこの発明による半導体レー
ザー装置を詳細に説明する。
ザー装置を詳細に説明する。
この発明の半導体レーザー装置では共通基板ｌ上に次の
ものが集積されている。
ものが集積されている。
（１） レーザー区域Ａ、この区域は第１図と第２図
に示した実施例においては横方向ならびに垂直方向に光
波を導く個別ストライプレーザーから成る。
に示した実施例においては横方向ならびに垂直方向に光
波を導く個別ストライプレーザーから成る。
（２）結合区域Ｂ。
（３）横方向光波伝送が抑制されている増幅区域Ｃ０こ
こで説明する実施例の場合個別レーザーは例えばＢＨレ
ーザー（埋込みへテロ構造レーザー）あるいはＭＣＲＷ
レーザーとして構成される。横方向導波は適当な半導体
材料の側方区域９が光導波路の横の境界となることによ
って実現する。光導波路４とその内部の活性層５は発生
したレーザー放射が伝搬方向に垂直な両方向、即ち横方
向と垂直方向において基本モードで振動するように調節
されている。
こで説明する実施例の場合個別レーザーは例えばＢＨレ
ーザー（埋込みへテロ構造レーザー）あるいはＭＣＲＷ
レーザーとして構成される。横方向導波は適当な半導体
材料の側方区域９が光導波路の横の境界となることによ
って実現する。光導波路４とその内部の活性層５は発生
したレーザー放射が伝搬方向に垂直な両方向、即ち横方
向と垂直方向において基本モードで振動するように調節
されている。
増幅区域Ｃでは横方向導波が行われないか少なくとも著
しく低減され、導波は垂直方向即ち活性層５に垂直に行
われる。レーザー区域Ａと増幅区域Ｃの間には比較的狭
い結合区域Ｂが置かれる。
しく低減され、導波は垂直方向即ち活性層５に垂直に行
われる。レーザー区域Ａと増幅区域Ｃの間には比較的狭
い結合区域Ｂが置かれる。
この結合区域Ｂは一方ではレーザーストライプにおける
共振条件が終端面即ち第１図の＄１共振器境界面２と第
２共振器境界面３において確保されるために、他方では
要求される結合度に対応するレーザー放射部分が増幅区
域Ｃに大結合されるようにするために必要となるもので
ある。
共振条件が終端面即ち第１図の＄１共振器境界面２と第
２共振器境界面３において確保されるために、他方では
要求される結合度に対応するレーザー放射部分が増幅区
域Ｃに大結合されるようにするために必要となるもので
ある。
この発明による結合区域Ｂの構成には次の３つの実施形
態が考えられる。
態が考えられる。
第２図に１つの結合区域Ｂの縦断面を示す、この場合レ
ーザー区域へと結合区域Ｂの間の境界面（即ち第２共振
器境界面）および結合区域Ｂと増幅区域Ｃの間の境界面
（即ち増幅区域Ｃへの放射入射面７）がそれぞれ放射伝
搬方向に垂直に広がる鏡面となっている。これらの鏡面
は半導体層構造のエツチングによって作ることができる
。レーザー区域Ａと増幅区域Ｃは完全には互いに分離さ
れず、横導波路構造の部分的なエツチング除去によって
１つの切り込みが作られ、貫通する先導波路４の縦方向
の障害となっている。これによって光電力の一部分がレ
ーザー区域Ａを部分的に限定する反射性の第２共振器境
界面３によってレーザーストライプに向かって逆反射さ
れる。残りの光電力部分は効果的に増幅区域Ｃに大結合
される。
ーザー区域へと結合区域Ｂの間の境界面（即ち第２共振
器境界面）および結合区域Ｂと増幅区域Ｃの間の境界面
（即ち増幅区域Ｃへの放射入射面７）がそれぞれ放射伝
搬方向に垂直に広がる鏡面となっている。これらの鏡面
は半導体層構造のエツチングによって作ることができる
。レーザー区域Ａと増幅区域Ｃは完全には互いに分離さ
れず、横導波路構造の部分的なエツチング除去によって
１つの切り込みが作られ、貫通する先導波路４の縦方向
の障害となっている。これによって光電力の一部分がレ
ーザー区域Ａを部分的に限定する反射性の第２共振器境
界面３によってレーザーストライプに向かって逆反射さ
れる。残りの光電力部分は効果的に増幅区域Ｃに大結合
される。
目的とする部分反射は光波伝送区域に縦格子構造を形成
することによっても達成される。この種の光導波路４に
組込まれたＤＢＲ反射器格子１０を第４図に示す、この
種のＤＢＲ反射器（分布ブラック反射器）は更に波長選
択性帰還結合を持ち、可能であれば狭いレーザーストラ
イプが縦の単モード振動を行うようにする。格子１０の
深さとその他の形態により所望の反射率を設定すること
ができる。
することによっても達成される。この種の光導波路４に
組込まれたＤＢＲ反射器格子１０を第４図に示す、この
種のＤＢＲ反射器（分布ブラック反射器）は更に波長選
択性帰還結合を持ち、可能であれば狭いレーザーストラ
イプが縦の単モード振動を行うようにする。格子１０の
深さとその他の形態により所望の反射率を設定すること
ができる。
第５図に示した第３の実施形態では結合区域Ｂを増幅区
域Ｃから少なくとも部分的に限定する入射面１７が放射
の伝搬方向に対して斜めに広がっている。入射面１７の
平面が第２共振器境界面３の平面に相対的に伝搬方向の
垂線の回りに上記の向きに回転し、結合区域Ｂの幅が基
板１の方向に増大している。増幅部分Ｃのこのような斜
めの実施形態により大結合に際しての光波の反射が避け
られる。この反射は結合区域Ｂにおいて望ましくないフ
ァブリ・ペロー共振を引き起こすものである。傾斜入射
面１７は例えばイオンビーム・エツチングによって作る
ことができる。
域Ｃから少なくとも部分的に限定する入射面１７が放射
の伝搬方向に対して斜めに広がっている。入射面１７の
平面が第２共振器境界面３の平面に相対的に伝搬方向の
垂線の回りに上記の向きに回転し、結合区域Ｂの幅が基
板１の方向に増大している。増幅部分Ｃのこのような斜
めの実施形態により大結合に際しての光波の反射が避け
られる。この反射は結合区域Ｂにおいて望ましくないフ
ァブリ・ペロー共振を引き起こすものである。傾斜入射
面１７は例えばイオンビーム・エツチングによって作る
ことができる。
前記の実施形態の特徴を互いに組合わせることも可能で
ある０例えば第２図の実施形態に第４図に示すような格
子１０を付加することができる。
ある０例えば第２図の実施形態に第４図に示すような格
子１０を付加することができる。
その上レーザー区域Ａの共振器境界面３と増幅区域Ｃ内
の入射面７が例えば誘電材料の層を備えることも可能で
ある。この場合結合区域Ｂが数％の充分大きな反射をレ
ーザー区域Ａ内の狭いストライプ・レーザーに対して示
し、それによってレーザーではレーザー発振の起動に対
する帰還結合条件が満たされるだけでよい、他方レーザ
ー区域Ａから放出される光電力が効果的に増幅区域Ｃに
大結合されなければならない。
の入射面７が例えば誘電材料の層を備えることも可能で
ある。この場合結合区域Ｂが数％の充分大きな反射をレ
ーザー区域Ａ内の狭いストライプ・レーザーに対して示
し、それによってレーザーではレーザー発振の起動に対
する帰還結合条件が満たされるだけでよい、他方レーザ
ー区域Ａから放出される光電力が効果的に増幅区域Ｃに
大結合されなければならない。
レーザー区域Ａ内のレーザー共振器は第１共振器境界面
２上に高反射率の層（例えば金属、Ａ ｌ ｚ０３−３
ｉ層の誘電鏡面）を備えている。第２共振器境界面３に
おいて結合区域Ｂから放出された光は入射面７を通して
増幅区域Ｃに大結合される。
２上に高反射率の層（例えば金属、Ａ ｌ ｚ０３−３
ｉ層の誘電鏡面）を備えている。第２共振器境界面３に
おいて結合区域Ｂから放出された光は入射面７を通して
増幅区域Ｃに大結合される。
この増幅区域Ｃにおいて横導波は少なくとも低減される
。この増幅区域Ｃにおいて構成の全幅に亘って導波路層
が広がることも可能である。
。この増幅区域Ｃにおいて構成の全幅に亘って導波路層
が広がることも可能である。
第１金属接触１１はレーザー区域Ａの表面に取り付けら
れ、第２金属接触１２は基板ｌの下面にあり、第３接触
１３は増幅区域Ｃ上に取り付けられる。この第３接触１
３はレーザーから来た光が拡がりながら伝搬する区域へ
の電流注入が可能であるように構成されている。増幅区
域Ｃの放出面８は誘電被覆層（例えばＡＩ！、＊ ０３
層）によって非鏡面化され、レーザー活性区域への放射
の反射は起こらない。
れ、第２金属接触１２は基板ｌの下面にあり、第３接触
１３は増幅区域Ｃ上に取り付けられる。この第３接触１
３はレーザーから来た光が拡がりながら伝搬する区域へ
の電流注入が可能であるように構成されている。増幅区
域Ｃの放出面８は誘電被覆層（例えばＡＩ！、＊ ０３
層）によって非鏡面化され、レーザー活性区域への放射
の反射は起こらない。
レーザー区域内の狭いレーザーストライプから結合区域
Ｂを通して増幅区域Ｃに大結合された光波はレーザー区
域Ａにおいての先導波路４の寸法により横ベース・モー
ドで振動し、準自由ビーム（開き角５ないし１０’）と
して拡がる。これは増幅区域Ｃが横導波を行わないか、
行っても僅かであることによるものである。放射ビーム
が放出面８に達するまで拡がる際横ベースモードは保持
される（第３図）、垂直方向では光波は先導波路４の層
構造によって導かれる。この案内は増幅区域Ｃにおいて
も存在する。第３接触１３を通して増幅区域Ｃに適当な
電流注入が行われることによりレーザー区域Ａと同じ垂
直層構造を持つこの増幅区域Ｃにおいて誘導放射による
光増幅が行われ、貫通する光波を放出面８に向かって増
幅する。この原理と波の横拡がりにより光波は横ベース
・モードを保持しながら高い出力電力を示すようになる
。
Ｂを通して増幅区域Ｃに大結合された光波はレーザー区
域Ａにおいての先導波路４の寸法により横ベース・モー
ドで振動し、準自由ビーム（開き角５ないし１０’）と
して拡がる。これは増幅区域Ｃが横導波を行わないか、
行っても僅かであることによるものである。放射ビーム
が放出面８に達するまで拡がる際横ベースモードは保持
される（第３図）、垂直方向では光波は先導波路４の層
構造によって導かれる。この案内は増幅区域Ｃにおいて
も存在する。第３接触１３を通して増幅区域Ｃに適当な
電流注入が行われることによりレーザー区域Ａと同じ垂
直層構造を持つこの増幅区域Ｃにおいて誘導放射による
光増幅が行われ、貫通する光波を放出面８に向かって増
幅する。この原理と波の横拡がりにより光波は横ベース
・モードを保持しながら高い出力電力を示すようになる
。
この発明のレーザー装置はレーザー区域（Ａ）と増幅区
域（Ｃ）が共通の基板１上に成長し、結合区域（Ｂ）は
後からのエツチング工程又はＤＢＲ格子の組込みにより
容易に所定の機能に対して最適の形態に形成することが
できるから、特に簡単に製作可能である。従ってこの発
明のレーザー装置は改善された機能の外に機能に好適の
デバイスの収量を従来の実施形態の製作に際してよりも
高い比率で期待できる。
域（Ｃ）が共通の基板１上に成長し、結合区域（Ｂ）は
後からのエツチング工程又はＤＢＲ格子の組込みにより
容易に所定の機能に対して最適の形態に形成することが
できるから、特に簡単に製作可能である。従ってこの発
明のレーザー装置は改善された機能の外に機能に好適の
デバイスの収量を従来の実施形態の製作に際してよりも
高い比率で期待できる。
第１図はこの発明の半導体レーザー装置の先導波路に沿
った断面、第２図はこの発明の第１実施形態の縦断面、
第３図はこの発明の半導体レーザーにおけるレーザー放
射の波面の拡がり、第４図と第５図はそれぞれこの発明
の第２と第３の実施形態の断面を示す。 １・・・基板 Ａ・・・レーザー区域 Ｂ・・・結合区域 Ｃ・・・増幅区域 ２・・・第１共振器境界面 ４・・・光導波路
った断面、第２図はこの発明の第１実施形態の縦断面、
第３図はこの発明の半導体レーザーにおけるレーザー放
射の波面の拡がり、第４図と第５図はそれぞれこの発明
の第２と第３の実施形態の断面を示す。 １・・・基板 Ａ・・・レーザー区域 Ｂ・・・結合区域 Ｃ・・・増幅区域 ２・・・第１共振器境界面 ４・・・光導波路
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）動作電圧印加用の第１接触（１１）と第２接触（１
２）を備える放射発生のためのレーザー区域（Ａ）と、
放射の伝搬方向に関して横方向および垂直方向に導く導
波路（４）と、鏡面化された第１共振器境界面（２）と
、放射放出面（８）とを持つ半導体レーザー装置におい
て、第１共振器境界面（２）と放出面（８）との間にレ
ーザー区域（Ａ）に境を接する結合区域（Ｂ）とこの結
合区域に境を接する増幅区域（Ｃ）とがあること、 この増幅区域（Ｃ）において横方向導波が 放射フィールドの所定の横拡がりに必要とする程度まで
抑制されること、 レーザー区域（Ａ）からの放射に対する結 合区域（Ｂ）の伝送率が所定の限界内にあるように結合
区域（Ｂ）が構成されていること、導波路（４）がレー
ザー区域（Ａ）から結 合区域（Ｂ）を越えて増幅区域（Ｃ）に至るまで連続し
て形成されていること、 レーザー光がその伝搬方向に垂直に基本モ ードで振動するように導波路（４）のレーザー区域（Ａ
）内に置かれた部分が調節されていること、 増幅区域（Ｃ）に電流を注入する第３接触 （１３）が設けられていること を特徴とする半導体レーザー装置。 ２）結合区域（Ｂ）が第２共振器境界面（３）によって
レーザー区域（Ａ）に向かって、入射面（７）によって
増幅区域に向かって限定されていることを特徴とする請
求項１記載の半導体レーザー装置。 ３）伝送率の調整のため第２共振器境界面（３）と入射
面（７）とが被覆層（６）を備えていることを特徴とす
る請求項２記載の半導体レーザー装置。 ４）入射面（１７）が第２共振器境界面（３）に相対的
に斜めに拡がって設けられていることを特徴とする請求
項２又は３記載の半導体レーザー装置。 ５）結合区域（Ｂ）において１つの格子（１０）がＤＢ
Ｒ（分布ブラック反射器）として構成されていることを
特徴とする請求項１ないし４の１つに記載の半導体レー
ザー装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3836802A DE3836802A1 (de) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | Halbleiterlaseranordnung fuer hohe ausgangsleistungen im lateralen grundmodus |
| DE3836802.1 | 1988-10-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02156592A true JPH02156592A (ja) | 1990-06-15 |
| JP2877857B2 JP2877857B2 (ja) | 1999-04-05 |
Family
ID=6366128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1273645A Expired - Fee Related JP2877857B2 (ja) | 1988-10-28 | 1989-10-20 | 半導体レーザー装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4977567A (ja) |
| EP (1) | EP0366135B1 (ja) |
| JP (1) | JP2877857B2 (ja) |
| DE (2) | DE3836802A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003174223A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-06-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよび半導体レーザ制御方法 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5185754A (en) * | 1991-07-29 | 1993-02-09 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Spectrally stable laser diode with internal reflector |
| US5228049A (en) * | 1991-08-27 | 1993-07-13 | Xerox Corporation | Beam control in integrated diode laser and power amplifier |
| US5175643A (en) * | 1991-09-30 | 1992-12-29 | Xerox Corporation | Monolithic integrated master oscillator power amplifier |
| US5793521A (en) * | 1992-09-21 | 1998-08-11 | Sdl Inc. | Differentially patterned pumped optical semiconductor gain media |
| US5345466A (en) * | 1992-11-12 | 1994-09-06 | Hughes Aircraft Company | Curved grating surface emitting distributed feedback semiconductor laser |
| US5418800A (en) * | 1993-10-27 | 1995-05-23 | Yeda Research And Development Co. Ltd. | Reduced linewidth from an electrically coupled two section semiconductor laser |
| US5623363A (en) * | 1995-02-27 | 1997-04-22 | Lucent Technologies Inc. | Semiconductor light source having a spectrally broad, high power optical output |
| AU747260B2 (en) | 1997-07-25 | 2002-05-09 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor device |
| US6122299A (en) * | 1997-12-31 | 2000-09-19 | Sdl, Inc. | Angled distributed reflector optical device with enhanced light confinement |
| JP3770014B2 (ja) | 1999-02-09 | 2006-04-26 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
| EP1168539B1 (en) | 1999-03-04 | 2009-12-16 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser device |
| FR2826789B1 (fr) * | 2001-07-02 | 2004-04-09 | Cit Alcatel | Laser integre a cavite de fabry perot |
| TWI362769B (en) | 2008-05-09 | 2012-04-21 | Univ Nat Chiao Tung | Light emitting device and fabrication method therefor |
| WO2013055383A1 (en) * | 2011-10-11 | 2013-04-18 | Nlight Photonics Corporation | High power semiconductor laser with phase-matching optical element |
| US9166369B2 (en) | 2013-04-09 | 2015-10-20 | Nlight Photonics Corporation | Flared laser oscillator waveguide |
| WO2015002683A2 (en) | 2013-04-09 | 2015-01-08 | Nlight Photonics Corporation | Diode laser packages with flared laser oscillator waveguides |
| US10186836B2 (en) | 2014-10-10 | 2019-01-22 | Nlight, Inc. | Multiple flared laser oscillator waveguide |
| WO2016197137A1 (en) | 2015-06-04 | 2016-12-08 | Nlight, Inc. | Angled dbr-grating laser/amplifier with one or more mode-hopping regions |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5882576A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-05-18 | Hitachi Ltd | シヨットキ・バリア・ダイオ−ド |
| JPS58101486A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-16 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS621296A (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-07 | Sharp Corp | 多端子型半導体レ−ザ素子 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3978426A (en) * | 1975-03-11 | 1976-08-31 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Heterostructure devices including tapered optical couplers |
| JPS53107289A (en) * | 1977-03-01 | 1978-09-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser device |
| US4284963A (en) * | 1979-08-24 | 1981-08-18 | Mcdonnell Douglas Corporation | Etalon laser diode |
| US4349905A (en) * | 1980-07-22 | 1982-09-14 | Hewlett-Packard Company | Tapered stripe semiconductor laser |
| US4380075A (en) * | 1981-03-23 | 1983-04-12 | Mcdonnell Douglas Corporation | Mode stable injection laser diode |
| EP0095826B1 (en) * | 1982-05-28 | 1988-06-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
| US4594718A (en) * | 1983-02-01 | 1986-06-10 | Xerox Corporation | Combination index/gain guided semiconductor lasers |
| JPS59217384A (ja) * | 1983-05-26 | 1984-12-07 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 低雑音半導体レ−ザ |
| JPS6215878A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-24 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| US4713821A (en) * | 1985-09-27 | 1987-12-15 | The Perkin-Elmer Corporation | Semiconductor laser and optical amplifier |
| JPS62213188A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-19 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ素子 |
| US4698129A (en) * | 1986-05-01 | 1987-10-06 | Oregon Graduate Center | Focused ion beam micromachining of optical surfaces in materials |
| US4744089A (en) * | 1986-05-19 | 1988-05-10 | The Perkin-Elmer Corporation | Monolithic semiconductor laser and optical amplifier |
| JPS63116489A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | 光集積回路 |
| JPS63222485A (ja) * | 1987-03-12 | 1988-09-16 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | モニタ付分布帰還形半導体レ−ザ |
| JPH0656908B2 (ja) * | 1987-03-31 | 1994-07-27 | 日本電信電話株式会社 | 波長変換素子 |
| JP2825508B2 (ja) * | 1987-10-09 | 1998-11-18 | 株式会社日立製作所 | 半導体レーザ装置および光通信システム |
-
1988
- 1988-10-28 DE DE3836802A patent/DE3836802A1/de not_active Withdrawn
-
1989
- 1989-10-11 US US07/419,707 patent/US4977567A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-10-20 JP JP1273645A patent/JP2877857B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-10-26 EP EP89119916A patent/EP0366135B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-10-26 DE DE89119916T patent/DE58905454D1/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58101486A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-16 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS5882576A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-05-18 | Hitachi Ltd | シヨットキ・バリア・ダイオ−ド |
| JPS621296A (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-07 | Sharp Corp | 多端子型半導体レ−ザ素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003174223A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-06-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよび半導体レーザ制御方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0366135A2 (de) | 1990-05-02 |
| US4977567A (en) | 1990-12-11 |
| DE3836802A1 (de) | 1990-05-03 |
| DE58905454D1 (de) | 1993-10-07 |
| EP0366135B1 (de) | 1993-09-01 |
| EP0366135A3 (en) | 1990-11-28 |
| JP2877857B2 (ja) | 1999-04-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02156592A (ja) | 半導体レーザー装置 | |
| US5539571A (en) | Differentially pumped optical amplifer and mopa device | |
| US5103456A (en) | Broad beam laser diode with integrated amplifier | |
| US5003550A (en) | Integrated laser-amplifier with steerable beam | |
| US6339606B1 (en) | High power semiconductor light source | |
| US6091755A (en) | Optically amplifying semiconductor diodes with curved waveguides for external cavities | |
| US5349602A (en) | Broad-area MOPA device with leaky waveguide beam expander | |
| CN103875140B (zh) | 具有相位匹配光学元件的高功率半导体激光器 | |
| JPS60101990A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JP4504181B2 (ja) | 光学的にポンピングされる半導体レーザ装置 | |
| US5101413A (en) | Large-aperture light sources using resonant leaky-wave coupling | |
| US6810067B2 (en) | Single mode grating-outcoupled surface emitting laser with broadband and narrow-band DBR reflectors | |
| US6888874B2 (en) | Single-wavelength, unequal-length-multi-cavity grating-outcoupled surface emitting laser with staggered tuned distributed Bragg reflectors | |
| JP3043796B2 (ja) | 集積型光カップラ | |
| US5159604A (en) | Antiguided semiconductor laser array with edge reflectors | |
| US5321714A (en) | Reflection suppression in semiconductor diode optical switching arrays | |
| US4852113A (en) | Laser array with wide-waveguide coupling region | |
| JP6753236B2 (ja) | ブロードエリア半導体レーザ素子 | |
| WO2018197015A1 (en) | Curved waveguide laser | |
| US4796269A (en) | Two-dimensional phase-locked surface emitting semiconductor laser array | |
| US4993035A (en) | High power semiconductor laser using optical integrated circuit | |
| US6542529B1 (en) | Folded cavity, broad area laser source | |
| JP2000036638A (ja) | 半導体発光装置 | |
| US7142571B2 (en) | Stack-type diode laser device | |
| US4797892A (en) | Longitudinally coupled surface emitting semiconductor laser array |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080122 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090122 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |