JPS58101486A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPS58101486A JPS58101486A JP56199849A JP19984981A JPS58101486A JP S58101486 A JPS58101486 A JP S58101486A JP 56199849 A JP56199849 A JP 56199849A JP 19984981 A JP19984981 A JP 19984981A JP S58101486 A JPS58101486 A JP S58101486A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- layer
- emitting device
- light emitting
- side electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
- H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、P側電極及び路側電極の双方が基板上の同一
表面6:在る形式の半導体発光装置C:関する。
表面6:在る形式の半導体発光装置C:関する。
従来、半導体レーデとして第1図−二見られる構造のも
のが知られている。
のが知られている。
図−二於いて、1は16 JEII G11A#牛導体
晶板、2はs[Ga@、lAl00易Axクツツド層、
5はp型G@。、gA16.、AI活性層、4はp m
I Gg o、IAI @、HAIクラッド層、5は5
lll(bibキャップ層、6はKmを拡散したP型電
流狭窄用領域、7は路側電極、8はP側電極をそれぞれ
示す。
晶板、2はs[Ga@、lAl00易Axクツツド層、
5はp型G@。、gA16.、AI活性層、4はp m
I Gg o、IAI @、HAIクラッド層、5は5
lll(bibキャップ層、6はKmを拡散したP型電
流狭窄用領域、7は路側電極、8はP側電極をそれぞれ
示す。
図から明らかなようC:、この形式の装置では、路側電
極7は装置の裏面に、また、P側電極8はその表面にそ
れぞれ形成されている。
極7は装置の裏面に、また、P側電極8はその表面にそ
れぞれ形成されている。
ところで、近年、光素子を集積化して光集積回路を得よ
うとする試みが盛んであるが、その場合、前記従来の構
造を有する半導体発光装置を集積化することはその電極
構造の面から見て困難である。
うとする試みが盛んであるが、その場合、前記従来の構
造を有する半導体発光装置を集積化することはその電極
構造の面から見て困難である。
本発明は、P側電極及び謁側電極が表面に形成され、そ
して、それ等は勿論電気的C;分離されている半導体発
光装置を提供し、光集積回路の実用化C;寄与しようと
するものであり、以下これを詳細C:説明する。
して、それ等は勿論電気的C;分離されている半導体発
光装置を提供し、光集積回路の実用化C;寄与しようと
するものであり、以下これを詳細C:説明する。
第2図は本発明一実施例を表わす要部断面図である。
図に於いて、11は半絶縁性GgAz基板、12は絡@
GIIA#バッファ層、15はl)lIGg t −
5Ala As 9ラッド層、14はP型龜1−、At
、As活性層、15はP型Gg 1−1AlzAzクラ
ツド層、16はp @!GgAIp側キャップ層、17
は?側電極、14′はs WiGa 1−yAlyjb
層、15′はS型” 1−xAlzAz層、16′はS
型G11A# s側キャップ層、18は路側電極、19
は絶縁分離用凹所なそれぞれ示す。
GIIA#バッファ層、15はl)lIGg t −
5Ala As 9ラッド層、14はP型龜1−、At
、As活性層、15はP型Gg 1−1AlzAzクラ
ツド層、16はp @!GgAIp側キャップ層、17
は?側電極、14′はs WiGa 1−yAlyjb
層、15′はS型” 1−xAlzAz層、16′はS
型G11A# s側キャップ層、18は路側電極、19
は絶縁分離用凹所なそれぞれ示す。
この実施例装置では、活性層14はs@Gm1−yAj
yAa層14′と、クラッド層15は筒型−1−ZAI
Xん1115’と、キャップ層16はstM龜A#亀側
キャップ層とそれぞれ同時C;成長したものであるが、
活性II 14 、クラッド層15、キャップ層16は
成長後にムを拡散することに依ってP型化したものであ
る。この装置では、前記21m化した部分は凹所19に
依って他から絶縁分離されているので、電流を流した場
金、そのパスは矢印1:見られる通りである。
yAa層14′と、クラッド層15は筒型−1−ZAI
Xん1115’と、キャップ層16はstM龜A#亀側
キャップ層とそれぞれ同時C;成長したものであるが、
活性II 14 、クラッド層15、キャップ層16は
成長後にムを拡散することに依ってP型化したものであ
る。この装置では、前記21m化した部分は凹所19に
依って他から絶縁分離されているので、電流を流した場
金、そのパスは矢印1:見られる通りである。
次1;、第S図乃至第5図を参照しつつ第2図実施例を
製造する場合1=ついて説明する。
製造する場合1=ついて説明する。
第5図参照
(1)半絶縁性GgAz基鈑116=例えば液相連続エ
ピタキシャル成長法を適用し、電型GaAzバッファ層
12、S型Gg 1−aAl−1(at ”” O、S
)クラッド層15、S型Gg 1−yAlyAI (
l−0、1)層14′、l&型Ga1−1AlzAz(
X−0,3)層15′、%型GgAz 路側キャップ層
16′を成長させる。
ピタキシャル成長法を適用し、電型GaAzバッファ層
12、S型Gg 1−aAl−1(at ”” O、S
)クラッド層15、S型Gg 1−yAlyAI (
l−0、1)層14′、l&型Ga1−1AlzAz(
X−0,3)層15′、%型GgAz 路側キャップ層
16′を成長させる。
尚、ここで適用する結晶成長法としては、前記液相連続
エピタキシャル成長法のみならず、気相成長法、MEN
法(分子線エピタキシャル成長法) 、MOCVD法(
メタル・オーガニックCVD法)など任意の技法を適用
することができる。
エピタキシャル成長法のみならず、気相成長法、MEN
法(分子線エピタキシャル成長法) 、MOCVD法(
メタル・オーガニックCVD法)など任意の技法を適用
することができる。
第4図参照
(2) 適当なマスクを形成してから1%の選択拡散
ヲ行ナイ、%型Ga 1−yAlyAz層14′、%
Ili Gg1−zAl、As層15′、路側キャップ
層16′の一部をP型化する。
ヲ行ナイ、%型Ga 1−yAlyAz層14′、%
Ili Gg1−zAl、As層15′、路側キャップ
層16′の一部をP型化する。
これ1:依り、p WGa 1−、AI、Ax活性層1
4、Pml Gg1−1AlzAz層15、P側キャッ
プ履16が形成される。
4、Pml Gg1−1AlzAz層15、P側キャッ
プ履16が形成される。
(3) マスクを除去する。
第5図参照
(4)例えば通常のフォト・リングラフィ技術C二てP
型部分と5f11部分との境界近傍をエツチングして絶
縁分離用凹所19を形成する。凹所19は表面からクラ
ッド層12内シー至る深さ1;形成する。
型部分と5f11部分との境界近傍をエツチングして絶
縁分離用凹所19を形成する。凹所19は表面からクラ
ッド層12内シー至る深さ1;形成する。
(5) この後、第2図に見られるように、P側電極
17及び路側電橋18をそれぞれ形成するものである。
17及び路側電橋18をそれぞれ形成するものである。
このようC二して得られる装置が集積化に好適な構造を
なしていることは容易(:理解されよう。尚、第5図6
=関して説明した凹所19を形成するには、第6図(:
見られるようC二、電極17及び18を形成してから、
それをマスクl;l、てエツチングを行なっても良い。
なしていることは容易(:理解されよう。尚、第5図6
=関して説明した凹所19を形成するには、第6図(:
見られるようC二、電極17及び18を形成してから、
それをマスクl;l、てエツチングを行なっても良い。
第7図は他の実施例を表わす要部断面図である。
図ζ;於いて、21は半絶縁性GmAz基叡、22は旙
型GaAzバッファ層、25は1型G107Al 01
AIクラッド層、24はpIMG匂、、A1glIAI
活性層、25はP型G* g 、IAlg 、HAsク
ラッド層、26は* II!GIA#キャップ層、27
はP型電流狭窄用領域、28はP側電極、29は路側電
極、30は絶縁分離用凹所をそれぞれ示している。
型GaAzバッファ層、25は1型G107Al 01
AIクラッド層、24はpIMG匂、、A1glIAI
活性層、25はP型G* g 、IAlg 、HAsク
ラッド層、26は* II!GIA#キャップ層、27
はP型電流狭窄用領域、28はP側電極、29は路側電
極、30は絶縁分離用凹所をそれぞれ示している。
この実施例を製造する1:は、基板214二厚いバッフ
ァ層22を形成し、鋏バッフ!層22′の一部をエツチ
ングして薄くシ、その薄くしたバッファ層22の上にク
ラッド層23、活性層24、クラッド層25、キャップ
層26を成長させ、次1;Z%を拡散して電流狭窄領域
27を形成し、その後、P側電極28及び層側電極29
を形成し、それ等をマスクにしてバッファ層22と前記
多層部分との境界近ケをエツチングして凹所30を形成
して完成する。
ァ層22を形成し、鋏バッフ!層22′の一部をエツチ
ングして薄くシ、その薄くしたバッファ層22の上にク
ラッド層23、活性層24、クラッド層25、キャップ
層26を成長させ、次1;Z%を拡散して電流狭窄領域
27を形成し、その後、P側電極28及び層側電極29
を形成し、それ等をマスクにしてバッファ層22と前記
多層部分との境界近ケをエツチングして凹所30を形成
して完成する。
第8図は更に他の実施例を表わす要部断面図であり、こ
の実施例が第7図実施例と相違する点は、凹所30を形
成する代りにプロトンを照射して絶縁分離領域51を形
成したことであり、他は同じである。領域51を形成す
るには、電極28及び29、また、必要C二応じ、それ
等をパターニングした際のレジスト膜を残したものをマ
スクとしてプロ)y照射を行なえば良い。
の実施例が第7図実施例と相違する点は、凹所30を形
成する代りにプロトンを照射して絶縁分離領域51を形
成したことであり、他は同じである。領域51を形成す
るには、電極28及び29、また、必要C二応じ、それ
等をパターニングした際のレジスト膜を残したものをマ
スクとしてプロ)y照射を行なえば良い。
以上の説明で判るように、本発明C二値れば、中絶縁性
単結晶基板上の少なくとも一部(要すれば全面)に単結
晶化合物半導体層を多層4二形成し、それ等半導体層の
p側5部分と路側部分とを聞所或いは絶縁領域などの絶
縁分離部分で電気的に分離し、該P側部分と路側部分と
C二は表面から電極な形成しであるので、光集積回路を
構成するのは容易である。
単結晶基板上の少なくとも一部(要すれば全面)に単結
晶化合物半導体層を多層4二形成し、それ等半導体層の
p側5部分と路側部分とを聞所或いは絶縁領域などの絶
縁分離部分で電気的に分離し、該P側部分と路側部分と
C二は表面から電極な形成しであるので、光集積回路を
構成するのは容易である。
第1図は従来例のIL部部面面図第2図は本発明一実施
例の要部断面図、第5図乃至第6図は第2図実施例を製
造する場合を説明する為の工程要所に於ける要部断面図
、第7図及び第8図は本発明の異なる実施例を表わす要
部断面図である。 図6=於いて、11は基板、12はバッファ層、15は
クラッド層、14は活性層、15はクラッド層、16は
キャップ層、17.18は電極、19は凹所、14′は
Ga 1−yAlyAp層、1ダはGa1−2AlzA
z層、16′はキャップ層である。 特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士 玉蟲久五部 (外5名) 第1図 第2図 第5図 第6図 第7図 第8図
例の要部断面図、第5図乃至第6図は第2図実施例を製
造する場合を説明する為の工程要所に於ける要部断面図
、第7図及び第8図は本発明の異なる実施例を表わす要
部断面図である。 図6=於いて、11は基板、12はバッファ層、15は
クラッド層、14は活性層、15はクラッド層、16は
キャップ層、17.18は電極、19は凹所、14′は
Ga 1−yAlyAp層、1ダはGa1−2AlzA
z層、16′はキャップ層である。 特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士 玉蟲久五部 (外5名) 第1図 第2図 第5図 第6図 第7図 第8図
Claims (1)
- 単結晶基板上の少な(とも一部G二形威害れた多層の単
結晶化合物半導体層、該多層単結晶化合物半導体層のP
側部分と路側部分を電気的6;分離する絶縁分離部分、
前記多層単結晶化合物半導体層の最上表@1:露出する
P側部分にコンタクトするP側電極及び路側部分4:コ
ンタクトする路側電極を有してなることを特徴とする半
導体発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56199849A JPS58101486A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56199849A JPS58101486A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58101486A true JPS58101486A (ja) | 1983-06-16 |
Family
ID=16414666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56199849A Pending JPS58101486A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58101486A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02156592A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-06-15 | Siemens Ag | 半導体レーザー装置 |
JP2015005697A (ja) * | 2013-06-24 | 2015-01-08 | スタンレー電気株式会社 | 発光素子 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5140087A (ja) * | 1974-09-30 | 1976-04-03 | Mitsubishi Electric Corp | |
JPS5147382A (ja) * | 1974-10-21 | 1976-04-22 | Sharp Kk | Monorishitsukureezaarei |
-
1981
- 1981-12-11 JP JP56199849A patent/JPS58101486A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5140087A (ja) * | 1974-09-30 | 1976-04-03 | Mitsubishi Electric Corp | |
JPS5147382A (ja) * | 1974-10-21 | 1976-04-22 | Sharp Kk | Monorishitsukureezaarei |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02156592A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-06-15 | Siemens Ag | 半導体レーザー装置 |
JP2015005697A (ja) * | 2013-06-24 | 2015-01-08 | スタンレー電気株式会社 | 発光素子 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH10275936A (ja) | 半導体発光素子の製法 | |
US5614762A (en) | Field effect transistors having comb-shaped electrode assemblies | |
JP2001251016A (ja) | 面発光半導体レーザ及びその製造方法 | |
EP0176166B1 (en) | Selective etching method for a semiconductor multilayer structure | |
US4957879A (en) | Method of making a semiconductor laser using superlattice disordering | |
JP4423699B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその作製方法 | |
JPS58101486A (ja) | 半導体発光装置 | |
JPH10209506A (ja) | 半導体発光素子の製法 | |
JP2742539B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
JPH0997946A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
JPH08125270A (ja) | 積層型半導体レーザ | |
JPH026237B2 (ja) | ||
JPS62128586A (ja) | 光電子集積回路の製造方法 | |
JPH023314B2 (ja) | ||
JPH10261830A (ja) | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 | |
JPS6356955A (ja) | 光・電子集積回路装置 | |
JPS5816569A (ja) | 縦形mosfet | |
JPH07297497A (ja) | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 | |
JPS63271991A (ja) | 半導体レ−ザ素子の製造方法 | |
JP2975745B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ装置とその製造方法 | |
JP4441085B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
JPH05243667A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JPH0362987A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
JP2000244073A (ja) | 多波長集積化半導体レーザ装置 | |
JPS6396955A (ja) | 光電子集積回路の製造方法 |