JPS6392079A - 半導体レ−ザアレイ装置 - Google Patents
半導体レ−ザアレイ装置Info
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- JPS6392079A JPS6392079A JP61238236A JP23823686A JPS6392079A JP S6392079 A JPS6392079 A JP S6392079A JP 61238236 A JP61238236 A JP 61238236A JP 23823686 A JP23823686 A JP 23823686A JP S6392079 A JPS6392079 A JP S6392079A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4068—Edge-emitting structures with lateral coupling by axially offset or by merging waveguides, e.g. Y-couplers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
この発明は半導体レーザアレイ装置に関し、特に、位相
同期型半導体レーザアレイ装置の構造に関する。
同期型半導体レーザアレイ装置の構造に関する。
［従来の技術１
半導体レーザを高出力動作させる場合、実用性を考慮す
ると、単体の半導体レーザ索子では、現在のところ、最
大出力は５０＋ｎＷ程度が限界である。そこで、複数個
の半導体レーザを同一基板上に並べることにより、高出
力化を口る半導体レーザアレイ装置の研究が）住められ
ている。
ると、単体の半導体レーザ索子では、現在のところ、最
大出力は５０＋ｎＷ程度が限界である。そこで、複数個
の半導体レーザを同一基板上に並べることにより、高出
力化を口る半導体レーザアレイ装置の研究が）住められ
ている。
［発明が解決しようとする問題点］
第６図は従来の半導体レーザアレイ装置の光強度および
屈折率分布を示す図である。
屈折率分布を示す図である。
複数の屈折率導波型半導体レーザをＹ分岐導波路等によ
って互いに滑かに結合した通常のアレイにおいては、そ
れぞれの導波路がＯａ、位相で同期する発振モードを選
択することができる。しかしながら、共振器面上での光
強度分布は、第１図（ａ）に示すごとく、中央部の導波
路で光出力が大きく、周辺部の導波路になるに従って光
出力が小さくなってしまう。
って互いに滑かに結合した通常のアレイにおいては、そ
れぞれの導波路がＯａ、位相で同期する発振モードを選
択することができる。しかしながら、共振器面上での光
強度分布は、第１図（ａ）に示すごとく、中央部の導波
路で光出力が大きく、周辺部の導波路になるに従って光
出力が小さくなってしまう。
その結果、半導体アレイの実用上の最大出力は光強度が
最大になる中央部の導波路の出力によって制限される。
最大になる中央部の導波路の出力によって制限される。
このため、Ｎ個の導波路の半導体アレイを作成しても、
単一導波路のＮ倍にはならず、非常に効率が悪くなって
しまう。このため、高出力を得るためには、多（の導波
路を結合する必要があり、駆＃電流の増加による発熱を
生じるとともに、寿命が短くなるなどの問題点があった
。
単一導波路のＮ倍にはならず、非常に効率が悪くなって
しまう。このため、高出力を得るためには、多（の導波
路を結合する必要があり、駆＃電流の増加による発熱を
生じるとともに、寿命が短くなるなどの問題点があった
。
それゆえに、この発明の主たる目的は、それぞれが滑か
に結合された複数個の屈折率導波型半導体レーザがＯ度
位相同期で発振した場合、出射端面上で、それぞれの屈
折＃ｌ導波路の光強度がほぼ均一に分配されるような半
導体レーザアレイ装置を提供することである。
に結合された複数個の屈折率導波型半導体レーザがＯ度
位相同期で発振した場合、出射端面上で、それぞれの屈
折＃ｌ導波路の光強度がほぼ均一に分配されるような半
導体レーザアレイ装置を提供することである。
［問題点を解決するための手段］
この発明は、それぞれが半周期だけずれて互いに対向し
て配置された複数の平行な屈折率導波路をそれぞれ滑か
に結合した導波路構造を有づ°る半導体レーザアレイ装
置であって、結合部における屈折率導波路の幅の分割比
を非対称となるように構成したしのである。
て配置された複数の平行な屈折率導波路をそれぞれ滑か
に結合した導波路構造を有づ°る半導体レーザアレイ装
置であって、結合部における屈折率導波路の幅の分割比
を非対称となるように構成したしのである。
［作用］
この発明にかかる半導体レーザアレイ装置は、それぞれ
が滑かに結合された複数の屈折率導波路を有し、結合部
の屈折率導波路の幅の分割比を変えて、中央部の導波路
に集中する光出力を周辺部の導波路に分散することによ
って、各導波路が均一な光強度で位相同期するＯ度位相
モード発振を得ることができる。
が滑かに結合された複数の屈折率導波路を有し、結合部
の屈折率導波路の幅の分割比を変えて、中央部の導波路
に集中する光出力を周辺部の導波路に分散することによ
って、各導波路が均一な光強度で位相同期するＯ度位相
モード発振を得ることができる。
［発明の実施例］
第１図はこの発明の一実施例を示す図であり、特に、第
１図（ａ）は導波路の上面構造を示し、第１図（ｂ）は
導波路の屈折率分布を示し、第１図（Ｃ）は共振器面上
での光強度分布を示し、第２図はこの発明の一実施例の
断面図であり、第３図はこの発明の一実施例における導
波路の結合部での光分配方法の原理を説明するための模
式図である。
１図（ａ）は導波路の上面構造を示し、第１図（ｂ）は
導波路の屈折率分布を示し、第１図（Ｃ）は共振器面上
での光強度分布を示し、第２図はこの発明の一実施例の
断面図であり、第３図はこの発明の一実施例における導
波路の結合部での光分配方法の原理を説明するための模
式図である。
まず、第２図を参照して、この発明をＧａＡＳ−ＱａΔ
見ＡＳ系半導体レーザアレイ装置に適用した場合につい
て説明する。Ｐ−Ｇａ Ａｓ Ｉ板１上にＬＰＥ （液
層エピタキシャル成長）法などの結晶成長法により、逆
極性となるｎ −Ｇａ Ａｓ電流阻止Ｆｉ２を成長させ
る。次に、フォトリソグラフィとエツチング技術を用い
て、７字型溝３を電流阻止層２表面から基板１内へ達す
る深さまで形成する。１字型溝３を形成することにより
、基板１上から電流阻止層２の除去された部分が電流の
通路となる。この１字型溝３の上面形状は、第１図（ａ
）に示すように、互いに隣接した平行溝の領域３ａ 、
３ｂと、それらの間にあって互いに向かい合った導波路
を結合する領域３ｃとから形成されている。
見ＡＳ系半導体レーザアレイ装置に適用した場合につい
て説明する。Ｐ−Ｇａ Ａｓ Ｉ板１上にＬＰＥ （液
層エピタキシャル成長）法などの結晶成長法により、逆
極性となるｎ −Ｇａ Ａｓ電流阻止Ｆｉ２を成長させ
る。次に、フォトリソグラフィとエツチング技術を用い
て、７字型溝３を電流阻止層２表面から基板１内へ達す
る深さまで形成する。１字型溝３を形成することにより
、基板１上から電流阻止層２の除去された部分が電流の
通路となる。この１字型溝３の上面形状は、第１図（ａ
）に示すように、互いに隣接した平行溝の領域３ａ 、
３ｂと、それらの間にあって互いに向かい合った導波路
を結合する領域３ｃとから形成されている。
再度、ＬＰＥ法を用いて溝付の基板１上にｐ−Ａ ＱＸ
Ｇａｔ−Ｘ Ａｓクラッド１４．ｐまたハｎ −Ａ
ＩＶ Ｇａｔ−ｙ Ａｓ活性唐５およびｎ−ＡｆｌＸＧ
ａｆ−ＸＡＳＡｓクラッド１４次成長させ、ダブルへテ
ロ接合を有する活性層５を形成する。但し、上述のクラ
ッド層４．６においてｘ＞ｙである。
Ｇａｔ−Ｘ Ａｓクラッド１４．ｐまたハｎ −Ａ
ＩＶ Ｇａｔ−ｙ Ａｓ活性唐５およびｎ−ＡｆｌＸＧ
ａｆ−ＸＡＳＡｓクラッド１４次成長させ、ダブルへテ
ロ接合を有する活性層５を形成する。但し、上述のクラ
ッド層４．６においてｘ＞ｙである。
さらに、この上にｎ ”−ＧａΔＳキ１１ツブ層７を連
続的に成長させて、レーザ肋作用の多層結晶構造を構成
し、基板１側にＰ型紙抗性電極８を形成するとともに、
成長層側すなわちキャップ層７上に、ｎ型抵抗性電１ｆ
！９を形成した侵、共振器長が２００〜３００μｍとな
るように、溝３と直角に壁間する。
続的に成長させて、レーザ肋作用の多層結晶構造を構成
し、基板１側にＰ型紙抗性電極８を形成するとともに、
成長層側すなわちキャップ層７上に、ｎ型抵抗性電１ｆ
！９を形成した侵、共振器長が２００〜３００μｍとな
るように、溝３と直角に壁間する。
次に、両壁開面にＡ１２０３膜あるいｔよアモルファス
Ｓｉ膜を電子ビーム蒸着法により被覆してレーザ而ミラ
ーを形成する。このとき、単層のＡ１２０３１ＦＪある
いは多層Δ１２０１とアモルファスＳｉ膜で構成される
反射膜における各層の厚さを適当に変えることによって
、反ｆＡ膜の反射率を約２％〜９５％まで任意に設定す
ることができる。
Ｓｉ膜を電子ビーム蒸着法により被覆してレーザ而ミラ
ーを形成する。このとき、単層のＡ１２０３１ＦＪある
いは多層Δ１２０１とアモルファスＳｉ膜で構成される
反射膜における各層の厚さを適当に変えることによって
、反ｆＡ膜の反射率を約２％〜９５％まで任意に設定す
ることができる。
高出力光を得るために、レーザ光の出射側の壁開面には
、λ／４（λ：発振波長）厚のＡ見２０、膜を形成し、
裏面の璧１１７０面にはＡ之２０３膜と３ｉ膜の多層膜
を電子ビーム蒸着法で形成し、それぞれの反射率が約２
％、約９５％のレーザ面ミラーを形成する。
、λ／４（λ：発振波長）厚のＡ見２０、膜を形成し、
裏面の璧１１７０面にはＡ之２０３膜と３ｉ膜の多層膜
を電子ビーム蒸着法で形成し、それぞれの反射率が約２
％、約９５％のレーザ面ミラーを形成する。
上述のごとく、第１図に示すような非対称な結合あるい
は分岐部を持つ導波路を用いることによって、中央部の
導波路に集中する光出力を周辺部の導波路に分散させる
ことができ、光強度は第１図（Ｃ）に示すような特性に
することができる。
は分岐部を持つ導波路を用いることによって、中央部の
導波路に集中する光出力を周辺部の導波路に分散させる
ことができ、光強度は第１図（Ｃ）に示すような特性に
することができる。
次に、第３図を参照して、この発明の原理について説明
づ゛る。中央部の導波路をａ。とし、それに隣接する導
波路を中央から遠ざかる方向に順次ａ＋＋８２＋”３と
する。一方、向かい側の中央に１番近い導波路をす、と
し、順次ｂｚ、ｂａ。
づ゛る。中央部の導波路をａ。とし、それに隣接する導
波路を中央から遠ざかる方向に順次ａ＋＋８２＋”３と
する。一方、向かい側の中央に１番近い導波路をす、と
し、順次ｂｚ、ｂａ。
ｂ４とする。そして、各導波路の結合部の導波路幅を、
中央側をＷ、とし、その反対側をＷ２とし、Ｗ、＜Ｗ２
に設定する。この発明の一実施例では、Ｗ ２ ／ Ｗ
＋ ＝ ２程度となるように設定した。
中央側をＷ、とし、その反対側をＷ２とし、Ｗ、＜Ｗ２
に設定する。この発明の一実施例では、Ｗ ２ ／ Ｗ
＋ ＝ ２程度となるように設定した。
一方、中央部の導波路ａ。の結合部の導波路幅Ｗｏは対
称となるようにした。レーザ光は２つの共振器面１０．
１１を繰返し反射往復することによって増幅されていく
が、命中央部の導波路ａ。
称となるようにした。レーザ光は２つの共振器面１０．
１１を繰返し反射往復することによって増幅されていく
が、命中央部の導波路ａ。
から出射したレーザ光を考えてみる。
まず、導波路ａ。の結合部では、導波路Ｗ。に結合して
いるため、第３図に示すように、光の電界強度は１；１
で左右に分配される。導波路ａ０から導波路す、に入射
した光は共振器面１１で反射し、結合部に再入射する。
いるため、第３図に示すように、光の電界強度は１；１
で左右に分配される。導波路ａ０から導波路す、に入射
した光は共振器面１１で反射し、結合部に再入射する。
このと”き、周辺部側の導波路幅Ｗ２が中央部側の導波
路幅Ｗ、に比べて広いため、光の電界強度は１３図に示
すように、中央部側とは反対の導波路に多く分配される
。この現象は導波路ａＩ＋ｂＺ＋”２の結合部で順次化
じる。
路幅Ｗ、に比べて広いため、光の電界強度は１３図に示
すように、中央部側とは反対の導波路に多く分配される
。この現象は導波路ａＩ＋ｂＺ＋”２の結合部で順次化
じる。
その結果、各導波路で発生したレーザ光は周辺部の導波
路へ順次導波することになる。このため、結合部での導
波路幅が等しい（Ｗ ＋ ＝Ｗ ２ ）半導体レーザア
レイ装置では、前述の第６図に示したような端面での光
強度分布を示したが、この発明による半導体レーザアレ
イ装置の光強度分布は、第１図（Ｃ）に示すような、各
導波路が均一な光強度分布を持つことになる。したがっ
て、従来の半導体レーザアレイ装置の欠点であった光強
′度の中央部近傍での導波路への集中がないため、各導
波路を有効に利用でき、少ない導波路で多くの光出力を
得ることができる。
路へ順次導波することになる。このため、結合部での導
波路幅が等しい（Ｗ ＋ ＝Ｗ ２ ）半導体レーザア
レイ装置では、前述の第６図に示したような端面での光
強度分布を示したが、この発明による半導体レーザアレ
イ装置の光強度分布は、第１図（Ｃ）に示すような、各
導波路が均一な光強度分布を持つことになる。したがっ
て、従来の半導体レーザアレイ装置の欠点であった光強
′度の中央部近傍での導波路への集中がないため、各導
波路を有効に利用でき、少ない導波路で多くの光出力を
得ることができる。
なお、中央部の結合部以外のすべて結合部の分割比を非
対称にする必要はなく、周辺部の結合部の分割比を非対
称にするだけでも、この発明による効果を十分前ること
ができる。さらに、第１図（ａ ）に示した導波路構造
では、中央部以外の結合部の導波路の分割比をＷｌ ：
誓ｚ””１：２のように一定にしたが、この分割比は必
ずしも一定である必要はなく、中央部の導波路から周辺
部の導波路に向かって順次分割比を変化させるようにし
てもよい。それによって、端面上での各導波路の光強度
の分布を任意に変えることができる。
対称にする必要はなく、周辺部の結合部の分割比を非対
称にするだけでも、この発明による効果を十分前ること
ができる。さらに、第１図（ａ ）に示した導波路構造
では、中央部以外の結合部の導波路の分割比をＷｌ ：
誓ｚ””１：２のように一定にしたが、この分割比は必
ずしも一定である必要はなく、中央部の導波路から周辺
部の導波路に向かって順次分割比を変化させるようにし
てもよい。それによって、端面上での各導波路の光強度
の分布を任意に変えることができる。
なお、導波路間のエバネッセント波による光の結合の有
無はこの発明の原理には直接関係しないため、種々の導
波路に適用できる。
無はこの発明の原理には直接関係しないため、種々の導
波路に適用できる。
第４図および第５図は他の屈折率導波路構造を示す図で
あり、特に、第４図はりッジガイド構造を示し、第５図
は損失屈折率導波路を用いた半導体レーザアレイ装置の
断面図である。
あり、特に、第４図はりッジガイド構造を示し、第５図
は損失屈折率導波路を用いた半導体レーザアレイ装置の
断面図である。
第４図に示したりッジガイド描造の半導体レーザアレイ
装置は、ｎ −Ｑａ Ａｓ基板２１上にｎ−ＧａＡｉＡ
Ｓクラッド層２２．活性層２３．ｐ−ＱａΔ玖へＳクラ
ッド層２４．電流狭窄用絶縁膜３０、ｐ −Ｇａ Ａｓ
キトツブＦｔ２７およびｐ型１氏抗性電杉ｊ２８を形成
するとともに、基板２１側にｎ型紙抗性’３ｔ ＶＭ２
９を形成したものである。
装置は、ｎ −Ｑａ Ａｓ基板２１上にｎ−ＧａＡｉＡ
Ｓクラッド層２２．活性層２３．ｐ−ＱａΔ玖へＳクラ
ッド層２４．電流狭窄用絶縁膜３０、ｐ −Ｇａ Ａｓ
キトツブＦｔ２７およびｐ型１氏抗性電杉ｊ２８を形成
するとともに、基板２１側にｎ型紙抗性’３ｔ ＶＭ２
９を形成したものである。
また、第５図に示した損失屈折率型導波路の半導体レー
ザアレイ装置は、ｎ −Ｑａ Ａｓ １３板２１上に、
ｎ −Ｇａ Ａ文Ａｓクラッド層２２．活性層２３、ｐ
−ＧａＡ悲ΔＳクラッド１１２４． ｎ −ＧａＡＳ光
吸収ＩＦｉ２５． ｐ−Ｇａ ＡＩＡＳクラッドＷＪ２
６．１）−Ｇａ Ａｓ ＊ｔツブ層２７およびｎ型抵抗
性電極２８を形成するとともに、是板２１側にｎ型抵抗
性電極２９を形成、して栴成したものである。
ザアレイ装置は、ｎ −Ｑａ Ａｓ １３板２１上に、
ｎ −Ｇａ Ａ文Ａｓクラッド層２２．活性層２３、ｐ
−ＧａＡ悲ΔＳクラッド１１２４． ｎ −ＧａＡＳ光
吸収ＩＦｉ２５． ｐ−Ｇａ ＡＩＡＳクラッドＷＪ２
６．１）−Ｇａ Ａｓ ＊ｔツブ層２７およびｎ型抵抗
性電極２８を形成するとともに、是板２１側にｎ型抵抗
性電極２９を形成、して栴成したものである。
さらに、この発明は上述の半導体レーザアレイ装置に限
ることなく、埋込構造などの屈折率導波路などに適用で
きることは言うまでもない。
ることなく、埋込構造などの屈折率導波路などに適用で
きることは言うまでもない。
さらに、この発明はＧａΔＳ −Ｇａ ＡｕＡＳ系に限
らず、ｌ ｎｐ −１ｎ Ｑａ ＡＳｐ系やその他の材
料を用いた半導体レーザアレイ装置にも適用することが
できる。
らず、ｌ ｎｐ −１ｎ Ｑａ ＡＳｐ系やその他の材
料を用いた半導体レーザアレイ装置にも適用することが
できる。
［５１明の効果］
以上のように、この発明によれば、互いに向かい合った
複数の平行な屈折率導波路を分岐導波路などによって滑
かに結合した導波路構造を持つ半導体レーザアレイ装置
において、結合部における屈折率導波路の幅の分割比を
非対称にすることにより、中央近傍の導波路への光強度
の集中を解消でき、はぼ均一に光強度を各導波路に分散
できるため、高出力まで破１ｆすることなく低駆動電流
で動作し、安定な半導体レーデアレイ装置を得ることが
できる。
複数の平行な屈折率導波路を分岐導波路などによって滑
かに結合した導波路構造を持つ半導体レーザアレイ装置
において、結合部における屈折率導波路の幅の分割比を
非対称にすることにより、中央近傍の導波路への光強度
の集中を解消でき、はぼ均一に光強度を各導波路に分散
できるため、高出力まで破１ｆすることなく低駆動電流
で動作し、安定な半導体レーデアレイ装置を得ることが
できる。
第１図はこの発明の一実施例を示す図である。
第２図はこの発明の一実施例の断面構造を示す図である
。第３図はこの発明の導波路の光分配方法の原理を説明
するための図である。第４図および第５図は他の屈折率
導波路ｌ！Ｉｌ造を示す図であり、特に、第４図はりッ
ジガイド構造を示１ノ、第５図は損失屈折率導波路を用
いた半導体レーザアレイ装置の断面図である。第６図は
従来の半導体レーザアレイ装置の共振器面上での屈折率
分布と光強度分布を示す図である。 図において、１はｐ −Ｇａ Ａｓ ｕ板、２はｎ−Ｇ
ａＡＳまたはｎ −ａａ Ａ ｆＬＡｓ ａ流狭窄部層
、３はｖ字型溝、４はｐ−ＧａＡＱ△Ｓクラッド層、５
は活性層、６はｎ−ＧａΔ見ＡＳクラッド層、７はｎ
−Ｑａ Ａｓキャップ層、８はｎ型抵抗性電極、９はｎ
型抵抗性電極、１０．１１は共振器面、２１はｎ −Ｇ
ａ Ａｓ ｊｉ％板、２２はｎ−ＧａΔ見△Ｓクラッド
層、２３は活性層、２４はｐ−ＧａΔ見△Ｓクラッド層
、２５はｎ −Ｇａ Ａｓ光吸収層、２６はｐ−ＧａＡ
ＩＬ△Ｓクラッド層、２７はｐ−Ｇａ Ａｓキャップ層
、２８はｎ型抵抗性電極、２９はｎ型抵抗性電極、３０
は電流狭窄用絶縁膜を示す。 第１図 ？ 渇径 第２図 １ ： Ｐ−ＧｃＡｓ基様７ ：
ｎ’−Ｇａ八へキｉニ、フ７テ第６図 ざＰＬ 凧匡 第３図 ゛ ｂ・ ｂ・ ｂｘ ｔ）・ 又１゜第
４図 ２２： ｎ−６ムＡＲＡｓクラットノ看２３：灼性層 ２４： Ｐ−−ＡｌＡｓワラ・７Ｆ−、ｆ２５： ｎ−
ＣｒＪ＆＃”−１４ ２６：Ｐ−Ｇａ、Ａ’Ａｓ フラー、 ｊ′’、’瞥２
７： Ｐ−Ｇｏ−Ａｓ午サヤ１ブ７ｅ３０：電流７斤腓
乙珪漿
。第３図はこの発明の導波路の光分配方法の原理を説明
するための図である。第４図および第５図は他の屈折率
導波路ｌ！Ｉｌ造を示す図であり、特に、第４図はりッ
ジガイド構造を示１ノ、第５図は損失屈折率導波路を用
いた半導体レーザアレイ装置の断面図である。第６図は
従来の半導体レーザアレイ装置の共振器面上での屈折率
分布と光強度分布を示す図である。 図において、１はｐ −Ｇａ Ａｓ ｕ板、２はｎ−Ｇ
ａＡＳまたはｎ −ａａ Ａ ｆＬＡｓ ａ流狭窄部層
、３はｖ字型溝、４はｐ−ＧａＡＱ△Ｓクラッド層、５
は活性層、６はｎ−ＧａΔ見ＡＳクラッド層、７はｎ
−Ｑａ Ａｓキャップ層、８はｎ型抵抗性電極、９はｎ
型抵抗性電極、１０．１１は共振器面、２１はｎ −Ｇ
ａ Ａｓ ｊｉ％板、２２はｎ−ＧａΔ見△Ｓクラッド
層、２３は活性層、２４はｐ−ＧａΔ見△Ｓクラッド層
、２５はｎ −Ｇａ Ａｓ光吸収層、２６はｐ−ＧａＡ
ＩＬ△Ｓクラッド層、２７はｐ−Ｇａ Ａｓキャップ層
、２８はｎ型抵抗性電極、２９はｎ型抵抗性電極、３０
は電流狭窄用絶縁膜を示す。 第１図 ？ 渇径 第２図 １ ： Ｐ−ＧｃＡｓ基様７ ：
ｎ’−Ｇａ八へキｉニ、フ７テ第６図 ざＰＬ 凧匡 第３図 ゛ ｂ・ ｂ・ ｂｘ ｔ）・ 又１゜第
４図 ２２： ｎ−６ムＡＲＡｓクラットノ看２３：灼性層 ２４： Ｐ−−ＡｌＡｓワラ・７Ｆ−、ｆ２５： ｎ−
ＣｒＪ＆＃”−１４ ２６：Ｐ−Ｇａ、Ａ’Ａｓ フラー、 ｊ′’、’瞥２
７： Ｐ−Ｇｏ−Ａｓ午サヤ１ブ７ｅ３０：電流７斤腓
乙珪漿
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 それぞれが半周期だけずれて互いに対向して配置された
複数の平行な屈折率導波路をそれぞれ滑かに結合した導
波路構造を有する半導体レーザアレイ装置において、 結合部における屈折率導波路の幅の分割比を非対称にし
たことを特徴とする、半導体レーザアレイ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61238236A JPS6392079A (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| GB878723440A GB8723440D0 (en) | 1986-10-07 | 1987-10-06 | Semiconductor laser array |
| US07/105,255 US4847847A (en) | 1986-10-07 | 1987-10-07 | Semiconductor laser array |
| GB8807540A GB2201838B (en) | 1986-10-07 | 1988-03-30 | Semiconductor laser array device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61238236A JPS6392079A (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6392079A true JPS6392079A (ja) | 1988-04-22 |
| JPH0440874B2 JPH0440874B2 (ja) | 1992-07-06 |
Family
ID=17027165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61238236A Granted JPS6392079A (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4847847A (ja) |
| JP (1) | JPS6392079A (ja) |
| GB (2) | GB8723440D0 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5058121A (en) * | 1990-06-13 | 1991-10-15 | Xerox Corporation | Coupling structures for a phase-locked laser array |
| GB2317744B (en) * | 1996-09-27 | 2001-11-21 | Marconi Gec Ltd | Improvements in and relating to lasers |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61296785A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-27 | Sharp Corp | 半導体レ−ザアレイ装置 |
-
1986
- 1986-10-07 JP JP61238236A patent/JPS6392079A/ja active Granted
-
1987
- 1987-10-06 GB GB878723440A patent/GB8723440D0/en active Pending
- 1987-10-07 US US07/105,255 patent/US4847847A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-03-30 GB GB8807540A patent/GB2201838B/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2201838B (en) | 1989-11-22 |
| JPH0440874B2 (ja) | 1992-07-06 |
| GB8807540D0 (en) | 1988-05-05 |
| GB8723440D0 (en) | 1987-11-11 |
| GB2201838A (en) | 1988-09-07 |
| US4847847A (en) | 1989-07-11 |
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Legal Events
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