JPS6235690A - 半導体レ−ザアレイ装置 - Google Patents
半導体レ−ザアレイ装置Info
- Publication number
- JPS6235690A JPS6235690A JP60176183A JP17618385A JPS6235690A JP S6235690 A JPS6235690 A JP S6235690A JP 60176183 A JP60176183 A JP 60176183A JP 17618385 A JP17618385 A JP 17618385A JP S6235690 A JPS6235690 A JP S6235690A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguides
- mode
- semiconductor laser
- phase
- waveguide
- Prior art date
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4068—Edge-emitting structures with lateral coupling by axially offset or by merging waveguides, e.g. Y-couplers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は半導体レーザアレイ装置の構造に関するもので
ある。
ある。
〈従来の技術〉。
半導体レーザを高出力で動作させる場合、単体の半導体
レーザでは実用性を考慮すると、出力８０ｍＷ程度が限
界である。そこで、複数本の半導体レーザを同一基板上
に平行に並べて高出力を計る半導体レーザアレイ装置の
研究が盛んに行なわれている。
レーザでは実用性を考慮すると、出力８０ｍＷ程度が限
界である。そこで、複数本の半導体レーザを同一基板上
に平行に並べて高出力を計る半導体レーザアレイ装置の
研究が盛んに行なわれている。
ところで、第６図に示すように、複数本の半導体レーザ
Ｒを平行に光学的結合を持たせて並べ、各半導体レーザ
Ｒに均一な利得を与えたとき、第６図中１で示すように
各レーザ光の位相が００位相で同期する状態（０’位相
モード）よりも、第６図中２で示すように各レーザ光の
位相が１８０°反転する状態（１８０°位相モード）で
発振しやすい。
Ｒを平行に光学的結合を持たせて並べ、各半導体レーザ
Ｒに均一な利得を与えたとき、第６図中１で示すように
各レーザ光の位相が００位相で同期する状態（０’位相
モード）よりも、第６図中２で示すように各レーザ光の
位相が１８０°反転する状態（１８０°位相モード）で
発振しやすい。
これは、１８０°位相モードの方が０°位相モードより
光の強度分布が利得分布とよく一致し、発振に要する利
得が少なくてすむためである。
光の強度分布が利得分布とよく一致し、発振に要する利
得が少なくてすむためである。
このとき、半導体レーザアレイ装置から放射されるレー
ザ光の遠視野像は００位相モードでは単峰性のピークで
あり、レンズで単一のスポットに集光することができる
が、１８０°位相モードでは複峰性のピークになり、レ
ンズで単一のスポットに集光することができず、光ディ
スク等の光源としては不向きになる。従って、半導体レ
ーザアレイ装置の各半導体レーザからの出力光の位相が
同位相で同期していることが要望される。
ザ光の遠視野像は００位相モードでは単峰性のピークで
あり、レンズで単一のスポットに集光することができる
が、１８０°位相モードでは複峰性のピークになり、レ
ンズで単一のスポットに集光することができず、光ディ
スク等の光源としては不向きになる。従って、半導体レ
ーザアレイ装置の各半導体レーザからの出力光の位相が
同位相で同期していることが要望される。
そこで、半導体レーザアレイ装置において、０°位相モ
ードが選択的に発振するように、分岐結合型半導体レー
ザアレイ装置が提案されている。
ードが選択的に発振するように、分岐結合型半導体レー
ザアレイ装置が提案されている。
第７図にこの半導体レーザアレイ装置の導波路構造の一
例を上から見た図を示す。この半導体レーザアレイ装置
のレーザ光が分岐結合部ｌＯを通過して伝搬するとき、
アレイ部１１．１２を導波する００位相モードは損失を
ほとんど受けないが、１８０°位相モードは光の干渉に
よって弱め合い、はぼ光パワーが零になるほどの大きな
損失を受ける。そのため、θ°位相モードが選択的に発
振する。しかしながら、このタイプの半導体レーザアレ
イ装置で、光出力を増加していくと、０°位相モードや
１８０’位相モードとは異なるの発振モード（中間モー
ド）が混在してくる現象が見られる。
例を上から見た図を示す。この半導体レーザアレイ装置
のレーザ光が分岐結合部ｌＯを通過して伝搬するとき、
アレイ部１１．１２を導波する００位相モードは損失を
ほとんど受けないが、１８０°位相モードは光の干渉に
よって弱め合い、はぼ光パワーが零になるほどの大きな
損失を受ける。そのため、θ°位相モードが選択的に発
振する。しかしながら、このタイプの半導体レーザアレ
イ装置で、光出力を増加していくと、０°位相モードや
１８０’位相モードとは異なるの発振モード（中間モー
ド）が混在してくる現象が見られる。
これを第７図で説明する。中間モード２０は分岐結合部
ｌＯを通過すると１８０°位相モード２１に変換される
が、このとき損失はほとんど受けない。逆に１８０°位
相モード２１が分岐結合部１０を通過すると、干渉によ
って光を弱め合うが、そのときの光パワーの損失は約３
ｄＢであり、残りの光パワーは中間モード２０に変換さ
れる。このように、中間モードで発振する場合は干渉に
よって損失を受けるが、１８０°位相モードで発振する
場合に比べて比較的損失は少ない。そこで、半導体レー
ザアレイ装置が００位相モードで発振しても、光出力を
増加すると、中間モードが混在して発振してしまう。
ｌＯを通過すると１８０°位相モード２１に変換される
が、このとき損失はほとんど受けない。逆に１８０°位
相モード２１が分岐結合部１０を通過すると、干渉によ
って光を弱め合うが、そのときの光パワーの損失は約３
ｄＢであり、残りの光パワーは中間モード２０に変換さ
れる。このように、中間モードで発振する場合は干渉に
よって損失を受けるが、１８０°位相モードで発振する
場合に比べて比較的損失は少ない。そこで、半導体レー
ザアレイ装置が００位相モードで発振しても、光出力を
増加すると、中間モードが混在して発振してしまう。
〈発明の目的〉
本発明は、上記問題点を考慮して、光学的に結合した複
数本の平行に並んだ半導体レーザの出射光が同位相で位
相同期し、安定に単一モード発振する半導体レーザアレ
イ装置を提供することを目的とする。
数本の平行に並んだ半導体レーザの出射光が同位相で位
相同期し、安定に単一モード発振する半導体レーザアレ
イ装置を提供することを目的とする。
〈発明の構成と原理〉
本発明は、上記目的を成し遂げるために、半導体レーザ
アレイ装置において、１８０°位相モードとその他の発
振横モードを抑制し、０６位相モードが選択的に発振す
る導波路構造を有することを特徴としている。第１図に
本発明の半導体レーザアレイ装置の導波路構造の一例を
上から見た状態を示す。この導波路構造は３本δ導波路
Ｗを有するアレイ部２２と２本の導波路Ｗを有するアレ
イ部２１と両アレイ部２１．２２の間の分岐結合部２０
との３つの部分から成る。両アレイ部２１゜２２では各
導波路Ｗ、Ｗ・・・・・・は光学的に結合して平行に並
んでいる。上記分岐結合部２０では、アレイ部２１．２
２の各導波路Ｗが２本に対称分岐した分岐導波路Ｖ。、
Ｖｏ、Ｖ 、、Ｖ 、・・・を有する。外側にある２本
の分岐導波路Ｖ。、Ｖｏは隣接する分岐導波路と重なら
ないため、分岐途中で切断され、それ以外の隣接する分
岐導波路Ｖ ｒ 、 Ｖ ＋・・・は他の分岐導波路Ｖ
、、Ｖ、・・・と１本に重なり合って、アレイ部２１．
２２に接続している。
アレイ装置において、１８０°位相モードとその他の発
振横モードを抑制し、０６位相モードが選択的に発振す
る導波路構造を有することを特徴としている。第１図に
本発明の半導体レーザアレイ装置の導波路構造の一例を
上から見た状態を示す。この導波路構造は３本δ導波路
Ｗを有するアレイ部２２と２本の導波路Ｗを有するアレ
イ部２１と両アレイ部２１．２２の間の分岐結合部２０
との３つの部分から成る。両アレイ部２１゜２２では各
導波路Ｗ、Ｗ・・・・・・は光学的に結合して平行に並
んでいる。上記分岐結合部２０では、アレイ部２１．２
２の各導波路Ｗが２本に対称分岐した分岐導波路Ｖ。、
Ｖｏ、Ｖ 、、Ｖ 、・・・を有する。外側にある２本
の分岐導波路Ｖ。、Ｖｏは隣接する分岐導波路と重なら
ないため、分岐途中で切断され、それ以外の隣接する分
岐導波路Ｖ ｒ 、 Ｖ ＋・・・は他の分岐導波路Ｖ
、、Ｖ、・・・と１本に重なり合って、アレイ部２１．
２２に接続している。
本半導体レーザアレイ装置の動作原理は以下の様に説明
できる。アレイ部２２のθ°位相モード２４は分岐結合
部２０を伝搬してアレイ部２１では０°位相モード２５
に変換される。このとき、分岐結合部２０では途中で切
断された分岐導波路ｖｏを伝搬し、放射される光の分だ
け損失を受けるが、そのときの光パワーの損失は約１．
２ｄＢ程度にすぎない。共振面で反射して逆方向に進む
光は分岐結合部２０で損失をほとんど受けない。１８０
°位相モードは分岐結合部２０で光パワーが零になる程
の大きな損失を受ける。これに対して第２図（ａ）に示
すように、アレイ部２２を伝搬する中間モード３０は、
分岐結合部２０を通過するとき切断された分岐導波路Ｖ
ｏ 、 Ｖ ｏを伝搬する光の放射損失をθ°位相モ
ードに比べて大きく受ける。このときの光パワーの損失
は約３ｄＢである。
できる。アレイ部２２のθ°位相モード２４は分岐結合
部２０を伝搬してアレイ部２１では０°位相モード２５
に変換される。このとき、分岐結合部２０では途中で切
断された分岐導波路ｖｏを伝搬し、放射される光の分だ
け損失を受けるが、そのときの光パワーの損失は約１．
２ｄＢ程度にすぎない。共振面で反射して逆方向に進む
光は分岐結合部２０で損失をほとんど受けない。１８０
°位相モードは分岐結合部２０で光パワーが零になる程
の大きな損失を受ける。これに対して第２図（ａ）に示
すように、アレイ部２２を伝搬する中間モード３０は、
分岐結合部２０を通過するとき切断された分岐導波路Ｖ
ｏ 、 Ｖ ｏを伝搬する光の放射損失をθ°位相モ
ードに比べて大きく受ける。このときの光パワーの損失
は約３ｄＢである。
さらに、アレイ部２１では１８０°位相モード３ｌに変
換され、その１８０°位相モード３１が共振面で反射し
て、第２図（ｂ）に示すように、この１８０°位相モー
ド３２が分岐結合部２０を逆に通過するとき、干渉によ
り光を弱め合うために光パワーは約３ｄＢの損失を受け
て中間モード３３に変換される。このように、中間モー
ド３０は共振器内を一往復することにより、分岐結合部
２０の影響で約６ｄＢの損失を受ける。このとき、中間
モードは０°位相モードより約４．８ｄＢ大きな損失を
受ける。
換され、その１８０°位相モード３１が共振面で反射し
て、第２図（ｂ）に示すように、この１８０°位相モー
ド３２が分岐結合部２０を逆に通過するとき、干渉によ
り光を弱め合うために光パワーは約３ｄＢの損失を受け
て中間モード３３に変換される。このように、中間モー
ド３０は共振器内を一往復することにより、分岐結合部
２０の影響で約６ｄＢの損失を受ける。このとき、中間
モードは０°位相モードより約４．８ｄＢ大きな損失を
受ける。
以上の様に、本構造の半導体レーザアレイ装置では従来
構造に比べて、中間モードと０°位相モードとの分岐結
合部２０で受ける損失の差を大きくすることができるの
で、中間モードの発振を抑制し、従来構造より高出力ま
で０９位相モードによる単一モード発振が得られる。
構造に比べて、中間モードと０°位相モードとの分岐結
合部２０で受ける損失の差を大きくすることができるの
で、中間モードの発振を抑制し、従来構造より高出力ま
で０９位相モードによる単一モード発振が得られる。
また、第３図に示す導波路構造では共振器内に分岐結合
部２０．２０を２つ含むために、分岐結合部の２０．２
０の０°位相モードの選択効果は第１図に示すものの２
倍になり、第１図の構造よりもっと高出力まで０°位相
モードによる単一モード発振が得られる。
部２０．２０を２つ含むために、分岐結合部の２０．２
０の０°位相モードの選択効果は第１図に示すものの２
倍になり、第１図の構造よりもっと高出力まで０°位相
モードによる単一モード発振が得られる。
〈実施例〉
以下、本発明の１実施例として屈折率導波型半導体レー
ザにＶ Ｓ Ｉ Ｓ （Ｖ −ｃｈａｎｎｅｌｅｄ
Ｓ ｕｂｓｔ −ｒａｔｅ Ｉ ｎｎｅｒ Ｓ ｔ
ｒｉｐｅ）型半導体レーザを適用し、第１図の導波路構
造をもつ場合について説明する。
ザにＶ Ｓ Ｉ Ｓ （Ｖ −ｃｈａｎｎｅｌｅｄ
Ｓ ｕｂｓｔ −ｒａｔｅ Ｉ ｎｎｅｒ Ｓ ｔ
ｒｉｐｅ）型半導体レーザを適用し、第１図の導波路構
造をもつ場合について説明する。
第４図は本実施例の半導体レーザアレイ素子を一方の共
振器端面から見た場合の端面図である。
振器端面から見た場合の端面図である。
ｐ−ＧａＡｓ基板４０上にＬＰＥ（液相エピタキシャル
成長）法などの結晶成長法により、逆極性接合となるｎ
−ＧａＡｓ電流阻止層４Ｉを成長させる。
成長）法などの結晶成長法により、逆極性接合となるｎ
−ＧａＡｓ電流阻止層４Ｉを成長させる。
次にフォトリソグラフィとエツチング技術により、第１
図に示す導波路と同じ形状のＶ字形溝４２を電流阻止層
４１表面から基板４０内へ達する深さ迄形成する。７字
形溝４２を形成することにより基板４０上から電流阻止
層４１の除去された部分が電流の通路となる。再度、Ｌ
ＰＥ法を用いて溝付きの基板４０上にｐ−Ａ１２ｘＧａ
＋−ｘＡｓＡｓクララ４３、ｐまたはｎ−Ａｌ２ＹＧａ
＋−ｙＡｓ活性層４４、ｎ−ＡＣｘＧａ、−ＸＡＳクラ
ッド層４５を順次成長させ、ダブルへテロ接合を介する
活性層４４を得る。ただし、Ｘ＞ｙである。さらに、こ
の上にｎ ＧａＡｓキャップ層４６を連続的に成長さ
せて、レーザ動作用の多層結晶構造を構成し、基板側に
ｎ型抵抗性電極４７を、成長層側即ちキャップ層４６上
にｎ型抵抗性電極４８を形成した後、共振器長が２００
〜３００μｍとなるようにレーザ面ミラーをストライブ
と直角にへき開法で形成し、端面を半波長厚のＡ１２ｔ
Ｏ３薄膜（反射率３２％）でコーティングした後、銅ブ
ロック（図示せず）上にマウントして半導体レーザアレ
イ装置を作製する。
図に示す導波路と同じ形状のＶ字形溝４２を電流阻止層
４１表面から基板４０内へ達する深さ迄形成する。７字
形溝４２を形成することにより基板４０上から電流阻止
層４１の除去された部分が電流の通路となる。再度、Ｌ
ＰＥ法を用いて溝付きの基板４０上にｐ−Ａ１２ｘＧａ
＋−ｘＡｓＡｓクララ４３、ｐまたはｎ−Ａｌ２ＹＧａ
＋−ｙＡｓ活性層４４、ｎ−ＡＣｘＧａ、−ＸＡＳクラ
ッド層４５を順次成長させ、ダブルへテロ接合を介する
活性層４４を得る。ただし、Ｘ＞ｙである。さらに、こ
の上にｎ ＧａＡｓキャップ層４６を連続的に成長さ
せて、レーザ動作用の多層結晶構造を構成し、基板側に
ｎ型抵抗性電極４７を、成長層側即ちキャップ層４６上
にｎ型抵抗性電極４８を形成した後、共振器長が２００
〜３００μｍとなるようにレーザ面ミラーをストライブ
と直角にへき開法で形成し、端面を半波長厚のＡ１２ｔ
Ｏ３薄膜（反射率３２％）でコーティングした後、銅ブ
ロック（図示せず）上にマウントして半導体レーザアレ
イ装置を作製する。
電極４７．４８を介して電流を注入すると、注入された
電流は基板４０上の電流阻止層４１が除去された７字形
溝４２内を電流通路としてストライブ状に流れ、７字形
溝４２直上の平坦に層設された活性層４４へ注入される
。従って、７字形溝４２に対応する活性層４４内でレー
ザ発振が開始される。
電流は基板４０上の電流阻止層４１が除去された７字形
溝４２内を電流通路としてストライブ状に流れ、７字形
溝４２直上の平坦に層設された活性層４４へ注入される
。従って、７字形溝４２に対応する活性層４４内でレー
ザ発振が開始される。
７字形溝４２は第１図に示す導波路構造に対応して半導
体レーザアレイ装置内に形成されており、従って本実施
例の半導体レーザアレイ装置は活性層４４内のレーザ発
振用導波路が平面図的に第１図に示すように構成される
。
体レーザアレイ装置内に形成されており、従って本実施
例の半導体レーザアレイ装置は活性層４４内のレーザ発
振用導波路が平面図的に第１図に示すように構成される
。
本実施例の半導体レーザアレイ装置における発振しきい
値電流は約１００ｍＡであり、出力５０ｍＷまでθ°位
相モードによる単一モード発振が得られ、放射レーザ光
の遠視野像は第５図に示すように鋭い単峰性のピーク（
半値中４°）である。それ以上の、出力では、中間モー
ドが混在して発振してくるために、遠視野像のピークの
半値巾は広がる。
値電流は約１００ｍＡであり、出力５０ｍＷまでθ°位
相モードによる単一モード発振が得られ、放射レーザ光
の遠視野像は第５図に示すように鋭い単峰性のピーク（
半値中４°）である。それ以上の、出力では、中間モー
ドが混在して発振してくるために、遠視野像のピークの
半値巾は広がる。
次に、第２の実施例として、第３図に示す導波路構造を
もつ場合について説明する。作製法は第１の実施例と同
様であり、７字形溝の形状として第１図の構造に代えて
第３図の構造を適用する。
もつ場合について説明する。作製法は第１の実施例と同
様であり、７字形溝の形状として第１図の構造に代えて
第３図の構造を適用する。
特性として、この実施例の半導体レーザアレイ装置にお
ける発振しきい値電流は約１１０ｍＡであり、出力８０
ｍＷまで００位相モードによる単一モード発振が得られ
た。それ以上の光出力では熱的な飽和が起こった。
ける発振しきい値電流は約１１０ｍＡであり、出力８０
ｍＷまで００位相モードによる単一モード発振が得られ
た。それ以上の光出力では熱的な飽和が起こった。
尚、上記実施例はＧａＡＳ−ＧａＡ１２Ａｓ系について
説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、
Ｉ ｎＰ −Ｉ ｎＧａＡｓＰ系やその他の種々の材料
に適用することができる。また、ストライプ構造はＶＳ
ＩＳ構造以外に他の内部ストライブ構造やその他の素子
構造のものを利用することも可能である。
説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、
Ｉ ｎＰ −Ｉ ｎＧａＡｓＰ系やその他の種々の材料
に適用することができる。また、ストライプ構造はＶＳ
ＩＳ構造以外に他の内部ストライブ構造やその他の素子
構造のものを利用することも可能である。
〈発明の効果〉
以上述べたように、本発明の半導体レーザアレイ装置は
、複数本の半導体レーザの出射光が同位相で位相同期し
、鋭い単峰性ピークの放射パターンで高出力まで安定に
単一モードで発振する。
、複数本の半導体レーザの出射光が同位相で位相同期し
、鋭い単峰性ピークの放射パターンで高出力まで安定に
単一モードで発振する。
第１図は本発明の第１の実施例の半導体レーザアレイ装
置の導波路構造を上から示し、０°位相モードの伝搬の
様子を示す図である。第２図ｆ（ａ）。 （ｂ）は上記実施例の中間モードの伝搬の様子を示す図
である。第３図は本発明の第２の実施例の半導体レーザ
アレイ装置の導波路を上から鬼た図である。第４図は本
発明の実施例の半導体レーザアの半導体レーザアレイ装
置の水平方向の遠視野像を示す図である。第６図は複数
本の光学的に結合した平行導波路とそれを伝搬するモー
ドの形状を示す図である。第７図は従来の分岐結合型レ
ーザアレイ装置の導波路構造を上から示し、中間モード
の伝搬の様子を示す図である。 Ｗ・・・導波路、Ｖ Ｉ、 Ｖ ｏ・・・分岐導波路、
２０・・・分岐結合部、２１．２２・・・アレイ部。 特 許 出 願 人 シャープ株式会社代 理 人
弁理士 前出 葆 外２８第１ 図 第２図（０） 中 第３図 第５図 角滝
置の導波路構造を上から示し、０°位相モードの伝搬の
様子を示す図である。第２図ｆ（ａ）。 （ｂ）は上記実施例の中間モードの伝搬の様子を示す図
である。第３図は本発明の第２の実施例の半導体レーザ
アレイ装置の導波路を上から鬼た図である。第４図は本
発明の実施例の半導体レーザアの半導体レーザアレイ装
置の水平方向の遠視野像を示す図である。第６図は複数
本の光学的に結合した平行導波路とそれを伝搬するモー
ドの形状を示す図である。第７図は従来の分岐結合型レ
ーザアレイ装置の導波路構造を上から示し、中間モード
の伝搬の様子を示す図である。 Ｗ・・・導波路、Ｖ Ｉ、 Ｖ ｏ・・・分岐導波路、
２０・・・分岐結合部、２１．２２・・・アレイ部。 特 許 出 願 人 シャープ株式会社代 理 人
弁理士 前出 葆 外２８第１ 図 第２図（０） 中 第３図 第５図 角滝
Claims (2)
- （１）複数の導波路が光学的に結合して平行に並んでい
る２以上のアレイ部と、上記両アレイ部の間に配置され
、各アレイ部の導波路の端から２本ずつ対称に分岐した
分岐導波路を有する分岐結合部とを備え、 上記導波路から分岐した上記分岐導波路は、外側に存す
る２本の分岐導波路を除いて、上記導波路に隣接する導
波路から分岐した分岐導波路と１本に重なり合い、上記
外側に存する２本の分岐導波路は、他の分岐導波路に重
なり合わなくて、途中で切断されていることを特徴とす
る半導体レーザアレイ装置。 - （２）上記特許請求の範囲第１項に記載の半導体レーザ
アレイ装置において、上記分岐結合部を２個含む半導体
レーザアレイ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60176183A JPS6235690A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| US06/893,226 US4764937A (en) | 1985-08-09 | 1986-08-05 | Semiconductor laser array device |
| DE19863626702 DE3626702A1 (de) | 1985-08-09 | 1986-08-07 | Halbleiter-laseranordnung |
| GB08619314A GB2179789B (en) | 1985-08-09 | 1986-08-07 | A semiconductor laser array device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60176183A JPS6235690A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6235690A true JPS6235690A (ja) | 1987-02-16 |
| JPH0449273B2 JPH0449273B2 (ja) | 1992-08-11 |
Family
ID=16009100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60176183A Granted JPS6235690A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4764937A (ja) |
| JP (1) | JPS6235690A (ja) |
| DE (1) | DE3626702A1 (ja) |
| GB (1) | GB2179789B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6254989A (ja) * | 1985-09-04 | 1987-03-10 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63306689A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-12-14 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 横結合レーザーダイオードアレー |
| US5050180A (en) * | 1989-10-10 | 1991-09-17 | Trw Inc. | Phase-locked arrays of coupled X-junctions |
| US5025451A (en) * | 1989-10-20 | 1991-06-18 | Trw Inc. | Two-dimensional integrated laser array |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4255717A (en) * | 1978-10-30 | 1981-03-10 | Xerox Corporation | Monolithic multi-emitting laser device |
| JPS61102087A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-20 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ装置 |
-
1985
- 1985-08-09 JP JP60176183A patent/JPS6235690A/ja active Granted
-
1986
- 1986-08-05 US US06/893,226 patent/US4764937A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-08-07 GB GB08619314A patent/GB2179789B/en not_active Expired
- 1986-08-07 DE DE19863626702 patent/DE3626702A1/de active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6254989A (ja) * | 1985-09-04 | 1987-03-10 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0449273B2 (ja) | 1992-08-11 |
| US4764937A (en) | 1988-08-16 |
| DE3626702A1 (de) | 1987-02-19 |
| GB8619314D0 (en) | 1986-09-17 |
| GB2179789B (en) | 1988-09-21 |
| DE3626702C2 (ja) | 1991-06-27 |
| GB2179789A (en) | 1987-03-11 |
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