JP3104801B2 - 集積型光カップラ - Google Patents
集積型光カップラInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光導波路に設けられて
波面分割型の光の分岐、結合を行なう集積型の光カップ
ラに関する。
波面分割型の光の分岐、結合を行なう集積型の光カップ
ラに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、交差する光導波路の分岐、結合を
行なうために、図１３に示す様に、導波路１０２の交差
部に微細なスリット１０１を層方向に形成し、光の透
過、反射を制御するカップラを構成することが提案され
ている。こうした集積カップラの試作例として、十字型
の分岐干渉型のレーザが報告されている。（例えば、
Ｊ．Ｓａｌｔｚｍａｎ ｅｔ．ａｌ．“Ｃｒｏｓｓ ｃ
ｏｕｐｌｅｄ ｃａｖｉｔｙｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏ
ｒ ｌａｓｅｒ”，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５
２，１０，ｐｐ．７６７〜７６９（Ｍａｒｃｈ １９８
８）参照）。
行なうために、図１３に示す様に、導波路１０２の交差
部に微細なスリット１０１を層方向に形成し、光の透
過、反射を制御するカップラを構成することが提案され
ている。こうした集積カップラの試作例として、十字型
の分岐干渉型のレーザが報告されている。（例えば、
Ｊ．Ｓａｌｔｚｍａｎ ｅｔ．ａｌ．“Ｃｒｏｓｓ ｃ
ｏｕｐｌｅｄ ｃａｖｉｔｙｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏ
ｒ ｌａｓｅｒ”，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５
２，１０，ｐｐ．７６７〜７６９（Ｍａｒｃｈ １９８
８）参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記従来例では、光導波路の横方向の閉じ込め構造（典型
的にはリッジ型構造）が存在するので、スリットを加工
する前の十字分岐部が非平坦となり、加工深さが中央部
と両端では大きく異なっていた。一般に、光導波路の横
方向の界分布は導波路幅より広がっており、カップラ先
端部の加工深さが異なることは結合効率、分岐比の制御
を困難にする。
記従来例では、光導波路の横方向の閉じ込め構造（典型
的にはリッジ型構造）が存在するので、スリットを加工
する前の十字分岐部が非平坦となり、加工深さが中央部
と両端では大きく異なっていた。一般に、光導波路の横
方向の界分布は導波路幅より広がっており、カップラ先
端部の加工深さが異なることは結合効率、分岐比の制御
を困難にする。
【０００４】この問題点を、図１１のＡ−Ａ断面図及び
Ｂ−Ｂ断面図及びＣ−Ｃ断面図である図１２と図１３と
図１４に沿って判り易く説明する。図１２と図１３と図
１４において、１０３は基板、１０４、１０６はクラッ
ド層、１０５は導波路コア層、１０７、１０９は夫々Ａ
−Ａ´断面、Ｂ−Ｂ´断面における光導波路の界分布の
様子、１０８は光導波路を形成するリッジ部である。こ
の様なリッジ導波路の交差部にＦＩＢＥ（集束性イオン
ビームエッチング）、ＲＩＢＥ（反応性イオンビームエ
ッチング）などでスリット１０１を形成すると、図１３
に示す様に、加工深さが不均一になり、中央部Ｂ付近
で、光導波路の層方向の界分布１０９を分割する様にス
リット１０１の加工深さをその界分布の中央付近に設定
しても、両端部Ａ、Ｃでは加工深さが深くなりすぎ（リ
ッジ部１０８がないので）、反射の効率が高まる。その
為、目標の分岐効率を得る為の加工深さの制御が極めて
困難になる。即ち、スリットの先端位置で分割比（透過
／反射の比）を制御することが困難になる。
Ｂ−Ｂ断面図及びＣ−Ｃ断面図である図１２と図１３と
図１４に沿って判り易く説明する。図１２と図１３と図
１４において、１０３は基板、１０４、１０６はクラッ
ド層、１０５は導波路コア層、１０７、１０９は夫々Ａ
−Ａ´断面、Ｂ−Ｂ´断面における光導波路の界分布の
様子、１０８は光導波路を形成するリッジ部である。こ
の様なリッジ導波路の交差部にＦＩＢＥ（集束性イオン
ビームエッチング）、ＲＩＢＥ（反応性イオンビームエ
ッチング）などでスリット１０１を形成すると、図１３
に示す様に、加工深さが不均一になり、中央部Ｂ付近
で、光導波路の層方向の界分布１０９を分割する様にス
リット１０１の加工深さをその界分布の中央付近に設定
しても、両端部Ａ、Ｃでは加工深さが深くなりすぎ（リ
ッジ部１０８がないので）、反射の効率が高まる。その
為、目標の分岐効率を得る為の加工深さの制御が極めて
困難になる。即ち、スリットの先端位置で分割比（透過
／反射の比）を制御することが困難になる。
【０００５】リッジ部を導波路コア層１０５の下部まで
深く加工した導波路構造も考えられるが、この場合も横
のエッジ部で加工深さが大きくなり、中央部との不均一
性が発生すると言う問題がある。
深く加工した導波路構造も考えられるが、この場合も横
のエッジ部で加工深さが大きくなり、中央部との不均一
性が発生すると言う問題がある。
【０００６】また、更に、埋め込み構造の導波路形成の
方法もあるが、埋め込み時に発生する段差の為、やはり
少なからず加工深さの不均一性を生じることになる。
方法もあるが、埋め込み時に発生する段差の為、やはり
少なからず加工深さの不均一性を生じることになる。
【０００７】よって、本発明の目的は、上記の課題に鑑
み、波面分割型カップラ形成の際の加工深さの均一性を
高めて分岐比、結合効率の制御を容易にする構成を有す
る集積型カップラを提供することにある。
み、波面分割型カップラ形成の際の加工深さの均一性を
高めて分岐比、結合効率の制御を容易にする構成を有す
る集積型カップラを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明では、チャンネル光導波路構造で光波の分岐あるいは
結合を行なう集積型の光カップラにおいて、光カップラ
形成部位は、該カップラ形成部位に接続されるリッジ状
導波路と高さが等しく、かつ該リッジ状導波路の横方向
の光の界分布の広がり分の幅を有する平坦領域であり、
該平坦領域の表面から層方向に加工された部分が形成さ
れて該部分を用いて波面分割型の分岐、結合を行なうこ
とを特徴とする。
明では、チャンネル光導波路構造で光波の分岐あるいは
結合を行なう集積型の光カップラにおいて、光カップラ
形成部位は、該カップラ形成部位に接続されるリッジ状
導波路と高さが等しく、かつ該リッジ状導波路の横方向
の光の界分布の広がり分の幅を有する平坦領域であり、
該平坦領域の表面から層方向に加工された部分が形成さ
れて該部分を用いて波面分割型の分岐、結合を行なうこ
とを特徴とする。
【０００９】より具体的には、前記カップラ形成部位に
は、その平坦領域の表面から層方向に加工されたスリッ
トが形成されていたり、前記カップラ形成部位には、層
方向の光界分布の波面分割を行なう様に、前記スリット
の層方向の加工先端が、層方向の界分布の中心が位置す
る前記リッジ状導波路の活性層部分にあったり、前記ス
リットは、水平方向の光界分布の波面分割を行なう様
に、前記スリットの水平方向の加工先端が、界分布の中
心に位置していたり、前記チャンネル光導波路構造はＸ
字型の交差部を有したり、前記チャンネル光導波路構造
はＴ字型の交差部を有したり、前記光カップラによるチ
ャンネル光導波路構造間の結合によって複合の共振器が
形成されていたりする。
は、その平坦領域の表面から層方向に加工されたスリッ
トが形成されていたり、前記カップラ形成部位には、層
方向の光界分布の波面分割を行なう様に、前記スリット
の層方向の加工先端が、層方向の界分布の中心が位置す
る前記リッジ状導波路の活性層部分にあったり、前記ス
リットは、水平方向の光界分布の波面分割を行なう様
に、前記スリットの水平方向の加工先端が、界分布の中
心に位置していたり、前記チャンネル光導波路構造はＸ
字型の交差部を有したり、前記チャンネル光導波路構造
はＴ字型の交差部を有したり、前記光カップラによるチ
ャンネル光導波路構造間の結合によって複合の共振器が
形成されていたりする。
【００１０】この様にカップラ形成部を予め平坦化して
おくことにより、カップラを構成するスリット、エッチ
ング部などの加工深さが正確に制御され（例えば一様に
され）、分岐比、結合効率の制御が容易になる。
おくことにより、カップラを構成するスリット、エッチ
ング部などの加工深さが正確に制御され（例えば一様に
され）、分岐比、結合効率の制御が容易になる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明による第１の実施例のデバイス
の上面図であり、同図において、１はリッジ導波路、２
はカップラとなる微細スリット、３は導波路交差部の平
坦部でありリッジ導波路１と同じ高さになっている。図
２は、図１のＡ−Ａ´断面図（左右方向に伸びる導波路
１に沿った断面）であり、同図において、４、１０は上
下面に形成されたＡｕ電極、５はｎ−ＧａＡｓ基板、６
はｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、７はＧａＡｓ活性層、
８はｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、９はｐ+−ＧａＡｓ
キャップ層である。図２に示す様に、スリット２の加工
先端は層方向の界分布１１の中央付近までとし（即ち、
界分布１１の中心が位置する活性層７部分まで）、積層
方向の波面分割を行なっている。スリット２は平坦部３
に形成されているので、図１のＢ−Ｂ´断面図（スリッ
ト２の水平方向伸長方向に沿った断面）である図３に示
す如く、スリット２の水平方向に亙る加工深さの均一性
が良く、横方向の界分布１２の全体に亙って精度良く
（この場合、均一な）層方向波面分割を行なっている。
よって、分岐比（界分布１２のうちスリット２の断面と
重なる反射成分とスリット２の断面と重ならない透過成
分との比）の制御が容易となる。
の上面図であり、同図において、１はリッジ導波路、２
はカップラとなる微細スリット、３は導波路交差部の平
坦部でありリッジ導波路１と同じ高さになっている。図
２は、図１のＡ−Ａ´断面図（左右方向に伸びる導波路
１に沿った断面）であり、同図において、４、１０は上
下面に形成されたＡｕ電極、５はｎ−ＧａＡｓ基板、６
はｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、７はＧａＡｓ活性層、
８はｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、９はｐ+−ＧａＡｓ
キャップ層である。図２に示す様に、スリット２の加工
先端は層方向の界分布１１の中央付近までとし（即ち、
界分布１１の中心が位置する活性層７部分まで）、積層
方向の波面分割を行なっている。スリット２は平坦部３
に形成されているので、図１のＢ−Ｂ´断面図（スリッ
ト２の水平方向伸長方向に沿った断面）である図３に示
す如く、スリット２の水平方向に亙る加工深さの均一性
が良く、横方向の界分布１２の全体に亙って精度良く
（この場合、均一な）層方向波面分割を行なっている。
よって、分岐比（界分布１２のうちスリット２の断面と
重なる反射成分とスリット２の断面と重ならない透過成
分との比）の制御が容易となる。
【００１２】図４は、第１実施例のカップラを複合共振
器の一種である干渉分岐型レーザの構成に用いた適用例
を示す。十字に交差するリッジ型導波路１が形成され、
夫々の導波路１の外側の導波路端１ａはへき開面で形成
されるミラーとなっている。リッジ上部には電極４が、
図４に斜線部で示すパターンで形成され、活性層７への
電流注入を可能としている。図５には、図４のＣ−Ｃ´
線に沿ったリッジ部の断面構造が示されており（図２の
符号と同一のものは同一の部位を示す）、リッジキャッ
プ層９からの電流注入を行なう為にリッジ側部にはＳｉ
Ｎx絶縁層１３が施されている。
器の一種である干渉分岐型レーザの構成に用いた適用例
を示す。十字に交差するリッジ型導波路１が形成され、
夫々の導波路１の外側の導波路端１ａはへき開面で形成
されるミラーとなっている。リッジ上部には電極４が、
図４に斜線部で示すパターンで形成され、活性層７への
電流注入を可能としている。図５には、図４のＣ−Ｃ´
線に沿ったリッジ部の断面構造が示されており（図２の
符号と同一のものは同一の部位を示す）、リッジキャッ
プ層９からの電流注入を行なう為にリッジ側部にはＳｉ
Ｎx絶縁層１３が施されている。
【００１３】図４のデバイスは、縦方向と横方向の共振
器がカップラ２を介して相互に結合している構成となっ
ている為、複合の共振器型のレーザを形成し、発振スペ
クトルの単一縦モード化及び安定化を図ることが出来
る。
器がカップラ２を介して相互に結合している構成となっ
ている為、複合の共振器型のレーザを形成し、発振スペ
クトルの単一縦モード化及び安定化を図ることが出来
る。
【００１４】次に、本例の作製プロセスを説明する。先
ず、ｎ−ＧａＡｓ基板５にＭＢＥ等でｎ−クラッド層６
からキャップ層９までエピ成長を行なう。次に、フォト
リソグラフィーによりリッジ導波路パターン（十字パタ
ーン）を形成し、ＲＩＢＥによりリッジ導波路１を加工
する。更に、ＳｉＮx膜１３を全面に堆積し、リッジ上
部のｐ+−ＧａＡｓキャップ層９の頭出しを行なう。
ず、ｎ−ＧａＡｓ基板５にＭＢＥ等でｎ−クラッド層６
からキャップ層９までエピ成長を行なう。次に、フォト
リソグラフィーによりリッジ導波路パターン（十字パタ
ーン）を形成し、ＲＩＢＥによりリッジ導波路１を加工
する。更に、ＳｉＮx膜１３を全面に堆積し、リッジ上
部のｐ+−ＧａＡｓキャップ層９の頭出しを行なう。
【００１５】最後に基板５研磨を行なって上下両面にＡ
ｕ膜４、１０を蒸着し、コンタクトを取る為アロイ処理
を行なう。カップラ部２の形成はＦＩＢＥによりエッチ
ング加工して行なう。イオンとしてはＧａ+ビームを用
い加速は４０ｋｅＶとした。最後に、４端面１ａのへき
開を行ない、ステムに実装し電極４のワイヤボンディン
グを施して完成する。
ｕ膜４、１０を蒸着し、コンタクトを取る為アロイ処理
を行なう。カップラ部２の形成はＦＩＢＥによりエッチ
ング加工して行なう。イオンとしてはＧａ+ビームを用
い加速は４０ｋｅＶとした。最後に、４端面１ａのへき
開を行ない、ステムに実装し電極４のワイヤボンディン
グを施して完成する。
【００１６】本例では、カップラ部は平坦部３となって
横方向の閉じ込めがひろがる為、平面内で発散すること
になるが、カップラ部の領域長はリッジ幅と同程度の数
μｍで抑えられる為、結合損失はほとんど問題ない。
横方向の閉じ込めがひろがる為、平面内で発散すること
になるが、カップラ部の領域長はリッジ幅と同程度の数
μｍで抑えられる為、結合損失はほとんど問題ない。
【００１７】図６は、第１実施例のカップラにおいて、
平坦部３の形状が異なる場合で送受信部を内蔵する光増
幅器に応用した例を示す。縦方向のリッジ部は、電流注
入を行ない光アンプ部１４、１５を形成する。また、入
出力端面にはＡＲコート１８、１９が施されている。
平坦部３の形状が異なる場合で送受信部を内蔵する光増
幅器に応用した例を示す。縦方向のリッジ部は、電流注
入を行ない光アンプ部１４、１５を形成する。また、入
出力端面にはＡＲコート１８、１９が施されている。
【００１８】入力してきた波長λ１の光はＡＲコート１
８を通って導波路１に入り、光アンプ部１４で光増幅器
されてカップラ２に達する。ここで、その光パワーの一
部は反射されて受信部１７のフォトダイオードによって
検出され、また他部はカップラ２を透過して更に光アン
プ部１５で光増幅を受け出力側に達する。
８を通って導波路１に入り、光アンプ部１４で光増幅器
されてカップラ２に達する。ここで、その光パワーの一
部は反射されて受信部１７のフォトダイオードによって
検出され、また他部はカップラ２を透過して更に光アン
プ部１５で光増幅を受け出力側に達する。
【００１９】一方、送信部１６はＤＦＢ構造から成るレ
ーザを構成し、波長λ２の光波はカップラ２を介して出
力側へ送出する。この様に、カップラ２を含む集積化の
構造により、入力信号の検波、送出、及び自局信号の送
出が可能な機能的集積光ノードを実現することができ
る。
ーザを構成し、波長λ２の光波はカップラ２を介して出
力側へ送出する。この様に、カップラ２を含む集積化の
構造により、入力信号の検波、送出、及び自局信号の送
出が可能な機能的集積光ノードを実現することができ
る。
【００２０】図７は本発明による第２の実施例を示す。
本実施例では、平坦部２３に形成されたカップラ即ちス
リット２は導波路１の伝搬方向に対して垂直な面を形成
し、反射及び透過の比率を制御している。第２実施例の
デバイス構成は、図４の応用例と同じく、複合共振器型
のレーザとなり、安定した単一縦モードを維持すること
が可能となる。すなわち、へき開面２４、２５とカップ
ラ部２とから成る２つの共振器Ａ、Ｂの複合となり、共
振器の長さを微調することにより両者のリップル間隔が
異なりビート周波数を小さくすることが出来る為、複合
共振器として発振可能なスペクトル間隔を大きくし安定
縦モードを達成できる。
本実施例では、平坦部２３に形成されたカップラ即ちス
リット２は導波路１の伝搬方向に対して垂直な面を形成
し、反射及び透過の比率を制御している。第２実施例の
デバイス構成は、図４の応用例と同じく、複合共振器型
のレーザとなり、安定した単一縦モードを維持すること
が可能となる。すなわち、へき開面２４、２５とカップ
ラ部２とから成る２つの共振器Ａ、Ｂの複合となり、共
振器の長さを微調することにより両者のリップル間隔が
異なりビート周波数を小さくすることが出来る為、複合
共振器として発振可能なスペクトル間隔を大きくし安定
縦モードを達成できる。
【００２１】上記実施例においてはカップラとして、層
方向の界分布の中央付近で分割するタイプの波面分割分
岐型のカップラについて述べたが、界分布の下まで深く
加工したタイプのカップラにも適用出来ることは勿論で
ある。
方向の界分布の中央付近で分割するタイプの波面分割分
岐型のカップラについて述べたが、界分布の下まで深く
加工したタイプのカップラにも適用出来ることは勿論で
ある。
【００２２】図８はこうしたタイプの第３実施例を示
し、この第３実施例では、第１〜第２実施例で分岐比を
制御するのに層方向の界分布を波面分割（層方向波面分
割と称する）すべくスリットの加工深さを界分布の中央
に設定していたのに対して、水平方向の界分布の波面分
割（水平方向波面分割と称する）を行なう為に平坦部に
形成されたスリット３２の深さは導波路１の下部に達す
るまで深くし、スリット３２の水平方向の加工長さを界
分布の中央に設定している。
し、この第３実施例では、第１〜第２実施例で分岐比を
制御するのに層方向の界分布を波面分割（層方向波面分
割と称する）すべくスリットの加工深さを界分布の中央
に設定していたのに対して、水平方向の界分布の波面分
割（水平方向波面分割と称する）を行なう為に平坦部に
形成されたスリット３２の深さは導波路１の下部に達す
るまで深くし、スリット３２の水平方向の加工長さを界
分布の中央に設定している。
【００２３】図８のＤ−Ｄ´断面図である図９に示す通
り、スリット３２の加工深さは層方向界分布（斜線部で
示す）の下部に達するまで深くなっている。
り、スリット３２の加工深さは層方向界分布（斜線部で
示す）の下部に達するまで深くなっている。
【００２４】第３実施例の場合、加工深さに対して厳し
い制限はないが、水平加工端、特に中央部Ｅでの加工形
状に関しては精度を高める必要がある。
い制限はないが、水平加工端、特に中央部Ｅでの加工形
状に関しては精度を高める必要がある。
【００２５】図１０は本発明による第４実施例の上面図
である。本実施例は、平坦部４３にＶ字形のスリット４
２を形成し、その頂点４２ａを水平方向の界分布の中心
付近に設定し、加工深さを層方向の界分布の下部まで深
くした構造となっている。
である。本実施例は、平坦部４３にＶ字形のスリット４
２を形成し、その頂点４２ａを水平方向の界分布の中心
付近に設定し、加工深さを層方向の界分布の下部まで深
くした構造となっている。
【００２６】第４実施例では、ＤＦＢレーザ構造４６及
び４７から送出される光波（波長λ1及びλ2）は分岐カ
ップラ４２によって合波され、更に光アンプ部４５で光
増幅を受け、ＡＲコート４４が施された出力端面から２
波多重化した光信号の送出を行なう。
び４７から送出される光波（波長λ1及びλ2）は分岐カ
ップラ４２によって合波され、更に光アンプ部４５で光
増幅を受け、ＡＲコート４４が施された出力端面から２
波多重化した光信号の送出を行なう。
【００２７】以上の実施例においては、活性領域とダブ
ルヘテロ構造で形成したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、多重量子井戸構造、単一量子井戸構造な
どであってもよい。また、以上の実施例においてはＦＩ
ＢＥによりスリットを形成したが、ＲＩＢＥ（反応性イ
オンビームエッチング）等のエッチング技術であっても
よい。
ルヘテロ構造で形成したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、多重量子井戸構造、単一量子井戸構造な
どであってもよい。また、以上の実施例においてはＦＩ
ＢＥによりスリットを形成したが、ＲＩＢＥ（反応性イ
オンビームエッチング）等のエッチング技術であっても
よい。
【００２８】更に、以上の実施例においては、ＧａＡｓ
系を用いたリッジウェーブ型構造を例にとって述べた
が、ＢＨ（埋め込みヘテロストライプ）構造、ＣＰＳ構
造（チャネル基板プレーナストライプ）、電流光の狭窄
の為の吸収層を活性層近くに設けた構造等の屈折率導波
型のレーザに対しても有効である。
系を用いたリッジウェーブ型構造を例にとって述べた
が、ＢＨ（埋め込みヘテロストライプ）構造、ＣＰＳ構
造（チャネル基板プレーナストライプ）、電流光の狭窄
の為の吸収層を活性層近くに設けた構造等の屈折率導波
型のレーザに対しても有効である。
【００２９】更に加えて、半導体レーザの材料はＧａＡ
ｓ・ＡｌＧａＡｓ系の他、ＩｎＰ・ＩｎＧａＡｓＰ系、
ＡｌＧａＩｎＰ系等の材料に対しても同様に当てはまる
のは言うまでもない。
ｓ・ＡｌＧａＡｓ系の他、ＩｎＰ・ＩｎＧａＡｓＰ系、
ＡｌＧａＩｎＰ系等の材料に対しても同様に当てはまる
のは言うまでもない。
【００３０】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、カ
ップラ形成部位を予め平坦化した構造としているので、
波面分割型カップラ形成の際に問題となる加工深さの制
御性（特に均一性）を著しく高めることができ、分岐
比、結合効率の安定したカップラの作製が可能となる。
ップラ形成部位を予め平坦化した構造としているので、
波面分割型カップラ形成の際に問題となる加工深さの制
御性（特に均一性）を著しく高めることができ、分岐
比、結合効率の安定したカップラの作製が可能となる。
【図１】本発明の第１実施例を示すカップラ上面図であ
る。
る。
【図２】図１のＡ−Ａ´断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ´断面図である。
【図４】第１実施例のカップラを干渉分岐型レーザに適
用した例を示すデバイス上面図である。
用した例を示すデバイス上面図である。
【図５】リッジ導波路の構造を示す図４のＣ−Ｃ´断面
図である。
図である。
【図６】第１実施例の平坦部の変形例を用いたカップラ
を送受信機能を有する光増幅器に適用した例を示すデバ
イス上面図である。
を送受信機能を有する光増幅器に適用した例を示すデバ
イス上面図である。
【図７】第２実施例を示すカップラ上面図である。
【図８】第３実施例を示すカップラ上面図である。
【図９】図８のＤ−Ｄ′断面図である。
【図１０】波長多重化送信デバイスである第４実施例を
示すカップラ上面図である。
示すカップラ上面図である。
【図１１】従来例を示すカップラの上面図である。
【図１２】図１１のＡ−Ａ´断面図である。
【図１３】図１１のＢ−Ｂ´断面図である。
【図１４】図１１のＣ−Ｃ´断面図である。
１ リッジ導波路 １ａ，１８，１９，４４ ＡＲコート ２，２２，３２ スリット ３，２３，３３，４３ 平坦部 ４，１０ 電極 ５ 基板 ６，８ クラッド層 ７ 活性層 ９ キャップ層 １３ 絶縁層 １４，１５，４５ 光アンプ部 １６ 送信部 １７ 受信部 ２４，２５ へき開面 ４６，４７ ＤＦＢレーザ構造 ４２ Ｖ字型スリット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 6/12 - 6/14
Claims (7)
- 【請求項１】チャンネル光導波路構造で光波の分岐ある
いは結合を行なう集積型の光カップラにおいて、光カッ
プラ形成部位は、該カップラ形成部位に接続されるリッ
ジ状導波路と高さが等しく、かつ該リッジ状導波路の横
方向の光の界分布の広がり分の幅を有する平坦領域であ
り、該平坦領域の表面から層方向に加工された部分が形
成されて該部分を用いて波面分割型の分岐、結合を行な
うことを特徴とする集積型光カップラ。 - 【請求項２】前記カップラ形成部位には、その平坦領域
の表面から層方向に加工されたスリットが形成されてい
る請求項１記載の集積型光カップラ。 - 【請求項３】前記カップラ形成部位には、層方向の光界
分布の波面分割を行なう様に、前記スリットの層方向の
加工先端が、層方向の界分布の中心が位置する前記リッ
ジ状導波路の活性層部分にある請求項２記載の集積型光
カップラ。 - 【請求項４】前記スリットは、水平方向の光界分布の波
面分割を行なう様に、前記スリットの水平方向の加工先
端が、界分布の中心に位置する請求項２記載の集積型光
カップラ。 - 【請求項５】前記チャンネル光導波路構造はＸ字型の交
差部を有する請求項１記載の集積型光カップラ。 - 【請求項６】前記チャンネル光導波路構造はＴ字型の交
差部を有する請求項１記載の集積型光カップラ。 - 【請求項７】前記光カップラによるチャンネル光導波路
構造間の結合によって複合の共振器が形成されている請
求項１記載の光集積型光カップラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17169691A JP3104801B2 (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 集積型光カップラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17169691A JP3104801B2 (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 集積型光カップラ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04368902A JPH04368902A (ja) | 1992-12-21 |
| JP3104801B2 true JP3104801B2 (ja) | 2000-10-30 |
Family
ID=15927994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17169691A Expired - Fee Related JP3104801B2 (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 集積型光カップラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3104801B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006337748A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 光導波路及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-06-17 JP JP17169691A patent/JP3104801B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04368902A (ja) | 1992-12-21 |
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