JP3104800B2 - 集積型光カップラの製造方法 - Google Patents
集積型光カップラの製造方法Info
- Publication number
- JP3104800B2 JP3104800B2 JP16367191A JP16367191A JP3104800B2 JP 3104800 B2 JP3104800 B2 JP 3104800B2 JP 16367191 A JP16367191 A JP 16367191A JP 16367191 A JP16367191 A JP 16367191A JP 3104800 B2 JP3104800 B2 JP 3104800B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical coupler
- coupler
- manufacturing
- waveguide
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光導波路に設けられて
波面分割型の光の分岐、結合を行なう集積型の光カップ
ラに関する。
波面分割型の光の分岐、結合を行なう集積型の光カップ
ラに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、交差する光導波路の分岐、結合を
行なう為に、図１１に示す様に、導波路１０２の交差部
に微細なスリット１０１を層方向に形成し、光の透過、
反射を制御するカップラを構成することが提案されてい
る。こうした集積カップラの試作例として、十字型の分
岐干渉型のレーザが報告されている（例えば、Ｊ．Ｓａ
ｌｔｚｍａｎ ｅｔ．ａｌ．“Ｃｒｏｓｓ ｃｏｕｐｌ
ｅｄ ｃａｖｉｔｙ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｌ
ａｓｅｒ”，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５２，１
０，ｐｐ．７６７〜７６９（Ｍａｒｃｈ １９８８）参
照）。
行なう為に、図１１に示す様に、導波路１０２の交差部
に微細なスリット１０１を層方向に形成し、光の透過、
反射を制御するカップラを構成することが提案されてい
る。こうした集積カップラの試作例として、十字型の分
岐干渉型のレーザが報告されている（例えば、Ｊ．Ｓａ
ｌｔｚｍａｎ ｅｔ．ａｌ．“Ｃｒｏｓｓ ｃｏｕｐｌ
ｅｄ ｃａｖｉｔｙ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｌ
ａｓｅｒ”，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５２，１
０，ｐｐ．７６７〜７６９（Ｍａｒｃｈ １９８８）参
照）。
【０００３】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記従来例では、光導波路の横方向の閉じ込め構造（典型
的にはリッジ型構造）が存在するので、スリットを加工
する前の十字分岐部が非平坦となり、加工深さが中央部
と両端では大きく異なっていた。一般に、光導波光の横
方向の界分布は導波路幅より広がっており、カップラ先
端部の加工深さが異なることは結合効率、分岐比の制御
を困難にする。
記従来例では、光導波路の横方向の閉じ込め構造（典型
的にはリッジ型構造）が存在するので、スリットを加工
する前の十字分岐部が非平坦となり、加工深さが中央部
と両端では大きく異なっていた。一般に、光導波光の横
方向の界分布は導波路幅より広がっており、カップラ先
端部の加工深さが異なることは結合効率、分岐比の制御
を困難にする。
【０００４】この問題点を、図１１のＨ−Ｈ′断面図及
びＩ−Ｉ′断面図である図１２と図１３に沿って判り易
く説明する。図１２と図１３において、１０３は基板、
１０４、１０６はクラッド層、１０５は導波路コア層、
１０７、１０９は夫々Ｈ−Ｈ´断面、Ｉ−Ｉ´断面にお
ける光導波光の界分布の様子、１０８は光導波路を形成
するリッジ部である。この様なリッジ導波路１０２の交
差部にＦＩＢＥ（集束性イオンビームエッチング）、Ｒ
ＩＢＥ（反応性イオンビームエッチング）などでスリッ
ト１０１を形成すると、図１３に示す様に、加工深さが
不均一になり、中央部Ｋ付近で、光導波光の層方向の界
分布１０９を分割する様にスリット１０１の加工深さを
その界分布の中央付近に設定しても、両端部Ｊ、Ｌでは
加工深さが深くなりすぎ（リッジ部１０８がないの
で）、反射の効率が高まる。その為、目標の分岐効率を
得る為の加工深さの制御が極めて困難になる。即ち、ス
リットの先端位置で分割比（透過／反射の比）を制御す
ることが困難になる。
びＩ−Ｉ′断面図である図１２と図１３に沿って判り易
く説明する。図１２と図１３において、１０３は基板、
１０４、１０６はクラッド層、１０５は導波路コア層、
１０７、１０９は夫々Ｈ−Ｈ´断面、Ｉ−Ｉ´断面にお
ける光導波光の界分布の様子、１０８は光導波路を形成
するリッジ部である。この様なリッジ導波路１０２の交
差部にＦＩＢＥ（集束性イオンビームエッチング）、Ｒ
ＩＢＥ（反応性イオンビームエッチング）などでスリッ
ト１０１を形成すると、図１３に示す様に、加工深さが
不均一になり、中央部Ｋ付近で、光導波光の層方向の界
分布１０９を分割する様にスリット１０１の加工深さを
その界分布の中央付近に設定しても、両端部Ｊ、Ｌでは
加工深さが深くなりすぎ（リッジ部１０８がないの
で）、反射の効率が高まる。その為、目標の分岐効率を
得る為の加工深さの制御が極めて困難になる。即ち、ス
リットの先端位置で分割比（透過／反射の比）を制御す
ることが困難になる。
【０００５】リッジ部を導波路コア層１０５の下部まで
深く加工した導波路構造も考えられるが、この場合も横
のエッジ部で加工深さが大きくなり、中央部との不均一
性が発生すると言う問題がある。
深く加工した導波路構造も考えられるが、この場合も横
のエッジ部で加工深さが大きくなり、中央部との不均一
性が発生すると言う問題がある。
【０００６】また、上記従来例では、リッジ導波路を形
成した後、ＦＩＢＥ、ＲＩＢＥなどでスリット１０１を
形成するので、そのためのプロセス工程が必要なので再
現性、歩留りが低下するという課題もある。
成した後、ＦＩＢＥ、ＲＩＢＥなどでスリット１０１を
形成するので、そのためのプロセス工程が必要なので再
現性、歩留りが低下するという課題もある。
【０００７】よって、本発明の目的は、上記の課題に鑑
み、波面分割型カップラ形成の際の加工深さの均一性、
加工位置の精度を高めて分岐比、結合効率の制御を容易
にする構成を有する集積型カップラおよびその製造方法
を提供することにある。
み、波面分割型カップラ形成の際の加工深さの均一性、
加工位置の精度を高めて分岐比、結合効率の制御を容易
にする構成を有する集積型カップラおよびその製造方法
を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の集積型光カップラの製造方法は、チャンネル光導波
路に光波の分岐・結合を行なう為に構成される集積型光
カップラの製造方法において、リッジ状の該チャンネル
光導波路と該光導波路に該光カップラを構成するスリッ
トとを同時に形成する工程、及び該リッジ状のチャンネ
ル光導波路形成のためにエッチングされた部位を埋め込
む工程を有することを特徴とする。
明の集積型光カップラの製造方法は、チャンネル光導波
路に光波の分岐・結合を行なう為に構成される集積型光
カップラの製造方法において、リッジ状の該チャンネル
光導波路と該光導波路に該光カップラを構成するスリッ
トとを同時に形成する工程、及び該リッジ状のチャンネ
ル光導波路形成のためにエッチングされた部位を埋め込
む工程を有することを特徴とする。
【０００９】
【００１０】この様に光カップラを構成するスリットと
リッジ状のチャンネル光導波路を同時に形成し、その
後、該リッジ状のチャンネル光導波路形成のためにエッ
チングされた部位を埋め込むことにより、カップラを構
成するスリット、エッチング部などの加工深さが正確に
制御され（例えば一様にされ）、また加工位置の精度が
高められ、分岐比、結合効率の制御が容易になる。
リッジ状のチャンネル光導波路を同時に形成し、その
後、該リッジ状のチャンネル光導波路形成のためにエッ
チングされた部位を埋め込むことにより、カップラを構
成するスリット、エッチング部などの加工深さが正確に
制御され（例えば一様にされ）、また加工位置の精度が
高められ、分岐比、結合効率の制御が容易になる。
【００１１】
【実施例】図１は、本発明による第１の実施例のデバイ
スの上面図であり、同図において、１はリッジ導波路、
２はカップラとなる微細スリット、３は埋め込み部であ
る。
スの上面図であり、同図において、１はリッジ導波路、
２はカップラとなる微細スリット、３は埋め込み部であ
る。
【００１２】図２は図１のＡ−Ａ´断面図（左右方向に
伸びる導波路１に沿った断面）であり、同図において、
４、１０は上下面に形成されたＡｕ電極、５はｎ−Ｇａ
Ａｓ基板、６−はｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、７はＧ
ａＡｓ活性層、８はｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、９は
ｐ+−ＧａＡｓキャップ層である。図２に示す様に、ス
リット２の加工先端は層方向の界分布１１の中央付近ま
でとし（即ち、界分布１１の中心が位置する活性層７部
分まで）、積層方向の波面分割を行なっている。
伸びる導波路１に沿った断面）であり、同図において、
４、１０は上下面に形成されたＡｕ電極、５はｎ−Ｇａ
Ａｓ基板、６−はｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、７はＧ
ａＡｓ活性層、８はｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、９は
ｐ+−ＧａＡｓキャップ層である。図２に示す様に、ス
リット２の加工先端は層方向の界分布１１の中央付近ま
でとし（即ち、界分布１１の中心が位置する活性層７部
分まで）、積層方向の波面分割を行なっている。
【００１３】図１のＢ−Ｂ´断面図（スリット２の水平
方向伸長方向に沿った断面）である図３に示す如く、電
流狭窄、光の閉じ込めのため、ｎ−ＡｌＧａＡｓ埋め込
み層３がスリット２以外の部分に形成されており、スリ
ット２の水平方向に亙る加工深さの均一性が良く、横方
向の界分布１２の全体に亙って精度良く（この場合、均
一な）層方向波面分割を行なっている。よって、分岐比
（界分布１２のうちスリット２の断面と重なる反射成分
とスリット２の断面と重ならない透過成分との比）の制
御が容易となる。
方向伸長方向に沿った断面）である図３に示す如く、電
流狭窄、光の閉じ込めのため、ｎ−ＡｌＧａＡｓ埋め込
み層３がスリット２以外の部分に形成されており、スリ
ット２の水平方向に亙る加工深さの均一性が良く、横方
向の界分布１２の全体に亙って精度良く（この場合、均
一な）層方向波面分割を行なっている。よって、分岐比
（界分布１２のうちスリット２の断面と重なる反射成分
とスリット２の断面と重ならない透過成分との比）の制
御が容易となる。
【００１４】図４と図５は、第１実施例のカップラを複
合共振器の一種である干渉分岐型レーザの構成に用いた
適用例を示す。十字に交差するリッジ型導波路１が形成
され、夫々の導波路１の外側の導波路端１ａはへき開面
で形成されるミラーとなっている。リッジ上部には電極
４が、図４に斜線部で示すパターンで形成され、活性層
７への電流注入を可能としている。図５には、図４のＣ
−Ｃ´線に沿ったリッジ部の断面構造が示されており
（図２の符号と同一のものは同一の部位を示す）、リッ
ジ部キャップ層９からの電流注入を行なう為にリッジ側
部には、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層３が埋め込まれている。
合共振器の一種である干渉分岐型レーザの構成に用いた
適用例を示す。十字に交差するリッジ型導波路１が形成
され、夫々の導波路１の外側の導波路端１ａはへき開面
で形成されるミラーとなっている。リッジ上部には電極
４が、図４に斜線部で示すパターンで形成され、活性層
７への電流注入を可能としている。図５には、図４のＣ
−Ｃ´線に沿ったリッジ部の断面構造が示されており
（図２の符号と同一のものは同一の部位を示す）、リッ
ジ部キャップ層９からの電流注入を行なう為にリッジ側
部には、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層３が埋め込まれている。
【００１５】図４のデバイスは、縦方向と横方向の共振
器がカップラ２を介して相互に結合している構成となっ
ている為、複合の共振器型のレーザを形成し、発振スペ
クトルの単一縦モード化及び安定化を図ることが出来
る。
器がカップラ２を介して相互に結合している構成となっ
ている為、複合の共振器型のレーザを形成し、発振スペ
クトルの単一縦モード化及び安定化を図ることが出来
る。
【００１６】次に、本例の作製プロセスを説明する。先
ず、ｎ−ＧａＡｓ基板５に分子線エピタキシー法（ＭＢ
Ｅ法）等でｎ−クラッド層６からキャップ層９までエピ
成長を行なう。次に、スパッタ蒸着等によりＳｉＯ2膜
を全面に堆積した後、フォトリソグラフィーとエッチン
グによりスリット部２を含むリッジ導波路パターン（十
字パターン）を形成し、ＲＩＢＥにより、活性層７の中
間部辺りまで、リッジ導波路１とカップラ部であるスリ
ット２を加工する。更に、リッジ上部に残っているＳｉ
Ｏ2膜をマスクとして、ＬＰＥ法等でスリット２以外の
エッチングされた部分に高抵抗のｎ−ＡｌＧａＡｓ３を
選択成長して平坦化する。最後に、基板５研磨を行なっ
て上下両面にＡｕ膜４、１０を蒸着し、コンタクトを取
る為アロイ処理を行なう。
ず、ｎ−ＧａＡｓ基板５に分子線エピタキシー法（ＭＢ
Ｅ法）等でｎ−クラッド層６からキャップ層９までエピ
成長を行なう。次に、スパッタ蒸着等によりＳｉＯ2膜
を全面に堆積した後、フォトリソグラフィーとエッチン
グによりスリット部２を含むリッジ導波路パターン（十
字パターン）を形成し、ＲＩＢＥにより、活性層７の中
間部辺りまで、リッジ導波路１とカップラ部であるスリ
ット２を加工する。更に、リッジ上部に残っているＳｉ
Ｏ2膜をマスクとして、ＬＰＥ法等でスリット２以外の
エッチングされた部分に高抵抗のｎ−ＡｌＧａＡｓ３を
選択成長して平坦化する。最後に、基板５研磨を行なっ
て上下両面にＡｕ膜４、１０を蒸着し、コンタクトを取
る為アロイ処理を行なう。
【００１７】最後に、４端面１ａのへき開を行ない、ス
テムに実装し電極４のワイヤボンディングを施して完成
する。
テムに実装し電極４のワイヤボンディングを施して完成
する。
【００１８】図６は、第１実施例のカップラを送受信部
を内蔵する光増幅器に応用した例を示す。縦方向のリッ
ジ部は、電流注入を行ない光アンプ部１４、１５を形成
する。また、入出力端面にはＡＲ（無反射）コート１
８、１９が施されている。入力してきた波長λ１の光は
ＡＲコート１８を通って導波路１に入り、光アンプ部１
４で光増幅されてカップラ２に達する。ここで、その光
パワーの一部は反射されて受信部１７のフォトダイオー
ドによって検出され、また他部はカップラ２を透過して
更に光アンプ部１５で光増幅を受け出力側に達する。
を内蔵する光増幅器に応用した例を示す。縦方向のリッ
ジ部は、電流注入を行ない光アンプ部１４、１５を形成
する。また、入出力端面にはＡＲ（無反射）コート１
８、１９が施されている。入力してきた波長λ１の光は
ＡＲコート１８を通って導波路１に入り、光アンプ部１
４で光増幅されてカップラ２に達する。ここで、その光
パワーの一部は反射されて受信部１７のフォトダイオー
ドによって検出され、また他部はカップラ２を透過して
更に光アンプ部１５で光増幅を受け出力側に達する。
【００１９】一方、送信部１６は分布帰還型（ＤＦＢ）
構造から成るレーザを構成し、波長λ２の光波をカップ
ラ２を介して出力側へ送出する。この様に、カップラ２
を含む集積化の構造により、入力信号の検波、送出、及
び自局信号の送出が可能な機能的集積光ノードを実現す
ることができる。
構造から成るレーザを構成し、波長λ２の光波をカップ
ラ２を介して出力側へ送出する。この様に、カップラ２
を含む集積化の構造により、入力信号の検波、送出、及
び自局信号の送出が可能な機能的集積光ノードを実現す
ることができる。
【００２０】図７は本発明による第２の実施例を示す。
本実施例では、スリット２2は導波路１の伝搬方向に対
して垂直な面を形成し、反射及び透過の比率を制御して
いる。第２実施例のデバイス構成は、図４の応用例と同
じく、複合共振器型のレーザとなり、安定した単一縦モ
ードを維持することが可能となる。すなわち、へき開面
２４、２５とカップラ部２2とから成る2つの共振器Ｄ、
Ｅの複合となり、共振器の長さを微調することにより両
者のリップル間隔が異なりビート周波数を小さくするこ
とが出来る為、複合共振器として発振可能なスペクトル
間隔を大きくし安定縦モードを達成できる。
本実施例では、スリット２2は導波路１の伝搬方向に対
して垂直な面を形成し、反射及び透過の比率を制御して
いる。第２実施例のデバイス構成は、図４の応用例と同
じく、複合共振器型のレーザとなり、安定した単一縦モ
ードを維持することが可能となる。すなわち、へき開面
２４、２５とカップラ部２2とから成る2つの共振器Ｄ、
Ｅの複合となり、共振器の長さを微調することにより両
者のリップル間隔が異なりビート周波数を小さくするこ
とが出来る為、複合共振器として発振可能なスペクトル
間隔を大きくし安定縦モードを達成できる。
【００２１】上記実施例においては、カップラとして、
層方向の界分布の中央付近で分割するタイプの波面分割
分岐型のカップラについて述べたが、界分布の下まで深
く加工したタイプのカップラにも適用出来ることは勿論
である。
層方向の界分布の中央付近で分割するタイプの波面分割
分岐型のカップラについて述べたが、界分布の下まで深
く加工したタイプのカップラにも適用出来ることは勿論
である。
【００２２】図８と図９はこうしたタイプの第３実施例
を示し、この第３実施例では、第１、第２実施例で分岐
比を制御するのに層方向の界分布を波面分割（層方向波
面分割と称する）すべくスリットの加工深さを界分布の
中央に設定していたのに対して、水平方向の界分布の波
面分割（水平方向波面分割と称する）を行なう為に平坦
部に形成されたスリット３２の深さは導波路１の下部に
達するまで深くし、スリット３２の水平方向の加工長さ
を界分布の中央Ｇに設定している。
を示し、この第３実施例では、第１、第２実施例で分岐
比を制御するのに層方向の界分布を波面分割（層方向波
面分割と称する）すべくスリットの加工深さを界分布の
中央に設定していたのに対して、水平方向の界分布の波
面分割（水平方向波面分割と称する）を行なう為に平坦
部に形成されたスリット３２の深さは導波路１の下部に
達するまで深くし、スリット３２の水平方向の加工長さ
を界分布の中央Ｇに設定している。
【００２３】図８のＦ−Ｆ´断面図である図９に示す通
り、スリット３２の加工深さは層方向界分布（斜線部で
示す）の下部に達するまで深くなっている。
り、スリット３２の加工深さは層方向界分布（斜線部で
示す）の下部に達するまで深くなっている。
【００２４】第３実施例の場合、電流狭窄と光閉じ込め
の為、ｐ−ＡｌＧａＡｓ３ａ、ｎ−ＡｌＧａＡｓ３ｂを
それぞれＬＰＥ等で選択成長を行なっている。
の為、ｐ−ＡｌＧａＡｓ３ａ、ｎ−ＡｌＧａＡｓ３ｂを
それぞれＬＰＥ等で選択成長を行なっている。
【００２５】図１０は、本発明による第４実施例の上面
図である。本実施例はチャンネル導波路の交差部にＶ字
形のスリット４２が形成され、その頂点４２ａを水平方
向の界分布の中心付近に設定し、加工深さを層方向の界
分布の下部まで深くした構造となっている。
図である。本実施例はチャンネル導波路の交差部にＶ字
形のスリット４２が形成され、その頂点４２ａを水平方
向の界分布の中心付近に設定し、加工深さを層方向の界
分布の下部まで深くした構造となっている。
【００２６】第４実施例では、ＤＦＢレーザ構造４６及
び４７から送出される光波（波長λ１及びλ２）は分岐
カップラ４２によって合波され、更に光アンプ部４５で
光増幅を受け、ＡＲコート４４が施された出力端面から
２波多重化した光信号の送出を行なう。
び４７から送出される光波（波長λ１及びλ２）は分岐
カップラ４２によって合波され、更に光アンプ部４５で
光増幅を受け、ＡＲコート４４が施された出力端面から
２波多重化した光信号の送出を行なう。
【００２７】以上の実施例において、活性領域をダブル
ヘテロ構造で形成したが、本発明はこれに限定されるも
のでなく、多重量子井戸構造、単一量子井戸構造などで
あってもよい。
ヘテロ構造で形成したが、本発明はこれに限定されるも
のでなく、多重量子井戸構造、単一量子井戸構造などで
あってもよい。
【００２８】更に、半導体レーザの材料はＧａＡｓ、Ａ
ｌＧａＡｓ系の他、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＡｌＧ
ａＩｎＰ系等の材料に対しても同様に当てはまるのは言
うまでもない。
ｌＧａＡｓ系の他、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＡｌＧ
ａＩｎＰ系等の材料に対しても同様に当てはまるのは言
うまでもない。
【００２９】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、カ
ップラと導波路を同時に形成するので、波面分割型カッ
プラ形成の際に問題となる加工深さの制御性（特に均一
性）、および加工の位置精度を著しく高めることがで
き、分岐比、結合効率の安定したカップラの作製が可能
となる。
ップラと導波路を同時に形成するので、波面分割型カッ
プラ形成の際に問題となる加工深さの制御性（特に均一
性）、および加工の位置精度を著しく高めることがで
き、分岐比、結合効率の安定したカップラの作製が可能
となる。
【図１】本発明の第１実施例を示すカップラ上面図であ
る。
る。
【図２】図１のＡ−Ａ´断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ´断面図である。
【図４】第１実施例のカップラを干渉分岐型レーザに適
用した例を示すデバイス上面図である。
用した例を示すデバイス上面図である。
【図５】リッジ導波路の構造を示す図４のＣ−Ｃ´断面
図である。
図である。
【図６】第１実施例のカップラを送受信機能を有する光
増幅器に適用した例を示すデバイス上面図である。
増幅器に適用した例を示すデバイス上面図である。
【図７】本発明の第２実施例を示すカップラ上面図であ
る。
る。
【図８】本発明の第３実施例を示すカップラ上面図であ
る。
る。
【図９】図８のＦ−Ｆ´断面図である。
【図１０】波長多重化送信デバイスである第４実施例を
示すカップラ上面図である。
示すカップラ上面図である。
【図１１】従来例を示すカップラの上面図である。
【図１２】図１１のＨ−Ｈ´断面図である。
【図１３】図１１のＩ−Ｉ´断面図である。
１ リッジ導
波路 １ａ，１８，１９，４４ ＡＲコー
ト ２，２２，３２ スリット ３，３ａ，３ｂ 埋め込み
層 ４，１０ 電極 ５ 基板 ６，８ クラッド
層 ７ 活性層 ９ キャップ
層 １４，１５，４５ 光アンプ
部 １６ 送信部 １７ 受信部 ２４，２５ へき開面 ４６，４７ ＤＦＢレ
ーザ構造 ４２ Ｖ字型ス
リット
波路 １ａ，１８，１９，４４ ＡＲコー
ト ２，２２，３２ スリット ３，３ａ，３ｂ 埋め込み
層 ４，１０ 電極 ５ 基板 ６，８ クラッド
層 ７ 活性層 ９ キャップ
層 １４，１５，４５ 光アンプ
部 １６ 送信部 １７ 受信部 ２４，２５ へき開面 ４６，４７ ＤＦＢレ
ーザ構造 ４２ Ｖ字型ス
リット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 6/12 - 6/14
Claims (10)
- 【請求項１】チャンネル光導波路に光波の分岐・結合を
行なう為に構成される集積型光カップラの製造方法にお
いて、リッジ状の該チャンネル光導波路と該光導波路に
該光カップラを構成するスリットとを同時に形成する工
程、及び該リッジ状のチャンネル光導波路形成のために
エッチングされた部位を埋め込む工程を有することを特
徴とする集積型光カップラの製造方法。 - 【請求項２】前記埋め込む工程は、前記光カップラを構
成する前記スリット以外の部位を埋め込む工程である請
求項１記載の集積型光カップラの製造方法。 - 【請求項３】前記光カップラは層方向の光界分布の波面
分割を行なう様に構成されている請求項1記載の集積型
光カップラの製造方法。 - 【請求項４】前記光カップラは水平方向の光界分布の波
面分割を行なう様に構成される請求項1記載の集積型光
カップラの製造方法。 - 【請求項５】前記チャンネル光導波路は交差部を有し、
そこに前記光カップラを構成する前記スリットが形成さ
れて光波の分岐・結合を行なう請求項１記載の集積型光
カップラの製造方法。 - 【請求項６】前記交差部はX字型である請求項５記載の
集積型光カップラの製造方法。 - 【請求項７】前記交差部はＴ字型である請求項５記載の
集積型光カップラの製造方法。 - 【請求項８】前記リッジ状のチャンネル光導波路と前記
光カップラを構成するスリットを同時に形成する工程
は、ＲＩＢＥにより行われる請求項1記載の集積型光カ
ップラの製造方法。 - 【請求項９】前記チャンネル光導波路は半導体基板上に
形成され、層方向には活性層を含む導波路が形成されて
いる請求項1記載の集積型光カップラの製造方法。 - 【請求項１０】前記集積型光カップラによるチャンネル
光導波路間の結合によって複合の共振器が形成されてい
る請求項1記載の光集積型光カップラの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16367191A JP3104800B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 集積型光カップラの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16367191A JP3104800B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 集積型光カップラの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04361236A JPH04361236A (ja) | 1992-12-14 |
| JP3104800B2 true JP3104800B2 (ja) | 2000-10-30 |
Family
ID=15778383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16367191A Expired - Fee Related JP3104800B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 集積型光カップラの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3104800B2 (ja) |
-
1991
- 1991-06-07 JP JP16367191A patent/JP3104800B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04361236A (ja) | 1992-12-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0898348B1 (en) | Semiconductor optical amplifier | |
| US9780530B2 (en) | Semiconductor integrated optical device, manufacturing method thereof and optical module | |
| JP4117854B2 (ja) | 導波路型光集積回路素子及びその製造方法 | |
| JP2008113041A (ja) | 導波管 | |
| JP3043796B2 (ja) | 集積型光カップラ | |
| EP0519475B1 (en) | Optical device with an optical coupler for effecting light branching and/or combining and an optical amplifier and corresponding method of use | |
| JP3382471B2 (ja) | 半導体光デバイス及びそれを用いた光ネットワーク | |
| JP3061169B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP3104800B2 (ja) | 集積型光カップラの製造方法 | |
| JP2965011B2 (ja) | 半導体光素子及びその製造方法 | |
| JP3104801B2 (ja) | 集積型光カップラ | |
| JPH05273421A (ja) | 集積型光カップラ及びそれを用いた光送受信機及び光通信システム | |
| JP4146974B2 (ja) | 光半導体装置及び光伝送システム | |
| JP4100792B2 (ja) | スポットサイズ変換器付き半導体レーザ装置、及びその製造方法 | |
| US5424242A (en) | Method for making an optoelectronic amplifier device, and applications to various optoelectronic | |
| JP2728974B2 (ja) | 光集積装置 | |
| JP3387751B2 (ja) | 偏波変調可能な半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP3311238B2 (ja) | 光半導体装置、及びその製造方法 | |
| JPH0449274B2 (ja) | ||
| JP3104817B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2836051B2 (ja) | 光波長フィルター | |
| JPH06160653A (ja) | 集積型光カップラとその製造方法及びその使用法 | |
| JPH0850213A (ja) | 集積型光カップラ及びその使用方法 | |
| JPH04151886A (ja) | 光半導体素子 | |
| EP1309050A1 (en) | Laser device and method therefor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |