JP2005183821A - 半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 積層構造の表面からp側クラッド層18の中間位置に至る部分は、帯状のリッジ部20aとなっており、その表面のp側電極52は、導波方向に垂直な方向に揺らぎ、周期的にその幅が変化している。リッジ部20aの裾部20bも同じく、その表面が導波方向に垂直な方向に揺らぐ形状をしている。すなわち、p側クラッド層18の層厚が周期的に変化している。リッジ部20aの側面および裾部20bの表面領域は保護層21により覆われている。p側電極52によるインデックスガイド的(ゲインガイド的)となる領域と、裾部20bのインデックスガイド的(ゲインガイド的)となる領域とが一致し、両者が相まってキャリアおよび光を活性層16内部の活性領域に対してより効果的に閉じ込めることができる。これにより横モードが安定化し、ビーム特性が向上する。
【選択図】 図1
Description
Roland Diehl 、" High-power Diode Laser Fundamentals, Technology,Applications"、Springer社 實野孝久ら、「半導体レーザビームの整形技術」、レーザ研究2003年5月号
Claims (14)
- 少なくとも第1導電型のクラッド層、発光領域となる活性層および第2導電型のクラッド層をこの順に積層してなる積層構造を有する半導体発光素子であって、
前記積層構造の表面から前記第2導電型のクラッド層の中間位置に至る部分に、前記活性層で生じた光の導波方向に沿って設けられた帯状のリッジ部と、
前記リッジ部の表面に設けられると共に、その少なくとも一方の縁が前記導波方向に垂直な方向に揺らぐ形状を有する第2導電型の電極と、
前記第2導電型のクラッド層の一部により前記リッジ部に連続して形成されると共に、前記導波方向に沿って、その表面が前記導波方向に垂直な方向に揺らぐ形状を有する裾部と、
少なくとも前記リッジ部の側面および裾部の表面を覆う絶縁層
とを備えたことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記電極は、少なくとも一方の縁が波形である
ことを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。 - 前記電極の波形形状は周期的に変化してなる
ことを特徴とする請求項2記載の半導体発光素子。 - 前記電極の波形形状の周期的な変化は3回以上繰り返される
ことを特徴とする請求項3記載の半導体発光素子。 - 前記電極の両側の縁の形状は前記電極の中心線に対して互いに線対称である
ことを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。 - 前記電極は前記導波方向に沿って幅の広い幅広部と幅の狭い幅狭部とを交互に有する
ことを特徴とする請求項5記載の半導体発光素子。 - 前記電極の幅狭部の幅は1〜10μm、幅広部の幅は10μm以上である
ことを特徴とする請求項6記載の半導体発光素子。 - 前記導波方向の端に前記電極の幅広部が対応している
ことを特徴とする請求項6記載の半導体発光素子。 - 前記裾部の表面は波形である
ことを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。 - 前記裾部の表面の波形形状は周期的に変化してなる
ことを特徴とする請求項9記載の半導体発光素子。 - 前記裾部は層の厚みが大きな層厚部と層の厚みが小さな層薄部とを交互に有する
ことを特徴とする請求項10記載の半導体発光素子。 - 前記導波方向の端に前記裾部の層厚部が対応している
ことを特徴とする請求項11記載の半導体発光素子。 - 前記裾部の表面の形状と前記電極の縁の形状とが同一周期で変化する
ことを特徴とする請求項12記載の半導体発光素子。 - 前記電極は前記導波方向に沿って幅の広い幅広部と幅の狭い幅狭部とを交互に有し、
前記導波方向の端に、前記裾部の層厚部および前記電極の幅広部がともに対応している ことを特徴とする請求項12記載の半導体発光素子。
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