JPH11220211A - 自励発振型半導体レーザ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】製造歩留りが高く、高温動作時や高出力動作時
においても安定に自励発振する自励発振型半導体レーザ
を提供する。 【解決手段】可飽和吸収領域を複数域分布させ、パルセ
ーションを安定に生じさせるために、電流注入構造を構
成するｐ側電極１０９のストライプ方向に沿って複数個
の電流非注入領域２００を、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１
０６およびｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０５をエッチングで
選択的に削除した構造で、その削除幅ｗは２０μｍ以下
であり、電流非注入領域２００中心がほぼ一定の間隔Ｌ
で、Ｌ≧２×ｗなる条件を満たすように分布させて配置
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、自励発振させるこ
とでマルチモード化を実現する自励発振型半導体レーザ
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体レーザは、光ディスク装置等の光
源として用いられるが、この際、戻り光ノイズをいかに
抑制するかが重要である。この戻り光ノイズを抑制する
ための対策を施した半導体レーザの一つに、半導体レー
ザを自励発振させることでマルチモード化を図った、い
わゆる自励発振型半導体レーザが知られている。

【０００３】図８は、従来の自励発振型半導体レーザの
構成例を示す断面図である。なお、ここではＡｌＧａＩ
ｎＰ系の材料により自励発振型半導体レーザを構成した
場合を示す。

【０００４】図８に示すように、この自励発振型半導体
レーザ１０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１１上に、ｎ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層１２、ＧａＩｎＰ活性層１３、ｐ型
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層
１５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１６が順次積層され
ている。そして、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４の
上層部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１５およびｐ型ＧａＡｓ
キャップ層１６は、一方向に延びるメサ型のストライプ
形状を有している。すなわち、これらのｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層１４の上層部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１
５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１６からストライプ部
１７が構成されている。このストライプ部１７の両側の
部分にはｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１８が埋め込まれ、こ
れにより電流狭窄構造が形成されている。

【０００５】ｐ型ＧａＡｓキャップ層１６およびｎ型Ｇ
ａＡｓ電流狭窄層１８の上には、たとえばＴｉ／Ｐｔ／
Ａｕ電極のようなｐ側電極１９が設けられている。一
方、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の裏面には、たとえばＡｕＧ
ｅ／Ｎｉ／Ａｕ電極のようなｎ側電極２０が設けられて
いる。

【０００６】図９は図８に示す自励発振型半導体レーザ
１０の屈折率分布を示す略線図である。ここでは、自励
発振型半導体レーザ１０のｐｎ接合と平行で、かつ、共
振器長方向と垂直な方向（以下、この方向を横方向とい
う）の屈折率分布を、図８に対応させて示している。

【０００７】図９に示すように、自励発振型半導体レー
ザ１０は、横方向における屈折率が、ストライプ部１７
に対応する部分における屈折率ｎ１が高く、ストライプ
部１７の両側に対応する部分における屈折率ｎ２が低
い、いわゆるステップ状に屈折率分布を有している。

【０００８】このように自励発振型半導体レーザ１０で
は、横方向における屈折率をステップ状に変化させるこ
とにより、横方向の光導波を行っている。この場合、ス
トライプ部１７に対応する部分とその両側に対応する部
分との屈折率差Δｎ（＝ｎ１−ｎ２）は０．００３程度
以下とされ、ＧａＩｎＰ活性層１３の横方向での光の閉
じ込めが緩和されている。

【０００９】上述のように構成された自励発振型半導体
レーザ１０の動作時には、図８に示すように、ＧａＩｎ
Ｐ活性層１３の内部の利得領域２１の幅ＷG に対して光
導波領域２２の幅ＷP が大きくなり、利得領域２１の外
側における光導波領域２２が可飽和吸収領域２３とな
る。

【００１０】この自励発振型半導体レーザ１０では、横
方向の屈折率変化を小さくすることで横方向への光のし
みだし量を多くし、光とＧａＩｎＰ活性層１３の内部の
可飽和吸収領域２３との相互作用を多くさせることによ
り自励発振を実現している。このため、可飽和吸収領域
２３を十分に確保することが必要である。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の自励発振型半導体レーザ１０は、図１０に示すよう
に、いわゆるリッジ(Ridge) 構造を有し、可飽和吸収体
(SAR;Saturable AbsorbingReagion) を活性層内の光導
波路両脇に設けて自励発振を行わせている。この場合、
図１０に示すように、電流広がりによって生じる活性層
内ゲイン領域（その幅をＧとする）をできるだけ狭く
し、逆に光導波スポットサイズ（その幅をＰとする）を
比較的大きめに設定して、Ｐ＞Ｇなる関係を満たした場
合、この差分が可飽和吸収体として機能し、自励発振を
生じさせていた。このために具体的には導波の屈折率差
Δｎを０．００５〜０．００１程度のインデックスガイ
ド(Index Guide) とゲインガイド(Gain Guide)の中間的
なガイドとしてこの関係を満足させている。

【００１２】ところが、このような従来の半導体レーザ
では、可飽和吸収体の広さが光の広がり具合と電流の広
がり具合の程度の微妙な釣り合いで決まるため、「自励
発振を生じるレーザの歩留りが悪い」、「自励発振が高
温動作時に電流拡散が増え、可飽和吸収体を狭くするこ
とで抑制される」、「高出力動作時に同様に電流拡散が
増え、可飽和吸収体を狭くし抑制される」等の不安定性
が見られる。特に、高温、高出力時にいわゆるパルセー
ション(Pulsation) が停止し、ノイズの問題が発生す
る。

【００１３】また、図１１に示すように、いわゆる縦構
造に可飽和吸収層２４を一層以上設けることによりパル
セーションを発生させるようにした自励発振型半導体レ
ーザ１０Ａ、あるいは、図１２に示すように、共振器方
向の一部に大きな可飽和吸収体２５を設けパルセーショ
ンを発生させるようにした自励発振型半導体レーザ１０
Ｂが知られている。ところが、これらの構造では、可飽
和吸収領域の透明化のために、注入電流の寄与が少な
く、活性層からの光ポンピングに主として頼っているこ
とから、このような構造では、レート方程式解析におい
ても、また実験事実からもＬ−Ｉ特性に電流しきい値Ｉ
th付近で立上がりの鋭いキンクを生じるものであり、レ
ーザ応用上ネックになっている。

【００１４】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、製造歩留りが高く、高温動作時
や高出力動作時においても安定に自励発振する自励発振
型半導体レーザを提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、第１導電型の第１のクラッド層と、上記
第１のクラッド層上に形成された活性層と、上記活性層
上に形成された第２導電型の第２のクラッド層と、上記
第２のクラッド層に設けられたストライプ部の両側の部
分に第１導電型の電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構
造を有し、レーザ共振器内部に可飽和吸収体が形成さ
れ、ストライプ状の電流注入構造を備えた自励発振型半
導体レーザであって、上記電流注入構造が、ストライプ
方向に沿って複数個分布させた電流非注入領域を有す
る。

【００１６】また、本発明では、上記電流非注入領域
は、上記第２のクラッド層と第２導電側電極に介在させ
るキャップ層を選択的に削除して構成されている。

【００１７】また、本発明では、上記電流非注入領域
は、上記第２のクラッド層と第２導電側電極に電流非注
入層を介在させて構成されている。

【００１８】また、本発明では、上記電流非注入領域
は、当該電流非注入領域のストライプ方向の幅ｗが２０
μｍ以下であり、電流非注入領域中心がほぼ一定の間隔
Ｌで、Ｌ≧２×ｗなる条件を満たすように分布させて配
置されている。

【００１９】また、本発明は、第１導電型の第１のクラ
ッド層と、上記第１のクラッド層上に形成された活性層
と、上記活性層上に形成された第２導電型の第２のクラ
ッド層と、上記第２のクラッド層に設けられたストライ
プ部の両側の部分に第１導電型の電流狭窄層が埋め込ま
れた電流狭窄構造を有し、レーザ共振器内部に可飽和吸
収体が形成され、ストライプ状の電流注入構造を備えた
自励発振型半導体レーザであって、上記電流注入構造
が、ストライプ方向に沿ってストライプ幅を狭くして複
数個分布させた電流少注入領域を有する。

【００２０】また、本発明では、上記電流少注入領域に
おけるストライプ幅は、通常の光導波路として適性なス
トライプ幅の半分以下に設定されている。

【００２１】また、本発明では、上記電流少注入領域
は、当該電流少注入領域のストライプ方向の幅ｗが２０
μｍ以下であり、電流少注入領域中心がほぼ一定の間隔
Ｌで、Ｌ≧２×ｗなる条件を満たすように分布させて配
置されている。

【００２２】本発明によれば、自励発振型半導体レーザ
の動作時に、電流はストライプ部を流れるが、この場
合、たとえば電流非注入領域あるいは電流少注入領域が
ほぼ一定の間隔Ｌで、Ｌ≧２×ｗなる条件を満たすよう
に分布させて配置されていることから、活性層内におい
て共振器長方向に弱く多数の可飽和吸収体が分布する。
したがって、Ｌ−Ｉ特性にキンクが生じることがなく、
安定なパルセーションが生じることになる。そして、電
流非注入領域あるいは電流少注入領域が複数個分布させ
て配置されていることから、電流非注入領域の所で横方
向電流拡散が減る。このため、ここでのゲイン幅は狭く
なる。しかし、光スポットサイズはストライプ幅Ｗが一
定のため、それほど大きな変化はない。これは活性層の
両脇に可飽和吸収体を形成する自励発振型半導体レーザ
にとっては、可飽和吸収領域が増えることになり、パル
セーションを発生させるために好都合となる。その結
果、自励発振が安定に行われる。

【００２３】

【発明の実施の形態】第１実施形態 図１は本発明に係る自励発振型半導体レーザの第１の実
施形態を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線における断
面図、図３は図１のＢ−Ｂ線における断面図である。な
お、ここではＡｌＧａＩｎＰ系の材料により レーザ共
振器内部に可飽和吸収体が活性層の両脇に形成された自
励発振型半導体レーザを構成した場合を示す。

【００２４】図に示すように、この自励発振型半導体レ
ーザ１００は、ｎ型（第１導電型）ＧａＡｓ基板１０１
上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層（第１のクラッド
層）１０２、ＧａＩｎＰ活性層１０３、ｐ型（第２導電
型）ＡｌＧａＩｎＰクラッド層（第２のクラッド層）１
０４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０５およびｐ型ＧａＡｓ
キャップ層１０６が順次積層されている。そして、ｐ型
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４の上層部、ｐ型ＧａＩ
ｎＰ中間層１０５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６
は、一方向に延びるメサ型のストライプ形状を有してい
る。すなわち、これらのｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
１０４の上層部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０５およびｐ
型ＧａＡｓキャップ層１０６からストライプ部１０７が
構成されている。このストライプ部１０７の両側の部分
にはｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１０８が埋め込まれ、これ
により電流狭窄構造が形成されている。

【００２５】ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６およびｎ型
ＧａＡｓ電流狭窄層１０８の上には、たとえばＴｉ／Ｐ
ｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電極１０９が設けられてい
る。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の裏面には、たとえ
ばＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ電極のようなｎ側電極１１０が
設けられている。

【００２６】そして、自励発振型半導体レーザ１００に
おいては、可飽和吸収領域を複数域分布させ、パルセー
ションを安定に生じさせるために、電流注入構造を構成
するｐ側電極１０９のストライプ方向に沿って複数個の
電流非注入領域２００が所定間隔をおいて周期的に形成
されている。なお、可飽和吸収領域を複数域分布できれ
ば、電流非注入領域２００は非周期的に設けてもよい。
また、本実施形態においては、ストライプ部１０７の端
部は原則として非注入領域として構成している。

【００２７】電流非注入領域２００は、具体的には、電
流非注入領域２００とするｐ型ＧａＡｓキャップ層１０
６およびｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０５をエッチングで選
択的に削除した構造で、その削除幅ｗは２０μｍ以下で
あり、電流非注入領域２００中心がほぼ一定の間隔Ｌ
で、Ｌ≧２×ｗなる条件を満たすように分布させて配置
されている。以下、この条件について説明する。

【００２８】電流非注入領域２００の幅ｗは、図４に示
すように、活性層１０３内で共振器長方向に可飽和吸収
体３００を僅かに作る程度にとどめられる。これは、図
１２に示すように、一部に大きく作った場合、Ｌ−Ｉ特
性の立上がりに大きなキンクが生じてしまうためである
これを防ぐためには、活性層内電流拡散でこの可飽和吸
収体が無くなる程度のものである必要がある。実験的に
は、幅ｗが２０μｍを超えると活性層１０３内にできた
可飽和吸収体が大きく、Ｌ−Ｉ特性に立上がりキンクが
生じ始める結果が得られている。したがって、一個当た
りの電流非注入領域２００の幅ｗは２０μｍ以下にする
ことが望ましい。

【００２９】ところで、この共振器長方向にできる可飽
和吸収体はパルセーションに有効なことは事実であるこ
とから、一部に強く入れてＬ−Ｉ特性にキンクを生じさ
せるのではなく、弱く多数を共振器長方向で分布させれ
ば、活性層の両脇に形成された可飽和吸収体のように、
Ｌ−Ｉ特性にキンクを生じることなく、安定なパルセー
ションを生じさせることができる。そこで、このような
電流非注入領域２００をほぼＬの間隔で分布する。Ｌの
長さは、幅ｗ以下に設定することはできない。その理由
は、全てが電流非注入領域になってしまうためである。
現実的に、オーミックコンタクトを十分にとり、かつ活
性層１０３に十分電流を注入することを考えると、電流
非注入領域２００の総面積と同程度のコンタクト面積を
持つ必要がある。そこで、電流非注入領域２００中心が
ほぼ一定の間隔Ｌで、Ｌ≧２×ｗなる条件を満たすよう
に分布させている。

【００３０】また、自励発振型半導体レーザ１００にお
いては、メサ形状底部のストライプ幅Ｗが、たとえばＷ
≦４．０μｍに設定されている。

【００３１】以上のような構造を有する自励発振型半導
体レーザ１００の製造は、周知の一般的な方法で行われ
る。以下に、製造方法の概略を簡単に説明する。

【００３２】まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０２、ＧａＩｎＰ活性層１
０３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４、ｐ型Ｇａ
ＩｎＰ中間層１０５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１０
６を、たとえば有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法
により順次成長させる。次に、ｐ型ＧａＡｓキャップ層
１０６上に所定形状のレジストパターンを形成した後、
このレジストパターンをエッチングマスクとして用い
て、臭酸系のエッチング液などを用いたウェットエッチ
ング法により、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６、ｐ型Ｇ
ａＩｎＰ中間層１０５およびｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層１０４を、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４の
厚さ方向の所定の深さまでエッチングする。これによ
り、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４の上層部、ｐ
型ＧａＩｎＰ中間層１０５およびｐ型ＧａＡｓキャップ
層１０６が一方向に延びる所定幅のストライプ形状にパ
ターニングされる。すなわち、ストライプ部１０７が形
成される。

【００３３】次に、エッチングマスクとして用いたレジ
ストパターンを成長マスクとして用いて、ストライプ部
１０７の両側の部分にｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１０８を
形成する。次に、成長マスクとして用いたレジストパタ
ーンを除去した後、ストライプ方向における非電流注入
域とする複数領域において、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１
０６（加えてｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０５）をエッチン
グで選択的に削除する。そして、ｐ型ＧａＡｓキャップ
層１０６、非電流注入域とするｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層１０４の上層部、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１０８
の上に、ｐ側電極１０９を形成し、ｎ型ＧａＡｓ基板１
０１の裏面にｎ側電極１１０を形成する。

【００３４】以上により、自励発振型半導体レーザ１０
０の製造が完了する。

【００３５】次に、上記構成による動作を、図５に関連
付けて説明する。図５は、横方向電流拡散によるゲイン
幅が分布型電流非注入領域構造でどのように変化するか
を模式的に示す図である。

【００３６】自励発振型半導体レーザ１００の動作時
に、電流はストライプ部１０７を流れるが、この場合、
ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６およびｐ型ＧａＩｎＰ中
間層１０５をエッチングで選択的に削除した構造で、そ
の削除幅ｗは２０μｍ以下であり、電流非注入領域２０
０中心がほぼ一定の間隔Ｌで、Ｌ≧２×ｗなる条件を満
たすように分布させて配置されていることから、活性層
１０３内において共振器長方向に弱く多数の可飽和吸収
体が分布する。したがって、Ｌ−Ｉ特性にキンクが生じ
ることがなく、安定なパルセーションが生じることにな
る。

【００３７】そして、電流非注入領域２００が複数個分
布させて配置されていることから、図５に示すように、
電流非注入領域２００の所で横方向電流拡散が減る。こ
のため、ここでのゲイン幅は狭くなる。しかし、光スポ
ットサイズはストライプ幅Ｗが一定のため、それほど大
きな変化はない。これは活性層の両脇に可飽和吸収体を
形成する自励発振型半導体レーザ１００にとっては、可
飽和吸収領域が増えることになり、パルセーションを発
生させるために好都合となる。その結果、自励発振が安
定に行われる。

【００３８】図６は、図１の自励発振型半導体レーザの
Ｌ−Ｉ温度特性を示す図である。図６において、横軸は
電流を、軸は出力パワーをそれぞれ表している。

【００３９】図からわかるように、図１の自励発振型半
導体レーザ１００は、立上がりキンクがほとんどない。
これは、ＡＰＣ(Automatic Power Control) を駆ける実
用上の利益があり、また低温時に低パワー領域でノイズ
を増やさないという利益がある。

【００４０】以上説明したように、本第１の実施形態に
よれば、可飽和吸収領域を複数域分布させ、パルセーシ
ョンを安定に生じさせるために、電流注入構造を構成す
るｐ側電極１０９のストライプ方向に沿って複数個の電
流非注入領域２００を、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６
およびｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０５をエッチングで選択
的に削除した構造で、その削除幅ｗは２０μｍ以下であ
り、電流非注入領域２００中心がほぼ一定の間隔Ｌで、
Ｌ≧２×ｗなる条件を満たすように分布させて配置した
ので、製造歩留りが高く、高温動作時や高出力動作時に
おいても安定に自励発振する自励発振型半導体レーザを
実現できる利点がある。

【００４１】なお、電流非注入領域２００は、ｐ型Ｇａ
Ａｓキャップ層１０６およびｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０
５をエッチングで選択的に削除した構造の他に、たとえ
ば絶縁性の電流非注入層をｐ側電極１０９の下面側に介
在させて構成させることも可能である。

【００４２】第２実施形態 図７は、本発明に係る自励発振型半導体レーザの第２の
実施形態を示す平面図である。

【００４３】本第２の実施形態が上述した第１の実施形
態と異なる点は、分布型電流非注入領域を設けるのでは
なく、ストライプ幅自身を周期的（あるいは非周期的）
に変化させた、いわゆる電流少注入領域２１０を設け
て、電流の横方向拡散を減少させるようにしたことにあ
る。

【００４４】具体的には、通常の導波ストライプ幅をＸ
としたとき、この幅Ｗより狭いＹ（Ｘ／２以下）の幅の
ストライプを形成して構成している。ただしこの場合、
電流は狭いなながらも注入されていて、また光スポット
サイズがこの部分では本来は狭くなる点が異なる。

【００４５】このような構成において、導波機構は、タ
イトなインデックスガイドではないことから、このスト
ライプ方向の幅（長さ）ｗが２０μｍ以下と狭い場合
は、実験してみると、Ｌ−Ｉ特性に大きな劣化はみられ
ないことがわかった。したがって、本第２の実施形態の
場合においても、電流少注入領域２１０中心がほぼ一定
の間隔Ｌで、Ｌ≧２×ｗなる条件を満たすように分布さ
せている。一方、電流の横方向の拡散は確実に減少する
ため、可飽和吸収領域は増え、パルセーションの発生に
は有利となる。その結果、自励発振が安定に行われる。

【００４６】本第２の実施形態によれば、上述した第１
の実施形態の場合と同様に、パルセーションを安定に生
じさせるために、ストライプ幅自身を周期的（あるいは
非周期的）に変化させた、いわゆる電流少注入領域２１
０を設けて、電流の横方向拡散を減少させるようにした
ので、製造歩留りが高く、高温動作時や高出力動作時に
おいても安定に自励発振する自励発振型半導体レーザを
実現できる利点がある。

【００４７】なお、上述した第１および第２の実施形態
においては、ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩｎＰ系の自励発振
型半導体レーザを例に説明したが、本発明がＡｌＧａＡ
ｓ／ＧａＡｓ、ＡｌＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＺｎＭｇＳＳ
ｅ／ＺｎＳ系等、種々のレーザに適用できることはいう
までもない。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
製造歩留りが高く、高温動作時や高出力動作時において
も安定に自励発振する自励発振型半導体レーザを実現で
きる利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る自励発振型半導体レーザの第１の
実施形態を示す断面図である。

【図２】図１のＡ−Ａ線における断面図である。

【図３】図１のＢ−Ｂ線における断面図である。

【図４】図１の自励発振型半導体レーザにおいて共振器
長方向にできる可飽和吸収体を模式的に示す図である。

【図５】図１の自励発振型半導体レーザのゲイン領域分
布、光スポットサイズを模式的に示す図である。

【図６】図１の自励発振型半導体レーザのＬ−Ｉ温度特
性を示す図である。

【図７】本発明に係る自励発振型半導体レーザの第２の
実施形態を示す平面図である。

【図８】従来の自励発振型半導体レーザの構成例を示す
断面図である。

【図９】図７に示す自励発振型半導体レーザの屈折率分
布を示す略線図である。

【図１０】従来の自励発振型半導体レーザのゲイン幅と
光スポット幅との関係を示す模式図である。

【図１１】従来の自励発振型半導体レーザの他の構成例
を示す断面図である。

【図１２】従来の自励発振型半導体レーザの他の構成例
を示す断面図である。

【符号の説明】

１００，１００Ａ…自励発振型半導体レーザ、１０１…
ｎ型ＧａＡｓ基板、１０２…ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層、１０３…ＧａＩｎＰ活性層、１０４…ｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層、１０５…ｐ型ＧａＩｎＰ中間層、
１０６…ｐ型ＧａＡｓキャップ、１０７…ストライプ
部、１０８…ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層、１０９…ｐ側電
極、１１０…ｎ側電極、２００…電流非注入領域、２１
０…電流少注入領域、３００…可飽和吸収体。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１導電型の第１のクラッド層と、上記
   第１のクラッド層上に形成された活性層と、上記活性層
   上に形成された第２導電型の第２のクラッド層と、上記
   第２のクラッド層に設けられたストライプ部の両側の部
   分に第１導電型の電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構
   造を有し、レーザ共振器内部に可飽和吸収体が形成さ
   れ、ストライプ状の電流注入構造を備えた自励発振型半
   導体レーザであって、 上記電流注入構造が、ストライプ方向に沿って複数個分
   布させた電流非注入領域を有する自励発振型半導体レー
   ザ。
2. 【請求項２】 上記電流非注入領域は、上記第２のクラ
   ッド層と第２導電側電極に介在させるキャップ層を選択
   的に削除して構成されている請求項１記載の自励発振型
   半導体レーザ。
3. 【請求項３】 上記電流非注入領域は、上記第２のクラ
   ッド層と第２導電側電極に電流非注入層を介在させて構
   成されている請求項１記載の自励発振型半導体レーザ。
4. 【請求項４】 上記電流非注入領域は、当該電流非注入
   領域のストライプ方向の幅ｗが２０μｍ以下であり、電
   流非注入領域中心がほぼ一定の間隔Ｌで、Ｌ≧２×ｗな
   る条件を満たすように分布させて配置されている請求項
   ２記載の自励発振型半導体レーザ。
5. 【請求項５】 上記電流非注入領域は、当該電流非注入
   領域のストライプ方向の幅ｗが２０μｍ以下であり、電
   流非注入領域中心がほぼ一定の間隔Ｌで、Ｌ≧２×ｗな
   る条件を満たすように分布させて配置されている請求項
   ３記載の自励発振型半導体レーザ。
6. 【請求項６】 第１導電型の第１のクラッド層と、上記
   第１のクラッド層上に形成された活性層と、上記活性層
   上に形成された第２導電型の第２のクラッド層と、上記
   第２のクラッド層に設けられたストライプ部の両側の部
   分に第１導電型の電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構
   造を有し、レーザ共振器内部に可飽和吸収体が形成さ
   れ、ストライプ状の電流注入構造を備えた自励発振型半
   導体レーザであって、 上記電流注入構造が、ストライプ方向に沿ってストライ
   プ幅を狭くして複数個分布させた電流少注入領域を有す
   る自励発振型半導体レーザ。
7. 【請求項７】 上記電流少注入領域におけるストライプ
   幅は、通常の光導波路として適性なストライプ幅の半分
   以下に設定されている請求項６記載の自励発振型半導体
   レーザ。
8. 【請求項８】 上記電流少注入領域は、当該電流少注入
   領域のストライプ方向の幅ｗが２０μｍ以下であり、電
   流少注入領域中心がほぼ一定の間隔Ｌで、Ｌ≧２×ｗな
   る条件を満たすように分布させて配置されている請求項
   ６記載の自励発振型半導体レーザ。
9. 【請求項９】 上記電流少注入領域は、当該電流少注入
   領域のストライプ方向の幅ｗが２０μｍ以下であり、電
   流少注入領域中心がほぼ一定の間隔Ｌで、Ｌ≧２×ｗな
   る条件を満たすように分布させて配置されている請求項
   ７記載の自励発振型半導体レーザ。