JPH01199486A - 半導体レーザー素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体レーザー素子に関し、さらに詳述すれば
、大出力レーザー光を発する多点発光型半導体レーザー
素子に関するものである。

〔従来の技術〕

最近、二重へテロ接合を含む半導体レーザーが研究され
た結果、室温で連続発振が可能になった。

代表的な二重へテロ接合はｎ型（Ｇａ、ＡＱ）Ａ　ｓ　
／　ｐ型Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　／　Ｐ型（Ｇａ、Ａ（１）Ａ
ｓで構成される。この二重へテロ接合の持つ次の様な効
果が重畳されて、半導体レーザーの低しきい値電流での
連続発振を可能となした。（１）禁止帯幅の広いｎ−（
Ｇａ、ＡＱ）Ａｓから、禁止帯幅に狭いＰ−ＧａＡｓ領
域に電子を注入することによって注入効率を上昇させる
ことができる。

（これはＰ領域の正孔がｎ領域へ拡散することを１妨禿
げることを意味する）、（２）Ｐ−（Ｇａ。

ＡＱ）Ａｓの広い禁止帯幅によって、 Ｐ−ＧａＡｓ内に注入された電子のＰ−（Ｇａ。

ＡＱ）Ａｓ領域への拡散が妨げられ、接合近傍に集中に
させうる。（３）異なった光屈折率をもつｎ、Ｐ二つの
（Ｇ　ａ　、　Ａ　Ｑ）Ａ　ｓ層にＰ−ＧａＡｓがはさ
まれているので、Ｐ　−Ｇ　ａ　Ａ　ｓ内で発した光の
一部がへテロ接合界面で反射される結果この領域に集中
し、効果的に増幅に寄与する。

この種の半導体レーザー装置の一般的な構成は次の通り
である。Ｐ−ＧａＡｓ　−（１００）ウェハー基板上に
、液相エピタキシャル成長により形成されたＰ−（Ｇａ
、ＡＱ）Ａｓのバッファ層（クラッド層とも別称）、こ
のバッファ層の上に形成されたｎ　−Ｇ　ａ　Ａ　ｓの
活性層、さらにこの活性層上に形成されたｎ−（Ｇａ、
Ａｌ２）Ａｓのクラッド層、の各化合物半導体層が順次
積層される。さらにストライプ状の開口部を有した５ｉ
ｎ２コーテイング膜を介して上部蒸着金属電極が、一方
上記基板裏面に下部蒸着金属電極が形成されて、ストラ
イプ電極を有した半導体レーザー素子が構成されてなる
。

〔発明が解決しようとする課題〕

このタイプの半導体レーザーに対し、複数ストライプ電
極を並置して光出力を増大させる提案がなされている。

しかし現実には各ストライプ毎にレーザー光のモード、
波長、位相がまちまちになり、通信や光デイスクメモリ
、レーザープリンタなどに使用し得るような高品質のレ
ーザー光を得るに至っていない。

また、これに関連し、ストライ゛プ電極相互間の間隔を
狭くすると、共振レーザー光（結晶両鏡面間を発振往復
しているレーザー光）の光分布幅よりも電流波がり幅の
方が広くなるため、光分布が一様になる前に電流分布が
一様となり、ストライプ電極が結局−枚の電極板の様に
なってしまう。

この様な場合には、共振レーザー光はストライプ配置と
は無関係にフィラメント状発振を生じ、ランダムにスポ
ット状に発光してレーザー光の品質を著しく低下させて
しまう欠点がある。

本発明の目的は、上記欠点を除去して、各ストライプ毎
のレーザー光の位相が揃った、従って全出力として大出
力なる半導体レーザー素子を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は、各ストライプ毎のレーザー
波長の揃った大出力半導体レーザー素子を提供すること
にある。

本発明のさらに他の目的は、容易に形成される大出力半
導体レーザー素子を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するための本発明の構成は、多点発光型
のダブルへテロ構造の半導体レーザー素子において、活
性層上に平面幾何学的に対称な単連結網模様のストライ
プ状の導電領域が形成されてなり、該単連結網模様は単
連結網因子と該因子の第１および第２の端面に各々結合
された第１および第２の直線ストライプ群より構成され
ており、上記第１および第２の直線ストライプ群は上記
単連結網因子内で分岐領域を介して結合されており、上
記分岐領域近傍のストライプ形状は滑らかな分岐曲線に
より形成されており、上記第１および第２の直線ストラ
イプ群のストライプ数は同数でありかつ各々互に対向し
ており、かつ上記分岐領域は非励起もしくは弱励起の島
領域を取り囲んでいる。

〔作用〕

本発明は上記構成になるので、共振レーザー光は結晶両
鏡面の間の共振光導波路の（以下導波路と略称する）を
往復発振する間、上記単連結領域、すなわち共用ストラ
イプ導電領域に対応する活性領域（以下共用領域と略称
す）で他の共振レーザー光と等しく対等に温情され、光
出力が強化される一方、光モード、光波長および位相が
揃えられて高品質の放射レーザー光となって、鏡面（一
般に臂開面）より外部へ放射される。

さらに厳密にいうと、ストライプ状の共振光導波路は、
少くとも１個所を共用領域とする如く単連結盟の網”状
になっている。そして、この連結部分は、分岐点又は分
岐領域を挾んで結合されている。この分岐領域の近傍は
、滑らかな曲線（以下分岐曲線と略称する）によって形
成され、共振レーザー光は無理なく分流もしくは合流さ
れるようになっている。

共振レーザー光は上記曲線部において、放射損失が生じ
るので、この曲線部は、いわゆるモードフィルターとし
て作用し、高次のモード光は除去され、揃った単一の横
基本モードの放射レーザー光だけが放射される。

また、ＰＮ接合に順方向の電流が流れると、少数キャリ
アの注入が起こり、放射性再結合の結果ホトン（Ｐｈｏ
ｔｏｎ）を発生する。さらに電流が増加しホトンが増加
すると、ホトンが多いということでホトンの放出（誘導
放出）が促進され、従って同じエネルギー、同一周波数
同位相のホトンが、その時空間に存在するホトンに関係
して放出される。

従って、上記共用領域はホトンの一大集合領域となり、
−層、ホトンの放出が促進され、位相おス よび波長が揃ったコヒーレン）δよいレーザ光になる。

さらにまた、ストライプ状の導電領域（以下ストライプ
と略称する）網、すなわちストライプ網はレーザー光の
放射方向を軸として、対称に形成され、かつ共振レーザ
ー光が共用領域、すなわち分岐領域近傍で均等に分流も
しくは合流されるようになっているので、各ストライプ
における共振レーザー光は完全に湿滑する。すなわち、
動作時に、共通又は共用活性領域が形成されるよう隣接
するストライプ相互の少なくとも１個所で接続もしくは
結合されてストライプ網が構成されておれば、共振レー
ザー光は上記活性領域で完全に温情され、モード、位相
および波長の揃った大出力レーザー光が得られる。

なお１本発明の説明を容易にし、かつ明確にする為に便
宜上、ストライプの各態様に付き、（１）対称ストライ
プ網、非動作時にすでに共用領域を形成し、導波路長と
共振器長（鏡面間の結晶長）が異なるものを「亀甲型Ｊ
、（２）対称ストライプ網、非動作時にすでに共用領域
を形成し、導波路長と共振器長が同じものを「スリット
型」の２種に区分を行なった。

〔実施例〕

以下、実施例を用いて詳細に説明する。

このレーザー素子は前述の「亀甲型」に属するもので珪
素（Ｓｉ）をドープしたキャリア濃度（以下Ｃｃと略記
）２Ｘ１０１７Ｃｍ−’のｎ−ＧａＡｓ　（１００）結
晶基板１１上に、液相エピタキシャル成長法（以下ＥＰ
成長法と略称）により形成された厚さ１．５μｍのテル
ル（Ｔｅ）ドープ、Ｃｃ〜２ＸＬＱ”Ｃｍ−”のｎ−（
Ｇａ。

ＡＱ）Ａｓのクラッド層１２、該層１２上に同様にＥＰ
成長法により形成された厚さ０．１μｍのテルル（Ｔｅ
）ドープ、Ｃｃ〜Ｉ　Ｘ１０”ａｍ−３のｎ−ＧａＡｓ
の活性層１３、該層１３上に同様にＥＰ成長法により形
成されたＣｃ〜Ｉ　Ｘ　１０”０ｍ４のＰ−（Ｇａ、Ａ
Ｍ）Ａｓのクラッド層１４、該層１４上に同様にＥＰ成
長法により形成されたｎ　−（Ｇａ、ＡＱ）Ａｓのキャ
ップ層１５、該キャップ層１５に所定のパターンの選択
拡散により形成されたストライプ領域１６、非拡散の絶
縁島領域１７．そして上記ストライプの形状に対応した
開口部を有した絶縁保護膜（図示せず）、該保護膜上に
形成された上部金属電極（図示せず、）。

そして上記基板裏面に形成された下部金属電極（図示せ
ず）により、本発明の半導体レーザー素子が構成される
。

上記上部電極を正として電極間に所要のバイアス電源を
接続すれば、電流が、上部電極−ストライプ領域１６−
クラッド層１４−活性層１３−クラッド層１２一基板１
１−下部電極を通じて流れる。従って、電流が主として
ストライプ１６に対向する活性層１３の領域１３１（活
性領域と別称）に狭穿して流れる。このため、上記活性
領域１３１で共振レーザー光が得られ、この光が屈折率
の異なるクラッド層１２及びクラッド層１４によって電
磁気的もしくは光学的に閉じ込められ、鏡面１８間を往
復振動し、充分なエネルギーを得たのち、放射レーザー
光として上記鏡面より外部へ放射される。

この実施例では、上記ストライプ１６の幅は６μｍ、（
レーザー光の）放射端面におけるストライプ間隔は２０
μｍ、共振器長は６００μｍである。上記ストライプ１
６は、図示した様に、中心線Ａを軸に左右対称に形成さ
れてなる。各ストライプ１６３．１６４、・・・・・・
、１６８は反射面１８に対しては垂直なので、各放射レ
ーザー光は互いに平行に放射される。また、ストライプ
は等分に分岐される。例えば、ストライプ１６３は分岐
点１６１を中心にしてストライプ１６２および１６４に
分岐される。

この様に、共振レーザー光相互の光結合は各ストライプ
のほぼ全域で行なわれ、順次、所定の割合で他のストラ
イプに分散されていくので、上記共振レーザー光は完全
に均等に湿滑されたレーザー光となる。

また、上記各ストライプにおける分岐点近傍の分岐曲線
は滑らかな曲線によって形成されている。

この実施例では曲率径２ｍｍの円弧を用いた０曲率半径
が１ｍｍ以下だと、曲線の曲がり方が急激になって、放
射損失あるいは洩れ光現象が発生してレーザー発振が困
難になると共に高品質のレーザー光が取得し得ないこと
が確かめられた。この曲率半径の値を適切に選ぶときは
、レーザー光内に混在する各種モード光のうち、とくに
高次のモード光を急激に減衰せしめてモードフィルター
として作用することは前にも述べたが、この実施例では
、高次のモード光が除去され、単一の横基本モード光の
みが得られた。なお、このＲ測は、近視野像および遠視
野像を用いて行なったものである。

図ではストライプ数が省略されて描かれているがこの例
は２０本である。一般に１０〜３０本形成される。スト
ライプ数が２０本の本実施例では、室温（３００Ｋ）に
おいてパルス動作の場合、動作電流１２Ａ（Ｌきい電流
値２．２Ａ）において、片面当りの光出力４００ｍＷの
、単一波長で、各ストライプを通して位相の揃ったレー
ザー光が得られた。放射レーザー光は、接合面に垂直な
方向の拡がり全角は約３０°、平行な方向の拡がり全角
は約０．５°以下であり、また適切な光学系を用いるこ
とにより、レーザービームを直径１μｍ以下に収束させ
ることができた。

第２図は１本発明の他の実施例としての半導体レーザー
素子の概略平面図である。

この実施例も前述のｒ亀甲型」に属するものである。共
振レーザー光の温情は主に分岐点又は分岐領域２６１を
中心とした単連結網因子２０内で行なわれる。勿論スト
ライプ２６の直線部分でも湿滑が行なわれるが、むしろ
直線部分が長いので放射レーザー光の方向性は良好なら
しめるのに効果的である。その他レーザー素子としての
構成、作用等については前述の実施例と同じなので省略
する。

図示の如く、ストライプ網は、（１）複数の直線状スト
ライプ領域と、前述の（２）単連結網因子２０が組み合
されて構成されている。この様に分けて考えることは、
ストライプ網の設計、および説明に有益なので本稿もこ
れに倣う。

第３−　ａ　”　ａ図は、本発明のさらに他の実施例と
しての単連結網因子の概略平面図である。

第３−ａ図の単連結網因子３０は、該因子から端出して
いるストライプ数（以下端子数と略称する）が対応辺に
より異なるので、１次の端子数が減少するように多段組
み合わせれば出力光を大きくしあるいは調整するのに有
効である。

また、図示した様に、分岐曲線は円を基本単位図形とし
て形成されている。この基本単位図形は分岐曲線を表現
するために用いたものであり、実際に真円を形成されで
ある必要はなく、変形したものあるいは円の一部すなわ
ち円弧であっても構わない。要するに、円が何んらかの
形で“基本″となるよう使用されておればよい。

図では、点線で描かれた円が最密充填方式で２段重ね合
わされている。この場合、成る直線ストライプの延長線
上に他の直線ストライプが来ることはなく、共振レーザ
ー光は完全に二分され、温情される。なお、前述したよ
うに、完全な円である必要はなく、多くは円弧、それも
凸レンズ状の円弧が使用され、分岐点は尖鋭状になる。

第３−ｂ図は、第３−ａ図と同じように端子数が異なる
ものである。基本単位図形は楕円である。

長楕円は尖鋭部がないので、放射損失分を少なくでき、
また高次のモードを除去する場合にも有効である。

第３−ｃ図も同じく端子数が異なるものである。

重水単位図形は、異質の図形、すなわち円と楕円の組合
せになっている。このように分岐曲線は、組み合わせて
も複雑化できる。図では、楕円の方が円よら曲率半径が
大きくなっているので、共振レーザー光は曲率半径の大
きい楕内側で放射損失は小さくなっている。従って、損
失分の少ない楕内側からより強いレーザー光が放射され
る。しかし、同じ鏡面から放射されるレーザー光のモー
ド。

位相および波長は揃っていることは言うまでもなし葛。

第４図は、本発明のさらに他の実施例としての単連結網
因子の概略平面図である。

図示した様に、端子数は相等しく形成され、また、共用
ストライプ領域は、島領域４７を完全に取り囲む様に形
成されている。前述の実施例の項でも述べたように上記
島領域４７は真円を構成している必要はない。多くは、
扁平な楕円または凸レンズ状に形成される。また、基本
単位図形を図の様に三段重ね合わせると、端子数を同数
に形成できる。

さらに、図示したストライプ４６ａと互いに隣接及び対
向するストライプ４６ｂを意図的に区別すれば明瞭に理
解できると思うが、第４図の因子は、前述した端子数の
異なる因子を１８０°回転させて対向させても形成され
得ることに気付かれよう。この様に、ストライプ網の設
計に単連結網因子の概念を用いることは、設計をより容
易にするのに有益である。また、図のレーザーでは、出
力、モード、位相および波長を揃えることができること
は当然であるが、さらに上述の端子数の異なる因子の一
方の分岐曲線の向きを変えて１８０°回転させて組み合
わせれば、２種の放射レーザー光を一つおきのスポット
光として両鏡面からも取り出すことができた。

第５図は１本発明のさせに他の実施例としての単連結網
因子の概略平面図である。

図示した様に、因子５０の端子数は同数になっている。

また、対向する直線ストライプは一直線上に形成される
。しかし、島領域５７が介在するので、成るストライプ
に隣接および対向するストライプは互いに独立した共振
レーザー光の導波路となっている。この点、前述の第４
図の場合と全く同じである。

しかし、第４図と異なり、基本単位図形（図では円）が
正方行列状に２段に重ね合わされて形成されている。

この様に、単連結網因子は、基本単位図形の重ね合わせ
る段数により、また重ね合わせ方により、さらに単位図
形の選び方により、用途に応じた各種の構成が可能とな
る。勿論、この因子を用いたストライプ網もこれに対応
する。

第６図は１本発明のさらに他の実施例としてのストライ
プ網の概略平面図である。

第６−　ａ　”　ｃ図に単連結網因子と複数直線ストラ
イプ６６との組み合せの代表例を示す。

第６−ａ図は、因子６０の一端が鏡面に露呈され、他端
が互いに直線ストライプ６６により結続されて、左右対
称のストライプ網が構成されてなる。

第６−ｂ図は、第６−ａ図における因子６０は直線スト
ライプ６６とを逆に結続させたものである。

第６−ｃ図は、複数の因子６ｏと複数の直線ストライプ
６６との組み合わせの一例を示す。

この様に、ストライプ網は、単連結網因子と直線ストラ
イプとの組み合わせる段数により、また直列は並列かの
組み合わせ方により、さらに単連結網因子の選び方によ
り、用途に応じた各種の構成が可能となる。

第７図は、本発明のさらに他の実施例としてのストライ
プ網の概略平面図である。

端子数の同じ因子と異なる因子を交互に組み合わせて放
射レーザー光の放射スポット数を減少させ一層出力を高
めたレーザー光を現出するための一具体例である。この
様に濃縮されて、１本となったレーザー素子（図示せず
）からの光線は熱加工にも適用される。この場合は基板
が大型のものが用いられることは言うまでもない。

第８図は、本発明のさらに他の実施例としての半導体レ
ーザー素子の概略斜視図である。

このレーザー素子は、前述の［亀甲型」に属するもので
ある。図示した様に通常のダブルへテロ型半導体レーザ
ー結晶のクラッド層上に形成されたストライプ網は、亀
甲又は蜂の巣状の単連結網模様を形成している。ストラ
イプ８６は、襞間面に垂直に終端しており、かつ分岐曲
線の曲率半径は１ｍｍである。

共振レーザー光は上記ストライプに対応する共用領域で
、光結合が行なわれ、モード、位相そして波長の揃った
放射レーザー光となって上記襞間面から放射される。

この実施例でのレーザー素子は、ストライプ幅が６μｍ
、襞間面におけるストライプ間隔（襞間面方向の亀甲模
様の周期に等しい）が２０μｍ、ストライプ数が２０本
、共振器長が６００μｍである。このレーザー素子は、
前記第１図の実施例と同じく亀甲型に属しほぼ同じ電磁
気的、光学的特性を示した。構成、その他についても同
様なので説明を省略する。

第香七は、本発明のさらに他の実施例としての半導体レ
ーザー素子の概略斜視図である。

このレーザー素子は、前述の「スリット型」に属するも
のである。図示した様に、通常のダブルへテロ構造半導
体レーザー結晶の一方のストライプ９６に、レーザー発
振方向に形成された幅３μｍ、長さ１５０μｍの矩形ス
リット９７が、間隔７μｍで並置して設けられている。

上記スリット９７の存在により、各共振レーザー光の光
分布（モード及び位置）が、上記スリット間隔により規
制される。すなわち、スリット間隔長により、モードが
規制され１発光中心は上記間隔の中央位置を占める。一
方、スリットの無い部分では、と配光分布は本質的、か
つ原始的に重畳しており、励起電流による利得が存在す
るため強い相互結合が生じ、波長と位相が揃った単一レ
ーザー光となる。

上記スリットは、活性層９３に達するエツチング溝で形
成したが、プロトンなどのイオン打込みによる高抵抗領
域、あるいは非発光領域を上記エツチング溝の代りに使
用することもできる。すなわち、非励起または弱励起領
域が帯状に設けられ周期的に配列されておればよい。

図のレーザー素子で、２１列（４２個のスリンを流すと
、片面当りの光出力が３Ｗの単一波長（波長７５０ｎｍ
にてスペトクル＠ｌＯ−”ｎｍ以下）で同位相のレーザ
ー光が得られた。この場合、放射レーザービームの拡が
り角は、接合面に垂直な方向で約３０°、平行な方向で
は０．５°以下であり、適切な光学系を置くことにより
、回折限界（レンズ系の等値開ロ数ＮＡ＝０．６．波長
７５０ｎｍの時、約０．８μｍφ）まで収束することが
出来た。

この様に、レーザー発振方向とは直角な方向にセルフ・
インデユースト・フィラメンテーション（Ｓｅｌｆ　Ｉ
ｎｄｕｃｅｄ　Ｆｉｌａｍｅｎｔａｔｉｏｎ）によるレ
ーザー発振のフィラメント・スポット・サイズ（ＦＬｌ
ａ−ｍｅｎｔ　５ｐｏｔ　５ｉｚｅ）以下の間隔、すな
わち１０μｍ以下の間隔で上記活性層上に非励起もしく
は弱励起領域を部分的、かつ周期的に設けることにより
、導波路長と共振器長とが等しい「スリット型」の半導
体レーザー素子が形成される。

なお、第９−ａ図の半導体レーザー素子は、前記実施例
第８図の「亀甲型」半導体レーザー素子と本質的に同じ
である。このことは、第９−ｂ図から第９−ｇ図にスト
ライプ９６の幅を連続的に変形して矩形のスリット９７
になる過程を示した図で、容易に納得しで頂けるであろ
う。すなわち。

「亀甲型」と「スリット型Ｊとは幾何学的に全く同類に
属する。

放射損失分がないので、光出力を増加できる利点がある
。また、上記非活性領域は、エツチングや不純物拡散な
どの比較的平易なプロセス技術によって形成できるので
、ｌＩ！造上特上特別置や工程をの改良されたストライ
プ網の概略平面図である。

第１０−ａ図はスリット１０７が中央部に周期的に平行
して配置されている。また、第１０−ｂ図は第１０−ａ
図のスリットの両端に周期を１７２ずらし、かつ襞間面
に到達するように新たなスリットが設けられて配置され
ている。さらにまた、第１０−ｃ図は第１０ａ−図のス
ラットの一端に周期をずらして配置されている。

本実施例では、ＧａＡｓＡＱ−ＧａＡｓ系のダブルペテ
ロ接合の半導体レーザー素子についてのべたが、本例に
限ることなく、ＧａＡｆｉＰ、ＩｎＧａＰ、ＧａＡｓＰ
、ＧａＡｓＳｂ系などの三元系化合物半導体、ＩｎＧａ
ＡｓＰ、ＧａＡＭＡｓＳｂ−ＧａＡａＡｓＰ系などの四
元系化合物半導体を含むレーザーについても適用できる
ことは言うまでもない、また、ダブルへテロ接合に限る
ことなくシングルへテロ接合あるいはキャリア閉じ込め
に改良を加えたダブルへテロ接合の半導体レーザーにつ
いても本発明が適用できることは言うまでもない、さら
にまた、実施例では、活性層が光ガイド層を兼ねている
通常のタイプの半導体レーザー素子について述べたが、
活性層と光ガイド層（光発振を伴わない光導波路）が別
になっていても本発明を何んら逸脱するものでないこと
は明白であろう、さらにまた１本実施例のストライプ層
は、キャップ層の一部の導電タイプを転換させて使用し
たが、所定の形状の金属電極または、所定の形状の開口
部を有した絶縁膜で形成してもよく、また、ストライプ
領域が完全に半導体層中に埋込まれてあってもよいこと
は当業者なら容易に推察できるであろう。

〔発明の効果〕

本発明は、幾何学的に対称なストライプ網もしくはスト
ライプ模様が、上記活性領域上に構成されているので、
モード、位相、および波長の揃った大出力レーザー光が
得られるもので、通信、センサー、熱加工その他理化学
通信用電子機器に応第１図、第８図および第９−ａ図は
本発明の一実施例としての半導体レーザー素子の概略斜
視図、第２図〜第７図は本発明の他の実施例としての半
導体レーザー素子ストライプ網の概略平面図、第らに他
の実施例としての改良されたストライプ網の概略平面図
である。

１１・・・半導体結晶、１２・・・バッファ層、１３・
・・活性層、１３１・・・活性領域、１４・・・クラッ
ド層、１５・・・キャップ層、１６・・・ストライプ、
１７・・・絶縁島領域、１８・・・鏡面（ｌ！開面）、
１９・・・放射レーザー光、２０・・・単連結網因子、
９７・・・スリット（非励起領域）。

第７図 第４目 第ダ目 第７目 つ Ｚざ 第３図 第ゾ圏 （＾） 第ヲ目

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、活性層への電流注入用ストライプ状導電領域を有す
   る半導体レーザー素子において、上記ストライプ状導電
   領域は平面幾何学的に対称な単連結網模様を呈して成り
   、該単連結網模様は単連結網因子と該因子の第１および
   第２の端面に各々結合された第１および第２の直線スト
   ライプ群より構成されており、上記第１および第２の直
   線ストライプ群は上記単連結網因子内で分岐領域を介し
   て結合されており、上記分岐領域近傍のストライプ形状
   は滑らかな分岐曲線により形成されており、上記第１お
   よび第２の直線ストライプ群のストライプ数は同数であ
   りかつ各々互いに対向しており、かつ上記分岐領域は非
   励起もしくは弱励起の島領域を取り囲んでいることを特
   徴とする半導体レーザー素子。 ２、上記分岐曲線の基本単位図形は円である特許請求の
   範囲第１項記載の半導体レーザー素子。 ３、上記島領域は円である特許請求の範囲第２項記載の
   半導体レーザー素子。 ４、上記分岐曲線の基本単位図形は正方行列状に２段に
   重ね合わされて形成されている特許請求の範囲第１項記
   載の半導体レーザー素子。 ５、上記基本単位図形は円である特許請求の範囲第４項
   記載の半導体レーザー素子。