JPH0211024B2

JPH0211024B2 -

Info

Publication number: JPH0211024B2
Application number: JP15911779A
Authority: JP
Inventors: Junichi Umeda; Takashi Kajimura; Takaro Kuroda; Shigeo Yamashita
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1979-12-10
Filing date: 1979-12-10
Publication date: 1990-03-12
Also published as: JPS5681993A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は半導体レーザー素子に関し、さらに詳
述すれば、大出力レーザー光を発する多点発光型
半導体レーザー素子に関するものである。

最近、二重ヘテロ接合を含む半導体レーザーが
研究された結果、室温で連続発振が可能になつ
た。代表的な二重ヘテロ接合はｎ型（Ga、Al）
As／Ｐ型GaAs／Ｐ型（Ga、Al）Asで構成され
る。この二重ヘテロ接合の持つ次の様な効果が重
畳されて、半導体レーザーの低しきい値電流での
連続発振を可能となした。(1)禁止帯幅の広いｎ−
（Ga、Al）Asから、禁止帯幅の狭いＰ−GaAs領
域に電子を注入することによつて注入効率を上昇
させることができる。（これはＰ領域の正孔がｎ
領域へ拡散することを妨たげることを意味する）。
(2)Ｐ−（Ga、Al）Asの広い禁止帯幅によつて、
Ｐ−GaAs内に注入された電子のＰ−（Ga、Al）
As領域への拡散が妨げられ、接合近傍に集中さ
せうる。(3)異なつた光屈折率をもつｎ、Ｐ二つの
（Ga、Al）As層にＰ−GaAsがはさまれているの
で、Ｐ−GaAs内で発した光の一部がヘテロ接合
界面で反射される結果この領域に集中し、効果的
に増幅に寄与する。

この種の半導体レーザー装置の一般的な構成は
次の通りである。Ｐ−GaAs（100）ウエハー基板
上に、液相エピタキシヤル成長により形成された
Ｐ−（Ga、Al）Asのバツフア層（クラツド層と
も別称）、このバツフア層の上に形成されたｎ−
GaAsの活性層、さらにこの活性層上に形成され
たｎ−（Ga、Al）Asのクラツド層、の各化合物
半導体層が順次積層される。さらにストライプ状
の開口部を有しSiO₂コーテイング膜を介して上
部蒸着金属電極が、一方上記基板裏面に下部蒸着
金属電極が形成されて、ストライプ電極を有した
半導体レーザー素子が構成されてなる。

このタイプの半導体レーザーに対し、複数スト
ライプ電極を並置して光出力を増大させる提案が
なされている。しかし現実には各ストライプ毎に
レーザー光のモード、波長、位相がまちまちにな
り、通信や光デイスクメモリ、レーザープリンタ
などに使用し得るような高品質のレーザー光を得
るに至つていない。

また、これに関連し、ストライプ電極相互間の
間隔を狭くすると、共振レーザー光（結晶両鏡面
間を発振往復しているレーザー光）の光分布幅よ
りも電流拡がり幅の方が広くなるため、光分布が
一様になる前に電流分布が一様となり、ストライ
プ電極が結局一枚の電極板の様になつてしまう。
この様な場合には、共振レーザー光はストライプ
配置とは無関係にフイラメント状発振を生じ、ラ
ンダムにスポツト状に発光してレーザー光の品質
を著しく低下させてしまう欠点がある。

本発明の目的は、上記欠点を除去して、各スト
ライプ毎のレーザー光の位相が揃つた、従つて全
出力として大出力なる半導体レーザー素子を提供
することにある。

本発明のさらに他の目的は、各ストライプ毎の
レーザー波長の揃つた大出力半導体レーザー素子
を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は、容易に形成される
大出力半導体レーザー素子を提供することにあ
る。

上記目的を達成するための本発明の構成は、多
点発光型のダブルヘテロ構造の半導体レーザー素
子において、活性層上に平面幾何学的に対称な単
連結網模様のストライプ状の導電領域が形成され
てなる。

本発明は上記構成になるので、共振レーザー光
は結晶両鏡面の間の共振光導波路（以下導波路と
略称する）を往復発振する間、上記単連結領域、
すなわち共用ストライプ導電領域に対応する活性
領域（以下共用領域と略称する）で他の共振レー
ザー光と等しく対等に混淆され、光出力が強化さ
れる一方、光モード、光波長および位相が揃えら
れて高品質の放射レーザー光となつて、鏡面（一
般に劈開面）より外部へ放射される。

さらに厳密にいうと、ストライプ状の共振光導
波路は、少くとも１個所を共用領域とする如く単
連結型の“網”状になつている。そして、この連
結部分は、分岐点又は分岐領域を挾んで結合され
ている。この分岐領域の近傍は、滑かな曲線（以
下分岐曲線と略称する）によつて形成され、共振
レーザー光は無理なく分流もしくは合流されるよ
うになつている。

共振レーザー光は上記曲線部において、放射損
失が生じるので、この曲線部は、いわゆるモード
フイルターとして作用し、高次のモード光は除去
され、揃つた単一の横基本モードの放射レーザー
光だけが放射される。

また、PN接合に順方向の電流が流れると、少
数キヤリアの注入が起こり、放射性再結合の結果
ホトン（Photon）を発生する。さらに電流が増
加しホトンが増加すると、ホトンが多いというこ
とでホトンの放出（誘導放出）が促進され、従つ
て同じエネルギー、同一周波数同位相のホトン
が、その時空間に存在するホトンに関係して放出
される。

従つて、上記共用領域はホトンの一大集合領域
となり、一層、ホトンの放出が促進され、位相お
よび波長が揃つたコヒーレンズのよいレーザー光
になる。

さらにまた、ストライプ状の導電領域（以下ス
トライプと略称する）網、すなわちストライプ網
はレーザー光の放射方向を軸として、対称に形成
され、かつ共振レーザー光が共用領域、すなわち
分岐領域近傍で均等に分流もしくは合流されるよ
うになつているので、各ストライプにおける共振
レーザー光は完全に混淆する。すなわち、動作時
に、共通又は共用活性領域が形成されるよう隣接
するストライプ相互の少なくとも１個所で接続も
しくは結合されてストライプ網が構成されておれ
ば、共振レーザー光は上記活性領域で完全に混淆
され、モード、位相および波長の揃つた大出力レ
ーザー光が得られる。

なお、本発明の説明を容易にし、かつ明確にす
る為に便宜上、ストライプの各態様に付き、 (1)対称ストライプ網、非動作時にすでに共用領
域を形成し、導波路長と共振器長（鏡面間の結晶
長）が異なるものを「亀甲型」、(2)対称ストライ
プ網、非動作時にすでに共用領域を形成し、導波
路長と共振器長が同じものを「スリツト型」の２
種に区分を行なつた。以下、実施例を用いて詳細
に説明する。

第１図は、本発明の一実施例としての半導体レ
ーザー素子の概略斜視図である。

このレーザー素子は前述の「亀甲型」に属する
もので珪素｛Si）をドープしたキヤリア濃度（以
下Ccと略記）２×10¹⁷cm^-3のｎ−GaAs（100）結
晶基板１１上に、液相エピタキシヤル成長法（以
下EP成長法と略称）により形成された厚さ
1.5μmのテルル（Te）ドープ、Cc〜２×10¹⁸cm^-3
のｎ−（Ga、Al）Asのクラツド層１２、該層１
２上に同様にEP成長法により形成された厚さ
0.1μmのテルル（Te）ドープ、Cc〜１×10¹⁸cm^-3
のｎ−GaAsの活性層１３、該層１３上に同様に
EP成長法により形成されたCc〜１×10¹⁸cm^-3の
Ｐ−（Ga、Al）Asのクラツド層１４、該層１４
上に同様にEP成長法により形成されたｎ−（Ga、
Al）Asのキヤツプ層１５、該キヤツプ層１５に
所定のパターンの選択拡散により形成されたスト
ライプ領域１６、非拡散の絶縁島領域１７、そし
て上記ストライプの形状に対応した開口部を有し
た絶縁保護膜（図示せず）、該保護膜上に形成さ
れた上部金属電極（図示せず）、そして上記基板
裏面に形成された下部金属電極（図示せず）によ
り、本発明の半導体レーザー素子が構成される。

上記上部電極を正として電極間に所要のバイア
ス電源を接続すれば、電流が、上部電極−ストラ
イプ領域１６−クラツド層１４−活性層１３−ク
ラツド層１２−基板１１−下部電極を通じて流れ
る。従つて、電流が主としてストライプ１６に対
向する活性層１３の領域１３１（活性領域と別
称）に狭穿して流れる。このため、上記活性領域
１３１で共振レーザー光が得られ、この光が屈折
率の異なるクラツド層１２及びクラツド層１４に
よつて電磁気的もしくは光学的に閉じ込められ、
鏡面１８間を往復振動し、充分なエネルギーを得
たのち、放射レーザー光として上記鏡面より外部
へ放射される。

この実施例では、上記ストライプ１６の幅は
6μm、（レーザー光の）放射端面におけるストラ
イプ間隔は20μm、共振器長は600μmである。上
記ストライプ１６は、図示した様に、中心線Ａを
軸に左右対称に形成されてなる。各ストライプ１
６３，１６４，……，１６８は反射面１８に対し
ては垂直なので、各放射レーザー光は互いに平行
に放射される。また、ストライプは等分に分岐さ
れる。例えば、ストライプ１６３は分岐点１６１
を中心にしてストライプ１６２および１６４に分
岐される。

この様に、共振レーザー光相互の光結合は各ス
トライプのほぼ全域で行なわれ、順次、所定の割
合で他のストライプに分散されていくので、上記
共振レーザー光は完全に均等に混淆されたレーザ
ー光となる。

また、上記各ストライプにおける分岐点近傍の
分岐曲線は滑らかな曲線によつて形成されてい
る。この実施例では曲率半径２mmの円弧を用い
た。曲率半径が１mm以下だと、曲線の曲がり方が
急激になつて、放射損失あるいは洩れ光現象が発
生してレーザー発振が困難になると共に高品質の
レーザー光が取得し得ないことが確かめられた。
この曲率半径の値を適切に選ぶときは、レーザー
光内に混在する各種モード光のうち、とくに高次
のモード光を急激に減衰せしめてモードフイルタ
ーとして作用することは前にも述べたが、この実
施例では、高次のモード光が除去され、単一の横
基本モード光のみが得られた。なお、この観測
は、近視野像および遠視野像を用いて行なつたも
のである。

図ではストライプ数が省略されて描かれている
がこの例は20本である。一般に10〜30本形成され
る。ストライプ数が20本の本実施例では、室温
（300K）においてパルス動作の場合、動作電流
12A（しきい電流値2.2A）において、片面当りの
光出力400mWの、単一波長で、各ストライプを
通して位相の揃つたレーザー光が得られた。放射
レーザー光は、接合面に垂直な方向の拡がり全角
は約30゜、平行な方向の拡がり全角は約0.5゜以下で
あり、また適切な光学系を用いることにより、レ
ーザービームを直径1μm以下に収束させることが
できた。

第２図は、本発明の他の実施例としての半導体
レーザー素子の概略平面図である。

この実施例も前述の「亀甲型」に属するもので
ある。共振レーザー光の混淆は主に分岐点又は分
岐領域２６１を中心とした単連結網因子２０内で
行なわれる。勿論ストライプ２６の直線部分でも
混淆が行なわれるが、むしろ直線部分が長いので
放射レーザー光の方向性は良好ならしめるのに効
果的でなる。その他レーザー素子としての構成、
作用等については前述の実施例と同じなので省略
する。

図示の如く、ストライプ網は、(1)複数の直線状
ストライプ領域と、前述の(2)単連結網因子２０が
組み合されて構成されている。この様に分けて考
えることは、ストライプ網の設計、および説明に
有益なので本稿もこれに做う。

第３−ａ〜ｃ図は、本発明のさらに他の実施例
としての単連結網因子の概略平面図である。

第３−ａ図の単連結網因子３０は、該因子から
端出しているストライプ数（以下端子数と略称す
る）が対応辺により異なるので、順次端子数が減
少するように多段組み合わせれば出力光を大きく
しあるいは調整するのに有効である。

また、図示した様に、分岐曲線は円を基本単位
図形として形成されている。この基本単位図形は
分岐曲線を表現するために用いたものであり、実
際に真円を形成されてある必要はなく、変形した
ものあるいは円の一部すなわち円弧であつても構
わない。要するに、円が何んらかの形で“基本”
となるよう使用されておればよい。

図では、点線で描かれた円が最密充填方式で２
段重ね合わされている。この場合、或る直線スト
ライプの延長線上に他の直線ストライプが来るこ
とはなく、共振レーザー光は完全に二分され、混
淆される。なお、前述したように、完全な円であ
る必要はなく、多くは円弧、それを凸レンズ状の
円弧が使用され、分岐点は尖鋭状になる。

第３−ｂ図は、第３−ａ図と同じように端子数
が異なるものである。基本単位図形は楕円であ
る。長楕円は尖鋭部がないので、放射損失分を少
なくでき、また高次のモードを除去する場合にも
有効である。

第３−ｃ図も同じく端子数が異なるものであ
る。基本単位図形は、異質の図形、すなわち円と
楕円の組合せになつている。このように分岐曲線
は、組み合わせても複雑化できる。図では、楕円
の方が円より曲率半径が大きくなつているので、
共振レーザー光は曲率半径の大きい楕円側で放射
損失は小さくなつている。従つて、損失分の少な
い楕円側からより強いレーザー光が放射される。
しかし、同じ鏡面から放射されるレーザー光のモ
ード位相および波長は揃つていることは云うまで
もない。

第４図は、本発明のさらに他の実施例としての
単連結網因子の概略平面図である。

図示した様に、端子数は相等しく形成され、ま
た、共用ストライプ領域は、島領域４７を完全に
取り囲む様に形成されている。前述の実施例の項
でも述べたように上記島領域４７は真円を構成し
ている必要はない。多くは、扁平な楕円または凸
レンズ状に形成される。また、基本単位図形を図
の様に三段重ね合わせると、端子数を同数に形成
できる。

さらに、図示したストライプ４６ａと互いに隣
接及び対向するストライプ４６ｂを意図的に区別
すれば明瞭に理解できると思うが、第４図の因子
は、前述した端子数の異なる因子を180゜回転させ
て対向させても形成され得ることに気付かれよ
う。この様に、ストライプ網の設計は単連結網因
子の概念を用いることは、設計をより容易にする
のに有益である。また、図のレーザーでは、出
力、モード、位相および波長を揃えることができ
ることは当然であるが、さらに上述の端子数の異
なる因子の一方の分岐曲線の向きを変えて180゜回
転させて組み合わせれば、２種の放射レーザー光
を一つおきのスポツト光として両鏡面からも取り
出すことができた。

第５図は、本発明のさらに他の実施例としての
単連結網因子の概略平面図である。

図示した様に、因子５０の端子数は同数になつ
ている。また、対向する直線ストライプは一直線
上に形成される。しかし、島領域５７が介在する
ので、或るストライプに隣接および対向するスト
ライプは互いに独立した共振レーザー光の導波路
となつている。この点、前述の第４図の場合と全
く同じである。

しかし、第４図と異なり、基本単位図形（図で
は円）が正方行列状に２段に重ね合わされて形成
されている。

この様に、単連結網因子は、基本単位図形の重
ね合わせる段数により、また重ね合わせ方によ
り、さらに単位図形の選び方により、用途に応じ
た各種の構成が可能となる。勿論、この因子を用
いたストライプ網もこれに対応する。

第６図は、本発明のさらに他の実施例としての
ストライプ網の概略平面図である。

第６−ａ〜ｃ図に単連結網因子と複数直線スト
ライプ６６との組み合せの代表例を示す。

第６−ａ図は、因子６０の一端が鏡面に露呈さ
れ、他端が互いに直線ストライプ６６により結続
されて、左右対称のストライプ網が構成されてな
る。

第６−ｂ図は、第６−ａ図における因子６０と
直線ストライプ６６とを逆に結続させたものであ
る。

第６−ｃ図は、複数の因子６０と複数の直線ス
トライプ６６との組み合わせの一例を示す。

この様に、ストライプ網は、単連結網因子と直
線ストライプとの組み合わせる段数により、また
直列か並列かの組み合わせ方により、さらに単連
結網因子の選び方により、用途に応じた各種の構
成が可能となる。

第７図は、本発明のさらに他の実施例としての
ストライプ網の概略平面図である。

端子数の同じ因子と異なる因子を交互に組み合
わせて放射レーザー光の放射スポツト数を減少さ
せ一層出力を高めたレーザー光を現出するための
一具体例である。この様に濃縮されて、１本とな
つたレーザー素子（図示せず）からの光線は熱加
工にも適用される。この場合は基板が大型のもの
が用いられることは云うまでもない。

第８図は、本発明のさらに他の実施例としての
半導体レーザー素子の概略斜視図である。

このレーザー素子は、前述の「亀甲型」に属す
るものである。図示した様に通常のダブルヘテロ
型半導体レーザー結晶のクラツド層上に形成され
たストライプ網は、亀甲又は蜂の巣状の単連結網
模様を形成している。ストライプ８６は、劈開面
に垂直に終端しており、かつ分岐曲線の曲率半径
は１mmである。

共振レーザー光は上記ストライプに対応する共
用領域で、光結合が行なわれ、モード、位相そし
て波長の揃つた放射レーザー光となつて上記劈開
面から放射される。

この実施例でのレーザー素子は、ストライプ幅
が6μm、劈開面におけるストライプ間隔（劈開面
方向の亀甲模様の周期に等しい）が20μm、スト
ライプ数が20本、共振器長が600μmである。この
レーザー素子は、前記第１図の実施例と同じく亀
甲型に属しほぼ同じ電磁気的、光学的特性を示し
た。構成、その他についても同様なので説明を省
略する。

第９図は、本発明のさらに他の実施例としての
半導体レーザー素子の概略斜視図である。

このレーザー素子は、前述の「スリツト型」に
属するものである。図示した様に、通常のダブル
ヘテロ構造半導体レーザー結晶の一方のストライ
プ９６に、レーザー発振方向に形成された幅
3μm、長さ150μmの矩形スリツト９７が、間隔
7μmで並置して設けられている。

上記スリツト９７の存在により、各共振レーザ
ー光の光分布（モード及び位置）が、上記スリツ
ト間隔により規制される。すなわち、スリツト間
隔長により、モードが規制され、発光中心は上記
間隔の中央位置を占める。一方、スリツトの無い
部分では、上記光分布は本質的、かつ原始的に重
畳しており、励起電流による利得が存在するため
強い相互結合が生じ、波長と位相が揃つた単一レ
ーザー光となる。

上記スリツトは、活性層９３に達するエツチン
グ溝で形成したが、プロトンなどのイオン打込み
による高抵抗領域、あるいは非発光領域を上記エ
ツチング溝の代りに使用することもできる。すな
わち、非励起または弱励起領域が帯状に設けられ
周期的に配列されてあればよい。

図のレーザー素子で、21列（42個のスリツト）
のスリツト溝を設けた共振器長300μmの素子にお
いて、順電流17A（しきい値電流2A）を流すと、
片面当りの光出力が3Wの単一波長（波長750nm
にてスペクトル幅10^-2nm以下）で同位相のレー
ザー光が得られた。この場合、放射レーザービー
ムの拡がり角は、接合面に垂直な方向で約30゜、
平行な方向では0.5゜以下であり、適切な光学系を
置くことにより、回折限界（レンズ系の等価開口
数NA＝0.6、波長750nmの時、約0.8μmφ）まで
収束することが出来た。

この様に、レーザー発振方向とは直角な方向に
セルフ・インデユースド・フイラメンテーシヨン
（Self Induced Filamentation）によるレーザー
発振のフイラメント・スポツト・サイズ
（Filament Spot Size）以下の間隔、すなわち
1μm以下の間隔で上記活性層上に非励起もしくは
弱励起領域を部分的、かつ周期的に設けることに
より、導波路長と共振器長とが等しい「スリツト
型」の半導体レーザー素子が形成される。

なお、第９図の半導体レーザー素子は、前記実
施例第８図の「亀甲型」半導体レーザー素子と本
質的に同じである。このことは、第９−ａ図から
第９−ｆ図にストライプ９６の幅を連続的に変形
して矩形のスリツト９７になる過程を示した図
で、容易に納得して頂けるであろう。すなわち、
「亀甲型」と「スリツト型」とは幾何学的に全く
同類に属する。

しかし、前述の様に、導波路長と共振器長が等
しいので、結局分岐曲線領域が現出されず、従つ
て放射損失分がないので、光出力を増加できる利
点がある。また、上記非活性領域は、エネルギー
が不純物拡散などの比較的平易なプロセス技術に
よつて形成できるので、製造上特別な装置や工程
を必要とせず大きな利点となつている。

第１０図は、本発明のさらに他の実施例として
の改良されたストライプ網の概略平面図である。

第１０−ａ図はスリツト１０７が中央部に周期
的に平行して配置されている。また、第１０−ｂ
図は第１０−ａ図のスリツトの両端に周期を1/2
ずらし、かつ劈開面に到達するように新たなスリ
ツトが設けられて配置されている。さらにまた、
第１０−ｃ図は第１０−ａ図のスリツトの一端に
周期をずらして配置されている。

以上詳述した様に、本発明は、幾何学的に対称
なストライプ網もしくはストライプ模様が、上記
活性領域上に構成されているので、モード、位
相、および波長の揃つた大出力レーザー光が得ら
れるもので、通信、センサー、熱加工その他理化
学通信用電子機器に応用出来、工業的利益大なる
ものである。

本実施例では、GaAsAl−GaAs系のダブルヘ
テロ接合の半導体レーザー素子についてのべた
が、本例に限ることなく、GaAlP、InGaP、
GaAsP、GaAsSb系などの三元化合物半導体、
InGaAsP、GaAlAsSb、GaAlAsP系などの四元
系化合物半導体を含むレーザーについても適用で
きることは云うまでもない。また、ダブルヘテロ
接合に限ることなくシングルヘテロ接合あるいは
キヤリア閉じ込めに改良を加えたダブルヘテロ接
合の半導体レーザーについても本発明が適用でき
ることは云うまでもない。さらにまた、実施例で
は、活性層が光ガイド層を兼ねている通常のタイ
プの半導体レーザー素子について述べたが、活性
層と光ガイド層（光発振を伴わない光導波路）が
別になつていても本発明を何んら逸脱するもので
ないことは明白であろう。さらにまた、本実施例
のストライプ層は、キヤツプ層の一部の導電タイ
プを転換させて使用したが、所定の形状の金属電
極または、所定の形状の開口部を有した絶縁膜で
形成してもよく、また、ストライプ領域が完全に
半導体層中に埋込まれてあつてもよいことは当業
者なら容易に推察できるであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図、第８図および第９図は本発明の一実施
例としての半導体レーザー素子の概略斜視図、第
２図〜第７図は本発明の他の実施例としての半導
体レーザー素子ストライプ網の概略平面図、第９
−ａ〜ｆ図は本発明のさらに他の実施例としての
ストライプ網の説明図、第１０図は本発明のさら
に他の実施例としての改良されたストライプ網の
概略平面図である。１１……半導体結晶、１２……バツフア層、１
３……活性層、１３１……活性領域、１４……ク
ラツド層、１５……キヤツプ層、１６……ストラ
イプ、１７……絶縁島領域、１８……鏡面（劈開
面）、１９……放射レーザー光、２０……単連結
網因子、９７……スリツト（非励起領域）。

Claims

【特許請求の範囲】１活性層への電流注入用ストライプ状導電領域
を有する半導体レーザー素子において、上記スト
ライプ状導電領域は平面幾何学的に対称な単連結
網模様を呈して成り、該単連結網模様は単連結網
因子と該因子の第１および第２の端面に各々結合
された第１および第２の直線ストライプ群より構
成されており、上記第１および第２の直線ストラ
イプ群は上記単連結網因子内で分岐領域を介して
結合されており、上記分岐領域近傍のストライプ
形状は滑らかな分岐曲線により形成されており、
かつ該分岐曲線の基本単位図形は上記第１の直線
ストライプ群側で楕円であり、上記第２の直線ス
トライプ群側で円であることを特徴とする半導体
レーザー素子。２上記第１および第２の直線ストライプ群のス
トライプ数は異なつた数である特許請求の範囲第
１項記載の半導体レーザー素子。３活性層への電流注入用ストライプ状導電領域
を有する半導体レーザー素子において、上記スト
ライプ状導電領域は平面幾何学的に対称な単連結
網模様を呈して成り、該単連結網模様は単連結網
因子と該因子の第１および第２の端面に各々結合
された第１および第２の直線ストライプ群を１つ
の単位として直列多段に組み合されて構成されて
おり、上記第１および第２の直線ストライプ群は
上記単連結網因子内で分岐領域を介して結合され
ており、上記分岐領域近傍のストライプ形状は滑
らかな分岐曲線により形成されており、かつ上記
直列多段の組合せを、上記直線ストライプ群のス
トライプ数が順次減少するような組合せと成すこ
とにより放射レーザー光の放射スポツト数を減少
させたことを特徴とする半導体レーザー素子。４上記単連結網因子は、上記第１および第２の
直線ストライプ群のストライプ数が同数の単連結
網因子、および異なる数の単連結網因子により構
成されている特許請求の範囲第３項記載の半導体
レーザー素子。５上記ストライプ数が同数の単連結網因子は、
上記第１および第２の直線ストライプ群のストラ
イプが各々互に対向しており、かつ上記分岐領域
は非励起もしくは弱励起の島領域を取り囲んでい
る特許請求の範囲第４項記載の半導体レーザー素
子。