JPS58203071A - 発光ダイオ−ドアレイ - Google Patents
発光ダイオ−ドアレイInfo
- Publication number
- JPS58203071A JPS58203071A JP57087446A JP8744682A JPS58203071A JP S58203071 A JPS58203071 A JP S58203071A JP 57087446 A JP57087446 A JP 57087446A JP 8744682 A JP8744682 A JP 8744682A JP S58203071 A JPS58203071 A JP S58203071A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- led
- array
- light emitting
- emitting diode
- chips
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/447—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources
- B41J2/45—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources using light-emitting diode [LED] or laser arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、電子写真方式等のプリンタの光源に用いる
発光ダイオードアレイ（以下、ＬＥＤアレイと記す）に
関するものである。
発光ダイオードアレイ（以下、ＬＥＤアレイと記す）に
関するものである。
１１図は便来のＬＥＤアレイの構成を示したものであり
、ＬＥＤアレイ（１）は複数のＬＥＤチップ（２）を２
列Ｌ１．Ｌ２に千鳥状に配列して構成され、各ＬＥＤチ
ップ（２）はＧａＡｓ又はＧａＡ、Ｐ 等の半導体基板
（３）上に複数個のＬＥＤ素子（４）を−列に配列して
形成されている。なおここで：よ説明の便宜上、ＬＥＤ
素子（４）からの引き出し電極等、この発明に直接関係
のない部分は図示していない。
、ＬＥＤアレイ（１）は複数のＬＥＤチップ（２）を２
列Ｌ１．Ｌ２に千鳥状に配列して構成され、各ＬＥＤチ
ップ（２）はＧａＡｓ又はＧａＡ、Ｐ 等の半導体基板
（３）上に複数個のＬＥＤ素子（４）を−列に配列して
形成されている。なおここで：よ説明の便宜上、ＬＥＤ
素子（４）からの引き出し電極等、この発明に直接関係
のない部分は図示していない。
このようにして構成される従来のＬＥＤアレイでは、２
橿の微調整が必要とされる。まず第１は、配列方向の各
チップ（２）の最初と最後のＬＥＤ素子（４）の位置を
正確に合わせるピッチ合せの調整である。第２は、Ｌ１
列とＬ２゛列とを露光対象物面上で一直線上に結像する
焦点合わせの調整である。これは、第２図に示すように
、電子写真記録装置への適用に際しては、２ケのファイ
バーレンズ（日本板硝子製商品名：セルフォック）（５
）を使って、感光体ドラム（６）上でＬ１＋Ｌ２列のＬ
ＥＤ素子（４）を同一直線上で結像させるようにしてい
る。このように従来のＬＥＤアレイでは、精密な微調整
を必要とし、これか実用上の欠点となっていた。
橿の微調整が必要とされる。まず第１は、配列方向の各
チップ（２）の最初と最後のＬＥＤ素子（４）の位置を
正確に合わせるピッチ合せの調整である。第２は、Ｌ１
列とＬ２゛列とを露光対象物面上で一直線上に結像する
焦点合わせの調整である。これは、第２図に示すように
、電子写真記録装置への適用に際しては、２ケのファイ
バーレンズ（日本板硝子製商品名：セルフォック）（５
）を使って、感光体ドラム（６）上でＬ１＋Ｌ２列のＬ
ＥＤ素子（４）を同一直線上で結像させるようにしてい
る。このように従来のＬＥＤアレイでは、精密な微調整
を必要とし、これか実用上の欠点となっていた。
この発明は以上のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、半導体基板上にＬＥＤ素子をｎ列
（ｎ≧２）に配列してＬＥＤチップを形成し、このＬＥ
Ｄチップの素子配列方向両端面を該配列方向に対して傾
斜させ、この傾斜面を相互に償金してｎ列以上の広幅の
ＬＥＤ素子列を形成することにより、はぼ無調整で使用
できるＬＥＤアレイを提供することを目的としている。
めになされたもので、半導体基板上にＬＥＤ素子をｎ列
（ｎ≧２）に配列してＬＥＤチップを形成し、このＬＥ
Ｄチップの素子配列方向両端面を該配列方向に対して傾
斜させ、この傾斜面を相互に償金してｎ列以上の広幅の
ＬＥＤ素子列を形成することにより、はぼ無調整で使用
できるＬＥＤアレイを提供することを目的としている。
以下本発明の一実施例を図について説明する。
第３図はこの発明の一実施例によるＬＥＤアレイを示し
、図において、（９）はＬＥＤチップであり、このＬＥ
Ｄチップ（９）は次の特徴を持つ。
、図において、（９）はＬＥＤチップであり、このＬＥ
Ｄチップ（９）は次の特徴を持つ。
（１１ＬＥＤ素子（４）が同−半導体基板（３）上に複
数列（この例では２列）に形成され、同一列Ｌｌ又はＬ
２中のＬＥＤ素子（４）の配列方向のピッチはｍｓピッ
チＰ１のｎ倍である（ｎ≧２、この例ではｎ ＝ ２）
。又列の異なるＬＥＤ素子（４）間の配置は相互に千鳥
状に選ばれる。
数列（この例では２列）に形成され、同一列Ｌｌ又はＬ
２中のＬＥＤ素子（４）の配列方向のピッチはｍｓピッ
チＰ１のｎ倍である（ｎ≧２、この例ではｎ ＝ ２）
。又列の異なるＬＥＤ素子（４）間の配置は相互に千鳥
状に選ばれる。
（２１ＬＥＤチツプ（９）の配列方向の端面Ａ−Ａは配
列方向にヌ」し直角ではなく、角度θ（θ≠９０゜）だ
け傾斜した傾斜面となっている。
列方向にヌ」し直角ではなく、角度θ（θ≠９０゜）だ
け傾斜した傾斜面となっている。
（３）端面Ａ−Ａは半導体基板のヘキ開面に一致させヘ
キ開するのがよいが、里にカッタで軸方向に切断しても
よい。又位置合せのための水平および垂直の位置合せマ
ーク（７１＋８１を設けることにより位置合せを一層容
易にできる。
キ開するのがよいが、里にカッタで軸方向に切断しても
よい。又位置合せのための水平および垂直の位置合せマ
ーク（７１＋８１を設けることにより位置合せを一層容
易にできる。
以上のような特徴を有するＬＥＤチップ（９）をアレイ
基体上に配列方向に順次並べ、一体化してゆくと、Ａ４
，８４等の幅広のＬＥＤアレイ（１■が完成する。一体
化されたＬＥＤアレイＯＩは、Ｌ１＋Ｌ２列の２列のＬ
ＥＤ索子列を有し、２列Ｌ１．Ｌ２の間のピッチＰ２は
ｒ２＝３ｐｌに選ばれている。
基体上に配列方向に順次並べ、一体化してゆくと、Ａ４
，８４等の幅広のＬＥＤアレイ（１■が完成する。一体
化されたＬＥＤアレイＯＩは、Ｌ１＋Ｌ２列の２列のＬ
ＥＤ索子列を有し、２列Ｌ１．Ｌ２の間のピッチＰ２は
ｒ２＝３ｐｌに選ばれている。
次に作用効果について説明する。
このＬＥＤアレイでは、一本のファイバレンズで感光体
ドラム上に集光することができ、しかもＬｌ、５２列の
位置合せは従来のように光学的に行なわず、複数ライン
分のメモリによりＬｌと５２列とのズレを補正するので
、従来のアレイに比し焦点合せの調整が極めて簡単であ
る。
ドラム上に集光することができ、しかもＬｌ、５２列の
位置合せは従来のように光学的に行なわず、複数ライン
分のメモリによりＬｌと５２列とのズレを補正するので
、従来のアレイに比し焦点合せの調整が極めて簡単であ
る。
また配列方向のＬＥＤ素子（４）間のピッチの調整は、
ＬＥＤチップ（９）を接合するたけで光子する。
ＬＥＤチップ（９）を接合するたけで光子する。
またＬＥＤ素子（４）を千鳥状に配置しかつＬＥＤチッ
プ（９）のＡ−Ａ端面を傾斜面とし、この傾斜面をヘキ
開軸に一致させるようにしたので、ＬＥＤ素子（４）と
端面までの距離を加工可能な寸法まで長くできかつ端面
の加工精度を上げることが可能である。
プ（９）のＡ−Ａ端面を傾斜面とし、この傾斜面をヘキ
開軸に一致させるようにしたので、ＬＥＤ素子（４）と
端面までの距離を加工可能な寸法まで長くできかつ端面
の加工精度を上げることが可能である。
第４図はこの発明の他の実施例を示す。この実施例では
、千鳥状に設けられたＬＥＤ素子（４）を有するＬＥＤ
チップａ１１を、更に千鳥状に配りしてＬＥＤアレイ（
１０１）を構成している。
、千鳥状に設けられたＬＥＤ素子（４）を有するＬＥＤ
チップａ１１を、更に千鳥状に配りしてＬＥＤアレイ（
１０１）を構成している。
なおＬＥＤ素子を同一基板上に千鳥状に配置するのは、
放熱等を改良する上で極めて有効なためであり、第４図
において各々のＬＥＤチップ上のＬＥＤ素子は一列に並
べ、ＬＥＤチップのみを千鳥状に配列しても勿論よい。
放熱等を改良する上で極めて有効なためであり、第４図
において各々のＬＥＤチップ上のＬＥＤ素子は一列に並
べ、ＬＥＤチップのみを千鳥状に配列しても勿論よい。
またＬＥＤ素子列は同−ＬＥＤチップ上に３列あるいは
それ以上設けてもよい。またＬＥＤ素子からのリード線
の引き出しは、個別に行なうものに限らず、グルービン
グを行ない、外部への引き出し電極を減少させてもよい
。
それ以上設けてもよい。またＬＥＤ素子からのリード線
の引き出しは、個別に行なうものに限らず、グルービン
グを行ない、外部への引き出し電極を減少させてもよい
。
以上のようにこの発明によれは、半導体基板上にＬＥＤ
Ｊ子をｎ列（１１２２） ｉ（配列Ｌ テＬ Ｅ Ｄチ
ップを形成し、このＬＥＤチップの素子配列方向両端面
を該配列方向に対して傾斜させ、この傾斜面を相互に償
金してｎ列以上の広幅のＬＥＤ素子列を形成するように
したので、極めて容易に広い幅のＬＥＤアレイを製ｆト
でき、プリンタあるいはファクシミリ等の印字装置の光
源として広く使用できる効果がある。
Ｊ子をｎ列（１１２２） ｉ（配列Ｌ テＬ Ｅ Ｄチ
ップを形成し、このＬＥＤチップの素子配列方向両端面
を該配列方向に対して傾斜させ、この傾斜面を相互に償
金してｎ列以上の広幅のＬＥＤ素子列を形成するように
したので、極めて容易に広い幅のＬＥＤアレイを製ｆト
でき、プリンタあるいはファクシミリ等の印字装置の光
源として広く使用できる効果がある。
第１図は従来のＬＥＤアレイの構成図、第２区１は上記
ＬＥＤアレイを有する電子写真記録装置の構成図、第３
図はこの発明の一実施例によるＬＥＤアレイの構成図、
第４図は本発明の他の実施例の構成図である。 （３）・・・半導体基板、（４）・・・ＬＥＤ素子、（
９）・・・ＬＥＤチップ。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分をポす。
ＬＥＤアレイを有する電子写真記録装置の構成図、第３
図はこの発明の一実施例によるＬＥＤアレイの構成図、
第４図は本発明の他の実施例の構成図である。 （３）・・・半導体基板、（４）・・・ＬＥＤ素子、（
９）・・・ＬＥＤチップ。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分をポす。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｉｌ＋ 複数の各半導体基板上にそれぞｎ複数の発光
ダイオード素子をｎ列（ｎ≧２）に配列して複数の発光
ダイオードチップを形浅し、該各発元ダイオードチップ
の素子配列方向の両４ｉｋｌを該素子配列方向に対して
所定角度でもって傾斜させた傾斜面とし、該複数の発光
ダイオードチップの傾斜面を相互に接続して広幅のｎ列
以上の発光ダイオード素子列を形成したことを特徴とす
る発光ダイオードアレイ。 （２） 上記発光ダイオードチップの傾斜面を、上記
半導体基板の璧開面に一致させたことを特徴とする特許
請求の節囲第１項記載の発光ダイオードアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57087446A JPS58203071A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 発光ダイオ−ドアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57087446A JPS58203071A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 発光ダイオ−ドアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58203071A true JPS58203071A (ja) | 1983-11-26 |
Family
ID=13915080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57087446A Pending JPS58203071A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 発光ダイオ−ドアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58203071A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6330271A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-08 | Kyocera Corp | 光プリンタヘツド |
| JP2009290242A (ja) * | 2002-11-11 | 2009-12-10 | Oki Data Corp | 半導体装置、光プリントヘッド、及び画像形成装置 |
| JP2015111265A (ja) * | 2009-05-14 | 2015-06-18 | ４２３３９９９ カナダ，インコーポレーテッド | 発光ダイオードのモノリシックアレイを使用して高解像度イメージを提供するシステムおよび方法 |
| JP2017149024A (ja) * | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 双葉電子工業株式会社 | 光書き込み装置 |
| CN110785287A (zh) * | 2017-06-16 | 2020-02-11 | 佳能株式会社 | 光学打印头、成像设备及光学打印头的制造方法 |
| CN111183034A (zh) * | 2017-10-10 | 2020-05-19 | 优志旺电机株式会社 | 光照射装置以及图像形成装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5630154A (en) * | 1979-08-21 | 1981-03-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | Photoprint head |
| JPS5728379A (en) * | 1980-06-25 | 1982-02-16 | Pitney Bowes Inc | Light emitting diode assembly |
-
1982
- 1982-05-21 JP JP57087446A patent/JPS58203071A/ja active Pending
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| US8395159B2 (en) | 2002-11-11 | 2013-03-12 | Oki Data Corporation | Semiconductor apparatus with thin semiconductor film |
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