JPS6027565A - 発光ダイオ−ドアレイヘツドおよびその製造方法 - Google Patents
発光ダイオ−ドアレイヘツドおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPS6027565A JPS6027565A JP58137092A JP13709283A JPS6027565A JP S6027565 A JPS6027565 A JP S6027565A JP 58137092 A JP58137092 A JP 58137092A JP 13709283 A JP13709283 A JP 13709283A JP S6027565 A JPS6027565 A JP S6027565A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting diode
- light emitting
- diode array
- light
- scanning direction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/447—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources
- B41J2/45—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources using light-emitting diode [LED] or laser arrays
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明け、電子写真方式等のプリンタの光源に用いる
発光ダイオードアレイヘット（Ｊｄ 下ＬＥＤアレイと
記す）Ｋ関するものである。
発光ダイオードアレイヘット（Ｊｄ 下ＬＥＤアレイと
記す）Ｋ関するものである。
第１図は従来のＩＪＤアレイの構成を示したものであり
、ＬＥＤアレイｆｉ＋は複数のＩＤチップ（２）を２列
Ｌｌ、 ＬＱに千鳥状に配列して構成され、各ＩＪＤチ
ップ（２１ｕ ＧａＡｓ又はＧａＡ［］Ｐ等の半導体基
板（３）上に複数個のＬＥＤ 、ｉ子（４）全−列に配
列して形成さねている。なお、ここでは説明の便宜上、
ＩＪＤ素子（４）からの引き出し電極等、この発明に直
接関係のない部分は図示していない。
、ＬＥＤアレイｆｉ＋は複数のＩＤチップ（２）を２列
Ｌｌ、 ＬＱに千鳥状に配列して構成され、各ＩＪＤチ
ップ（２１ｕ ＧａＡｓ又はＧａＡ［］Ｐ等の半導体基
板（３）上に複数個のＬＥＤ 、ｉ子（４）全−列に配
列して形成さねている。なお、ここでは説明の便宜上、
ＩＪＤ素子（４）からの引き出し電極等、この発明に直
接関係のない部分は図示していない。
このようにして構成される従来のＬＦｉＤアレイでけ、
２種の微調整が必要とされる。ます、第１は配列方向の
各テップ（２）の最初と最後のＬＥＤ素子（４）の位置
を正確に合わせるピッチ合せの調整である。
２種の微調整が必要とされる。ます、第１は配列方向の
各テップ（２）の最初と最後のＬＥＤ素子（４）の位置
を正確に合わせるピッチ合せの調整である。
第２はＬｌ列とＬ２列とを露光対象物面上で一直線上に
結像する焦点合わせの調整である。これは、第２図に示
すように、電子写真記録装置への適用に際しては、２個
のファイバーレンズ（日本板硝子製商品名：セルフォッ
ク）ｔｉｌｔ’使って、感光体ドラム（６）上でＬｌ、
＋１２列のＬＫＤ素子１４）ケ同−直線上で結像させ
るようにしている。このように従来のＬＥＤアレイでは
、精密な微調整を必要とし、これが実用上の欠点となっ
ていた。
結像する焦点合わせの調整である。これは、第２図に示
すように、電子写真記録装置への適用に際しては、２個
のファイバーレンズ（日本板硝子製商品名：セルフォッ
ク）ｔｉｌｔ’使って、感光体ドラム（６）上でＬｌ、
＋１２列のＬＫＤ素子１４）ケ同−直線上で結像させ
るようにしている。このように従来のＬＥＤアレイでは
、精密な微調整を必要とし、これが実用上の欠点となっ
ていた。
この発ｆＪＪ ｌ−ｊ ＩＵ上のような従来のものの欠
点を除去するためになされたもので、半導体基板上に、
ＬＥＤ素子ｉｎ列（ｎ≧２）Ｋ配列してＬＥＤチップを
形成し、このＬＥＤチッチッ発光部の長軸および素子配
列方向の両切断端面を該配列方向に対して傾斜させ、こ
の傾斜面ケ相互に接合してｎ列以上の広幅のＬＥＤ素子
素子彫金形成ことにより、はぼ無調整で使用で舞るＬＦ
ｔＤアレイ全提供することを目的としている。
点を除去するためになされたもので、半導体基板上に、
ＬＥＤ素子ｉｎ列（ｎ≧２）Ｋ配列してＬＥＤチップを
形成し、このＬＥＤチッチッ発光部の長軸および素子配
列方向の両切断端面を該配列方向に対して傾斜させ、こ
の傾斜面ケ相互に接合してｎ列以上の広幅のＬＥＤ素子
素子彫金形成ことにより、はぼ無調整で使用で舞るＬＦ
ｔＤアレイ全提供することを目的としている。
第３図はこの発明のＬＦｉＤアレイチップの一実施例を
示す。ここで、（３）はＧａＡｓ、 ＧａＡｓＰ等の半
導体系板であり、その上に面発光タイプの主走査方向ｖ
ｃ発光部の長軸が傾斜角（／ｌ （’（１１（９０’
） （７） ％斜ＬＥ１、に子（８）がＮビットだけ第
１列り１上に一列に配列されている。なお、第３図でば
Ｎ−１６の例を示している。次ＶｃＮ＋１から２Ｎビツ
ト目までの次のＮビット分の傾斜Ｌｌ［ＧＤ菓子（８）
げ第２列し２上に設けられている。各々の傾斜ＬＥＤ素
子（８）からＨＩＪ −ド線（９）およびポンディング
パッド（１０１が引き出されて、 ＬＪｉｉＤアレイチ
ップ（７）が構成さねている。このＬＥＤアレイチッチ
ッ７）は切断線Ｂ−Ｂで主走査方向と両度θ２で切断さ
れる。このＬＩｉＤアレイチップ＋７＋ ’？ １１１
次主走査方向に接合させると、この発明の１、、ＥＤ
７ Ｌ／イヘッド（１１）ができ上がる。Ｌｌ 、 Ｉ
Ｊ２１１ＪＩ（７）距離は１本のファイバーレンズアレ
イで集光できかつＢ−Ｂ純音切断し易い範囲に選ぶ。こ
の発明で’ｄ ＩＪＩ 、 ＬＱ間の距離がＯ，１ｍ、
ｍｌｌ上１．５ｍｍ１ｌ下がノ凶当な範囲であった。
示す。ここで、（３）はＧａＡｓ、 ＧａＡｓＰ等の半
導体系板であり、その上に面発光タイプの主走査方向ｖ
ｃ発光部の長軸が傾斜角（／ｌ （’（１１（９０’
） （７） ％斜ＬＥ１、に子（８）がＮビットだけ第
１列り１上に一列に配列されている。なお、第３図でば
Ｎ−１６の例を示している。次ＶｃＮ＋１から２Ｎビツ
ト目までの次のＮビット分の傾斜Ｌｌ［ＧＤ菓子（８）
げ第２列し２上に設けられている。各々の傾斜ＬＥＤ素
子（８）からＨＩＪ −ド線（９）およびポンディング
パッド（１０１が引き出されて、 ＬＪｉｉＤアレイチ
ップ（７）が構成さねている。このＬＥＤアレイチッチ
ッ７）は切断線Ｂ−Ｂで主走査方向と両度θ２で切断さ
れる。このＬＩｉＤアレイチップ＋７＋ ’？ １１１
次主走査方向に接合させると、この発明の１、、ＥＤ
７ Ｌ／イヘッド（１１）ができ上がる。Ｌｌ 、 Ｉ
Ｊ２１１ＪＩ（７）距離は１本のファイバーレンズアレ
イで集光できかつＢ−Ｂ純音切断し易い範囲に選ぶ。こ
の発明で’ｄ ＩＪＩ 、 ＬＱ間の距離がＯ，１ｍ、
ｍｌｌ上１．５ｍｍ１ｌ下がノ凶当な範囲であった。
この発明のＬＥＤアレイヘッドでけ、傾斜ＬＥＤ ｇ子
とＬＥＤアレイチッチッ７）の接合端面を同一方向に傾
斜させているためＡ部で円で囲んで示したように、ＬＥ
Ｄ素子を傾斜させない点線で不しだものに比べて端面Ｂ
Ｂから傾斜させたこの発明のＬＥＤアレイテッグ（７）
でｉｊ Ｉ、ＫＤアレイ累子（８）の端金切断面Ｂ−Ｂ
から離すことができるため加工精度？緩めることができ
るという利点ケ有する。
とＬＥＤアレイチッチッ７）の接合端面を同一方向に傾
斜させているためＡ部で円で囲んで示したように、ＬＥ
Ｄ素子を傾斜させない点線で不しだものに比べて端面Ｂ
Ｂから傾斜させたこの発明のＬＥＤアレイテッグ（７）
でｉｊ Ｉ、ＫＤアレイ累子（８）の端金切断面Ｂ−Ｂ
から離すことができるため加工精度？緩めることができ
るという利点ケ有する。
更に、この発り１のＬＦｉＤアレイテップ（７）ハ実装
上極めて特徴的な利点ケ持つ。第４図の工うに半導体ウ
ェハ（１２１上に多数のＬＥＤ ’７”レイチップ（７
）全形成したものを考える。この半導体ウエノ％ （１
’ｌｌ上に形成されるＬＥＤアレイテップ１７１ ｉｊ
％第３図で示しＩＣＬＥＤアレイヘッド（１１）の実
装状態でのＬＥＤアレイチップ（７）の配置になるよう
にパターン化さねている。
上極めて特徴的な利点ケ持つ。第４図の工うに半導体ウ
ェハ（１２１上に多数のＬＥＤ ’７”レイチップ（７
）全形成したものを考える。この半導体ウエノ％ （１
’ｌｌ上に形成されるＬＥＤアレイテップ１７１ ｉｊ
％第３図で示しＩＣＬＥＤアレイヘッド（１１）の実
装状態でのＬＥＤアレイチップ（７）の配置になるよう
にパターン化さねている。
今、ウェハ上で不良の検出さ＋１２（Ｘ印）不良ＬＦｉ
Ｄアレイテップ（＋７１） Ｈａ −ｃ切断面で主走査
方向に切断しｔｃ後、その両側端面ケも切断して除去す
る。
Ｄアレイテップ（＋７１） Ｈａ −ｃ切断面で主走査
方向に切断しｔｃ後、その両側端面ケも切断して除去す
る。
一方、不良箇所の検出されなかったＬＦｉＤアレイテッ
グ（７）は両側面全切断せず、そのまま複合ＩＪＤ ７
レイチツプ（１３）として用いる。このため、１本のＬ
ＫＤアレイヘッドを仕上げる場合の接合所所ケ少なぐで
き実装時間全短かぐできるという利点？生じる。又、こ
の方法では不良両所のみ全除去できるｌこめ全体として
の歩留りも低下しないという特長ケ持つ。
グ（７）は両側面全切断せず、そのまま複合ＩＪＤ ７
レイチツプ（１３）として用いる。このため、１本のＬ
ＫＤアレイヘッドを仕上げる場合の接合所所ケ少なぐで
き実装時間全短かぐできるという利点？生じる。又、こ
の方法では不良両所のみ全除去できるｌこめ全体として
の歩留りも低下しないという特長ケ持つ。
このＬＥＤアレイヘッドで汀、１本のファイバレンズで
感光体ドラム上ｙｃ １４＞光−４−ることかでき、し
かもＬｌ、 ＩＪＲ列の位置合せｆｌ（ｉ米のように光
学的に行なわす、Ｍ数ライン分のメモリによりＬｌとＬ
２列とのズレ會補正するので、従来のプレイに比し焦点
合せの調整が極めてｆｔｒｉ車である。
感光体ドラム上ｙｃ １４＞光−４−ることかでき、し
かもＬｌ、 ＩＪＲ列の位置合せｆｌ（ｉ米のように光
学的に行なわす、Ｍ数ライン分のメモリによりＬｌとＬ
２列とのズレ會補正するので、従来のプレイに比し焦点
合せの調整が極めてｆｔｒｉ車である。
この発明の実施にあたってげ、次に示すように神々の変
化が可能である。まず、ＬＥＤ素子列は同一 ＬＥＤア
レイテンブートに３列あるいはそ名−以上設けてもよい
。寸たＩＪＤ素子からのリード線の引き出しは、個別に
行なうものに限らす、グルービング全行ない、外部への
引へ出し電極？減少させてもよい。
化が可能である。まず、ＬＥＤ素子列は同一 ＬＥＤア
レイテンブートに３列あるいはそ名−以上設けてもよい
。寸たＩＪＤ素子からのリード線の引き出しは、個別に
行なうものに限らす、グルービング全行ない、外部への
引へ出し電極？減少させてもよい。
史に、実施例でＵ ＬＥＤ素子が面発光するものにつめ
てのみ示したが、ｐ−ｎ接合をヘッド面と垂直方向に形
成したものに対しても同様ＶＣ通用できる。
てのみ示したが、ｐ−ｎ接合をヘッド面と垂直方向に形
成したものに対しても同様ＶＣ通用できる。
以上のようにこの発明ＫＬｈば、半導体基板上にＬＦｉ
Ｄ素子ケＤ列（ｎ≧２）に配列してＴＪｍＤチッグチッ
成し、このＬＫＤアレイチッチッ素子配列方向両端面お
ＬびＬＥＤ素子の長軸方向を該配列方向に対して傾斜さ
せ、この傾斜面を相互に接合して９列以上の広幅のＬＦ
ｉＤ素子列ケ形成するようにしたので、極めて容易に広
い幅のＬＫＤアレイヘッド全製作でき、プリンタあるい
けファクシミリ等の印字装置の光源として広く使用で渇
る効果がある。
Ｄ素子ケＤ列（ｎ≧２）に配列してＴＪｍＤチッグチッ
成し、このＬＫＤアレイチッチッ素子配列方向両端面お
ＬびＬＥＤ素子の長軸方向を該配列方向に対して傾斜さ
せ、この傾斜面を相互に接合して９列以上の広幅のＬＦ
ｉＤ素子列ケ形成するようにしたので、極めて容易に広
い幅のＬＫＤアレイヘッド全製作でき、プリンタあるい
けファクシミリ等の印字装置の光源として広く使用で渇
る効果がある。
第１図は従来のＩＪＤアレイの構成図、第２図は上記Ｉ
ＪＤアレイを有する電子写真記録装置の構成図、第３図
はこの発明の一実施例によるＬＥＤアレイの構成図、第
４図は本発明の実装上の効果を説明するための半導体ウ
ェハ上に形成さｈたＬＫＤアレイテップのパターン図？
ホス。 図において、１Ｉｆｔ１発光ダイオードアレイヘッド、
（２）ハ発光ダイオードアレイチッグ、（３）ケ半導体
基板、（４）ハ発光ダイオード素子である。 なお、図中同一符号は各々同−又は相当部分を示すＯ 代理人 大岩増雄
ＪＤアレイを有する電子写真記録装置の構成図、第３図
はこの発明の一実施例によるＬＥＤアレイの構成図、第
４図は本発明の実装上の効果を説明するための半導体ウ
ェハ上に形成さｈたＬＫＤアレイテップのパターン図？
ホス。 図において、１Ｉｆｔ１発光ダイオードアレイヘッド、
（２）ハ発光ダイオードアレイチッグ、（３）ケ半導体
基板、（４）ハ発光ダイオード素子である。 なお、図中同一符号は各々同−又は相当部分を示すＯ 代理人 大岩増雄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １１） 発光ダイオード素子が同一半導体基板上に復数
個形成された発光ダイオードアレイテップ全１１１！（
次接ぎ合わせて、所定のピッチと数の発光ダイオード素
子列を形成した発光ダイオードアレイヘッドにおいて、
該発光ダイオードアレイテップ上に形成さね、た発光ダ
イオード素子の発光部の長軸がその列方向（主走査方向
）Ｋ対し±８５°より小さな周間を持つ戸ば設けられて
Ｊａｒ ６、かつ発光ダイオード素子列が同一発光ダイ
オードアレイチップ上で２つ以上のブロックに分けて互
いＫ Ｏ’、１ｍｍ以上離れた複数の列上に主走査方向
に並べらねており、かつ発光ダイオードアレイチッ１の
発光ダイオード素子列の始端と終端部の発光ダイオード
素子あるいは発光ダイオード素子ブロックが別の列上に
形成され、更に発光ダイオード素子列全土走査方向［延
長した部分の発光ダイオードアレイチップの切断面が主
走査方向に対して発光ダイオード素子の長軸と同じ傾き
側に傾斜している発光ダイオードアレイチップが順次接
ぎ合わされて複数列の発光ダイオード素子列が構成され
ていること全特徴とする発光ダイオードアレイヘッド。 （２１１つの発光ダイオードアレイチップの上にＮ（Ｎ
＞１６）個の発光ダイオード素子が２ｋＮ（ｋ＞１）ず
つ続いて同一列に属するようＶＣＣ第１列表第２列とに
順次２にのブロックに分割されて配置されている発光ダ
イオードアレイチップが順次接続され、全体で２列の発
光ダイオードアレイ素子列を有するようにした特許請求
の範囲第１項に記載の発光ダイオードアレイヘッド。 （３）Ｎ個の発光ダイオード素子が設けられた単位発光
ダイオードアレイチップが、同一基板上にＭ個（Ｍ〉２
）副走査方向に直線上にかつ隣り合う単位発光ダイオー
ドアレイチップの隣り合う発光ダイオード素子間の主走
査方向のピッチが同一の単位発光ダイオードアレイチッ
グ内の発光ダイオード素子間に等しく選ばれてあり、不
良と判定さハ、九単位発光ダイオードアレイチップ全切
り離し他は主走査方向に最大ＮＸＭドツト分の切断され
ない単位発光ダイオードアレイチッグ全そのまま使用す
るようにしたこと全特徴とする発光ダイオードアレイヘ
ッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58137092A JPS6027565A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 発光ダイオ−ドアレイヘツドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58137092A JPS6027565A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 発光ダイオ−ドアレイヘツドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6027565A true JPS6027565A (ja) | 1985-02-12 |
Family
ID=15190689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58137092A Pending JPS6027565A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 発光ダイオ−ドアレイヘツドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6027565A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020163601A (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 京セラ株式会社 | 光プリントヘッドおよびこれを備える画像形成装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5728379A (en) * | 1980-06-25 | 1982-02-16 | Pitney Bowes Inc | Light emitting diode assembly |
| JPS58142872A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-25 | アグフア・ゲヴエルト・ナ−ムロゼ・ベンノ−トチヤツプ | 記録装置 |
| JPS5957775A (ja) * | 1982-06-19 | 1984-04-03 | アーエーゲー、オリムピア、アクチェンゲゼルシャフト | 図形および文字情報を行毎に記録する光学プリントヘツドを有するプリンタ |
-
1983
- 1983-07-25 JP JP58137092A patent/JPS6027565A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5728379A (en) * | 1980-06-25 | 1982-02-16 | Pitney Bowes Inc | Light emitting diode assembly |
| JPS58142872A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-25 | アグフア・ゲヴエルト・ナ−ムロゼ・ベンノ−トチヤツプ | 記録装置 |
| JPS5957775A (ja) * | 1982-06-19 | 1984-04-03 | アーエーゲー、オリムピア、アクチェンゲゼルシャフト | 図形および文字情報を行毎に記録する光学プリントヘツドを有するプリンタ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020163601A (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 京セラ株式会社 | 光プリントヘッドおよびこれを備える画像形成装置 |
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