JPH05315207A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH05315207A JPH05315207A JP11560092A JP11560092A JPH05315207A JP H05315207 A JPH05315207 A JP H05315207A JP 11560092 A JP11560092 A JP 11560092A JP 11560092 A JP11560092 A JP 11560092A JP H05315207 A JPH05315207 A JP H05315207A
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- Japan
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- semiconductor device
- chip
- wafer
- face
- chips
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ウェーハ面に形成されたチップ状の半導体装置
が面内のどの位置のものであるかを簡便な認識装置で認
識出来るようにし、組合せによる装置性能の向上やウェ
ーハ面内の不良分布解析と追跡を図る。 【構成】半導体基板であるウェーハ面に形成されるチッ
プ状の半導体装置における集積回路形成領域1の周囲に
少くとも一つの位置情報記用の情報記録領域3を設け、
この情報記録領域3にレーザー照射等の方法で、ウェー
ハ内でのチップ位置識別番号をドットマトリックスで記
録する。ウェーハからチップに分割以降の任意の工程あ
るいは完成後でも、この位置情報を読み出すことが出来
るようにしてある。
が面内のどの位置のものであるかを簡便な認識装置で認
識出来るようにし、組合せによる装置性能の向上やウェ
ーハ面内の不良分布解析と追跡を図る。 【構成】半導体基板であるウェーハ面に形成されるチッ
プ状の半導体装置における集積回路形成領域1の周囲に
少くとも一つの位置情報記用の情報記録領域3を設け、
この情報記録領域3にレーザー照射等の方法で、ウェー
ハ内でのチップ位置識別番号をドットマトリックスで記
録する。ウェーハからチップに分割以降の任意の工程あ
るいは完成後でも、この位置情報を読み出すことが出来
るようにしてある。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
半導体基板であるウェーハの面に複数個が縦横に並べて
形成される半導体装置に関する。
半導体基板であるウェーハの面に複数個が縦横に並べて
形成される半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、この種の半導体装置は、ウェー
ハ面に縦横に並べて多数形成される集積回路であり、組
立前にチップ状に分割されるものである。また、この半
導体装置は数十枚のウェーハを一単位のロットとして製
造が進められる。従って、1つのロットからは数十から
数千個のチップ状の半導体装置(以下単にチップと呼
ぶ)が一度に造られ、組立工程へ送られることになる。
ハ面に縦横に並べて多数形成される集積回路であり、組
立前にチップ状に分割されるものである。また、この半
導体装置は数十枚のウェーハを一単位のロットとして製
造が進められる。従って、1つのロットからは数十から
数千個のチップ状の半導体装置(以下単にチップと呼
ぶ)が一度に造られ、組立工程へ送られることになる。
【0003】しかしながら従来、この数十〜数千に分割
分離されたチップは、どのウェーハのどの位置のもので
あるか識別することが出来ないので、全てのチップを均
一なものとして扱いざるを得なかった。そして、この半
導体装置の組立てはウェーハ面での製造段階より細かい
単位,即ち数十〜数百個毎に製造され、その単位毎へ組
立後の半導体装置のパッケージに識別記号を捺印する程
度である。このような識別信号ではウェーハロット毎の
対応はとれるものの、ウェーハ1枚1枚や、ウェーハ中
のチップ位置の情報との対応づけは、チップ自身が全く
同一のため不可能であった。
分離されたチップは、どのウェーハのどの位置のもので
あるか識別することが出来ないので、全てのチップを均
一なものとして扱いざるを得なかった。そして、この半
導体装置の組立てはウェーハ面での製造段階より細かい
単位,即ち数十〜数百個毎に製造され、その単位毎へ組
立後の半導体装置のパッケージに識別記号を捺印する程
度である。このような識別信号ではウェーハロット毎の
対応はとれるものの、ウェーハ1枚1枚や、ウェーハ中
のチップ位置の情報との対応づけは、チップ自身が全く
同一のため不可能であった。
【0004】一方、この種の識別方法の一つとして、例
えば、特開昭57−71590に開示されているが、こ
の方法は、製造工程の情報を電気的手段でチップ内に記
録するものである。しかし、この方法は、半導体装置の
品種名、製造ロット番号、故障履歴などが記録されてい
るに留り、ウェーハ面内におけるチップ位置情報を得る
ことができなかった。また、特開平1−68311に開
示されている方法は、一応チップ位置を識別するコード
をチップ内に記録するという方法を採用しているものの
その識別コードの形成は1次元バーコード,イオン注入
法,EEPROM等及びそれらの組み合わせを用いてい
るため、読取り・書込装置が複雑になる、ばかりか、小
さな面積で書き込みが済むものでなく、実際に行うこと
が極めて困難である。
えば、特開昭57−71590に開示されているが、こ
の方法は、製造工程の情報を電気的手段でチップ内に記
録するものである。しかし、この方法は、半導体装置の
品種名、製造ロット番号、故障履歴などが記録されてい
るに留り、ウェーハ面内におけるチップ位置情報を得る
ことができなかった。また、特開平1−68311に開
示されている方法は、一応チップ位置を識別するコード
をチップ内に記録するという方法を採用しているものの
その識別コードの形成は1次元バーコード,イオン注入
法,EEPROM等及びそれらの組み合わせを用いてい
るため、読取り・書込装置が複雑になる、ばかりか、小
さな面積で書き込みが済むものでなく、実際に行うこと
が極めて困難である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、均一な
チップとして組立てる場合は、多少のばらつきがあって
も問題にならないものの、半導体装置への要求性能が高
まるにつれ、このばらつきが無視できないようになって
きた。例えば超高速動作を要求される半導体装置では、
複数の集積回路間での信号の位相ズレ(スキュー)を合
わせることが使用上重大な課題であるが、この微妙な信
号遅延の差はウェーハ面内の位置に依存することが多
く、無作為な組み合わせでは十分な総合性能が出せない
ことがある。また、超高速LSIではその高速性試験は
寄性インダクタンスや寄生容量の問題のためパッケージ
に組立て終わった状態でないと行なえないが、その段階
では、チップに分割された状態であり、ウェーハ面内に
おける位置情報は失なわれてしまっている。従ってそれ
らの依存性があってもそれを見つけだすことができず、
性能改善の糸口がつかめないという問題がある。
チップとして組立てる場合は、多少のばらつきがあって
も問題にならないものの、半導体装置への要求性能が高
まるにつれ、このばらつきが無視できないようになって
きた。例えば超高速動作を要求される半導体装置では、
複数の集積回路間での信号の位相ズレ(スキュー)を合
わせることが使用上重大な課題であるが、この微妙な信
号遅延の差はウェーハ面内の位置に依存することが多
く、無作為な組み合わせでは十分な総合性能が出せない
ことがある。また、超高速LSIではその高速性試験は
寄性インダクタンスや寄生容量の問題のためパッケージ
に組立て終わった状態でないと行なえないが、その段階
では、チップに分割された状態であり、ウェーハ面内に
おける位置情報は失なわれてしまっている。従ってそれ
らの依存性があってもそれを見つけだすことができず、
性能改善の糸口がつかめないという問題がある。
【0006】さらに別の例としては市場で半導体装置に
不良が発生しても、その不良がウェーハ面内位置に依存
するものであるかないかも全く識別することができな
い。
不良が発生しても、その不良がウェーハ面内位置に依存
するものであるかないかも全く識別することができな
い。
【0007】本発明の目的は、汎用的な簡単な識別装置
でウェーハ面内の位置を確認でき、組合せによる性能向
上や、ウェーハ面内に生ずる不良の追跡が図れる半導体
装置を提供することである。
でウェーハ面内の位置を確認でき、組合せによる性能向
上や、ウェーハ面内に生ずる不良の追跡が図れる半導体
装置を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体基板であるウェーハ面上に縦横に並べて形成され
るチップ状の半導体装置において、この半導体装置の集
積回路形成領域の周囲にウェーハ面内に位置を示す情報
を記録する領域を少くとも一つ設け、この領域に前記位
置を示す情報がドットマトリックス及び二次元バーコー
ドのいずれかで記録されていることを特徴としている。
半導体基板であるウェーハ面上に縦横に並べて形成され
るチップ状の半導体装置において、この半導体装置の集
積回路形成領域の周囲にウェーハ面内に位置を示す情報
を記録する領域を少くとも一つ設け、この領域に前記位
置を示す情報がドットマトリックス及び二次元バーコー
ドのいずれかで記録されていることを特徴としている。
【0009】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【0010】図1は本発明の半導体装置の一実施例を説
明するためのウェーハ面のチップを示す平面図である。
この半導体装置は、図1に示すように、半導体装置の機
能を果すべき集積回路領域1の周囲に電極引出し用の電
極パッド2と、少くとも一つの位置識別用の情報記録領
域3を設けたことである。そして、この位置識別用の情
報記録領域3に公知のレーザ加工によりチップ位置情報
を示す位置ドット3bと原点を示す原点ドット3aを記
録することである。
明するためのウェーハ面のチップを示す平面図である。
この半導体装置は、図1に示すように、半導体装置の機
能を果すべき集積回路領域1の周囲に電極引出し用の電
極パッド2と、少くとも一つの位置識別用の情報記録領
域3を設けたことである。そして、この位置識別用の情
報記録領域3に公知のレーザ加工によりチップ位置情報
を示す位置ドット3bと原点を示す原点ドット3aを記
録することである。
【0011】このような記録には、例えば、市販のレー
ザマーカを用いれば、例えば1ドットを25μmで記録
できるからウェーハ面内に10×10個、即ち100個
のチップがあるとした場合、情報記録領域3は横250
μm,縦250μmのエリアでチップ位置が表記でき
る。即ち、もし、このチップが原点に対し右3チップ
目、上4チップ目のチップであれば、原点とその右側3
×50μm上側4×50μmの位置の2点にレーザー打
点を行なうことにより記録が完了する。なお、この印字
はウェーハ面内に半導体装置が完成し、電気的検査を行
ったあとに良品チップのみに印字するのが経済的であ
る。そして、この情報をチップのマウント,ボンディン
グ完了後に読み取ることにする。
ザマーカを用いれば、例えば1ドットを25μmで記録
できるからウェーハ面内に10×10個、即ち100個
のチップがあるとした場合、情報記録領域3は横250
μm,縦250μmのエリアでチップ位置が表記でき
る。即ち、もし、このチップが原点に対し右3チップ
目、上4チップ目のチップであれば、原点とその右側3
×50μm上側4×50μmの位置の2点にレーザー打
点を行なうことにより記録が完了する。なお、この印字
はウェーハ面内に半導体装置が完成し、電気的検査を行
ったあとに良品チップのみに印字するのが経済的であ
る。そして、この情報をチップのマウント,ボンディン
グ完了後に読み取ることにする。
【0012】この位置情報の読み取り通常の光学顕微
鏡,CCDカメラあるいは市販の画像処理装置で容易に
行なうことができる。また、パッケージ表面の封止材と
して石英などの透明材を使用すれば、半導体装置が完全
に組立完成した後でも読取り可能である。
鏡,CCDカメラあるいは市販の画像処理装置で容易に
行なうことができる。また、パッケージ表面の封止材と
して石英などの透明材を使用すれば、半導体装置が完全
に組立完成した後でも読取り可能である。
【0013】このようにして位置識別情報が記録された
複数種類の半導体装置を、同一または近似したチップ位
置のもの同志で組み合わせてシステムに搭載することに
より、半導体装置相互間の位相ズレがほとんどなくな
り、システムとしての性能を高く引き出すことが可能と
なる。
複数種類の半導体装置を、同一または近似したチップ位
置のもの同志で組み合わせてシステムに搭載することに
より、半導体装置相互間の位相ズレがほとんどなくな
り、システムとしての性能を高く引き出すことが可能と
なる。
【0014】図2は本発明の半導体装置の他の実施例を
説明するためのウェーハに形成される一チップを示す平
面図である。この実施例の半導体装置では図2に示すよ
うに、前述の実施例で示した位置情報をドットマトリク
スのかわりに二次元バーコードで記録することである。
説明するためのウェーハに形成される一チップを示す平
面図である。この実施例の半導体装置では図2に示すよ
うに、前述の実施例で示した位置情報をドットマトリク
スのかわりに二次元バーコードで記録することである。
【0015】ここで二次元バーコードとしては、米国特
許4939354で開示されたものを使用すると、便利
である。即ち、この二次元バーコードを使用すると、通
常の1次元バーコードやドットマトリクスに比べさらに
多くの情報を小さく収容でき、前記公知例の二次元バー
コードを使えば、10×10個のピクセルで9桁の10
進数が記録できる。
許4939354で開示されたものを使用すると、便利
である。即ち、この二次元バーコードを使用すると、通
常の1次元バーコードやドットマトリクスに比べさらに
多くの情報を小さく収容でき、前記公知例の二次元バー
コードを使えば、10×10個のピクセルで9桁の10
進数が記録できる。
【0016】この二次元バーコードは前記実施例のよう
なレーザーマーカを使って印字してもよいし、フォトリ
ソグラフィ工程で焼きつけてもよい。また、読取りは光
学的に行ない、デジタル処理することにより容易に行な
える。
なレーザーマーカを使って印字してもよいし、フォトリ
ソグラフィ工程で焼きつけてもよい。また、読取りは光
学的に行ない、デジタル処理することにより容易に行な
える。
【0017】本実施例の場合は前述の実施例に比べ収容
できる情報量が多いため、チップ位置だけでなく、ウェ
ーハ番号やその他の製造履歴情報もあわせて記録できる
という利点がある。
できる情報量が多いため、チップ位置だけでなく、ウェ
ーハ番号やその他の製造履歴情報もあわせて記録できる
という利点がある。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ウェーハ
に形成される半導体装置そのものに、ウェーハ面内での
チップ位置情報をドットマトリクスあるいは二次元バー
コードで記録することにより、汎用の識別装置でウェー
ハ面内の位置が認識出来、半導体装置の組合せによる装
置の総合性能向上や、半導体装置そのものの性能向上に
有効な情報を得られる効果があり、さらには不良に対す
る的確な追跡と対策がとれるという効果を有する。
に形成される半導体装置そのものに、ウェーハ面内での
チップ位置情報をドットマトリクスあるいは二次元バー
コードで記録することにより、汎用の識別装置でウェー
ハ面内の位置が認識出来、半導体装置の組合せによる装
置の総合性能向上や、半導体装置そのものの性能向上に
有効な情報を得られる効果があり、さらには不良に対す
る的確な追跡と対策がとれるという効果を有する。
【図1】本発明の半導体装置一実施例を説明するための
ウェーハに形成される一チップを示す平面図である。
ウェーハに形成される一チップを示す平面図である。
【図2】本発明の半導体装置の他の実施例を説明するた
めのウェーハに形成される一チップを示す平面図であ
る。
めのウェーハに形成される一チップを示す平面図であ
る。
1 集積回路形成領域 2 電極パッド 3a 原点ドット 3b 位置ドット 3,4 情報記録領域
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/66 A 7352−4M
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体基板であるウェーハ面上に縦横に
並べて形成されるチップ状の半導体装置において、この
半導体装置の集積回路形成領域の周囲にウェーハ面内に
位置を示す情報を記録する領域を少くとも一つ設け、こ
の領域に前記位置を示す情報がドットマトリックス及び
二次元バーコードのいずれかで記録されていることを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11560092A JPH05315207A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11560092A JPH05315207A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05315207A true JPH05315207A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14666644
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11560092A Pending JPH05315207A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05315207A (ja) |
Cited By (12)
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---|---|---|---|---|
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-
1992
- 1992-05-08 JP JP11560092A patent/JPH05315207A/ja active Pending
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980512 |