JP4471213B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、複数の回路素子を形成した半導体ウェハを個片に分割して形成するウェハレベルチップサイズパッケージ型の半導体装置およびその製造方法に関する。
近年、電子機器の小型化、多機能化に伴い、配線基板上の部品の実装密度が高まってきており、その高密度化の結果として半導体装置の小型化およびピン間の狭小化や多ピン化が促進され、半導体装置の小型化の要求を満たすために半導体ウェハを個片に分割したときの大きさと略同等の大きさを有するウェハレベルチップサイズパッケージ型の半導体装置が主流になってきている。
このようなウェハレベルチップサイズパッケージ型の従来の半導体装置においては、半導体基板のおもて面に形成された回路素子に電気的に接続する再配線と、この再配線に電気的に接続するポストとを封止層により封止してポストのポスト端面に突起電極を設けた半導体装置の裏面（突起電極が設けられた面の反対側の面）にピンマークを捺印し、このピンマークにより半導体ウェハから個片に分割された半導体装置をテープ＆リールやトレイにその方向を揃えて一旦収納し、収納された半導体装置を配線基板に実装するときにピンマークを用いて半導体装置の突起電極と配線基板の配線端子との位置合せを行っている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００３−６０１２０号公報（主に第５頁段落００３７−第６頁段落００４１、第４図）
しかしながら、上述した従来の技術においては、半導体装置の裏面にピンマークを設けて個片に分割された半導体装置のテープ＆リールやトレイへの収納を行っているため、通常裏面を下にして収納するトレイに収納した半導体装置の方向を作業員等が目視で確認することが困難になるという問題がある。
また、半導体装置の裏面に捺印したピンマークを用いて半導体装置の突起電極と配線基板の配線端子との位置合せを行っているため、半導体ウェハを個片に分割するときの切断精度やピンマークの捺印精度のバラツキにより、突起電極の位置を正確に認識することが難しく、突起電極と配線端子との位置ずれが生ずる場合があるという問題がある。
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、突起電極と配線端子との位置合せを正確に行うことができると共に裏面を下にして収納された半導体装置の方向を容易に確認できる手段を提供することを目的とする。
本発明は、上記課題を解決するために、半導体基板と、前記半導体基板の回路形成面に形成された回路素子と、前記回路素子に電気的に接続する再配線と、前記再配線に電気的に接続するポストと、前記再配線が存在しない領域に形成され、前記回路素子とは電気的に非導通とした非導通再配線と、前記非導通再配線上に形成された柱状の識別突起と、前記再配線と前記ポストと前記非導通再配線と前記識別突起とを封止する封止樹脂で形成された封止層とを備え、前記封止層のおもて面に露出した前記識別突起の突起端面を、基板への実装時に装置の方向を認識するための識別マークとして用いる半導体装置において、前記識別突起の非導通再配線と、前記識別突起に近接する前記ポストの再配線とが平面視で平行となる箇所を有し、前記平行箇所の隙間が、前記封止樹脂の流動を妨げない最小隙間である０．０３ｍｍ以上、前記ポスト間の間隔未満であることを特徴とする。
このように、本発明は、ウェハ状態で半導体基板のおもて面側に識別突起を形成することが可能になり、半導体ウェハに形成されたポストのポスト端面に形成される突起電極との位置精度を向上させることができ、封止層のおもて面に露出した突起端面の形状を識別マークとして用いて突起電極の位置を精度よく認識することができ、半導体装置の実装時の配線端子との位置合せを正確に行うことができると共に、半導体装置のおもて面に識別マークを設けることができ、裏面を下にして収納された半導体装置の方向を容易に確認することができるという効果が得られる。
以下に、図面を参照して本発明による半導体装置およびその製造方法の実施例について説明する。
図１は実施例１の半導体装置を示す上面図、図２は図１のＡ−Ａ断面線に沿った断面図である。
図１、図２において、１は半導体装置であり、ウェハレベルチップサイズパッケージ型の半導体装置である。
２はシリコンからなる半導体基板であり、そのおもて面には図示しない半導体素子を配線で接続した複数の回路素子が形成されている（この回路素子が形成される半導体基板２のおもて面を回路形成面３という。）。
４は２酸化珪素等で形成された絶縁層であり、半導体基板２の回路形成面３上に形成され、半導体基板２に形成された各回路素子の上部には図示しないコンタクトホールが形成される。またこのコンタクトホールの内部には図示しない導電層が形成されている。
５は絶縁層４上に形成された電極パッドであり、シリコンを含有するアルミニウム等で形成され、コンタクトホールの内部に形成された導電層を介して対応する回路素子に電気的に接続されている。
６は窒化シリコン等で形成されたパッシベーション膜であり、絶縁層４の上部および電極パッド５の周縁部を覆う保護膜である。
７はポリイミド等で形成された層間絶縁膜であり、パッシベーション膜６上に形成され、半導体基板２に加えられる応力を緩和する機能を有している。
８は金属薄膜層であり、層間絶縁膜７および電極パッド５上に形成されている。
なお、金属薄膜層８は単層でも複合層でも良いが、上層および下層からなる複合層で構成されることが好ましい。この場合に下層は電極パッド５との密着度が強く、上層を構成する物質が半導体基板２側へ拡散することを防止することができる材料であればどのような材料でもよく、例えばチタンが用いられる。また上層はその上にメッキ等により形成される金属配線層との密着度が強い材料であればどのような材料でもよく、例えば銅が用いられる。
９は再配線であり、金属薄膜層８上に形成した金属配線層をエッチングして形成した配線パターンであって、再配線９上の所定の位置に再配線９と同一の材料で形成されたポスト１０と電極パッド５とを電気的に接続する機能を有している。
本実施例のポスト１０は、図１、図２に示すように略８角形に形成された再配線９上に形成された略円形の断面形状を有する柱状部材である。
１２はポスト１０に並設された識別突起であり、図示しない回路素子とは電気的に接続されていない、つまり電気的に非導通とされた再配線９（非導通再配線１３という。）上にポスト１０と同一の材料で形成された一様な断面形状を有する柱状部材であって、その突起端面１２ａの形状が識別マーク１４として機能する。
１５はエポキシ樹脂等の封止樹脂で形成された封止層であり、ポスト１０のポスト端面１０ａおよび識別突起１２の突起端面１２ａを除く半導体基板２の回路形成面３側の全面を覆うように、つまり層間絶縁膜７、金属薄膜層８、再配線９、非導通再配線１３およびポスト１０と識別突起１２の側面を覆うように形成されており、封止層１５のおもて面とポスト端面１０ａおよび突起端面１２ａとは同一平面に位置している。これにより突起端面１２ａが封止層１５のおもて面に露出して識別マーク１４が封止層１５のおもて面に形成される。
１６は半田等で形成された突起電極であり、ポスト１０のポスト端面１０ａ上に形成された後述する配線基板４０の配線端子４３と接合される電極であって、半導体装置１の外部端子として機能する。つまり半導体基板２に形成された回路素子は、電極パッド５、金属薄膜層８、再配線９、ポスト１０および突起電極１６を介して外部装置と接続される。
上記の識別マーク１４は、半導体装置１の方向を認識するためのマークであり、本実施例では封止層１５のおもて面の一つの角部１５ａに形成された三角形、つまり近接するポスト１０が接続する再配線９の８角形の一の再配線側面９ａと少なくとも一部が図１に示す所定の間隔Ｋを隔てて形成された近接辺１４ａである斜辺と、封止層１５の角部１５ａを形成する２つの封止層側面１５ｂにそれぞれ平行に形成された２つの側辺１４ｂとで構成された形状であって、半導体装置１が図１に示すように四角形の場合には近接辺１４ａである斜辺と直交する２つの側辺１４ｂとで形成される直角三角形となり、本実施例では近接辺１４ａを再配線側面９ａと平行に形成しているので直角二等辺三角形である。
また、識別マーク１４を設ける場所は、回路素子に導通する再配線９が直下に存在しない場所であればどこでもよいが、角部１５ａのように半導体装置１の封止層１５の角部とすれば比較的広い面積が確保しやすいので好適である。
以下に、図３から図５を用いて実施例１の半導体装置の製造方法について説明する。
図３、図５は実施例１の半導体装置の製造工程を示す説明図であり、図３は突起電極１６が形成されるまでの工程をＰで示す工程に従って示し、図５は図４に示す半導体ウェハ２０を個片に分割するまでの工程をＰＡで示す工程に従って示したものである。
なお、図３は半導体ウェハ２０に形成される１つの半導体装置１の部分を取出して示してある。
Ｐ１、円柱状のシリコンをスライスして形成された円形の半導体基板２の回路形成面３に、図示しない複数の回路素子を形成し、各回路素子の上部に図示しないコンタクトホールを設けた絶縁層４を形成する。このコンタクトホール内部には図示しない導電層が形成されている。
次いで、シリコンを含有するアルミニウム膜をスパッタリング法によって絶縁層４上に堆積し、これを所定の形状にエッチングして回路素子の所定の部位と電気的に接続する電極パッド５を絶縁層４上に残存させる。
電極パッド５の形成後に、電極パッド５と絶縁層４上にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によってシリコン窒化膜からなるパッシベーション膜６を形成して電極パッド５の部位をエッチングにより除去し、パッシベーション膜６および電極パッド５上にポリイミドからなる層間絶縁膜７を形成して電極パッド５の部位をエッチングにより除去する。
そして、熱処理により層間絶縁膜７を熱硬化させ、硬化した層間絶縁膜７のおもて面をアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気中でのプラズマエッチングにより改質して金属薄膜層８の密着度を向上させ、スパッタリング法により層間絶縁膜７および電極パッド５上に金属薄膜層８を形成する。
Ｐ２、リソグラフィ等により金属薄膜層８上にレジスト２１を形成して再配線９および非導通再配線１３を形成する部位以外の領域をマスキングし、露出している金属薄膜層８上にメッキにより再配線９および非導通再配線１３を形成する。
Ｐ３、アセトン等の剥離剤を用いてレジスト２１を除去し、再度リソグラフィ等により金属薄膜層８および再配線９、非導通再配線１３上にレジスト２２を形成してポスト１０および識別突起１２を形成する部位以外の領域をマスキングし、露出している再配線９および非導通再配線１３上にメッキにより再配線９と同一の材料でポスト１０および識別突起１２を形成する。
Ｐ４、レジスト２２を剥離剤によって除去し、露出した金属薄膜層８を酸素ガス雰囲気中でのプラズマエッチングにより除去し、露出した層間絶縁膜７の表層をウエットエッチングによって除去する。これにより再配線９を流れる電流が層間絶縁膜７の表層を介して他の再配線９や非導通再配線１３にリークするのを防止すると共に非導通再配線１３と回路素子との導通を確実に遮断することができる。
Ｐ５、半導体ウェハ２０の全体を図示しない封止金型に挿入し、この封止金型内部に封止樹脂を注入して半導体基板２の回路形成面３側を封止し、これを硬化させて封止層１５を形成する。
Ｐ６、封止層１５の表層を研磨して研磨後のおもて面にポスト１０のポスト端面１０ａおよび識別突起１２の突起端面１２ａを露出させる。これにより封止層１５のおもて面とポスト端面１０ａおよび突起端面１２ａとが同一平面に位置すると共に層間絶縁膜７、金属薄膜８、再配線９、非導通再配線１３およびポスト１０と識別突起１２の側面が封止層１５により封止される。
Ｐ７、スクリーン印刷法等によりポスト１０のポスト端面１０ａに略半球形状の突起電極１６を形成する。
以上の工程により、図４に示す個片に分割される前の複数の半導体装置１が形成された半導体ウェハ２０が形成され、これらの半導体装置１は縦横に設けられた複数のスクライブ領域２５によって互いの間を離間した状態で形成されている。
このようにして形成された半導体ウェハ２０を個片に分割して半導体装置１を製造する製造工程を図５を用い、ＰＡで示す工程に従って説明する。
なお、図５に示す半導体ウェハ２０は図示の都合上主要な部位にのみ符号を付しているが、上記の全ての構成を備えた半導体ウェハ２０である。
ＰＡ１、リング形状のウェハリング３０と紫外線の照射により接着力が低下する特性を有するＵＶテープ等のダイシングシート３１とを備えたウェハ保持具３２に、反転させた半導体ウェハ２０の突起電極１６をダイシングシート３１に貼り付け、ウェハ保持具３２に半導体ウェハ２０を固定する。
ＰＡ２、半導体ウェハ２０を固定したウェハ保持具３２をダイヤモンド砥石等の砥石３３を備えた図示しない研磨装置に設置し、砥石３３により半導体ウェハ２０の半導体基板２の裏面３４を研磨する。
ＰＡ３、半導体基板２の裏面３４の研磨後に、半導体ウェハ２０を固定したウェハ保持具３２をブレード３５と図示しない赤外線カメラを備えたダイシング装置に設置し、赤外線カメラによって半導体基板２の回路形成面３側に形成された電極パッド５や再配線９等のパターン形状を半導体基板２の裏面３４から認識して半導体ウェハ２０のおもて面に存在するスクライブ領域２５を認識し、その中心線上にブレード３５を位置させる。
ＰＡ４、そして、ブレード３５をスクライブ領域２５の中心線上、つまりスクライブラインに沿って移動させ、半導体ウェハ２０を縦横に切断して半導体ウェハ２０を個片、つまり半導体装置１に分割する。
その後、個片に分割した半導体ウェハ２０をダイシングシート３１と共にエクスパンドリングに移し替え、ダイシングシート３１に紫外線を照射してその接着力を低下させ、ダイシングシート３１を半導体ウェハ２０の外周方向へ引き伸ばして各半導体装置１間の隙間を広げ、広げた隙間を用いて画像認識装置を備えた図示しないオートハンドラーにより半導体装置１をダイシングシート３１から取り外してテープ＆リールまたはトレイに一旦収納する。
このとき、オートハンドラーにより持上げられた半導体装置１の封止層１５のおもて面に形成された識別マーク１４の位置をオートハンドラーがその画像認識装置により認識し、後述する識別マーク１４が設けられた象限により半導体装置１の方向を同一方向に揃えてテープ＆リールまたはトレイに収納する。この場合にトレイには通常突起電極１６を上にして収納される。
このようにして、図１および図２に示したウェハレベルチップサイズパッケージ型の半導体装置１が製造される。
上記のトレイ等に一旦収納された半導体装置１を配線基板４０に実装するときの実装工程について、図６にＰＢで示す工程に従って説明する。
図６は実施例１の半導体装置の実装工程を示す説明図である。
ＰＢ１、一旦トレイ等に収納された半導体装置１は、画像認識装置を備えた図示しない自動実装装置によってトレイ等から取出されて配線基板４０の上方へ搬送され、突起電極１６を配線基板４０に向けて保持される。
このとき、自動実装装置は、その画像認識装置によりハーフミラー４２が反射する半導体装置１の封止層１５のおもて面に露出している識別突起１２の突起端面１２ａ、つまり識別マーク１４の形状を認識し、認識した識別マーク１４により特定の突起電極１６の位置と半導体装置１の方向を認識する。
ＰＢ２、そして、認識した特定の突起電極１６を接合する配線端子４３の直上に位置させると共に所定の方向に向けた半導体装置１を配線基板４０の方向に降下させ、各配線端子４３とそれに対応する突起電極１６とを接合する。
上記のようにして、本実施例の半導体装置１の配線基板４０への実装が行われる。
このように、本実施例の半導体装置１は、その封止層１５のおもて面にウェハ状態でポスト１０と同時に形成された識別突起１２の突起端面１２ａを露出させ、これを識別マーク１４として用いるので、半導体ウェハ２０の分割時の切断精度等に関わらずポスト１０のポスト端面１０ａに形成された突起電極１６と識別マーク１４の位置精度が向上し、ハーフミラー４２等を用いて識別マーク１４を直接認識すれば特定の突起電極１６の位置を精度よく認識することができ、半導体装置１の配線基板４０への実装時の位置ずれを防止することができる。
以上説明したように、本実施例では、ポストに並設した識別突起の断面形状を識別マークの形状とし、その突起端面を封止層のおもて面に露出させるようにしたことによって、ウェハ状態で半導体基板のおもて面側に識別突起を形成することが可能になり、半導体ウェハに形成されたポストのポスト端面に形成される突起電極との位置精度を向上させることができ、封止層のおもて面に露出した突起端面の形状を識別マークとして用いて突起電極の位置を精度よく認識することができ、半導体装置の実装時の配線端子との位置合せを正確に行うことができると共に、半導体装置のおもて面に識別マークを設けることができ、裏面を下にして収納された半導体装置の方向を作業者等が容易に確認することができる。
また、半導体ウェハの製造工程における再配線にポスト形成する工程で、ポストと識別突起とを同時に形成するようにしたことによって、ポスト端面に形成される突起電極と識別マークの位置精度を更に向上させることができる。
更に、識別突起を回路素子とは非導通として形成するようにしたことによって、識別突起へ入力される外部からの電気ノイズ等のノイズが回路素子に伝わることを防止することができる。
更に、識別マークの形状を三角形としたことによって、突起電極の形状（通常は円）との区別が容易になり、画像認識装置を用いた半導体装置の方向の認識を容易に行うことができると共に、作業員等の目視によっても容易に半導体装置の方向の認識することができ、目視検査の作業性を向上させることができる。
更に、識別マークを半導体装置の封止層の一つの角に設けるようにしたことによって、回路素子に導通する再配線が直下に存在しない比較的広い場所の確保が容易になり、比較的大きな面積を有する識別マークを容易に設けることができ、画像認識装置等による認識をより容易に行うことができる。
このことは、特に小型の半導体体装置１に本実施例の識別マーク１４を設ける場合に有効である。例えば、図７は実施例１の識別マークを小型の半導体装置に形成した例を示す上面図、図８は図７のＢ部拡大図である。
図７に示す半導体装置１は、封止層１５の封止層側面１５ｂの長さ、つまり１辺の長さが２ｍｍの正方形であり、ポスト１０および突起電極１６が０．３ｍｍピッチで３６個フルマトリックスで配置されている。
識別マーク１４は、画像認識装置による認識を容易にするためにはその面積を少なくとも０．０１１２５ｍｍ２とする必要がある。
また、識別突起１２の形成には、前述のように回路素子に導通する再配線９が直下に存在しない場所、回路素子とは非導通の非導通再配線１３が形成できる場所で、かつ図８の拡大図に示すように近接するポスト１０が接続している再配線９の再配線側面９ａと対向する識別突起１２が形成される非導通再配線１３の非導通再配線側面１３ａとの隙間Ｓを封止樹脂の流動を妨げない最小隙間である０．０３ｍｍ以上とする必要があり、識別突起１２と非導通再配線１３との各側面間の段差はレジストマスクの形成やエッチングの精度を考慮して０．０１ｍｍ以上と、側辺１４ｂと封止層１５の封止層側面１５ｂとの距離は半導体ウェハ２０を個片に分割するときの切断精度を考慮して０．０２ｍｍ以上とする必要がある。
これらの識別マーク１４とその識別突起１２の設置条件で、識別マーク１４を図７に示す半導体装置１の封止層１５の角部１５ａに形成すると、図８に示すように再配線側面９ａと近接辺１４ａとの所定の間隔Ｋを最小値の０．０４（＝０．０３＋０．０１）ｍｍに、側辺１４ｂと封止層側面１５ｂとの距離を０．０５ｍｍに設定すれば、側辺１４ｂの長さが０．１５ｍｍの直角二等辺三角形（面積０．０１１２５ｍｍ２）を識別マーク１４の形状とすることができる。
このように半導体装置１が非常に小さく、かつ比較的多くの突起電極等がフルマトリックスで配置されている場合おいても、上記設置条件で形成される識別マークの形状を三角形とすることで、角部に設ける識別マークの面積を他の形状、例えば四角形や円に較べて大きくすることができ、小型の半導体装置に設ける識別マークの認識性を向上させることができる。
なお、本実施例では、識別マーク１４を封止層１５のおもて面の一つの角部１５ａに形成する場合を例に説明したが、識別マーク１４を設ける場所は前記に限らず、上記の設置条件を満たす場所であればどこに設けてもよい。例えば、図９は実施例１の識別マークを他の部位に形成した例を示す部分拡大図である。
図９に示す半導体装置１は、１辺の長さが２ｍｍの正方形であり、ポスト１０および突起電極１６が０．５ｍｍピッチで１６個フルマトリックスで配置され、小型ではあるが突起電極１６等が比較的大きいピッチのフルマトリックスで配置されているものである。
この場合にも、近接するポスト１０が接続する再配線９の８角形の一の再配線側面９ａと所定の間隔Ｋを隔てて形成された近接辺１４ａである斜辺と、封止層１５の角部１５ａを形成する２つの封止層側面１５ｂにそれぞれ平行に形成された２つの側辺１４ｂとで構成された直角二等辺三角形を前記の設置条件を満たすように形成すれば、側辺１４ｂの長さが０．２ｍｍの直角二等辺三角形（面積０．０２ｍｍ２）を識別マーク１４の形状とすることができる。
このように、識別マーク１４は封止層１５の角部に設ける必要はなく、封止層１５のおもて面の角部を結ぶ対角線の交点、つまり中心点の近傍を除く部位であれば、封止層１５のおもて面を中心点で直交する各封止層側面１５ｂと平行な２本の線で４つに区切った象限を識別マークにより特定して半導体装置の方向を認識できるので、どこに設けても上記と同様の効果を得ることができる。
また、上記で示した直角三角形や直角二等辺三角形等の正三角形を除く三角形や等脚台形を除く台形、ホームベース状の形状等の各辺の挟み角やその形状全体で方向を特定できる図形（指向性図形という。）とし、半導体装置の方向を特定するための挟み角等を予め設定しておけば、識別マーク１４を中心点の近傍に設けることが可能になる。つまり指向性図形を識別マークの形状とすれば、封止層１５のおもて面の上記の設置条件を満たす部位のどこにでも識別マークを設けることができる。
図１０は実施例２の半導体装置の角部近傍を示す部分拡大図である。
なお、上記実施例１と同様の部分は、同一の符号を付してその説明を省略する。
図１０に示す半導体装置１は、１辺の長さが２ｍｍの正方形であり、ポスト１０および突起電極１６が０．４ｍｍピッチで２５個フルマトリックスで配置され、小型でかつ角部１５ａの面積が比較的狭いものである。
この場合に識別マーク１４は、近接するポスト１０が接続する再配線９の８角形の一の再配線側面９ａと所定の間隔Ｋを隔てて形成された近接辺１４ａと、封止層１５の角部１５ａを形成する２つの封止層側面１５ｂにそれぞれ平行に形成された２つの側辺１４ｂと、近接するポスト１０の再配線９の一の再配線側面９ａに隣接する他の再配線側面９ｂと所定の間隔Ｋを隔て、かつ側辺１４ｂと平行な伸長辺５０とで構成され、伸長辺５０と側辺１４ａとで構成された２つの伸長部５１を有する三角形として形成されている。
この２つの伸長部５１を有する三角形である識別マーク１４を上記の設置条件で、半導体装置１の封止層１５の角部１５ａに形成すると、図１０に示すように再配線側面９ａ、９ｂと近接辺１４ａおよび伸長辺５０との所定の間隔Ｋを最小値の０．０４ｍｍに、側辺１４ｂと封止層側面１５ｂとの距離を最小値の０．０２ｍｍに、側辺１４ｂの長さを０．１８ｍｍに、側辺１４ｂと伸長辺５０との距離（伸長部５１の幅）を０．０３ｍｍにとした図形（面積０．０１３１ｍｍ２）を識別マーク１４の形状とすることができる。
このように、識別マークを伸長部を有する三角形とすることによって、狭い場所であっても、識別マークの面積を容易に拡大することができ、画像認識装置等による認識を容易にして上記実施例１と同様の効果を得ることができる。
なお、上記各実施例においては、識別マークの形状を構成する各辺の挟み角は厳密に角を持つ形状として示したが、角の先端に丸みを持たせるようにしてもよい。要は識別マークとして設定した図形（三角形等）を認識できれば足りる。
また、上記ＰＡ４の工程で半導体ウェハを個片に分割する前、または分割後に半導体装置の裏面、つまり半導体基板の回路形成面の反対側の面にスタンプまたはレーザによりピンマークを捺印するようにしてもよい。このように半導体装置のおもて面と裏面に識別マークとピンマークを設ければ、テープ＆リールやトレイへの収納時にどちらの方向を上にしても容易に半導体装置の方向を確認することができる。
実施例１の半導体装置を示す上面図 図１のＡ−Ａ断面線に沿った断面図 実施例１の半導体装置の製造工程を示す説明図 実施例１の半導体ウェハを示す上面図 実施例１の半導体装置の製造工程を示す説明図 実施例１の半導体装置の実装工程を示す説明図 実施例１の識別マークを小型の半導体装置に形成した例を示す上面図 図７のＢ部拡大図 実施例１の識別マークを他の部位に形成した例を示す部分拡大図 実施例２の半導体装置の角部近傍を示す部分拡大図
符号の説明
１ 半導体装置
２ 半導体基板
３ 回路形成面
４ 絶縁層
５ 電極パッド
６ パッシベーション膜
７ 層間絶縁膜
８ 金属薄膜層
９ 再配線
９ａ 再配線側面
１０ ポスト
１０ａ ポスト端面
１２ 識別突起
１２ａ 突起端面
１３ 非導通再配線
１３ａ 非導通再配線側面
１４ 識別マーク
１４ａ 近接辺
１４ｂ 側辺
１５ 封止層
１５ａ 角部
１５ｂ 封止層側面
１６ 突起電極
２０ 半導体ウェハ
２１、２２ レジスト
２５ スクライブ領域
３０ ウェハリング
３１ ダイシングシート
３２ ウェハ保持具
３３ 砥石
３４ 裏面
３５ ブレード
４０ 配線基板
４２ ハーフミラー
４３ 配線端子
５０ 伸長辺
５１ 伸長部

Claims (7)

  1. 半導体基板と、前記半導体基板の回路形成面に形成された回路素子と、前記回路素子に電気的に接続する再配線と、前記再配線に電気的に接続するポストと、前記再配線が存在しない領域に形成され、前記回路素子とは電気的に非導通とした非導通再配線と、前記非導通再配線上に形成された柱状の識別突起と、前記再配線と前記ポストと前記非導通再配線と前記識別突起とを封止する封止樹脂で形成された封止層とを備え、
    前記封止層のおもて面に露出した前記識別突起の突起端面を、基板への実装時に装置の方向を認識するための識別マークとして用いる半導体装置において、
    前記識別突起の非導通再配線と前記識別突起に近接する前記ポストの再配線とが平面視で平行となる箇所を有し、
    前記平行箇所の隙間が、前記封止樹脂の流動を妨げない最小隙間である０．０３ｍｍ以上、前記ポスト間の間隔未満であることを特徴とする半導体装置。
  2. 請求項１において、
    前記識別マークの形状が、指向性図形であることを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項２において、
    前記識別マークの形状が、前記近接するポストが接続する再配線の再配線側面と、少なくとも一部が所定の間隔を隔てて平行に形成された近接辺と、前記封止層の角部を構成する２つの封止層側面にそれぞれ平行に形成された側辺とを有することを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項３において、
    識別マークの形状が、前記近接辺を斜辺とした三角形形状であることを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項４において、
    前記識別マークの形状が、前記それぞれの側辺に平行で、かつ前記再配線側面と所定の間隔を隔てた２つの伸長辺とで構成された伸長部を有することを特徴とする半導体装置。
  6. 請求項１ないし請求項５のいずれか一項において、
    前記識別マークを、前記封止層のおもて面の一つの角部に形成したことを特徴とする半導体装置。
  7. 半導体基板と、前記半導体基板の回路形成面に形成された回路素子と、前記回路素子に電気的に接続する再配線と、前記再配線に電気的に接続するポストと、前記回路素子とは電気的に非導通とした非導通再配線と、前記非導通再配線上に形成された柱状の識別突起と、前記再配線と前記ポストと前記非導通再配線と前記識別突起とを封止する封止樹脂で形成された封止層とを形成した半導体ウェハを個片に分割して形成する半導体装置の製造方法において、
    前記半導体ウェハに、前記再配線が存在しない領域に、前記識別突起の非導通再配線と前記識別突起に近接する前記ポストの再配線とが平面視で平行となる箇所の隙間が、前記封止樹脂の流動を妨げない最小隙間である０．０３ｍｍ以上、前記ポスト間の間隔未満となるように、前記非導通再配線と、前記再配線とを、前記半導体装置毎に形成する工程と、
    前記再配線と前記非導通再配線とに、前記ポストと前記識別突起とを同時に形成する工程と、
    前記ポストと前記識別突起とを封止樹脂により封止して封止層を形成する工程と、
    前記封止層のおもて面に前記識別突起の突起端面を露出させて、基板への実装時に装置の方向を認識するための識別マークを形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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