JP2007220870A - 半導体基板および半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体素子形成領域1Aおよび該半導体素子形成領域1Aと同じ平面サイズのアライメントマーク形成領域21Aを備えたウエハ状態のシリコン基板2に対して電解メッキによりポスト電極を形成するとき、半導体素子形成領域1Aに複数のポスト電極10を形成し、アライメントマーク形成領域21Aにアライメント用ポスト電極22、23および複数のダミーポスト電極24を形成する。この場合、ダミーポスト電極24の形成により、メッキ電流が局所的に集中して増大しないようにすることができる。
【選択図】 図7
Description
また、この発明に係る半導体素子の製造方法は、複数の半導体素子形成領域および該半導体素子形成領域と同じ平面サイズのアライメントマーク形成領域を備えた半導体基板に対して電解メッキによりポスト電極を形成するとき、前記各半導体素子形成領域にそれぞれ複数のポスト電極を形成し、前記アライメントマーク形成領域にアライメント用ポスト電極および複数のダミーポスト電極を形成することを特徴とするものである。
2 シリコン基板
3 接続パッド
4 絶縁膜
6 保護膜
8、8a、8b、8c 下地金属層
9 配線
9a、9b、9c ダミー配線
10 ポスト電極
11 封止膜
12 半田ボール
21 アライメントマーク付素子
22 仮アライメント用ポスト電極
23 本アライメント用ポスト電極
24 ダミーポスト電極
1A 半導体素子形成領域
21A アライメントマーク形成領域
Claims (11)
- 各々複数のポスト電極を有する複数の半導体素子形成領域と、前記半導体素子形成領域と同じ平面サイズを有し、且つ、アライメント用ポスト電極および複数のダミーポスト電極を有するアライメントマーク形成領域とを備えていることを特徴とする半導体基板。
- 請求項1に記載の発明において、前記ダミーポスト電極は少なくとも前記アライメントマーク形成領域の外周部に配置されていることを特徴とする半導体基板。
- 請求項2に記載の発明において、前記ダミーポスト電極は前記ポスト電極と平面形状および配置ピッチが同一であることを特徴とする半導体基板。
- 請求項1に記載の発明において、前記アライメント用ポスト電極は、互いに異なる形状であって、仮位置決めを行なうための仮アライメント用ポスト電極と本位置決めを行なうための本アライメント用ポスト電極とからなることを特徴とする半導体基板。
- 請求項4に記載の発明において、前記仮アライメント用ポスト電極の平面形状は円形状または正方形状であり、前記本アライメント用ポスト電極の平面形状はほぼ十字形状またはほぼL字形状であることを特徴とする半導体基板。
- 複数の半導体素子形成領域および該半導体素子形成領域と同じ平面サイズのアライメントマーク形成領域を備えた半導体基板に対して電解メッキによりポスト電極を形成するとき、前記各半導体素子形成領域にそれぞれ複数のポスト電極を形成し、前記アライメントマーク形成領域にアライメント用ポスト電極および複数のダミーポスト電極を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。
- 請求項6に記載の発明において、前記ダミーポスト電極は少なくとも前記アライメントマーク形成領域の外周部に形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。
- 請求項7に記載の発明において、前記ダミーポスト電極は前記ポスト電極と平面形状および配置ピッチが同一となるように形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。
- 請求項6に記載の発明において、前記アライメント用ポスト電極は、互いに異なる形状であって、仮位置決めを行なうための仮アライメント用ポスト電極と本位置決めを行なうための本アライメント用ポスト電極とからなり、前記半導体基板に対してポスト電極形成後の工程で位置合わせを行なうとき、前記仮アライメント用ポスト電極を仮アライメントマークとして使用し、次いで、前記本アライメント用ポスト電極を本アライメントマークとして使用することを特徴とする半導体素子の製造方法。
- 請求項9に記載の発明において、前記仮アライメント用ポスト電極の平面形状は円形状または正方形状であり、前記本アライメント用ポスト電極の平面形状はほぼ十字形状またはほぼL字形状であることを特徴とする半導体素子の製造方法。
- 請求項9に記載の発明において、前記半導体基板の位置合わせを行う工程として、半田ボール形成、マーク形成、ダイシングのいずれかが含まれることを特徴とする半導体素子の製造方法。
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