TW536659B - Substrate provided with an alignment mark in a substantially transmissive process layer, mask for exposing said mark, device manufacturing method, and device manufactured thereby - Google Patents

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Description

536659
本發明係關於-種基板’在覆蓋該基板上的實質透射處 理層中備有一對準標記’該標記包括·· -相對高反射區，用以反射一輕射對準光束的輕射，以及 -相對低反射區，用以反射該輻射光束的較少輻射。 此基板可於一微影投影裝置中處理，該裝置包括： -一輻射系統，用以提供一輻射投影光束； --支撐結構，用以支撐圖案構件，目案構件則用來根據 所需圖案將投影光束圖案化； -一基板台用以固定一基板；以及 -一投影系統用以將形成圖案的光束投影在該基板的目標 部份上。 此處所用術語「圖案化構件」應廣義解釋為可用以賦予 進入之輻射光束一圖案化之斷面的構件，該圖案化之斷面 係對應於需建立於基板目標部份的一圖案；本文中亦可使 用術語「光閥」。一般而言，該圖案係與建立於目標部份的 裝置的一特別功能層有關，諸如一積體電路或其他裝置（詳 見下文）。此類圖案化構件的例子包括： ‘罩遮罩的概念在微影術中廣為人知，它並包括如 二元式、交替式相位偏移及衰減式相位偏移等遮罩形式 ，以及各種混合的遮罩形式。此種遮罩放在輻射光束中 ，將導致照射在遮罩上的輻射依據遮罩上圖案作選擇性 透射（當於透射遮罩的狀況）或反射（於反射遮罩的狀況） 。在遮罩的狀況中，其支撐結構一般是一遮罩台，其為 確保遮罩被支撐於進入的輻射光束中一理想位置，並於 -4- 536659
需要時可相對於光束移動。 • 一可程式化鏡面陣列。該種裝置的一個例子為一陣列可 定址表面，具有一黏彈性控制層及一反射表面。該種裝 置的基本原理為（例如）反射表面的已定址區域反射入射 光為衍射光，而未定址區域則反射入射光為非衍射光。 利用適*濾鏡可自反射光束中篩檢出該非衍射光，僅擋 下衍射光，如此光束即依陣列可定址表面的定址圖案成 為圖案化。一可程式反射鏡面陣列的另外具體實施例使 用一微小反射鏡面的陣列配置，藉由施加一適當的局部 電場或使用一壓電起動裝置，各個反射鏡面可分別繞一 軸傾斜。再者，鏡面為可定址陣列，使得該定址鏡面以 不同方向反射入射的輻射光束至未定址的鏡面；在此方 法中，根據陣列可定址鏡面的定址圖案形成反射光束圖 案。可使用適當的電子構件，以執行所需的陣列定址。 在上述的兩種狀況下，形成圖案裝置可包括一或多個可 程式反射鏡面陣列。本文所述的反射鏡面陣列的詳細資 料，請參閱（例如）美國專利1；3 5,296,89i&US5,523,i93 及PCT專利申請w〇98/38597&w〇 98/33〇96，此處以提 及方式併入本文。就可程式鏡面陣列而言，該支撐結構 可以（例如）框架或台面方式具體化，且視需要可為固定 或移動式。 可私式L C D陣列。這種構造的實例可於美國專利案號 US '229,872中找到，此處以提及方式併入本文。如上 所述，此種狀況的支撐結構可以（例如）框架或台面方式 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
536659 A7 B7 五 、發明説明（3 具體化’並視需要可為固定或移動式。 基於簡化的目的，本文其餘部份將在特定位置專門探討有 關遮罩及遮罩台的實例，然而，此類實例中所探討的通用 原理應適用於較廣域的圖案化構件中。 微影投影裝置可用於（例如）積體電路（IC)的製造上。在此 種情況中，圖案化構件可產生相關於IC中單一層的電路圖 案，並可將此圖案成像於已塗覆一層對輻射敏感的材料（光 刻膠；resist)之一基板（矽晶圓）上的目標部份（如包括一或多 個晶模（die))。一般而言，單一晶圓可包括眾多相鄰目標部 份所構成之網路，它們將依次由投影系統逐個照射。在本 裝置中，利用遮罩台上的遮罩進行圖案化，可區分成兩種 不同形式的機器。在一種微影投影裝置中，一趟動作將整 個遮罩圖案暴露於目標部份上，讓每一目標部份都照射到 ，此種裝置一般稱為晶圓步進機（wafer stepper)。在另一種 一般稱為步進掃描裝置（step-and-scan apparatus)的可供選擇 裝置中，於投影光束下以一指定參考方向（掃描方向）逐步掃 描遮罩圖案以照射每一目標部份，並同步地與此方向平行 同向或平行反向掃描基板台，因通常此投影系統具有一放 大倍率Μ (通常<1)，故掃描基板台的速率v將為掃描遮罩 台速率的Μ倍。有關上述微影裝置的進一步資訊可於（例如 )US 6,046,792中收集到，本文中以提及方式併入。 在使用微影投影裝置的製造方法中，於至少部份由一声 對輻射敏感的材料（光刻膠）覆蓋的基板上映射_圖案（例^ 在一遮罩中）。在此成像步驟之前’基板可經各種程序户理 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) " '------
裝 訂
536659 一 A7 ----^__ B7_ 五、發明説明~一 -- 例如打底（priming)、光刻膠塗佈及軟烘（s〇ft心。）。曝光 之後’該基板可接受其他處理，例如曝光後烘乾(p〇s卜 posure bake ’ PEB)、顯影、硬烘（hard bake)及測量/檢查 成像之特徵。這-系列的程序係用來作為一基礎，以圖案 化一裝置（如1C)的單一層。接著，此一圖案化層可再經過各 種處理，例如㈣、離子植人（摻雜）、金屬電鍍、氧化、化 學機械拋光等，所有步驟皆為各層表面處理所需。如果需 f許多層，則整個程序，或其一變化步驟必須每層重覆。 取後，在基板（晶圓）上將呈現一系列的裝置。接著，將會利 用一種諸如切割（dicmg)或鋸切（sawmg)的技術分割這些裝 置，之後可將個別裝置裝載於載架（camer)上、連接至接腳 針（pm)等。有關此種程序的進一步資訊可由（例如）peter Zant所著「微晶片製造：半導體處理指南 Fabrication. A Practical Guide to Semiconductor Processing, Third Edition, McGraw ΗΠ1 Pubhshmg Co.? 1997, ISBN 0-07-0672)0-4)」一書中獲得，本文中以提及方式併入。 為簡化起見，以下稱投影系統為「透鏡」；不過，這個 術語必須作廣義的解釋以包括各種投影系統，例如，包含 折射光學、反射光學及反折射的系統。該輻射系統亦可包 含根據任何設計類型操作的組件，用以引導、塑造或控制 輻射的投影光束，且該組件以下也可以統稱或獨稱為「透 鏡」。另外，此微影裝置可能是一種具有兩個以上基板台 (及/或兩個以上遮罩台）的形式。在此種「多平台」裝置中 ，可以平行使用額外台面，或在一或多個台面上進行準備 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 五、發明説明（5 步驟，而其他一或多個台面則用於曝光。雙平台微影裝置 在（例如）US 1 2,969,441及|〇 98M〇791中均有說明，此處ς 提及方式併入本文中。 本發明係關於一種微影投影裝置之對準系統中使用的對 準標記’用以使圖案化構件中的圖案對準基板。此種對準 不統（例如.國際專利申請案號wo 98/39689中所述之間接 偏離軸線對準系統，此處以提及方式併人本文）係弓丨用 射對準光束，其係由一分離之對準單元所放射，且照射於 -玄基板上之-光柵形式的標記上。該光柵將該對準光束衍 射成數個子光束’相對於該光柵之法線朝不同角度放射。 這些不同的子光束將由該對準單元的一透鏡導引至一平面 的不同位置。可在此平面上配置.各種構件，以進一步將不 同子光束分離。同時’亦將利用該透鏡系統使不同子光束 成像於-參考板上’以形成該標記之一影像。可於該參考 板中配置一參考標記’並於該參考標記後方配置-對輕射 敏感m該偵測器的輸出信號將決定於該基板標記 和該參考標記影像重疊的程度。如此，即可量測基板上標 記與對準單元中參考標記的對準程度，並予以最佳化。該 偵測器可包括分離的個別偵測器，以量測不同狀況下的強 度及對準位置。為完成對準，必須使對準單元中的參考標 3己與第一茶考標記對準，例如：配置於該基板台以配合該 對準單元者。接著’即可利用曝光光線將此第二參考標記 與該遮罩中的一標fp制淮 ^ ”己對準。為此目的，可引用美國專利申 本紙張尺度適用中國國家標準(cns) 29ΐ^Τ -8 - 1 月案3虎US 5,144 363中所；卡^ 2 ，T所述的一裝置與方法，此處以提及方 536659 A7
而’要控制該層的厚度而避免干涉卻極困難.。 本發明的一項目標即為提供一種標記，其能用於一透射 處理層中，且不致受穿透該標記並在基板表面反射的光線 弓丨起的信號強度衰減的困擾。 本發明之此項及其他目標係由一種基板所達成，在覆蓋 該基板上的實質透射處理層中備有一對準標記，該標ϋ 括： •相對高反射區，用以反射一輻射對準光束的輻射，以及 -相對低反射區，用以反射該對準光束較少量之輻射；其 特徵為：該相對低反射區包括散射結構，用以散射及吸收 5亥對準光束之輻射。 經發現：在低反射區使用散射元件，能使對準光束散射 開’故有較少光線穿透該透射層而在該基板表面反射並回 :該標記以引起與高反射區所反射之對準光束的干涉。該 散射結構可於曝光該高反射區的同一曝光步驟中配置。若 該對準標記的散射結構係以一第一方向形成的光栅線條右 則該相對高反射區即可以與該第一方向垂直的光柵線條來 配置。用以偵測該標記之位置的該對準系统，會對由該相 對高反射區形成的光柵線條方向敏感，因光線將主要：鱼 該線條垂直的方向衍射。輯準系統將不會對由該散射二 構所衍射‘的輻射敏感，因該光線所衍射的方向會與由該相° 對高反射區所衍射輻射之方向垂直。用作散射結構的= 柵之光柵週期可小於該相對高反射區的光栅之光柵週期’ 使該相對高反射區所衍射的輻射以對該標記之法線較小之 -10- 五、發明説明（8 角度何射。該對準系統可對與該標記之法線以某—特定角 ㈣敏感’故其僅對由該相對高反射區所衍射的 幸S射敏感。 根據本發明的另_ g姓 負扣试，美供一裝置製造方法，JL步 驟包括： 〃 在基板台上提供-基板，其在至少部份覆蓋一層輕射 敏感材料的一透射層中包括對準標記； H輻射對準光束將包括相對高和相對低反射區的對 準標記對準一參考標記。 -利用一輻射系統提供一輻射投影光束； -利用圖案化構件賦予投影羌束一圖案式之斷面；以及 -將該圖案化輻射光束投影至該層輻射敏感材料之一目標 部份上，其特徵為：該相對低反射區包括散射結構，以散 射及吸收該對準光束。 雖然本文提供使用本發明的裝置製造IC的特定參考，但 必須明白該裝置具有許多其他的可能應用。例如，可將其 用於製造整合式光學系統、磁性區域記憶體的導引及偵測 圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等等。熟知技藝人士應明 白’在此種替代性應用中，任何對本文中術語「主光罩」 曰曰圓」或「晶模」的使用，皆應考慮分別以較普遍的 術語「遮罩」'「基板」及「目標部份」取代。 在本文件中所使用的術語「輻射」及Γ光束」可用來包 含所有型式的電磁輻射，包括紫外線輻射（如波長為365、 248、193、157或126 nm者）和EUV(遠紫外線輕射，如具有 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 536659 五 、發明説明（9 子束fe圍）至20 11111者），以及諸如離子束或電子束之類的粒 現在將苓考附圖範例說明本發明的具體實施例，其中·· 圖1頭不可實施本發明之一微影投影裝置； 圖2顯不可實施本發明之一對準標記； Θ ”員示圖2中依據本發明之第一項具體實施例的對準標 έ己之部份子光柵的俯視圖； 圖”’、員示内砍於基板上之透射層中的對準標記的斷面圖； 二圖5顯示圖2中依據本發明之第二項具體實施例的對準標 圯之部份子光柵的俯視圖；以及 圖6 ”、員不依據本發明之第三項具體實施例的一標記之反射 區的細部俯視圖。 在Θ中對應的參考符號表示對應的部件。 圖1顯不一微影投影裝置，其中可使用依據本發明配置有 该標記的基板。該裝置包括： •一輻射系統Ex、IL用於供應一輻射投影光束ΡΒ(如υν* 幸田射）。在此特定狀況下，該輻射系統也包括一輻射源 L A， •，一第一物件台（遮罩台）MT，具有支撐遮罩ΜΑ(例如一主 光罩）的遮罩支架，並與第一定位構件連接以相對於項目 PL將遮罩精確定位； 、、 、，第一物件台（基板台）WT，具有支撐基板w(例如一塗佈 了光X丨膠的矽晶圓）的一基板支架，並與第二定位構件連接 以相對於項目PL將基板精確定位；以及 -12- 本紙張尺度適财平(CNS) A4規格(210X297公釐)
五、發明説明（1〇 ) 匕鏡」）PL(例如一衍射或反折射系統、一
輻射源LA(例如一 HG燈、一準分子雷射 在磁帶環 •一投影糸統（ 鏡面群組或<j (storage nng)或同步加速器中環繞於一電子光束路徑周圍之 波動為（undulator))產生一輻射光束。此光束直接地或在穿 過調節構件（諸如一光束擴張器Εχ)之後，被注入一照射系 統（照射g)IL中。照射器比可包含調整構件八^^以設定光束 中亮度分佈的外徑向範圍及/或内徑向範圍（一般分別稱為 σ -外及σ -内）。另外，它一般會包括其他數種元件，諸如 一整合器IN和一聚光鏡C〇。如此，照射於遮罩ΜΑ上的光 束ΡΒ在其斷面中即具有一所需的一致性和亮度分佈。 於圖1中應注意的是：輻射源LA可位於微影投影裝置的外 殼中（通常當輻射源L Α是一（例如）水銀燈時，即是如此），但 匕亦可與Μ影投影裝置距離遙遠，其所產生之輕射光束被 V入裝置中（例如依罪適當導引鏡面之助），當輕射源[α為 一準分子雷射時，通常是後面這種狀況。本發明及申請專 利範圍包含此兩種狀況。 光束PB隨後載擊上支撐於遮罩台Μτ上的遮罩…八。通過 遮罩MA後，光束PB再穿過透鏡PL，此透鏡將光束pb聚焦 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 五、發明説明（11 ) 於基板W的一目標部份c上。經由第二定位構件(以及干涉 測疋（lnterferometnc measunng)構件IF)的幫助，可精確移 動基板台WT’ (例如)以在光束叩的路徑上 部份C。同樣地，可用第一 」幻 广 疋位構件以相關於光束ΡΒ的路 從精確疋位遮罩ΜΑ，例如，自遮罩庫機械性地 ΜΑ之後’或在掃描當中。-般而言，目標台一的： 動是靠一長行程模組（粗略定位）和一短行程模組（精細定 的幫助實現的，此二者皆未明確標示於圖而，若在 晶圓步進機的狀況中（相對於步進掃描裝置），遮罩台町可 能僅連接-短行程之傳動裝置（aetua㈣，或為固定。 上述裝置可用於兩種不同模式中： \在步進模式中，遮罩台町實質上保持固定，整個遮罩 影像在一趟（即一閃）當中對目標部份C投影完成 台及/心方向移動，使光束叩能照射另一目_分反c 2:在掃描模式中，實f上適用相同的狀況，但特定目標部 份C亚非於單一「一閃」中曝光。遮罩台町卻可在一特定 方向(所謂的「掃描方向」，例如y方向)以-速度v移動，使 投影光束PB掃描通過—遮罩影像，同時基板台_彳盘之同 向或反向以速度V=Mv移動’其中M為透鏡pL的放大倍率 (典型地’ M=l/4或1/5)。如此，可曝光一相對大區域的目標 部份C而不需犧牲解析度。 不 為對準目的，在遮罩MA中配置了標記（Mi和M2)。可透過 技々π統PL直接或間接地將這些標記和吣）與基板…中 -14- 本纸張尺度適财目®家標準(CNS) A4規格(21〇X297公爱) 536659 五、發明説明（ 的標記（Pi和P2)對準。為
.α ^ 在此對準日寸，將獲得透過投影系統PL 才又衫於基板W上的該旦彡你 ^ ★ 扪亥衫像C之位置的資訊。此係必要條件， 以確保藉不同遮罩曝去 如卜 *先的不同層能互相正確定位。因此， 的曝光之則’必須將遮罩Μ Α中的影像對準相同的基 板標記（P1和P 2 )。 圖2顯示可實施本發明的一先前技藝之基板對準標記。此 :购記可包括四個子光〜P1，b、pl〜 …拇〜匕和心係作為乂方向的對準’而子光柵卩^和卩^則 丁作為Y方向的對準。這些子光柵可具有(例如,的光 ㈣期ϋ光柵的光栅週期皆可不同’且子光柵的尺 寸可達 * 2QQ _。每—子光栅皆包括相對高反射區3以 及相對低反射區1。 圖3為圖2之對準標記的子光栅之-部份，諸如Pl,a的俯視 圖：其中顯示沿著¥方向以-光栅週期形成光柵的四個高反 射區〇 α &二個低反射區i。言亥低反射區工係包含一散射結 構具有-光柵的形式，纟光拇週期係沿著χ方向，並有一 尺寸（例如：小於2 _的週期，諸如丨ι4 μιη)。在低反射 區中散射結構的功能為將人射於該低反射區的對準光束的 _射散射和吸收’ W防㈣穿透該低反射區，自該基板表 面反射，1穿透回到該標記上而與反射自該高反射區的對 準光束部份發生干涉，造成該對準信號的干擾。低反射區 光柵的方向係選擇為實質上垂直於高反射區光柵的方向， 使衍射自該低反射區的對準光束部份會以不同於衍射自該 裝 訂 536659 ^ A7 ____ B7 五、發明説^7^—) " " — 南反射區的對準光束之方向衍射。自該低反射區衍射的該 對準光束部份不會到達對準系統，因該對準系統係僅對特 疋方向的衍射敏感。因此，來自該低反射區的衍射將不致 干擾到a亥對準系統。同時，該低反射區中光柵的週期係小 於a亥冋反射區中光柵的週期。因此，其相對於該標記之法 線的衍射角度亦較大’故衍射自該低反射區的輻射干擾該 對準糸統的機會亦進一步降至最低。該高反射區的反射率 可為5〇至100%，而該低反射區的反射率則可為〇至1〇%。例 如：一銅雙重鑲嵌層的反射率可為4%。 圖4顯示一内嵌於基板w上的透射層丨丨中的對準標記，沿 圖3中的線條7所見的斷面圖。該基板,上覆蓋了五個處理 層（9、11、13、15和17)，其在後續對該基板w的曝光中受 到圖案化光束的照射。其中一層（11)係配置有一對準標記 ’其包含高反射區3與低反射區1。當這些層（9、11、13、 1 ：)和17)為透射層，且在該低反射區1中無散射結構配置的 狀況時，來自對準系統對準光束的輻射將穿透低反射區1並 在基板W的表面反射。然後，自該表面反射的輻射將再度 到達该對準標記，並將與直接在該標記表面反射的部份對 準光束產生干涉。依據本發明，配置於該低反射區的散射 特徵將使該基板表面反射的影響降至最低。 具體實施例2 圖5顯示圖2中依據本發明之第二項具體實施例的對準標 5己之部份子光柵的俯視圖。圖中顯示兩個高反射區3以及一 個低反射區5。此第二項具體實施例中的大部份項目與第一 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 536659
項具體實施例相同’其_項差異在於：形成高反射區3的光 栅之線條係分割成兩部份，在高反射區3的中央有—低反射 區21。該低反射區21係與形成高反射區3的光柵線條平行。 此額外㈣反射區能增加高反射區所形成光柵的衍射對準 光束更南的等級，如丨th目丨| ^· 士 ^丨 _ 則罕乂有利’因更高的等級能提供更 佳的標記位置資訊。如圖所示’高反射區增一個低反射區 21在中央將其分剎為二。高反射區亦可分割成三、四或五 個部份’ W改善衍射使其具有較高的等級，並從而改善對 準的準確度。 具體貫施例3 裝 訂 圖6顯示依據本發明之第三項具體實施例的一標記之高反 射區的部份細部俯視圖。該高反射區係由許多正方形表面 所組合形A，每一正方形皆在第一及第二方向上重複，且 其四邊與該第一及第二方向平行。如此圖中所示，有兩種 方形表面·大正方形23和小正方形25，他們重複出現以 構成问反射區3。a些正方形白勺大小係比得上遮罩曝光於基 $上結構的大小’ 1亦可有兩種以上的〖方形大小。在該 丁己的问反射區中的正方形可比得上的大小以及曝光的結 幸乂有好處因以曝光結構的衍射係類似於以標記的高反 射區的衍射。此種類似之衍射的一項優點在於：以類似衍 射方式產生的光束將會以類似光學路徑穿過該投影系統，. 因此將遭遇投影系統中相同的像差問胃。對該對準標記和 所要曝光的結構而f，此類像差問題產生的位置差異類似 以才產生對準較佳的定位。其正方形大小可在〇 〇5到〇 $ _ -17- 536659 五、發明説明（π 的範圍。必須明瞭··第三項具體實施例 的低反射區中不使用任何散射結構 〜對準標記 施於圖2的對準標記 a &，（例如）直接實 量測覆蓋層的標記中此本發明亦可用於適合 。此時該正方形將包含1=:的形式可為一大正方形 上所要曝光結構的大小。χ正方形’其大小係比得 上或ί測二=·微影裝置中的該投影系統-之瞳孔平面 里 寸疋結構中的不同衍射等級的位置。在瞳孔平 面中的位置能透露出兮^士 °亥捋疋結構中出現的衍射量的資訊。 Μ ’亦可量測一對準標記之瞳孔平面中不同衍射等級的 位置1 f夕動该對準標記的位置’使該對準標記之瞳孔平 面:不同衍射等級的位置與將曝光結構變得類似。亦可利 _擬HWf得—標記’其能像該微影投影裝置中將曝 訂 光的結構一般，衍射至該瞳孔平面的類似位置。同樣地， 。玄^ δ己的局反射區將類似於該微影投影裝置中將曝光的結 構一般被竹射’並將遭遇投影系統中相同的像差問題，產 生相同的位置差異，以及較佳的對準位置。 雖然本發明的特定具體實施例已如上述加以說明，應明 瞭本發明可以上述以外的其他方法完成。本發明並不受本 說明所限制。 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐) 536659 A7 B7 五、發明説明（16 ) 圖中元件參考數字清單 1 低反射區 3 r%反射區 5 散射結構 7 斷面線 9 處理層 11 處理層 13 處理層 15 處理層 17 處理層 21 低反射區 23 大正方形表面 25 小正方形表面 AM 調整構件 C 目標部份 CO 聚光鏡 Ex 輻射系統 IF 干涉測定構件 IL 照射系統 IN 整合器 LA 幸昌射源 Ml、M2 標記 MA 遮罩 MT 遮罩台 裝 訂
線 -19-本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 536659 A7 B7 五、發明説明（17 ) PI、P2 標記 Pi. a 子光柵 Pi, b 子光柵 Pl; c 子光柵 Pl; d 子光栅 PB 投影光束 PL 投影系統 W 基板 WT 基板台 -20- 裝 訂
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)

Claims (1)

  1. 536659
    對準：板，在覆盍該基板上的實質透射處理層中備有一 對早知^己，該標記包括： -:斜高反射區，用以反射一輻射對準光束的輕射，以 -:對低反射區’用以反射該對準光束較少量之輕射· ^徵為：該低反射區包括散射結構，用以散射 收该對準光束之輻射。 2· 士申明專利範圍第1項之基板，其中該對準標記之散射姓 構包括 ~ - 舣町、、，口 第一光栅 3. 4. 6. 8. 申明專利範圍第1或2項之基板，其中該對準標記之高 反射區包括一第二光柵，且該散射結構係位於該第二光 柵的線條之間的空間中。 如申請專利範圍第3項之基板，其中該第一及第二光栅係 一度空間形式，且其間的方向實質上互成垂直。 如:請專利範圍第4項之基板，《中該第一光栅的光柵週 期係小於該第二光柵的光栅週期。 如申請專利範圍第2項之基板，其中該第一光柵的光柵週 期係小於2 μιη。 如申請專利範圍第1項之基板 係介於〇至10%的範圍。 如申請專利範圍第1項之基板，其中該高反射區之反射等 係介於50至1〇〇〇/0的範圍。 如申請專利範圍第1項之基板 區係分割成數個區。 其中該低反射區之反射率 其中該對準標記之高反身
    -21 本紙張尺度適财g @家鮮(CNS) A4規格(21QX297公爱) 536659 A8 B8 C8 -— D8 申請專利範圍 ίο 11. 12. 13. 14. 15. 16. 如申請專利範圍第9 | 4 ^ ^ u弟y貝之基板，其中該對準標記之高反射 區包括具有線條的—第二光栅，且這些線條中至少有一 線條係沿著與該線條平行的方向分割。 如申:青專利範圍第9項之基板，#中該高反射區係沿著第 :及弟二方向被分割’二方向實質上係互相垂直，故該 高反射區係顯著地包括矩形的區。 如申請專利範圍第U項之基板，其中某些矩形區與其他 矩形區的大小不同。 如申請專利範11第ll2iUW之基板，其中該矩形區為正 方形。 如申請專利範圍第9項之基板’丨中該高反射區分割的區 之大小與形式係實質上等於處理層中曝光的行成積體電 路的特徵之大小與形式。 種包3圖案之光罩，用以曝光如申請專利範圍第i項 之對準標記。 ' 一種裝置之製造方法，包括下列步驟： •在一基板台上提供包括對準標記之一基板，這些對準 裇。己在至少部份覆蓋一層輻射敏感材料的一透射層中 包括高反射與低反射區； 利用一輪射對準光束來使該對準標記與一參考標記斜 準； ^ ” -利用一辕射系統提供一輻射投影光束； 利用圖案化構件賦予投影光束一圖案式之斷面；以及 -將該圖案化輻射光束投影至該層輻射敏感材料之一目 -22- 本紙張尺度適财S S家標準(CNS) M規格(2夢撕公羡) 536659 8 8 8 8 ABCD 申請專利範圍 標部份上，其特徵為：該低反射區包括散射結構 散射及吸收該對準光束。 17. —種如申請專利範圍第16項製造的裝置。 以 -23-
    本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
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