JP6084227B2 - リソグラフィ装置及び方法 - Google Patents
リソグラフィ装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6084227B2 JP6084227B2 JP2014536164A JP2014536164A JP6084227B2 JP 6084227 B2 JP6084227 B2 JP 6084227B2 JP 2014536164 A JP2014536164 A JP 2014536164A JP 2014536164 A JP2014536164 A JP 2014536164A JP 6084227 B2 JP6084227 B2 JP 6084227B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grating
- reflective
- radiation
- substrate
- reflective portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 193
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 104
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 54
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 43
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 41
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 25
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims description 21
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 14
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 42
- 230000008859 change Effects 0.000 description 34
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 230000006870 function Effects 0.000 description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- 238000004980 dosimetry Methods 0.000 description 12
- 230000004044 response Effects 0.000 description 12
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 3
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 231100000673 dose–response relationship Toxicity 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000006335 response to radiation Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/02—Dosimeters
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
[0001] 本願は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている、2011年10月20日出願の米国仮出願第61/549,548号の利益を主張する。
[0055] 1.ステップモードにおいては、支持構造(例えばマスクテーブル)MT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに付与したパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。
[0056] 2.スキャンモードにおいては、支持構造(例えばマスクテーブル)MT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。支持構造(例えばマスクテーブル)MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。
[0057] 3.別のモードにおいては、支持構造(例えばマスクテーブル)MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに付与されたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させるごとに、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。
1.EUV放射ビームの断面にパターンを付与してパターニングされたEUV放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するように構成された支持構造と、前記パターニングされたEUV放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、を備え、
前記支持構造には、一連の第2の反射部分と交互に配置された一連の第1の反射部分を有する格子が設けられ、前記第2の反射部分の反射率が、前記第1の反射部分の少なくとも一部の反射率未満でありゼロより大きい、リソグラフィ装置。
2.前記第1の反射部分がパターニングされていない区域であり、前記第2の反射部分がパターニングされていない区域である、条項1に記載の装置。
3.前記第1の反射部分が矩形であり、前記第2の反射部分が矩形である、条項2に記載の装置。
4.前記第1の反射部分の各々が、反射ラインと吸収ラインとを有する副格子を備え、前記第2の反射部分がパターニングされていない区域を備える、条項1に記載の装置。
5.前記格子が、前記第1の反射部分と前記第2の反射部分との間に位置する一連の吸収部分をさらに備える、条項4に記載の装置。
6.前記格子が、前記第1の反射部分によって反射され、前記基板によって受光される放射の平均強度が、前記第2の反射部分によって反射され、前記基板によって受光される放射の平均強度に実質的に等しくなるように構成される、条項4に記載の装置。
7.前記第2の反射部分がミラー上方に位置する吸収材料層を備え、該吸収材料層が、一部の放射が前記ミラーから反射し、前記吸収材料層を通って戻るように一部のEUV放射を透過可能にする、条項1に記載の装置。
8.前記第2の反射部分の反射率が、前記第1の反射部分の少なくとも一部の反射率の約1/2である、条項1に記載の装置。
9.前記支持構造に、前記格子とは反対の向きの第2の格子が設けられる、条項1に記載の装置。
10.前記支持構造に、前記格子に対して横向きに延びる追加の格子が設けられる、条項1に記載の装置。
11.前記第2の反射部分の反射率が、使用時にEUV放射の大部分が前記第前記2の反射部分から反射するのに十分に高い反射率である、条項1に記載の装置。
12.前記第2の反射部分の反射率が、使用時に前記第2の反射部分から反射するEUV放射が、前記基板上のレジスト内に形成される前記格子の像に測定可能な作用を有するのに十分に高い反射率である、条項1に記載の装置。
13.格子が設けられたパターニングデバイスであって、
一連の第1の反射部分と、一連の第2の反射部分と、を備え、
前記一連の第1の反射部分が前記一連の第2の反射部分と交互に配置され、
前記第2の反射部分の反射率が前記第1の反射部分の少なくとも一部の反射率未満でありゼロより大きい、パターニングデバイス。
14.リソグラフィ装置によって基板に投影される放射線量の測定方法であって、
反射率が第1の反射部分の少なくとも一部の反射率未満でありゼロより大きい一連の第2の反射部分と交互に配置された一連の第1の反射部分を備える格子を照明するステップと、
前記リソグラフィ装置を使用して前記格子を基板上のレジスト内に結像するステップと、
前記リソグラフィ装置のアライメント装置を使用して前記結像格子の重心を測定するステップと、
を含む、方法。
15.前記第1の反射部分がパターニングされていない区域又は矩形であり、前記第2の反射部分がパターニングされていない区域又は矩形であるEUV放射を使用する、条項14に記載の方法。
16.リソグラフィ装置の焦点面の位置を測定する方法であって、
反射率が第1の反射部分の少なくとも一部の反射率未満でありゼロより大きい一連の第2の反射部分と交互に配置された一連の第1の反射部分を備える格子を、EUV放射を使用して照明するステップと、
前記リソグラフィ装置を使用して前記格子を基板上のレジスト内に結像するステップと、
前記リソグラフィ装置のアライメント装置を使用して前記結像格子の重心を測定するステップと、
を含む、方法。
Claims (11)
- EUV放射ビームの断面にパターンを付与してパターニングされたEUV放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持する支持構造と、
前記パターニングされたEUV放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、を備え、
前記支持構造には、一連の第2の反射部分と交互に配置された一連の第1の反射部分を有する格子が設けられ、前記第2の反射部分の反射率は、前記第1の反射部分の少なくとも一部の反射率未満でありゼロより大きく、
前記第1の反射部分の各々は、反射ラインと吸収ラインとを有する副格子を備え、前記第2の反射部分は、パターニングされていない区域を備える、
リソグラフィ装置。 - 前記格子は、前記第1の反射部分と前記第2の反射部分との間に位置する一連の吸収部分をさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 前記格子は、前記第1の反射部分によって反射され前記基板によって受光される放射の平均強度が、前記第2の反射部分によって反射され前記基板によって受光される放射の平均強度に実質的に等しくなるように、構成される、請求項1又は2に記載の装置。
- 前記支持構造は、ミラーを備え、
前記第2の反射部分は、前記ミラー上方に位置する吸収材料層を備え、該吸収材料層は、一部の放射が前記ミラーから反射し前記吸収材料層を通過して戻るように一部のEUV放射を透過可能にする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の装置。 - 前記第2の反射部分の反射率は、前記第1の反射部分の少なくとも一部の反射率の約1/2である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の装置。
- 前記支持構造に、前記格子とは反対の向きの第2の格子が設けられる、請求項1〜5のいずれか一項に記載の装置。
- 前記支持構造に、前記格子に対して横向きに延びる追加の格子が設けられる、請求項1〜6のいずれか一項に記載の装置。
- 前記第2の反射部分の反射率は、使用時に前記第2の反射部分から反射するEUV放射が、前記基板上のレジスト内に形成される前記格子の像に測定可能な作用を有するのに十分に高い反射率である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の装置。
- 一連の第2の反射部分と交互に配置された一連の第1の反射部分を備える格子が設けられ、前記第2の反射部分の反射率は、前記第1の反射部分の少なくとも一部の反射率未満でありゼロより大きく、前記第1の反射部分の各々は、反射ラインと吸収ラインとを有する副格子を備え、前記第2の反射部分は、パターニングされていない区域を備える、パターニングデバイス。
- リソグラフィ装置によって投影される放射線量を測定する方法であって、
請求項1〜9のいずれか一項に記載の格子を照明し、EUV放射を使用し、前記リソグラフィ装置を使用して格子を基板上のレジスト内に結像するステップと、
次に前記リソグラフィ装置のアライメント装置を使用して前記結像格子の重心を測定するステップと、を含む、方法。 - リソグラフィ装置の焦点面の位置を測定する方法であって、
請求項1〜9のいずれか一項に記載の格子を照明し、EUV放射を使用し、前記リソグラフィ装置を使用して格子を基板上のレジスト内に結像するステップと、
次に前記リソグラフィ装置のアライメント装置を使用して前記結像格子の重心を測定するステップと、を含む、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161549548P | 2011-10-20 | 2011-10-20 | |
US61/549,548 | 2011-10-20 | ||
PCT/EP2012/068696 WO2013056941A1 (en) | 2011-10-20 | 2012-09-21 | Lithographic apparatus and method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014531131A JP2014531131A (ja) | 2014-11-20 |
JP6084227B2 true JP6084227B2 (ja) | 2017-02-22 |
Family
ID=46963703
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014536164A Active JP6084227B2 (ja) | 2011-10-20 | 2012-09-21 | リソグラフィ装置及び方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9519224B2 (ja) |
JP (1) | JP6084227B2 (ja) |
KR (2) | KR102125876B1 (ja) |
CN (1) | CN103917920B (ja) |
WO (1) | WO2013056941A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI663481B (zh) * | 2014-06-03 | 2019-06-21 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 用於補償一曝光誤差的方法、元件製造方法、基板台、微影裝置、控制系統、用於量測反射率的方法、及用於量測一極紫外線輻射劑量的方法 |
SG11201804232QA (en) | 2015-12-21 | 2018-06-28 | Asml Netherlands Bv | Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method |
TWI712849B (zh) * | 2017-02-17 | 2020-12-11 | 聯華電子股份有限公司 | 一種極紫外線光罩 |
EP3396456A1 (en) * | 2017-04-25 | 2018-10-31 | ASML Netherlands B.V. | Method of monitoring and device manufacturing method |
WO2019048147A1 (en) * | 2017-09-11 | 2019-03-14 | Asml Netherlands B.V. | METHODS AND DEVICES FOR FORMING PATTERNS AND APPARATUSES FOR MEASURING THE PERFORMANCE OF DEVELOPING A LITHOGRAPHIC APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
IL285382B2 (en) | 2019-03-12 | 2024-05-01 | Asml Netherlands Bv | A method and device for predicting deviation in a projection system |
CN113555345B (zh) * | 2020-04-23 | 2024-02-06 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体标记及其形成方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL8701716A (nl) * | 1987-07-21 | 1989-02-16 | Philips Nv | Aftastende optische mikroskoop. |
JP3078163B2 (ja) | 1993-10-15 | 2000-08-21 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ用反射型マスクおよび縮小投影露光装置 |
DE69531854T2 (de) | 1994-08-02 | 2004-08-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Verfahren zur wiederholten abbildung eines maskenmusters auf einem substrat |
JP4055827B2 (ja) * | 1996-02-15 | 2008-03-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー. ブイ. | リソグラフィ装置の放射線量決定方法、及び該方法実施用テストマスク及び装置 |
EP1039510A4 (en) * | 1997-11-14 | 2003-11-12 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND EXPOSURE METHOD |
EP1256843A1 (en) * | 2001-05-08 | 2002-11-13 | ASML Netherlands B.V. | Method of calibrating a lithographic apparatus |
JP4803901B2 (ja) * | 2001-05-22 | 2011-10-26 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ方法、露光装置、および半導体デバイス製造方法 |
TW536659B (en) * | 2001-05-23 | 2003-06-11 | Asml Netherlands Bv | Substrate provided with an alignment mark in a substantially transmissive process layer, mask for exposing said mark, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
EP1260870A1 (en) * | 2001-05-23 | 2002-11-27 | ASML Netherlands B.V. | Alignment mark |
WO2006012388A2 (en) * | 2004-07-22 | 2006-02-02 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Test structures and methods for monitoring or controlling a semiconductor fabrication process |
JP2006049596A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Nikon Corp | Euv露光装置 |
JP2007201306A (ja) | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Nikon Corp | 反射型レチクル及び反射型レチクルの製造方法 |
NL1036305A1 (nl) * | 2007-12-21 | 2009-06-23 | Asml Netherlands Bv | Grating for EUV-radiation, method for manufacturing the grating and wavefront measurement system. |
JP2009175587A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Toshiba Corp | 露光装置検査用マスク、その製造方法、及び露光装置検査用マスクを用いた露光装置の検査方法 |
-
2012
- 2012-09-21 CN CN201280051468.2A patent/CN103917920B/zh active Active
- 2012-09-21 WO PCT/EP2012/068696 patent/WO2013056941A1/en active Application Filing
- 2012-09-21 US US14/351,012 patent/US9519224B2/en active Active
- 2012-09-21 JP JP2014536164A patent/JP6084227B2/ja active Active
- 2012-09-21 KR KR1020197023894A patent/KR102125876B1/ko active IP Right Grant
- 2012-09-21 KR KR1020147013404A patent/KR102013259B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9519224B2 (en) | 2016-12-13 |
US20140313496A1 (en) | 2014-10-23 |
KR102125876B1 (ko) | 2020-06-24 |
JP2014531131A (ja) | 2014-11-20 |
CN103917920B (zh) | 2016-04-20 |
KR102013259B1 (ko) | 2019-08-22 |
KR20140080544A (ko) | 2014-06-30 |
KR20190100419A (ko) | 2019-08-28 |
WO2013056941A1 (en) | 2013-04-25 |
CN103917920A (zh) | 2014-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6084227B2 (ja) | リソグラフィ装置及び方法 | |
US20140340663A1 (en) | Apparatus for Monitoring a Lithographic Patterning Device | |
US20140002805A1 (en) | Electrostatic Clamp Apparatus And Lithographic Apparatus | |
US9983489B2 (en) | Method for compensating for an exposure error, a device manufacturing method, a substrate table, a lithographic apparatus, a control system, a method for measuring reflectivity and a method for measuring a dose of EUV radiation | |
JP5485262B2 (ja) | アライメントフィーチャ、プリ・アライメント方法、及びリソグラフィ装置 | |
JP5885418B2 (ja) | リソグラフィ装置、収差ディテクタ、およびデバイス製造方法 | |
JP5559270B2 (ja) | リソグラフィ装置用のレベルセンサアレンジメント、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP6100882B2 (ja) | リソグラフィ装置、センサ及び方法 | |
KR20240018488A (ko) | 계측 시스템, 시간적 및 공간적 가간섭성 스크램블러 및 그 방법 | |
CN117157587A (zh) | 光刻设备、温度传感器、和光纤布拉格光栅传感器 | |
US20110170083A1 (en) | Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method | |
TW202119124A (zh) | 微影設備及偵測輻射光束之方法 | |
NL2008523A (en) | Lithographic apparatus and method. | |
TW201137536A (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
NL2013657A (en) | Apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method. | |
JP2022524206A (ja) | リソグラフィ装置、計測装置、光学システムおよび方法 | |
NL2007630A (en) | Lithographic apparatus and patterning device monitoring apparatus and method. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150914 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160729 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160729 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161021 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170117 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170124 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6084227 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R154 | Certificate of patent or utility model (reissue) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R154 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6084227 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |