JP6100882B2 - リソグラフィ装置、センサ及び方法 - Google Patents
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Description
放射ビームを調節するように構成された光学システムと、
放射ビームの一部を受光するように配置されたセンサであって、これによって、放射が光学システムによって調節される前に、又は光学システムによって調節された後に放射ビームの特性を測定できる、センサと、を備え、
センサは、装置の動作中に放射ビームが向けられる半導体基板の表面上に設けられたフォトダイオードを備え、第1の放射線遮断材料は、半導体基板の表面上のフォトダイオードの周囲に設けられ、
第2の放射線遮断材料は、リソグラフィ装置の動作中に放射ビームが入射する半導体基板の側面に設けられる、装置が提供される。
1.ステップモードにおいては、支持体(例えばマスクテーブル)MT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに付与したパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。
2.スキャンモードにおいては、支持体(例えばマスクテーブル)MT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。支持体(例えばマスクテーブル)MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって判定することができる。
3.別のモードにおいては、支持体(例えばマスクテーブル)MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに付与されたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させるごとに、又はスキャン中に連続する放射パルス間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。
1.リソグラフィ装置であって、
放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
放射ビームの断面にパターンを付与してパターニングされた放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するように構成された支持体と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記基板のターゲット部分にパターニングされた放射ビームを投影するように構成された投影システムと、
センサと、を備え、
前記センサが、
前記リソグラフィ装置の動作中に放射ビームが向けられる半導体基板の表面上に設けられたフォトダイオードと、
前記半導体基板の前記表面上のフォトダイオードの周囲に設けられる第1の放射線遮断材料と、
前記リソグラフィ装置の動作中に前記放射ビームが入射する前記半導体基板の側面上に設けられる第2の放射線遮断材料と、
を有する、リソグラフィ装置。
2.前記半導体基板の前記側面が、前記半導体基板の表面に対して実質的に垂直である、条項1に記載のリソグラフィ装置。
3.前記第2の放射線遮断材料が、前記フォトダイオードの上にも設けられる、条項1に記載のリソグラフィ装置。
4.前記第2の放射線遮断材料が、可視放射及びDUV放射を抑制する一方、EUV放射の有意な透過を可能とする、条項3に記載のリソグラフィ装置。
5.前記第2の放射線遮断材料が、ジルコニウム又は窒化チタンを含む、条項3に記載のリソグラフィ装置。
6.前記第2の放射線遮断材料が、前記フォトダイオードの上に設けられない、条項1に記載のリソグラフィ装置。
7.前記第2の放射線遮断材料が、可視放射及びDUV放射を大幅に抑制する、条項6に記載のリソグラフィ装置。
8.前記第2の放射線遮断材料が、EUV放射を大幅に抑制する、条項7に記載のリソグラフィ装置。
9.前記第2の放射線遮断材料が、アルミニウムを含む、条項6に記載のリソグラフィ装置。
10.前記フォトダイオードが、前記半導体基板の前記表面上に設けられた複数のフォトダイオードのうちの1つである、条項1に記載のリソグラフィ装置。
11.前記センサが、前記支持体上に設けられる、条項1に記載のリソグラフィ装置。
12.帯域内放射の特性を測定するセンサであって、
半導体基板の表面上に設けられたフォトダイオードと、
前記半導体基板の前記表面上の前記フォトダイオードの周囲に設けられた第1の放射線遮断材料と、
前記半導体基板の側面上に設けられた第2の放射線遮断材料と、
を備える、センサ。
13.条項12に記載のセンサを備える、メトロロジー又は検査装置。
14.リソグラフィ方法であって、
リソグラフィ装置の照明システムを使用して放射ビームを調節するステップと、
センサを使用して前記放射ビームを測定するステップであって、前記センサが、前記リソグラフィ装置の動作中に前記放射ビームが向けられる半導体基板の表面上に設けられたフォトダイオードを備え、第1の放射線遮断材料が前記半導体基板の前記表面上の前記フォトダイオードに周囲に設けられ、第2の放射線遮断材料が前記リソグラフィ装置の動作中に前記放射ビームが入射する前記半導体基板の側面上に設けられる、ステップと、
を含む、方法。
Claims (14)
- EUV放射の特性を測定するセンサであって、
半導体基板の表面上に設けられたフォトダイオードと、
前記半導体基板の前記表面上の前記フォトダイオードの周囲に設けられた、EUV放射を遮断する第1の放射線遮断材料と、
前記半導体基板の側面上に設けられた、少なくともEUV放射以外の放射を抑制する第2の放射線遮断材料と、
を備える、センサ。 - 前記EUV放射以外の放射が、可視放射、(近)赤外線放射及びDUV放射のうち1つ以上を含む、請求項1に記載のセンサ。
- 前記第1の放射線遮断材料が、金属を含む、請求項1又は2に記載のセンサ。
- 前記第2の放射線遮断材料が、前記フォトダイオードの上にも設けられる、請求項1〜3のいずれか一項に記載のセンサ。
- 前記第2の放射線遮断材料が、EUV放射の有意な透過を可能とする、請求項4に記載のセンサ。
- 前記第2の放射線遮断材料が、前記フォトダイオードの上に設けられない、請求項1〜3のいずれか一項に記載のセンサ。
- 前記第2の放射線遮断材料が、可視放射、EUV放射及びDUV放射を大幅に抑制する、請求項6に記載のセンサ。
- 前記第2の放射線遮断材料が、ジルコニウム又は窒化チタンを含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載のセンサ。
- 前記フォトダイオードが、前記半導体基板の前記表面上に設けられた複数のフォトダイオードのうちの1つである、請求項1〜8のいずれか一項に記載のセンサ。
- 前記センサが、支持体上に設けられる、請求項1〜9のいずれか一項に記載のセンサ。
- 前記第1及び第2の放射線遮断材料のうち少なくとも1つが、多層の積層を形成する、請求項1〜10のいずれか一項に記載のセンサ。
- 装置であって、
EUV放射ビームを調節する光学システムと、
前記装置の動作中に前記EUV放射ビームが向けられる半導体基板の表面上に設けられたフォトダイオードを有するセンサと、を備え、
EUV放射ビームを遮断する第1の放射線遮断材料が、前記半導体基板の前記表面上の前記フォトダイオードの周囲に設けられ、
少なくともEUV放射ビーム以外の放射を抑制する第2の放射線遮断材料が、リソグラフィ装置の動作中に前記EUV放射ビームが入射する前記半導体基板の側面上に設けられる、装置。 - 前記装置が、リソグラフィ装置、放射源装置、メトロロジー装置又は表面の特性を検査するために検査装置のうちの1つである、請求項12に記載の装置。
- リソグラフィ方法であって、
リソグラフィ装置の照明システムを使用してEUV放射ビームを調節するステップと、
センサを使用して前記EUV放射ビームを測定するステップと、を含み、
前記センサが、前記リソグラフィ装置の動作中に前記EUV放射ビームが向けられる半導体基板の表面上に設けられたフォトダイオードを備え、
EUV放射ビームを遮断する第1の放射線遮断材料が、前記半導体基板の前記表面上の前記フォトダイオードに周囲に設けられ、
少なくともEUV放射ビーム以外の放射を抑制する第2の放射線遮断材料が、前記リソグラフィ装置の動作中に前記EUV放射ビームが入射する前記半導体基板の側面上に設けられる、方法。
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