JP2006173365A - 照射光量測定装置及びeuv露光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 EUV光の被照射面にコンタミネーションが付着しやすい場合においても、照射光量を正確に測定することが可能なEUV光の照射光量測定装置を提供する。
【解決手段】 ミラー基板1の表面には多層膜2が形成されている。多層膜2はこのミラーの有効領域4を覆うように形成されている。多層膜2には電流計A1が電気的に接続されており、EUV光入射時に放出される光電子電流を測定できる。ミラーへ入射するEUV光は、有効領域4よりも少し広い、EUV光入射範囲5に入射している。このEUV光入射範囲5内で、有効領域4の外の領域に、光電子検出用薄膜3が形成されている。光電子検出用薄膜3には電流計A2が電気的に接続されており、EUV光入射時に放出される光電子電流を測定できる。電流計A1、A2での測定を行うことにより、コンタミネーションが付着の影響を補償し、EUV光の照射量を正確に測定することができる。
【選択図】 図1
【解決手段】 ミラー基板1の表面には多層膜2が形成されている。多層膜2はこのミラーの有効領域4を覆うように形成されている。多層膜2には電流計A1が電気的に接続されており、EUV光入射時に放出される光電子電流を測定できる。ミラーへ入射するEUV光は、有効領域4よりも少し広い、EUV光入射範囲5に入射している。このEUV光入射範囲5内で、有効領域4の外の領域に、光電子検出用薄膜3が形成されている。光電子検出用薄膜3には電流計A2が電気的に接続されており、EUV光入射時に放出される光電子電流を測定できる。電流計A1、A2での測定を行うことにより、コンタミネーションが付着の影響を補償し、EUV光の照射量を正確に測定することができる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、EUV露光装置(極端紫外線露光装置とも呼ばれ、本明細書、及び特許請求の範囲においては、波長が10〜15nmの紫外線を用いた露光装置をいう)において、EUV光の被照射面への照射光量を測定する照射光量測定装置、及びこの照射光量測定装置を有するEUV露光装置に関するものである。
近年、半導体集積回路の微細化に伴い、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を向上させるために、従来の紫外線に代えてこれより短い波長(10〜15nm)のEUV光を使用した投影リソグラフィ技術が開発されている(例えば、D.Tichenor, et al, SPIE 2437 (1995) 292:非特許文献1参照)。この技術は、最近ではEUV(Extreme UltraViolet)リソグラフィと呼ばれており、従来の波長190nm程度の光線を用いた光リソグラフィでは実現不可能な、70nm以下の解像力を得られる技術として期待されている。
EUV光の波長領域での物質の複素屈折率nは、n=1−δ−ik(iは複素記号)で表わされる。この屈折率の虚部kは極端紫外線の吸収を表す。δは1に比べて非常に小さいため、この領域での屈折率の実部は1に非常に近い。また、kは非常に大きいので、吸収率が大きい。したがって従来のレンズのような透過屈折型の光学素子を使用できず、反射を利用した光学系が使用される。
EUV露光装置の概要を図5に示す。EUV光源31から放出されたEUV光32は、照明光学系33に入射し、コリメータミラーとして作用する凹面ミラー34を介してほぼ平行光束となり、一対のフライアイミラー35aおよび35bからなるオプティカルインテグレータ35に入射する。一対のフライアイミラー35aおよび35bとして、たとえば特開平11−312638号公報(特許文献1)に開示されたフライアイミラーを用いることができる。なお、フライアイミラーのさらに詳細な構成および作用については、特許文献1に詳しく説明されており、かつ、本発明と直接の関係がないので、その説明を省略する。
こうして、第2フライアイミラー35bの反射面の近傍、すなわちオプティカルインテグレータ35の射出面の近傍には、所定の形状を有する実質的な面光源が形成される。実質的な面光源からの光は、平面ミラー36により偏向された後、マスクM上に細長い円弧状の照明領域を形成する(円弧状の照明領域を形成するための開口板は図示を省略している)。照明されたマスクMのパターンからの光は、複数のミラー(図5では例示的に6つのミラーM1〜M6)からなる投影光学系PLを介して、ウエハW上にマスクパターンの像を形成する。
なお、このようなミラーを使用した光学系では、投影露光に近軸光線を使用することができないので、全体の収差を一様として補正するために、リング状の投影露光フィールドを有している。このような、リング状の投影露光フィールドでは、30mm角程度のチップを一括で露光することはできないので、マスクとウエハを同期スキャンさせて露光を行うようにされている。
このようなEUV露光装置において、所定の露光状態でマスクM面を照明するEUV光の照射光量、ウエハW面を照射するEUV光の照射光量を知り、それに応じてEUV光源31の状態を調整することが必要となる場合がある。
このような目的のために、マスクMが待避状態にあるときや、ウエハWがウエハステージに載置されていない状態で、例えば光電素子からなるセンサを、露光時にマスクMやウエハWが置かれる位置に入れて、そのセンサの出力から、照射光量を検出する方法が考えられている。
しかし、この方法では、実際の露光時の照射光量を知ることができないという問題点があった。そこで、実際の露光中にEUV露光装置のミラーの反射膜が受ける光電子の量を検出して、その値から間接的にマスクMやウエハWが受ける照射光量を検出することが考えられている。
通常、これらのミラーとしては、ガラス基板の上に、MoとSiからなる薄膜を交互に成膜した多層膜ミラーが使用されているが、この多層膜と接地電位の間に流れる電流(光電流)を測定することにより、ミラーを照射するEUV光の照射光量を知ることができ、これから、マスクMやウエハWを照射するEUV光の照射光量を間接的に求めることができる。
しかしながら、EUV露光装置においては、ミラー表面がコンタミネーションにより汚染されるという問題が避けられない。これら、EUV露光装置においては、ミラーは、空気による吸収を防ぐために真空中で使用される。しかしながら、露光装置内は完全な真空にはなっておらず、炭化水素等の有機物系のガス等が常に存在する環境にある。炭化水素を含んだ残留ガスには、真空排気系(真空ポンプ)に用いられるオイルに起因するもの、装置内部の可動部分の潤滑材に起因するもの、装置内部で使用される部品(例えば電気ケーブルの被覆材料など)に起因するものなどがある。
EUV露光装置の場合は、フォトレジストを塗布したウエハが装置内部の真空中に導入される。ここにEUV光が照射されると、残留していた溶剤の蒸発やレジストを構成する樹脂の分解脱離などにより、炭化水素を含んだガスが放出される。
炭化水素を含んだ残留ガス分子は、多層膜ミラーの表面に物理吸着する。物理吸着したガス分子は、脱離と吸着を繰り返しており、そのままでは厚く成長することはない。
しかし、ここにEUV光が照射されると、ミラーの基板内部で二次電子が発生し、この二次電子が表面に吸着している炭化水素を含んだガス分子を分解して炭素を析出させる。
吸着したガス分子がどんどん分解されて析出していくので、多層膜ミラーの表面には炭素層が形成され、その厚さはEUV光の照射量に比例して増加していく。
多層膜ミラーの表面に炭素等のコンタミネーションが付着すると光電子の放出が阻止される。従って、多層膜と接地電位との間に流れる光電流を測定するだけでは、その変化が、入射するEUV光の照射光量変化によるものか、コンタミネーション付着の影響によるものかを区別することができず、その結果、照射光量を正確に測定することができないという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、EUV光の被照射面にコンタミネーションが付着しやすい場合においても、照射光量を正確に測定することが可能なEUV光の照射光量測定装置、及びこの照射光量測定装置を使用したEUV露光装置を提供することを課題とする。
前記課題を解決するための第1の手段は、EUV光の被照射面への照射光量を測定する照射光量測定装置であって、前記被照射面の有効領域を照射するEUV光によって生じる光電子電流と、前記被照射面の前記有効領域外に設けられた光電子検出用薄膜へ入射するEUV光によって生じる光電子電流とを測定し、両者の測定値に基づいて照射光量を測定することを特徴とする照射光量測定装置(請求項1)である。
ここで、有効領域とは、その領域を照明するEUV光が目的のために使用される領域のことである。本手段においては、EUV光の被照射面の有効領域外に設けられた光電子検出用薄膜へ入射するEUV光によって生じる光電子電流を、有効領域を照射するEUV光によって生じる光電子電流に加えて測定している。よって、有効領域外に設けられた光電子検出用薄膜がコンタミネーションによって受ける影響の度合いと、EUV光の被照射面の有効領域がコンタミネーションによって受ける影響の度合いを異ならせておくことにより、コンタミネーションの影響を除去して、照射光量を正確に測定することができる。
前記課題を解決するための第2の手段は、前記第1の手段であって、EUV光を遮蔽する遮蔽部材を、前記光電子検出用薄膜への前記EUV光の照射を遮る位置と、遮らない位置との間を移動可能に設けたことを特徴とするもの(請求項2)である。
本手段においては、有効領域外に設けられた光電子検出用薄膜で発生する光電流の測定を行わないときは、遮蔽部材により、光電子検出用薄膜へEUV光が照射されるのを遮蔽することができる。よって、光電子検出用薄膜へのEUV光の照射時間を短くすることができ、光電子検出用薄膜へのコンタミネーションの付着を低減できる。よって、光電子検出用薄膜へのコンタミネーションの付着によって発生する測定誤差を小さくすることができる。
前記課題を解決するための第3の手段は、前記第1の手段又は第2の手段であって、前記光電子検出用薄膜の表面を光洗浄する光洗浄光源を設けたことを特徴とするもの(請求項3)である。
本手段においては、光電子検出用薄膜の表面を光洗浄する光洗浄光源を設けているので、光洗浄により、光電子検出用薄膜に付着したコンタミネーションを除去することができる。よって、光電子検出用薄膜へのコンタミネーションの付着によって発生する測定誤差を小さくすることができる。
前記課題を解決するための第4の手段は、EUV光の被照射面への照射光量を測定する照射光量測定装置であって、前記被照射面の有効領域を照射するEUV光によって生じる光電子電流と、前記被照射面の前記有効領域外へ挿脱可能に設けられた光電子検出用薄膜へ入射するEUV光によって生じる光電子電流とを測定し、両者の測定値に基づいて照射光量を測定することを特徴とする照射光量測定装置(請求項4)である。
前記第1の手段から第3の手段においては、光電子検出用薄膜を被照射面の有効領域外に設けていたが、本手段においては、光電子検出用薄膜を、被照射面の有効領域外へ挿脱可能に設けている。よって、照射光量を測定するときだけ、光電子検出用薄膜を、被照射面の有効領域外へ挿入して測定すればよいので、光電子検出用薄膜へのコンタミネーションの付着を低減できる。よって、光電子検出用薄膜へのコンタミネーションの付着によって発生する測定誤差を小さくすることができる。
前記課題を解決するための第5の手段は、前記第1の手段から第4の手段のいずれかであって、前記光電子検出用薄膜が貴金属からなることを特徴とするもの(請求項5)である。
貴金属は、コンタミネーションが付着しにくいので、これらを光電子検出用薄膜として用いることにより、光電子検出用薄膜へのコンタミネーションの付着を低減できる。よって、光電子検出用薄膜へのコンタミネーションの付着によって発生する測定誤差を小さくすることができる。
前記課題を解決するための第6の手段は、前記第5の手段であって、前記貴金属からなる光電子検出用薄膜がガラス基板上に成膜され、前記貴金属からなる光電子検出用薄膜と前記ガラス基板との間にCr又はTiからなる薄膜が成膜されていることを特徴とするもの(請求項6)である。
ガラス基板上に貴金属を成膜した場合に、貴金属薄膜が剥離しやすいという問題点がある。しかし、ガラス基板と貴金属薄膜との間にCr又はTi薄膜を介在させることにより、貴金属薄膜をガラス基板から剥がれにくくすることができる。
前記課題を解決するための第7の手段は、前記第1の手段から第4の手段のいずかであって、前記光電子検出用薄膜がNiからなることを特徴とするもの(請求項7)である。
Niも貴金属と同様、コンタミネーションが付着しにくいので、これらを光電子検出用薄膜として用いることにより、光電子検出用薄膜へのコンタミネーションの付着を低減できる。よって、光電子検出用薄膜へのコンタミネーションの付着によって発生する測定誤差を小さくすることができる。
前記課題を解決するための第8の手段は、前記第1の手段から第7の手段のいずれかの照射光量測定装置を有することを特徴とするEUV露光装置(請求項8)である。
本手段においては、マスクやウエハが受けるEUV光の照射光量を、露光中に正確に測定することができる。
本発明によれば、EUV光の被照射面にコンタミネーションが付着しやすい場合においても、照射光量を正確に測定することが可能なEUV光の照射光量測定装置、及びこの照射光量測定装置を使用したEUV露光装置を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態の例を、図を用いて説明する。図1は、本発明の第1の実施の形態である照射量測定装置の概要を示す図であり、EUV露光装置を構成する多層膜ミラーに照射する照射光を測定するものである。(a)は平面図、(b)は(a)におけるA−A断面図である。
低熱膨張ガラス製のミラー基板1の表面には、波長13.5nmのEUV光を反射するためのモリブデン(Mo)とシリコン(Si)の交互層からなる多層膜2が形成されている。多層膜2はこのミラーの有効領域4を覆うように形成されている。多層膜2には電流計A1が電気的に接続されており、EUV光入射時に放出される光電子電流を測定できるようになっている。
ミラーへ入射するEUV光は、有効領域4よりも少し広い、EUV光入射範囲5に入射している。このEUV光入射範囲5内で、有効領域4の外の領域に、光電子検出用薄膜3が形成されている。光電子検出用薄膜3には電流計A2が電気的に接続されており、EUV光入射時に放出される光電子電流を測定できるようになっている。
光電子検出用薄膜3は、多層膜2よりも炭素等のコンタミネーションが付着し難い材料で形成されている。例えば、貴金属である白金(Pt)を用い、ガラス製のミラー基板1の上に最初にクロム(Cr)をコーティングして、その上にPtをコートする。一般に貴金属材料薄膜をガラス上に成膜すると剥離しやすいが、Cr層を挿入することにより、ミラー基板1とPt層の間の密着性を高めることができる。貴金属としては、Pt以外に、金(Au)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、ルテニウム(Ru)などを用いてもよい。又、Cr層の代わりにTi層を設けてもよい。
このミラーにEUV光が照射されると、電流計A1、A2で測定される光電子電流は照射時間とともに低下する。低下量は、入射EUV光の照度の減少と、表面に付着した炭素等のコンタミネーションによる光電子脱出の阻止効果の両方に起因している。
入射EUV光の照度の変化をΔE、EUV光の初期照度をE0、コンタミネーションの付着による光電子電流量の低下をΔC、光電子電流の初期値をC0とすると、多層膜2を流れる光電子電流A1と光電子検出用薄膜3を流れる光電子電流A2の変化は、それぞれ以下のように表現できる。ただし、ΔC、C0に対する添え字は、1が多層膜2、2が光電子検出用薄膜3についてのものであることを示す。
多層膜2表面のコンタミネーション付着速度と光電子検出用薄膜3表面のコンタミネーション付着速度を実験により予め測定しておけば、コンタミネーション付着による光電子電流低下の相対的な比率がわかる。それを次式で表現する。
ΔC1=nΔC2
nは光電子検出用薄膜に対する多層膜のコンタミネーションの付着しやすさを表す係数である。これらの式から、EUV照度の低下ΔE/E0とコンタミネーションの付着による光電子放出量の低下ΔC1/C01、ΔC2/C02を分離して算出することができる。すなわち、
ΔC1=nΔC2
nは光電子検出用薄膜に対する多層膜のコンタミネーションの付着しやすさを表す係数である。これらの式から、EUV照度の低下ΔE/E0とコンタミネーションの付着による光電子放出量の低下ΔC1/C01、ΔC2/C02を分離して算出することができる。すなわち、
EUV光照射時間に対する光電子電流測定値(A1,A2)の変化を示すグラフを図2に示す。図2は、A1、A2とも、照度の低下については同じように低下するが、コンタミネーションの付着量が異なるため、A1の低下がA2に対して著しい場合を示している。上記の式に従って、これらのデータからEUV光の照度低下とコンタミネーションの付着による光電子電流の減少を分離することができる。
極端なケースとして光電子検出用薄膜3の上に全くコンタミネーションが付着しない場合を考える。この場合は、係数nは無限大となるので、上記の各式は次のようになる。
図3は、本発明の第2の実施の形態である照射量測定装置の概要を示す図であり、EUV露光装置を構成する多層膜ミラーに照射する照射光を測定するものである。なお、以下の図において、本欄における前出の図に示された構成要素と同じ構成要素には、同じ符号を付して、その説明を省略することがある。
図3において、多層膜ミラーは、図1に示したものと同じであり、ガラス製のミラー基板1の表面に多層膜2が形成されると共に、EUV光入射範囲内で有効領域の外側に、光電子検出用薄膜3が形成されている。光電子検出用薄膜3はRuの薄膜である。EUV光の照射量の測定原理は、図1に示したものと同じである。
この実施の形態においては、光電子検出用薄膜3の近傍には可動遮蔽板6が配置されており、光電流測定時以外には、光電子検出用薄膜3にEUV光7が照射されないようになっている。このように、光電子検出用薄膜3に、測定時以外にはEUV光が照射されないようにすることにより、光電子検出用薄膜3へのコンタミネーションの付着を低減させることができ、長期間にわたって感度が変わることのない測定が可能となる。
図4は、本発明の第3の実施の形態である照射量測定装置の概要を示す図であり、EUV露光装置を構成する多層膜ミラーに照射する照射光を測定するものである。本手段においては、ミラー基板1の表面には、光電子検出用薄膜が形成されておらず、光電検出面としてRuを成膜した部材8がEUV光7の照射領域の有効領域外の領域に挿入したり、EUV照射領域外に引っ込めたりできるようになっている。
部材8がEUV光7の照射領域に挿入された状態では、光電流の測定によりEUV照度の測定が可能であり、測定時以外は、部材8はEUV光照射領域外に移動される。このように、Ru成膜領域に測定時以外にはEUV光が照射されないようにすることにより、Ru領域へのコンタミネーションの付着を防ぐことができ、長期間にわたって感度が変わることのない測定が可能となる。Ruを成膜した部材8の位置再現性は10μmであり、常にEUV光束に対して同じ位置に挿入することが可能である。
また、EUV非照射領域に移動した状態では、例えば、パルスレーザー光(KrF:248nm、パルス持続時間20ns)を照射することができ、表面の汚れを除去することが可能である。これにより、常に表面状態を汚れていない状態に回復することができ、光電子の発生効率を常に一定の状態に回復することができる。
光洗浄に使用するレーザは、短パルスで短波長の方が進入深さが浅く、熱的な負荷も小さいため、均一なクリーニングができるので望ましく、エキシマレーザ等が好適である。
なお、図1、図2に示すような構成の照射量測定装置においても、EUV露光を行っていないときに、光電子検出用薄膜3に対してレーザ光による光洗浄を行えば、常に表面状態を汚れていない状態に回復することができ、光電子の発生効率を常に一定の状態に回復することができる。
以上説明したような、EUV光の照射量測定装置を有するミラーは、例えば図5に示すEUV露光装置のミラー(特にウエハWに最も近いM6ミラー)として使用し、それに照射されるEUV光の照射量を知ることにより、ウエハWに照射されるEUV光の照射量を、露光中に推定することが可能となる。
1…ミラー基板、2…多層膜、3…光電子検出用薄膜、4…有効領域、5…EUV光入射範囲、6…可動遮蔽板、7…EUV光、8…部材
Claims (8)
- EUV光の被照射面への照射光量を測定する照射光量測定装置であって、前記被照射面の有効領域を照射するEUV光によって生じる光電子電流と、前記被照射面の前記有効領域外に設けられた光電子検出用薄膜へ入射するEUV光によって生じる光電子電流とを測定し、両者の測定値に基づいて照射光量を測定することを特徴とする照射光量測定装置。
- EUV光を遮蔽する遮蔽部材を、前記光電子検出用薄膜への前記EUV光の照射を遮る位置と、遮らない位置との間を移動可能に設けたことを特徴とする請求項1に記載の照射光量測定装置。
- 前記光電子検出用薄膜の表面を光洗浄する光洗浄光源を設けたことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の照射光量測定装置。
- EUV光の被照射面への照射光量を測定する照射光量測定装置であって、前記被照射面の有効領域を照射するEUV光によって生じる光電子電流と、前記被照射面の前記有効領域外へ挿脱可能に設けられた光電子検出用薄膜へ入射するEUV光によって生じる光電子電流とを測定し、両者の測定値に基づいて照射光量を測定することを特徴とする照射光量測定装置。
- 前記光電子検出用薄膜が貴金属からなることを特徴とする請求項1から請求項4のうちいずれか1項に記載の照射光量測定装置。
- 前記貴金属からなる光電子検出用薄膜がガラス基板上に成膜され、前記貴金属からなる光電子検出用薄膜と前記ガラス基板との間にCr又はTiからなる薄膜が成膜されていることを特徴とする請求項5に記載の照射光量測定装置。
- 前記光電子検出用薄膜がNiからなることを特徴とする請求項1から請求項4のうちいずれか1項に記載の照射光量測定装置。
- 請求項1から請求項7のうちいずれか1項に記載の照射光量測定装置を有することを特徴とするEUV露光装置。
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KR20150008386A (ko) * | 2012-03-20 | 2015-01-22 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치, 센서 및 리소그래피 방법 |
US9791788B2 (en) | 2015-03-11 | 2017-10-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
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Cited By (3)
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KR20150008386A (ko) * | 2012-03-20 | 2015-01-22 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치, 센서 및 리소그래피 방법 |
KR102157250B1 (ko) | 2012-03-20 | 2020-09-17 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치, 센서 및 리소그래피 방법 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071207 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080731 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
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