TWI253682B - Substrate provided with an alignment mark, method of designing a mask, computer program, mask for exposing said mark, device manufacturing method, and device manufactured thereby - Google Patents

Description

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於光束移動。 -一可程式化鏡面陣列。該種裝置的—個例子為_陣列 址表面，具有-黏彈性控制層及—反射表面。該 基本原理為（例如）反射声而&口 a 衣置的 (Η )反射表面的已定址區域反射入射光為衍 射先，而未疋址區域則反射入射光為非衍射光。利用適去 濾鏡可自反射光束中篩檢出該非衍射光，僅播下衍射光田 如此光束即依陣列可定址表面的定址圖案成為圖案化。一 可程式反射鏡面陣列的另夕卜具體實施例使用一微小反射鏡 面的陣列配置’藉由施加一適當的局部電場或使用一壓電 起動裝置，各個反射鏡面可分別繞一軸傾斜。再者，鏡= 為可疋址陣列，使得該定址鏡面以不同方向反射入射的輻 射光束至未定址的鏡面；在此方法中，根據陣列可定址鏡 面的疋址圖案幵/成反射光束圖案。可使用適當的電子構件 ，以執行所需的陣列定址。在上述的兩種狀況下，形成圖 案裝置可包括一或多個可程式反射鏡面陣列。本文所述的 反射鏡面陣列的詳細資料，請參閱（例如）美國專利us 5,296,891 及 US5,523，193 及 PCT專利申請 W0 98/38597及 W0 98/33096，此處以提及方式併入本文。就可程式鏡面 陣列而§ ’该支撐結構可以（例如）框架或台面方式具體化 ’且視需要可為固定或移動式。 -一可程式LCD陣列。這種構造的實例可於美國專利案號 US 5,229,872中找到，此處以提及方式併入本文。如上所 述’此種狀況的支撐結構可以（例如）框架或台面方式具體 化，並視需要可為固定或移動式。 -5 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公爱) 1253682 五、發明説明 A7 B7

基於簡化的目的，本文其餘部份將在特定位置專門探討 有關光罩及光罩台的實例，然而，此類實例中所探討的通 用原理應適用於較廣域的圖案化構件中。 微影投影裝置可用於（例如）積體電路（IC)的製造上。在此 種情況中’圖案化構件可產生相關於IC中單一層的電路圖 案，並可將此圖案成像於已塗覆一層對輻射敏感的材料（光 刻膠；resist)之一基板（矽晶圓）上的目標部份（如包括一或多 個晶模（die)。一般而言，單一晶圓可包括眾多相鄰目標部 份所構成之網路，它們將依次由投影系統逐個照射。在本 襄置中，利用光罩台上的光罩進行圖案化，可區分成兩種 不同形式的機器。在一種微影投影裝置中，一趟動作將整 個光罩圖案暴露於目標部份上，讓每一目標部份都照射到 ’此種裝置一般稱為晶圓步進機（wafer stepper)。在另一種 般稱為步進知描裝置（step-and-scan apparatus)的可供選擇 裝置中，於投影光束下以一指定參考方向（掃描方向）逐步掃 描光罩圖案以照射每一目標部份，並同步地與此方向平行 同向或平行反向掃描基板台，因通常此投影系統具有一放 大倍率Μ(通常<1)，故掃描基板台的速率v將為掃描光罩台 速率的Μ倍。有關上述微影裝置的進一步資訊可於（例如）us M46,792中收集到，本文中以提及方式併入。 在使用微影投影裝置的製造方法中，於至少部份由一層 對輻射敏感的材料（光刻膠）覆蓋的基板上映射一圖案（例如 在一光罩中）。在此成像步驟之前，基板可經各種程序處理 ’例如打底（pnnung)、光刻膠塗佈及軟烘（S0ft bake)。曝光 -6 - 本紙張尺度通用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 1253682

之後’該基板可接受其他處理’例如曝光後烘乾(ρ〇“· exposure bake，PEB)、顯影、硬烘（hard 及測量 /檢查 成像之特徵。這一系列的程序係用來作為一基礎，以圖案 化-裝置（如1C)的單-層。接著，此―圖案化層可再經過各 種處理，例如蝕刻、離子植入（摻雜）、金屬電鍍、氧化、化 學機械拋光等，所有步驟皆為各層表面處理所需。如果需 ^許多層，則整個程序，或其一變化步驟必須每層重覆。 取後，在基板（晶圓）上將呈現一系列的裝置。接著，將會利 用種諸如切割（dicins)或鋸切（sawing)的技術分割這些裝 置，之後可將個別裝置裝載於載架（carner)上、連接至接腳 針（Pin)等。有關此種程序的進一步資訊可由（例如）peter 乂⑽ Zant所著「微晶片製造··半導體處理指南（Mi_c叫 Fabrication: A Practical Gmde to Semiconductor Processmg,

Thnrd Edhion，McGraw HU1 publlshing Co.，1997, ·Ν … 07-0672 50-4)」一書中獲得，本文中以提及方式併入。 為簡化起見，以下稱投影系統為「透鏡」；不過，這個 術語必須作廣義的解釋以包括各種投影系統，例如，包含 折射光學、反射光學及反折射的系統。該輻射系統亦可包 含根據任何設計類型操作的組件’用以引導、塑造或控制 輻射的投影光束，且該組件以下也可以統稱或獨稱為「透 鏡」。另外，此微影裝置可能是一種具有兩個以上基板台 (及/或兩個以上光罩台）的形式。在此種「多平台」裝置中 ，可以平行使用額外台面，或在一或多個台面上進行準備 步驟，而其他一或多個台面則用於曝光。雙平台微影裝置 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇 X 297公着） 1253682 A7 _________ B7 五、發明説明（5 ) 在（例如）US 5,969,441及〜0 98/4〇79丨中均有說明’此處以 提及方式併入本文中。 本^月關於一種微影投影裝置之對準系統中使用的對 準祆乂，用以使圖案化構件中的圖案對準基板。此種對準 系、k (例如·國際專利申請案號w〇98/39689中所述之間接 偏離軸線對準系統，此處以提及方式併入本文）係引用一輻 射對準光束，其係由一分離之對準單元所放射，且照射於 X基板上之一光栅形式的標記上，。該光柵將該對準光束 衍射成數個子光束，相對於該光栅之法線朝不同角度放射 。這些不同的子光束將由該對準單元的一透鏡導引至一平 面的不同位置。可在此平面上配置各種構件，以進一步將 不同子光束分離。同時，亦將利用該透鏡系統使不同子光 束成像於-參考板上，以形成該標記之一影像。可於該參 考板中配置一參考標記，並於該參考標記後方配置一對輻 射敏感之偵測器。該偵測器的輸出信號將決定於該基板標 記和該參考標記影像重疊的程度。如此，即可量測基板上 標記與對準I元中參考標言己的對準程纟，並予以最佳化。 該偵測器可包括分離的個別偵測器，以量測不同狀況下的 強度及對準位置。為完成對準，必須使對準單元中的參考 標記與第二參考標記對準，例如：配置於該基板台以配合 該對準單元者。接著，即可利用曝光光線將此第二參考標 記與該光罩中的一標記對準。為此目的，可引用美國專利 申請案號US 5，144,363中所述的一裝置與方法，此處以提及 方式併入本文。 -8 - 1253682 A7

或者’可用—直接軸線上對準系統，其透過投影系統直 接將對準光束引導至配置於基板上的一標記處。此光束 將被α亥基板上之標記衍射成不同的子光束，並反射至投影 2、、’先中。在穿越該投影系統後，不同的子光束將聚焦於配 12光罩上的一參考對準標記上。由子光束形成的基板標 己〜像即可成像於該光罩之參考標記上。如此，即可量測 基板上標記與光罩中參考標記的對準程度，並予以最佳化 其可藉使用對輻射敏感之一偵測器來完成，其係建構並 配置以偵測穿過該光罩中之標記的對準光束者。如需更多 有關以上所述軸線上對準系統的資訊，請參考（例如）美國專 利申叫案唬US 4,778,275 ,此處以提及方式併入本文。 現有對準標記係以實質上比成像於基板上的特徵為大会 比例形成。例如：一「盒中盒（b〇x-in-b〇x)」型的標記可截 擁有10 μηι以上的大小，而成像於基板上特徵的最小尺寸貝| 可能僅有〇·1 μπι。因此，當將對準標記投影於基板上時, 光罩圖案中對準標記衍射的光線將行經不同於圖案化特德 所衍射的光線之路徑通過投影光學設備。因此，這些對準 標記的影像將遭受到與光罩特徵的影像不同的像差，故對 準標記的位置誤差亦將不同於圖案化特徵的位置誤差。此 將對判定重疊誤差的準確度形成限制。歐洲專财請案號 ΕΡ 0 997 782對此問題提出了一項解決方案，其中所形成之 對準標記係如一光柵，具有類似於電路圖案中的線條、寬 度以及間隔。對準係利用該基板上對準標記的一電視攝= 機影像來進行的。然而，ΕΡ 〇 997 782中提議的對準標記= A7 B7

1253682 五、發明説明（7 能表現出斑鄰近線條圖案相同的位置誤差，^ 叫亚不能在量 測別種圖案的重疊誤差時提供改善的準確声。π ^ 乃外，該對 準標記需要為決定其位置作額外安排，且係盘τ曰 〇 、兴現有對準系 統不相容。 本發明的一項目標即在提供一種對準標記，甘^ /、係能表現 出與許多圖案形式相當的位置誤差’且可用爾 J尼百對準工具 加以對準者。 ^ 本發明之此項及其他目標係由一種基板所達成，在I # 該基板上的實質透射處理層中備有一對準標年， 、 邊ί示記包 括： -至少一相對高反射區，用以反射一幸昌射對進氺去μ 土 Τ平九束的輻射 ’以及 -相對低反射區，用以反射該輻射光束的較少輻射； 其特徵為：該高反射區係沿著第一及第二方向被分割，二 方向實質上係互相垂直，故該高反射區係顯著地包括矩形 的區段。 藉分割該對準標記的相對高反射區成為矩形子區，可安 排該標記以將光線如光罩圖案中之結構一般衍射至投影透 鏡之瞳孔平面的類似位置。因此，投影於晶圓上的該對準 標記之影像將遭遇光罩圖案結構影像相同的像差問題，故 該標記在基板上的位置將更能代表圖案化.特徵的位置，使 更準確量測重疊誤差成為可能。。由於高反射區的每一部 份皆係沿著兩個方向分割成矩形片斷，故整個標記將經歷 相同的像差。另外，由於有兩個正交方向的衍射，故能充 -10-

装

線 1253682 A7 B7 五、發明説明（8 分檢查瞳孔平面。 该南反射區的分割可應用於現有標記上。在現有標記形 成光概之處’其分割的規模比該光栅的間隔為小，以致將 被現有對準系統忽略，而能直接以習知的方式量測該標記 位置。 本 '明進一步提供一種包含一圖案之光罩，用以曝光如 上所述之對準標記。 /製造本發明之光罩可使用一設計方法，將一光罩用作一 微〜扠衫裝置中投影於一基板上的光罩圖案，該光罩至少 包含-個對準標記，該對準標記包括相對高反射區和相對 低反射區，該方法包括以下步驟： ⑨決定該光罩圖案中至少一結構之不同衍射等級，在該微 〜才又〜裝置之投影系統的曈孔平面中的位置； -決定該對準標記之高反射區的適當分割數，以使該對準 標記的不同㈣等級實質上定位於該睹孔平面上與該至少 一個結構之不同衍射等級相同之位置；以及 以按照所決定的 '改變該光罩圖案中的對準標記的圖案 適當分割方式執行。 根據本發明的另一項觀點，提供一 驟包括： 裝置製造方法 其步 基板台上提供包括對準標記之 記在至少部份覆蓋一層輻射敏感材料的二私這些對準標 反射與低反射區； 、層中包括高 -利用一輻射對準光束來使該對準標記盘一夂 /、 *号標記對準； 本紙張尺度逋用中國國家標準((：]^3) A4規格(21〇χ 297公釐） -11 - 1253682 A7 ______B7 _ 五、發明説明（9 ) -利用一輻射系統提供一輻射投影光束； -利用圖案化構件賦予投影光束一圖案式之斷面；以及 -將圖案化之輻射光束投影至輻射敏感材料層之一目標部 份’其特徵為：該高反射區係沿著第一及第二方向被分割 ’二方向實質上係互相垂直，故該高反射區係顯著地包括 矩形的區段。 雖然本文提供使用本發明的裝置製造IC的特定參考，但 必須明白该裝置具有許多其他的可能應用。例如，可將其 用於製造整合式光學系統、磁性區域記憶體的導引及偵測 圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等等。熟知技藝人士應明 白，在此種替代性應用中，任何對本文中術語「主光罩」 、晶圓」、「目標區」或「晶模」的使用，皆應考慮分 別以較普遍的術語「光罩」、「基板」及「目標部份」取 代。 在本文件中所使用的術語「輻射」及「光束」可用來包 含所有型式的電磁輻射，包括紫外線輻射（如波長為365、 248、193、157或126 nm者）和EUV(遠紫外線輻射，如且有 波長範圍5至20㈣者），以及諸如離子束或電子束之類的粒 子束。 現在將參考附圖範例說明本發明的具體實施例，其中： 圖1顯示可實施本發明之一微影投影裝置；以及 圖2顯示具體實施本發明的一對準標記，包含部份放大圖。 在圖中，對應的參考符號表示對應的零件。 圖1顯示一微影投影裝置，其中 』使用依據本發明配置有 12 1253682 五、發明説明（10 A7 B7

该標記的基板。該裝置包括： _ 一輻射乐統Ex、IL用以供應一輻射投影光束pB(如Uv戈 EUV輻射）。在此特定狀況下，該輻射系統也包括一輻射源 LA ； 、 -一第一物件台（光罩台）MT，具有支撐光罩MA(例如一主 光罩）的一光罩支架，並與第一定位構件連接以相對於項目 PL將光罩精確定位； -一第二物件台（基板台）WT，具有支撐基板w(例如一塗佈 了光刻膠的矽晶圓）的一基板支架，並與第二定位構件連接 以相對於項目PL將基板精確定位；以及 -一投影系統（「透鏡」）PL(例如一衍射或反折射系統、一 鏡面群組或一場偏向器（field deflect〇rs)陣列）以將光罩MA 的一受照射部份成像於基板W的目標部份c(例如包含一或 多個晶模）上。 如此處所描述，該裝置屬一透射型式（即具有一透射光罩） 。然而，一般而言，它亦可屬一（例如）反射型式（具有一反 射光罩）。或者，該裝置可引用另一種圖案化構件，例如一 上述型式的可程式化鏡面陣列。 轄射源LA(例如一 HG燈、一準分子雷射、在磁帶環 (storage ring)或同步加速器中環繞於一電子光束路徑周圍之 波動器（undulator))產生一輻射光束。此光束直接地或在穿 過調節構件（諸如一光束擴張器Εχ)之後，被注入一照射系 統（照射器）IL中。照射器IL可包含調整構件八“以設定光束 中強度分佈的外徑向範圍及/或内徑向範圍（一般分別稱為 -13 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公f)

裝 訂

k 1253682 A7 ______ B7 五、發明説明（11 ) σ-外及σ-内）。另外，它一般會包括其他數種元件，諸如一 整合器IN和一聚光鏡c〇。如此，照射於光罩ΜΑ上的光束 ΡΒ在其斷面中即具有一所需的一致性和亮度分佈。 於圖1中應注意的是：輻射源LA可位於微影投影裝置的外 殼中（通常當輻射源LA是一（例如）水銀燈時，即是如此），但 它亦可與微影投影裝置距離遙遠，其所產生之輻射光束被 導入裝置中（例如依靠適當導引鏡面之助），當輻射源[八為 一準分子雷射時，通常是後面這種狀況。本發明及申請專 利範圍包含此兩種狀況。 光束PB隨後截擊上支撐於光罩台MT上的光罩“八。通過 光罩MA後，光束PB再穿過透鏡PL，此透鏡將光束抑聚焦 於基板W的一目標部份C上。經由第二定位構件（以及干涉 測定（interferometric measuring)構件IF)的幫助，可精確移 動基板台WT ,(例如）以在光束1>6的路徑上定位不同的目標 部份C。同樣地，可用第一定位構件以相關於光束ρβ的路 徑精確定位光罩MA，例如，自光罩庫機械性地取出光罩 MA之後’或在掃描當中。一般而言，目標台町、wT的移 動是靠一長行程模組（粗略定位）和一短行程模組（精細定位） 的幫助實現的，此二者皆未明確標示於圖丨中。然而，若在 晶圓步進機的狀況中（相對於步進掃描裝置），光罩台MT可 能僅連接-短行程之傳動裝置(actuat〇r)，或為固定J 上述裝置可用於兩種不同模式中： 1.在步進模式中’光罩台Μτ實質上保持固定，整個 影像在-趟（即-P4)當中對目標部份c投影完成。接著基板 -14- 1253682 A7 _____ B7 五、發明説明（12 ) 台1丁向\及/或y方向移動，使光束PB能照射另一目標部份 C ； 2 ·在掃描模式中，實質上適用相同的狀況，但特定目標部 份C並非於單一「一閃」中曝光。光罩台MT卻可在一特定 方向（所謂的「掃描方向」，例如y方向）以一速度v移動，使 投影光束PB掃描通過一光罩影像，同時基板台WT則與之同 向或反向以速度V = Mv移動，其中Μ為透鏡PL的放大倍率 (典型地，M=l/4或1/5)。如此，可曝光一相對大區域的目標 部份C而不需犧牲解析度。 為對準目的，在光罩ΜΑ中配置了標記（Mi和汹2)。可透過 投影系統PL直接或間接地將這些標記（^^和m2)與基板w中 ， 的標記（Pl和P2)對準。在此對準時，將獲得透過投影系統 PL投影於基板W上的該影像c之位置的資訊。此係必要條件 ’以確保藉不同光罩曝光的不同層能互相正確定位。因此 ，在每層的曝光之前，必須將光罩MA中的影像對準相同的 基板標記（P i和p2)。 圖2顯示依據本發明的一基板對準標記。此一對準標記可 包括四個子光栅Pl a、Pi b、Pi c和Pi d，其中子光概ι^和 pud係作為X方向的對準，而子光栅則係作為¥方向 的對準。這些子光栅可具有（例如）16 μπι的光柵週期。每一 子光柵的光柵週期皆可不同，且子光栅的尺寸可達2〇〇* 200㈣。每一子光柵皆包括高反射區3以及低反射區卜 如放大圖中所示1高反射區3係由許多正方形反射區段 所組合形成，每一正方形皆在第一及第二方向上重複，且 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格（210 X 297公釐) -15- 1253682 A7 B7 五、發明説明（13 ) ”四邊與4第一及第二方向平行。如圖中所示，有兩種正 方形表面·大正方形23和小正方形25，他們重複出現以構 成反射區3。這些正方形的大小係比得上光罩曝光於基板上 結構的大小’且亦可使用更多種大小的正方形。在該標記 的反射區中的正方形可比得上的大小以及曝光的結構較有 好處’因在此狀況下以曝光結構的衍射係類似於以標記的 反射區的衍射。此種類似之衍射的一項優點在於：以類似 衍射方式產生的光束將會以類似光學路徑穿過該投影系統 ，因此將遭遇投影系統中相同的像差問題。對該對準標記 和所要曝光的結構而言，此類像差問題產生的位置差異類 似，故將產生對準較佳的定位。其正方形大小可在〇 〇5到 0.5 μηι的範圍。 本發明亦可用於適合量測覆蓋層的標記中，此時該標記 的形式可為一大正方形。此時該正方形將包含大量的較小 正方形，其大小係比得上所要曝光結構的大小。 或者，亦可在該微影裝置中的該投影系統pL之瞳孔平面 上，量測一特定結構中的不同衍射等級的位置。在瞳孔平 面中的位置能透露出該特定結構中出現的衍射量的資訊。 然後，亦可量測一對準標記之瞳孔平面中不同衍射等級的 位置，並移動該對準標記的位置，使該對準標記之瞳孔平 面中不同衍射等級的位置與將曝光結構變.得類似。亦可利 用模擬軟體以獲得一標記，其能像該微影投影裝置中將曝 光的結構一般，衍射至該瞳孔平面的類似位置。同樣地， 該標記的反射區將類似於該微影投影裝置中將曝光的結構

裝 訂

16 1253682 A7 B7 五、發明説明 一般被衍射’並將遭遇投影系統中相同的像差問題，產生 相同的位置差異，以及較佳的對準位置。 已如上述加以說明，應明 法完成。本發明並不受本 雖然本發明的特定具體實施例 瞭本發明可以上述以外的其他方 說明所限制。 -17- 1253682 A7 B7 五、發明説明（15 ) 圖中 元件 參考數字清單 1 低反射區 3 反射區 23 大正方形表面 25 小正方形表面 AM 調整構件 C 目標部份 CO 聚光鏡 Ex 輻射系統 IF 干涉測定構件 IL 照射系統 IN 整合器 LA 輻射源 Ml、 M2 標記 MA 光罩 MT 光罩台 PI、 P2 標記 Pi, a 子光柵 Pl,b 子光柵 Pl,〇 子光柵 Pl,d 子光糖 PB 投影光束 PL 投影系統 W 基板 WT 基板台 -18 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐）

Claims (1)

1. A B c D Ι253682ι〇5ΐ3號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(95年2月) 六、申請專利範圍 (y说峙 一一一一一一一一 ., · · 、.* i r" i ,，—:' Ί1 f: ‘ ! 1· 一種基板，在覆蓋該基板上的實質透射處理層中備有一 對準標記，該標記包括： -至少一相對鬲反射區，用以反射一幸I射對準光束的 輻射，以及 -相對低反射區’用以反射該輻射光束的較少輻射； 其特徵為：該高反射區係沿著第一及第二方向被分割， 二方向實質上係互相垂直，故該高反射區係顯著地包括 矩形的區段。 2 ·如申請專利範圍第1項之基板，其中某些矩形區段與其他 矩形區段的大小不同。 3.如申請專利範圍第1或2項之基板，其中該矩形區段為正 方形。 4·如申請專利範圍第1或2項之基板，其中該高反射區分割 的區段之大小與形式係實質上等於處理層中曝光的形成 積體電路的特徵之大小與形式。 5.如申請專利範圍第1項之基板，其中該對準標記之高反射 區形成一個光栅。 6·如申請專利範圍第1項之基板，其中該高反射區包括一正 方形，前述矩形區段即配置於該等正方形區段中。 7 ·如申明專利範圍第1項之基板，其中該低反射區之反射率 係介於0至10%的範圍。 8·如申凊專利範圍第1項之基板，其中該高反射區之反射率 係介於50至1〇〇%的範圍。 9· 一種包含一圖案之光罩，用以曝光如申請專利範圍第工項 Ϊ紙張尺度適财® 格(21G X 297公釐）.-*---- 1253682

   對罕標記。 10 種设計光軍的方沐 影裝置中的以將光罩圖案投影於—微影投 該對準標記包：相該光罩至少包含一個對準標記， 包括以下步驟對'反射區和相對低反射區’該方法 該微影投影中至少-結構之不同衍射等級，在 置之奴影系統的瞳孔平面中的位置； 對準：：：：二標記之高反射區的適當分割數，以使該 該至 ^ U冓之不同衍射等級相同之位置；以及 -改㈣光罩圖案中的對準標記的圖案， 定的適當分割方式執、所决 如中請專利範” 1G項之方法，其中該 用模擬軟體執行。 驟係利 12· 第10或11項之方法，進-步包括將所設 Θ案版現於一微影投影裝置的光罩中之步驟。 種電腦，讀取媒體，其所包括之一電腦程式編瑪構件 電細中執行時，能指示該電腦系統實施如 範圍第10或11項之方法。 甲明專利 14. -種裝置之製造方法，包括下列步驟： 、-在-基板台上提供包括對準標記之—基板，這 準標f在至少部份覆蓋一層輻射敏感材料的一透射層 包括高反射與低反射區； 曰 -利用一輻射對準光束來使該對準標記與一參考標記 -2 - 1253682 A BCD

   申請專利範圍 對準 利用一輕射系統提供一輻射投影光束； 及 利用圖案化構件賦予投影光束一圖案式之斷面；以 將圖案化之輪射光束投影至輻射敏感材料層之一 標部份，其特徵為：該高反射區係沿著第一及第二方向 :皮刀割一方向實質上係互相垂直，故該高反射區係顯 著地包括矩形的區段。 -種根射請專利範圍第14項之方法所製造的裝置。 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）