JP7173891B2 - 計測装置、露光装置、および物品製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の計測装置は、例えば、半導体デバイスや液晶表示デバイス等の物品の製造工程におけるリソグラフィ工程で用いられる露光装置に採用されるもので、基板の表面位置を計測しうる。図1は、本発明の計測装置が適用される露光装置の構成を示す図である。本明細書および添付図面では、基板であるウエハ3の表面に平行な方向をXY平面とするXYZ座標系において方向を示す。この場合、投影光学系6の光軸方向はXY平面と直交するZ方向となる。XYZ座標系におけるX軸、Y軸、Z軸にそれぞれ平行な方向をX方向、Y方向、Z方向とし、X軸周りの回転、Y軸周りの回転、Z軸周りの回転をそれぞれθX、θY、θZとする。X軸、Y軸、Z軸に関する制御または駆動は、それぞれX軸に平行な方向、Y軸に平行な方向、Z軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θX軸、θY軸、θZ軸に関する制御または駆動は、それぞれX軸に平行な軸の周りの回転、Y軸に平行な軸の周りの回転、Z軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。また、位置は、X軸、Y軸、Z軸の座標に基づいて特定されうる情報であり、姿勢は、θX軸、θY軸、θZ軸の値で特定されうる情報である。位置決めは、位置および/または姿勢を制御することを意味する。位置合わせは、基板および原版の少なくとも一方の位置および/または姿勢の制御を含みうる。
例えば、上層31が200μm厚のSi層の場合、200μm/3.5(Siの屈折率)≒57μmとなる。このオフセット量OStop分のウエハステージ駆動により、図7に示すように、ウエハアライメント検出器16のフォーカスをマーク19に合わせることができる。なお、ウエハアライメント検出器16の計測光はSiを透過する赤外光等を使用している。処理部Pは、このようにウエハ3の表面からマークまでの距離3aを上層31の屈折率で割った値をオフセット量として決定する。そして、このオフセット量だけオフセットした高さ位置にステージを移動してから、ウエハアライメント検出器16のフォーカスがマークに厳密に合うようにステージの高さを調整するフォーカス制御が開始される。これにより、迅速な計測を行うことが可能となる。処理部Pは、このフォーカス制御の後に、ウエハアライメント検出器16により検出されたマークの像に基づいてマークの位置を求める。
なお、ウエハ総厚は、ウエハ3の表面FSの高さ位置と裏面RS(=ウエハ支持面30)の高さ位置との差によって算出できる。ウエハ3の表面FSの高さ位置は、AF検出器41によって検出することができる。また、裏面RSの高さ位置は、AF検出器41を用いて、ウエハが無い状態で事前にウエハ支持面30を計測することにより求めることができる。あるいは、AF検出器41を用いて、厚みが既知のウエハの表面の高さ位置を検出し、その検出結果から裏面RSの高さ位置を推定してもよい。
例えば、複数の基板間における、距離3aの実測値のばらつきと距離3bの実測値のばらつきを求め、第1モードおよび第2モードのうち、ばらつきが小さい方に対応するモードを自動で選択してもよい。
図9に、ウエハアライメント検出器16の別の配置例を示す。図6の例では、ウエハアライメント検出器16は、ウエハの表面FSを介してマークの像を検出するように配置されていた。それに対し、図9においては、ウエハアライメント検出器16は、ウエハの裏面RSを介してマークの像を検出するように配置されている。これにより、表面FSとマーク19との間に赤外光が不透過な層がある場合でも、マーク19の検出が可能である。このとき、ウエハアライメント検出器16は、ウエハステージとは分離した構成になっており、ウエハステージを駆動することで、ウエハとウエハアライメント検出器16の相対位置を変化させることができる。それにより、フォーカス位置を変更することが可能である。本構成では、AF検出器41で算出したウエハ表面の高さ位置と、ウエハ裏面からマークまでの距離3bを用いて、ウエハアライメント検出器16がイメージオートフォーカスを開始するためのオフセット量を算出する。このオフセット量OSbottomは次式で表される。
これにより、図10に示すように、ウエハ3の中にあるマーク19に対して、ウエハ裏面側に構成されたウエハアライメント検出器16のイメージオートフォーカス開始点を決定することができる。そして、第1実施形態と同様に距離3bより距離3aのばらつきが小さい場合は、次式に従いオフセット量OSbottomを算出することができる。
なお、本実施形態において、第2実施形態の構成である複数ウエハでのばらつきが小さい側の値を使用する構成を合わせて適用することも可能である。
第4実施形態では、ウエハ3の裏面にあるマーク19のイメージオートフォーカス計測を高速に実施する。図11に示すように、AF検出器41がウエハ表面を検出する。処理部Pは、AF検出器41で検出されたウエハ表面の高さ位置と、事前に設定されているウエハ厚み情報と屈折率情報を用いて、ウエハアライメント検出器16がイメージオートフォーカスを開始するためのオフセット量を算出する。オフセット量OSは次式に従い算出される。
なお、「ウエハ厚み」は、AF検出器41で検出されたウエハ表面の高さ位置とウエハ裏面(=ウエハ支持面表面)の高さ位置との差から算出できる。これにより「ウエハ厚み」にばらつきがある場合でも、毎回ウエハ厚みを算出し使用することでばらつきの影響を無視することができる。このように、図12に示すように、ウエハ3の裏面のマーク19に対して、ウエハアライメント検出器16のイメージオートフォーカス開始点を正確に決定することができる。なお、ウエハ裏面の高さ位置は、AF検出器41で事前にウエハ支持面の表面を計測した値を記憶しておいて使用すればよい。
本発明の実施形態に係る物品製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
Claims (15)
- 基板の第1面と該第1面とは反対側の第2面との間に形成されたマークの位置を計測する計測装置であって、
前記基板を保持して移動するステージと、
前記マークの像を検出する第1検出器と、
前記第1面の高さ位置を検出する第2検出器と、
前記第2検出器により検出された前記第1面の高さ位置から前記マークに前記第1検出器のフォーカスを合わせるためのオフセット量を決定する処理部と、を有し、
前記処理部は、前記第1面から前記マークまでの距離として設定されている第1距離に基づいて前記オフセット量を決定する第1モードと、前記第2面から前記マークまでの距離として設定されている第2距離に基づいて前記オフセット量を決定する第2モードとを有することを特徴とする計測装置。 - 前記処理部は、前記第1モードでは、前記第1距離を前記第1面から前記マークまでの間の層の屈折率で割った値を前記オフセット量として決定し、前記第2モードでは、前記第1面と前記第2面との間の距離から前記第2距離を引いた値を前記屈折率で割った値を前記オフセット量として決定することを特徴とする請求項1に記載の計測装置。
- 前記処理部は、前記オフセット量だけオフセットした高さ位置に前記ステージを移動してから前記第1検出器のフォーカスが前記マークに合うように前記ステージの高さを調整するフォーカス制御を行い、該フォーカス制御の後に前記第1検出器により検出された前記マークの像に基づいて前記マークの位置を求めることを特徴とする請求項1に記載の計測装置。
- 前記処理部は、複数の基板における、前記第1面と前記マークとの間の距離の実測値のばらつきが前記第2面と前記マークとの間の距離の実測値のばらつきより小さい場合は前記第1モードを選択し、そうでなければ前記第2モードを選択することを特徴とする請求項3に記載の計測装置。
- 前記処理部は、前記第2検出器により検出された前記第1面の高さ位置と前記フォーカス制御の結果とに基づいて前記実測値を得ることを特徴とする請求項4に記載の計測装置。
- 前記第1距離および前記第2距離を記憶する記憶部を有し、
前記処理部は、前記第1面と前記マークとの間の距離の実測値である第1実測値および前記第2面と前記マークとの間の距離の実測値である第2実測値が得られる都度、前記記憶部に記憶されている前記第1距離および前記第2距離をそれぞれ、前記第1実測値および第2実測値で更新することを特徴とする請求項5に記載の計測装置。 - 前記第1検出器は、前記第1面を介して前記マークの像を検出するように配置されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の計測装置。
- 前記第1検出器は、前記第2面を介して前記マークの像を検出するように配置されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の計測装置。
- 前記第1モードまたは前記第2モードの選択をユーザが行うための入力部を有することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の計測装置。
- 前記第2検出器は、前記第1面に斜入射させ、該第1面で反射された光を検出することによって前記第1面の高さ位置を検出することを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の計測装置。
- 前記処理部は、前記フォーカス制御において、前記オフセット量だけオフセットした高さ位置を開始位置として前記ステージを移動させながら前記第1検出器により前記マークの像を検出することで前記マークの像のコントラストカーブを得て、該コントラストカーブにおいてコントラストがピークとなる高さ位置をベストフォーカス位置として求めることを特徴とする請求項4に記載の計測装置。
- 基板の第1面と該第1面とは反対側の第2面との間に形成されたマークの位置を計測する計測装置であって、
前記基板を保持して移動するステージと、
前記マークの像を検出する第1検出器と、
前記第1面の高さ位置を検出する第2検出器と、
前記第2検出器により検出された前記第1面の高さ位置から前記マークに前記第1検出器のフォーカスを合わせるためのオフセット量を決定する処理部と、を有し、
前記処理部は、前記第2面から前記マークまでの距離として設定されている第2距離に基づいて前記オフセット量を決定することを特徴とする計測装置。 - 前記処理部は、前記第1面と前記第2面との間の距離から前記第2距離を引いた値を前記第1面から前記マークまでの間の層の屈折率で割った値を前記オフセット量として決定することを特徴とする請求項12に記載の計測装置。
- 基板を露光する露光装置であって、
請求項1乃至13のいずれか1項に記載の計測装置と、
前記計測装置によって計測された前記基板のマークの位置に基づいて前記ステージを制御する制御部と、を有することを特徴とする露光装置。 - 請求項14に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記露光された基板を現像する工程と、
を含み、前記現像された基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
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Families Citing this family (2)
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---|---|---|---|---|
EP3667423B1 (en) * | 2018-11-30 | 2024-04-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Lithography apparatus, determination method, and method of manufacturing an article |
WO2022054605A1 (ja) * | 2020-09-10 | 2022-03-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 厚み測定装置及び厚み測定方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013065656A (ja) | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Ushio Inc | 露光装置 |
JP2013187206A (ja) | 2012-03-05 | 2013-09-19 | Canon Inc | 検出装置、露光装置及びデバイスを製造する方法 |
JP2014085123A (ja) | 2012-10-19 | 2014-05-12 | Canon Inc | 検出装置、露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 |
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Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6025346B2 (ja) | 1977-09-09 | 1985-06-18 | キヤノン株式会社 | 複写機等の給紙装置の制御方法 |
NL9100410A (nl) * | 1991-03-07 | 1992-10-01 | Asm Lithography Bv | Afbeeldingsapparaat voorzien van een focusfout- en/of scheefstandsdetectie-inrichting. |
JPH09326351A (ja) * | 1996-06-03 | 1997-12-16 | Nikon Corp | 面位置調整装置 |
JP2005005444A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Nikon Corp | アライメント装置、露光装置、アライメント方法、露光方法及び位置情報検出方法 |
NL1036559A1 (nl) * | 2008-03-12 | 2009-09-15 | Asml Netherlands Bv | Lithographic Apparatus and Method. |
JP2010263005A (ja) * | 2009-04-30 | 2010-11-18 | Canon Inc | 露光装置 |
JP5162006B2 (ja) * | 2011-06-01 | 2013-03-13 | キヤノン株式会社 | 検出装置、露光装置、および、デバイスの製造方法 |
JP5984459B2 (ja) | 2012-03-30 | 2016-09-06 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光装置の制御方法及びデバイス製造方法 |
JP5743958B2 (ja) * | 2012-05-30 | 2015-07-01 | キヤノン株式会社 | 計測方法、露光方法および装置 |
JP6366261B2 (ja) * | 2013-12-05 | 2018-08-01 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置及び物品の製造方法 |
US9958257B2 (en) * | 2015-09-21 | 2018-05-01 | Kla-Tencor Corporation | Increasing dynamic range of a height sensor for inspection and metrology |
JP2020505638A (ja) * | 2017-01-25 | 2020-02-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板上の構造を測定するための方法及び装置 |
JP7328809B2 (ja) * | 2019-07-01 | 2023-08-17 | キヤノン株式会社 | 検出装置、露光装置、および物品製造方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013065656A (ja) | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Ushio Inc | 露光装置 |
JP2013187206A (ja) | 2012-03-05 | 2013-09-19 | Canon Inc | 検出装置、露光装置及びデバイスを製造する方法 |
JP2013211488A5 (ja) | 2012-03-30 | 2015-05-14 | ||
JP2014085123A (ja) | 2012-10-19 | 2014-05-12 | Canon Inc | 検出装置、露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 |
JP2017215489A (ja) | 2016-06-01 | 2017-12-07 | キヤノン株式会社 | パターン形成装置、基板配置方法及び物品の製造方法 |
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