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Die Erfindung betrifft eine EUV-Licht- bzw. Strahlungsquelle zur Erzeugung von EUV-Strahlung.
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Eine derartige EUV-Strahlungsquelle ist bekannt aus der
US 7,301,972 B2 . Weitere Strahlungsquellen sind bekannt aus der
US 2009/0213356 A1 , der
US 6,035,015 und der
US 5,825,847 . Eine Projektionsbelichtungsanlage mit in verschiedenen Gebäudeebenen untergebrachten Komponenten ist bekannt aus der
US 2008/0259303 A1 .
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Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine elektronenstrahlbasierte EUV-Strahlungsquelle so weiterzubilden, dass die Möglichkeit eines handhabbaren Betriebsaufwandes resultiert.
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Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine Lichtquelle mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.
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Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass es möglich ist, Hauptkomponenten der Lichtquelle in unterschiedlichen Gebäudeebenen, also in unterschiedlichen Stockwerken, unterzubringen. Dies schafft die Möglichkeit, diejenigen Komponenten der Lichtquelle, für die geringere Reinraumanforderungen erforderlich sind, in einem anderen Gebäudestockwerk unterzubringen als andere Komponenten, für die entweder höhere Reinraumanforderungen vorliegen oder die aus anderen Gründen im gleichen Raum und/oder in einer gleichen Gebäudeebene wie Komponenten untergebracht sein müssen, für die höhere Reinraumanforderungen vorliegen. Die Elektronenstrahl-Versorgungseinrichtung und die Elektronenstrahl-Entsorgungseinrichtung kann in der gleichen Gebäudeebene bzw. im gleichen Stockwerk oberhalb oder unterhalb der EUV-Generationseinrichtung angeordnet sein. Dabei kann nur eine der beiden Elektronenstrahl-Einrichtungen in einer anderen Gebäudeebene untergebracht sein, wie die EUV-Generationseinrichtung und die andere der beiden Elektronenstrahl-Einrichtungen kann in der gleichen Gebäudeebene untergebracht sein, wie die EUV-Generationseinrichtung. Auch beide Elektronenstrahl-Einrichtungen können in einer anderen Gebäudeebene untergebracht sein als die EUV-Generationseinrichtung. Bei der EUV-Generationseinrichtung kann es sich um einen Undulator handeln. Auch eine auf einer Vorstufe-Lichtquelle mit einer Wellenlänge, die deutlich länger ist als eine EUV-Wellenlänge, basierende EUV-Generationseinrichtung kann zum Einsatz kommen. Die EUV-Lichtquelle kann nach Art eines Freie-Elektronen-Lasers (FEL) aufgebaut sein. Informationen zu einem FEL erhält der Fachmann beispielsweise aus der
WO 2009/121438 A1 . Probleme, die mit konventionellen EUV-Strahlungsquellen, beispielsweise mit einer LPP-(Laser Produced Plasma, lasererzeugtes Plasma)Lichtquelle oder mit einer GDP-(Gas Discharged Produced Plasma, durch Gasentladung erzeugtes Plasma)Lichtquelle verbunden sind, werden vermieden. Die EUV-Lichtquelle kann so angeordnet sein, dass das generierte EUV-Licht linear polarisiert vorliegt. Die Anordnung nachfolgender Strahlumlenkungen für das linear polarisierte EUV-Licht kann dann so gewählt werden, dass eine Strahlumlenkung mit möglichst geringen EUV-Durchsatzverlusten resultiert. Beispielsweise können die Strahlumlenkungen geometrisch so angeordnet sein, dass das linear polarisierte EUV-Licht in Bezug auf eine Einfallsebene bei einer reflektierenden Umlenkungs-, also senkrecht zur Einfallsebene, polarisiert ist. Die lineare Polarisation kann parallel zu einer Objektverlagerungsrichtung der Projektionsbelichtungsanlage verlaufen. Alternativ kann die lineare Polarisation auch senkrecht zur Objektverlagerungsrichtung verlaufen. Soweit eine Dipol-Beleuchtung erfolgt, kann eine Dipol-Beleuchtung mit senkrecht zur Dipol-Achse polarisiertem EUV-Beleuchtungslicht generiert werden.
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Eine Anordnung nach Anspruch 2 ermöglicht es, gemeinsame Versorgungseinrichtungen für die Elektronenstrahl-Einrichtungen kompakt bereitzustellen. Die beiden Elektronenstrahl-Einrichtungen können in der gleichen Gebäudeebene im gleichen Raum oder in der gleichen Gebäudeebene in verschiedenen Räumen angeordnet sein.
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Eine Vakuumdurchführung nach Anspruch 3 ermöglicht es, die beiden über die Gebäudedecke voneinander getrennten Räume mit voneinander unabhängigen Reinraumbedingungen zu betreiben, ohne dass über die Durchführung eine Störung herbeigeführt wird.
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Ein Elektronenstrahlwinkel nach Anspruch 4 ermöglicht eine kompakte Durchführung des Elektronenstrahls.
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Dies gilt besonders für einen Elektronenstrahlwinkel nach Anspruch 5, also für eine senkrechte Durchführung des Elektronenstrahls durch die Gebäudedecke.
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Elektronenstrahlführungen nach den Ansprüchen 6 und 7 haben sich zur Erzielung eines in einer vertikalen und/oder in einer horizontalen Dimension kompakten Aufbaus als besonders geeignet herausgestellt. Es resultieren Strahlführungen, die bei zur EUV-Generierung realistischen Elektronenenergien nur zu geringen und damit handhabbaren Elektronenstrahl-Energieverlusten führen.
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Eine überlappende Anordnung nach Anspruch 8 ist besonders kompakt. Dies gilt insbesondere dann, wenn die mindestens eine Elektronenstrahl-Einrichtung in vertikaler Richtung mit der EUV-Generationseinrichtung vollständig überlappt. Insbesondere können beide Elektronenstrahl-Einrichtungen mit der EUV-Generationseinrichtung in vertikaler Richtung überlappen.
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Die Vorteile eines Beleuchtungssystems nach Anspruch 9 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die EUV-Lichtquelle bereits erläutert wurden. Wenn die Beleuchtungsoptik in der gleichen Gebäudeebene angeordnet ist wie die EUV-Generationseinrichtung, resultiert dies in kleinen EUV-Strahlwegen und in der Möglichkeit, wenige Umlenkungen vorzusehen. Geringe EUV-Durchsatzverluste sind die Folge. Auch ein ganzer Scanner bzw. Stepper, der neben der Beleuchtungsoptik auch einen Objekthalter zur Halterung eines abzubildenden Objektes im Objektfeld, eine Projektionsoptik zur Abbildung des Objektfeldes in ein Bildfeld und eine Waferhalterung zur Halterung eines Wafers im Bildfeld aufweist, kann in der gleichen Gebäudeebene angeordnet sein, wie die EUV-Generationseinrichtung.
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Die Vorteile einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 10 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf das erfindungsgemäße Beleuchtungssystem bereits diskutiert wurden. Auch die Projektionsoptik der Projektionsbelichtungsanlage kann in der gleichen Gebäudeebene wie die EUV-Generationseinrichtung bzw. wie die Beleuchtungsoptik angeordnet sein.
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Die Vorteile eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 11 und eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils nach Anspruch 12 entsprechen denjenigen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Projektionsbelichtungsanlage bereits erläutert wurden.
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Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:
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1 schematisch eine Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithografie mit einer Licht- bzw. Strahlungsquelle, die auf zwei Gebäudeetagen untergebracht ist;
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2 im Vergleich zur 1 stärker schematisch eine Variante einer Anordnung von Komponenten der EUV-Lichtquelle auf zwei Gebäudeetagen; und
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3 und 4 zwei weitere Anordnungsvarianten für die Komponenten der EUV-Lichtquelle auf zwei Gebäudeetagen.
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1 zeigt schematisch Hauptkomponenten einer Projektionsbelichtungsanlage 1, die bei der Herstellung mikro- bzw. nanostrukturierter Bauelemente, insbesondere mikrobzw. nanostrukturierter integrierter Schaltkreise, zum Einsatz kommt. Eine Licht- bzw. Strahlungsquelle 2 mit Hauptkomponenten 2a, 2b und 2c, die nachfolgend noch näher erläutert werden, erzeugt Beleuchtungslicht bzw. Beleuchtungsstrahlung 3 in Form eines Strahlungsbündels. Bei der Strahlungsquelle 2 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle, die Strahlung im extrem ultravioletten Wellenlängenbereich, insbesondere zwischen 5 nm und 30 nm, beispielsweise im Bereich von 7 nm, erzeugt. In der 1 ist vereinfachend abschnittsweise lediglich ein Hauptstrahl der Beleuchtungsstrahlung 3 dargestellt.
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Die Beleuchtungsstrahlung 3 dient zur Belichtung eines Objektfeldes in einer Objektebene 4 der Projektionsbelichtungsanlage 1. Zwischen der Strahlungsquelle 2 und der Objektebene 4 ist die Beleuchtungsstrahlung 3 geführt durch eine Beleuchtungsoptik 5. Die Beleuchtungsoptik 5 ist in der 1 lediglich gestrichelt angedeutet. Eine Projektionsoptik 6 dient zur Abbildung des Objektfeldes in ein Bildfeld in einer Bildebene 7 der Projektionsbelichtungsanlage 1.
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In der Objektebene 4 ist ein reflektierendes Retikel 8 angeordnet, dessen abzubildende Muster-Oberfläche im Objektfeld liegt. Das Retikel 8 wird gehalten von einem in der 1 ausschnittsweise dargestellten Retikelhalter 9. In der Bildebene 7 ist ein Wafer 10 angeordnet, dessen zu belichtende Oberfläche im Bildfeld liegt. Der Wafer 10 wird gehalten von einem Waferhalter 11. Bei der Ausführung nach 1 ist der Retikelhalter 9 oberhalb des Waferhalters 11 angeordnet. Die Projektionsoptik 6 ist zwischen dem Retikelhalter 9 und dem Waferhalter 11 angeordnet.
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Die Projektionsbelichtungsanlage 1 kann nach Art eines Steppers oder nach Art eines Scanners ausgeführt sein. Die Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage 1 im Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 ab einschließlich dem Retikelhalter 9 werden nachfolgend auch als Scanner bzw. Stepper 12 bezeichnet. Der Retikelhalter 9 und der Waferhalter 11 sind insbesondere synchronisiert zueinander über nicht dargestellte Antriebe, also über einen Retikelverlagerungsantrieb und einen Waferverlagerungsantrieb, verlagerbar.
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Bei 13 ist in der 1 das von der Projektionsoptik 6 geführte Beleuchtungs-Strahlungsbündel angedeutet.
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Die Lichtquelle 2 ist nach Art eines Freie-Elektronen-Lasers aufgebaut. Die Lichtquelle 2 hat eine erste Elektronenstrahl-Einrichtung 2a in Form einer Elektronenstrahl-Versorgungseinrichtung, eine EUV-Generationseinrichtung 2b, die über die Elektronenstrahl-Versorgungseinrichtung 2a mit einem Elektronenstrahl 14 versorgt wird, und eine zweite Elektronenstrahl-Einrichtung 2c in Form einer Elektronenstrahl-Entsorgungseinrichtung. Um den Elektronenstrahl 14 herum ist eine luftdichte Umhüllung 14a angeordnet, die in der 1 lediglich abschnittsweise dargestellt ist. Die Umhüllung 14a sorgt dafür, dass der Elektronenstrahl 14 im Vakuum geführt werden kann.
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Die Elektronenstrahl-Entsorgungseinrichtung 2c ist in der 1, da mehrere Anordnungsvarianten möglich sind, gestrichelt angedeutet. Der Elektronenstrahl 14 kann eine zeitlich gemittelte Stromstärke von 1 mA haben. Die Elektronenstrahl-Entsorgungseinrichtung 2c entsorgt einen Elektronenstrahl 15, der ebenfalls gestrichelt angedeutet ist, im Strahlengang nach der EUV-Generationseinrichtung 2b.
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Die Elektronenstrahl-Entsorgungseinrichtung 2c kann gleichzeitig zur Rückgewinnung von Energie aus dem Elektronenstrahl 15 dienen. Hierbei kann eine Nutzstrom-Induktion der Elektronen des Elektronenstrahls 15 in einem elektrischen Gegenfeld genutzt werden.
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Zumindest eine der Elektronenstrahl-Einrichtungen 2a und 2c einerseits und die EUV-Generationseinrichtung 2b andererseits sind in unterschiedlichen Gebäudeetagen, also in übereinanderliegenden Räumen 16, 17 angeordnet, die durch eine Gebäudedecke 18 voneinander getrennt sind. Bei der Anordnung, die in der 1 dargestellt ist, ist die Elektronenstrahl-Versorgungseinrichtung 2a in einem unteren Gebäude-Stockwerk im Raum 16 angeordnet. Die EUV-Generationseinrichtung 2b und die Elektronenstrahl-Entsorgungseinrichtung 2c sind auf der anderen Seite der Gebäudedecke 18 im darüberliegenden Raum 17 des Gebäudes angeordnet. Alternativ zur in der 1 angedeuteten Anordnungsvariante können, wie nachfolgend noch erläutert wird, die Elektronenstrahl-Versorgungseinrichtung 2a und die Elektronenstrahl-Entsorgungseinrichtung 2c in einer gleichen Gebäudeebene bzw. im gleichen Stockwerk oberhalb oder unterhalb der Gebäudeebene bzw. des Stockwerks angeordnet sein, in dem die EUV-Generationseinrichtung 2b angeordnet ist.
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Bei der EUV-Generationseinrichtung
2b kann es sich um einen Undulator handeln. Entsprechende Undulator-Anordnungen als EUV-Strahlungsquellen sind bekannt aus der
US 5 896 438 A und der
US 6 498 351 B1 . Die EUV-Generationseinrichtung
2b kann alternativ eine Vorstufen-Lichtquelle aufweisen, die einen Vorstufen-Lichtstrahl mit einer Wellenlänge erzeugt, die im Vergleich zu einer Wellenlänge der EUV-Strahlung langwellig ist, und eine Überlagerungseinrichtung zur Herbeiführung einer Überlagerung des von der Elektronenstrahl-Versorgungseinrichtung erzeugten Elektronenstrahls mit dem Vorstufen-Lichtstrahl in einem Überlagerungsvolumen.
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In der Gebäudedecke 18 ist eine Elektronenstrahl-Durchführung 19 angeordnet. Die Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage 1 in den Räumen 16 und 17, insbesondere die elektronenstrahlführenden und die EUV-strahlführenden Komponenten sind jeweils in einer in der Zeichnung nicht näher dargestellten luftdichten Umhüllung angeordnet, sodass diese Komponenten im Vakuum betrieben werden können. Der Raum 17 erfüllt höhere Reinraumanforderungen als der Raum 16. Die Luft im Raum 17 beinhaltet eine kleinere Partikeldichte als die Luft im Raum 16. Der Raum 16 erfüllt also weniger hohe Reinraumanforderungen als der Raum 17. Der Scanner bzw. Stepper 12 ist also in einem Reinraum höherer Qualität angeordnet als diejenigen Elektronenstrahl-Einrichtungen, die im Raum 16 auf der anderen Seite der Gebäudedecke 18 angeordnet sind. Die Elektronenstrahl-Durchführung 19 ist als Vakuumdurchführung ausgeführt. Sie weist eine Klappe 20 oder einen Schieber auf, mit der die Elektronenstrahl-Durchführung 19 vakuumdicht verschlossen werden kann.
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Bei der Ausführung nach der 1 ist die Elektronenstrahl-Durchführung 19 in der Gebäudedecke 18 vorgesehen, die den Scanner bzw. Stepper 12 einschließlich der EUV-Generationseinrichtung 2b trägt.
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Der Elektronenstrahl 14 zwischen der Elektronenstrahl-Versorgungseinrichtung 2a und der EUV-Generationseinrichtung 2b nimmt im Bereich der Durchführung 19 einen Winkel α zu einer Deckenebene 21 der Gebäudedecke 18 ein, der beim in der 1 dargestellten Ausführungsbeispiel etwa 75° beträgt. Der Winkel α wird auch als Elektronenstrahlwinkel bezeichnet. Auch andere Winkel α, die mindestens 45° betragen und insbesondere größer sind als 60°, sind möglich. Bevorzugt sind Winkel α, die größer sind als 70°. Besonderes vorteilhaft sind Winkel α, die größer sind als 80° bis hin zu α = 90°, also einer vertikalen und rechtwinkligen Durchführung des Elektronenstrahls 14 durch die Gebäudedecke 18.
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2 zeigt als Ausführung der Projektionsbelichtungsanlage 1, bei der die EUV-Generationseinrichtung 2b zusammen mit dem Scanner bzw. Stepper 12 in einem Stockwerk im Raum 17 und die beiden Elektronenstrahl-Einrichtungen, also die Elektronenstrahl-Versorgungseinrichtung 2a und die Elektronenstrahl-Entsorgungseinrichtung 2c, in einem darunterliegenden Stockwerk im Raum 16 angeordnet sind. Alternativ ist es möglich, die Elektronenstrahl-Einrichtungen 2a, 2c in einem Stockwerk anzuordnen, welches über dem Stockwerk liegt, in dem der Scanner bzw. der Stepper 12 mit der EUV-Generationseinrichtung 2b angeordnet sind. Komponenten in der 2, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
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In der 2 sind Umlenkmagneten 22, 23, 24, 25 schematisch dargestellt, die für eine Umlenkung der Elektronenstrahlen 14, 15 auf ihrem Weg zwischen der Elektronenstrahl-Versorgungseinrichtung 2a und der EUV-Generationseinrichtung 2b einerseits und auf ihrem Weg zwischen der EUV-Generationseinrichtung 2b und der Elektronenstrahl-Entsorgungseinrichtung 2c andererseits sorgen. Der im Elektronenstrahlengang erste Magnet 22 ist dabei im unteren Raum 16 angeordnet und sorgt für eine 90°-Umlenkung des Elektronenstrahls 14, der zunächst, ausgehend von der Elektronenstrahl-Versorgungseinrichtung 2a horizontal verläuft, hin zu einem vertikalen Verlauf durch eine erste Elektronenstrahl-Durchführung 19a. Der Winkel α im Bereich der Durchführung 19a ist bei der Ausführung nach 2 also nahe 90°. Der im weiteren Verlauf des Elektronenstrahls 14 hin zur EUV-Generationseinrichtung 2b angeordnete Magnet 23, der im oberen Raum 17 untergebracht ist, lenkt den Elektronenstrahl 14 wiederum um 90° zwischen dem zunächst vertikalen Verlauf durch die Durchführung 19a und einem horizontalen Eintritt in die EUV-Generationseinrichtung 2b um. Die EUV-Generationseinrichtung 2b ist bei der Ausführung nach der 2 als Undulator ausgeführt. Nach dem horizontalen Austritt des Elektronenstrahls 15 aus der EUV-Generationseinrichtung 2b sorgt der weitere Magnet 24, der ebenfalls im oberen Raum 17 untergebracht ist, für eine 90°-Umlenkung hin zu einem vertikalen Verlauf des Elektronenstrahls 15 durch eine weitere Elektronenstrahl-Durchführung 19b in der Gebäudedecke 18 zwischen den Räumen 16 und 17. Auch im Bereich der weiteren Durchführung 19b ist der Elektronenstrahlwinkel α im Bereich von 90°. Dargestellt ist in der 2 auch ein Radius R eines Umlenk-Kreisbahnabschnitts des Elektronenstrahls 15, der durch den Magneten 24 hervorgerufen wird. Alle vier Magneten 22 bis 25 erzeugen einen entsprechend großen Umlenkradius R. Der im Elektronenstrahlengang letzte Magnet 25 ist im Weg des Elektronenstrahls 15 zwischen der zweiten Durchführung 19b und der Elektronenstrahl-Entsorgungseinrichtung 2c angeordnet und lenkt den Elektronenstrahl 15 zwischen der im Wesentlichen vertikalen Durchführung durch die zweite Durchführung 19b und einen horizontalen Eintritt in die Elektronenstrahl-Entsorgungseinrichtung 2c ebenfalls um 90° um.
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Zwischen der Elektronenstrahl-Versorgungseinrichtung 2a und der EUV-Generationseinrichtung 2b einerseits und der EUV-Generationseinrichtung 2b und der Elektronenstrahl-Entsorgungseinrichtung 2c andererseits haben die Elektronenstrahlen 14 und 15 also jeweils einen S-förmigen Verlauf.
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Typische Werte für R liegen im Bereich zwischen 0,5 m und 10 m und betragen beispielsweise 1 m, 2 m oder 5 m. Ein durch die 90°-Umlenkungen der Magnete 22 bis 25 hervorgerufener Energieverlust der Elektronenstrahlen 14, 15 liegt abhängig von der eingesetzten Elektronenenergie in einem Bereich zwischen 1 ‰ und 10 %. Die Energie der Elektronen im Elektronenstrahl 14 liegt im Bereich zwischen 0,2 MeV und 2 MeV.
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3 zeigt eine Variante einer Führung der Elektronenstrahlen 14, 15 bei einem ansonsten dem Aufbau nach 2 entsprechenden Aufbau der Projektionsbelichtungsanlage 1. Die Magneten 22 bis 25 sind bei der Ausführung nach 3 an etwa dergleichen Stelle angeordnet wie bei der Ausführung nach 2, führen im Unterschied zur Ausführung nach 2 bei der Ausführung nach 3 aber jeweils zu einer 45°-Umlenkung, so dass die Elektronenstrahlen 14, 15 durch die Durchführung 19a und 19b mit einem Elektronenstrahl-Durchführwinkel von jeweils etwa 45° zur Gebäudeebene 19 hindurchgeführt werden.
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Eine weitere Variante einer Anordnung der Komponenten der EUV-Lichtquelle 2 bei einer Ausführung, die ansonsten derjenigen der Anordnungen nach den 2 und 3 entspricht, zeigt die 4.
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Bei der Projektionsbelichtungsanlage 1 nach 4 ist die Elektronenstrahl-Versorgungseinrichtung 2a im unteren Raum 16 unterhalb der EUV-Generationseinrichtung 2b angeordnet. Die Anordnung ist dabei so, dass die Elektronenstrahl-Versorgungseinrichtung 2a in vertikaler Richtung, gesehen also in vertikaler Projektion, mit der EUV-Generationseinrichtung 2b überlappt. Dieser Überlapp kann teilweise oder, wie bei der Anordnung nach der 4, vollständig sein.
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Die Magneten 22, angeordnet im unteren Raum 16, und 23, angeordnet im oberen Raum 17, sorgen für eine 180°-Umlenkung des Elektronenstrahls 14 zwischen der Elektronenstrahl-Versorgungseinrichtung 2a und der EUV-Generationseinrichtung 2b, also für eine dort U-förmige Elektronenstrahlführung.
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Die Elektronenstrahl-Entsorgungseinrichtung 2c ist im unteren Raum 16 zwischen der EUV-Generationseinrichtung 2b, hiervon getrennt durch die Gebäudedecke 18, und der Elektronenstrahl-Versorgungseinrichtung 2a angeordnet. Auch die Anordnung der Elektronenstrahl-Entsorgungseinrichtung 2c ist so, dass diese mit der EUV-Generationseinrichtung 2b in vertikaler Richtung überlappt. Diese Überlappung ist bei der Anordnung nach 4 wiederum vollständig, kann bei einer alternativen Anordnung aber auch teilweise sein.
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Der Elektronenstrahl 15 zwischen der EUV-Generationseinrichtung 2b und der Elektronenstrahl-Entsorgungseinrichtung 2c wird durch die Magneten 24, angeordnet im oberen Raum 17, und 25, angeordnet im unteren Raum 16, wiederum um 180° umgelenkt, so dass zwischen der EUV-Generationseinrichtung 2b und der Elektronenstrahl-Entsorgungseinrichtung 2c wiederum eine U-förmige Elektronenstrahlführung vorliegt. Ein Radius der Führung des Elektronenstrahls 14 ist größer als ein Radius der Führung des Elektronenstrahls 15. Bei einer nicht dargestellten alternativen Ausführung können die beiden Elektronenstrahl-Einrichtungen 2a, 2c auch die Plätze tauschen, wobei dann ein Radius der U-förmigen Elektronenstrahlführung des Elektronenstrahls 14 kleiner ist als ein Radius der entsprechenden Führung des Elektronenstrahls 15.
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Die vorstehend erläuterten Anordnungen der Komponenten 2a bis 2c der Lichtquelle 2 können beliebig miteinander kombiniert werden. Allen Anordnungen gemeinsam ist, dass zumindest eine der beiden Elektronenstrahl-Einrichtungen 2a, 2c einerseits und die EUV-Generationseinrichtung 2b andererseits in übereinanderliegenden Räumen angeordnet sind, die durch die Gebäudedecke 18 voneinander getrennt sind. Zudem ist den Ausführungen gemeinsam, dass die EUV-Generationseinrichtung 2b in derselben Gebäudeebene angeordnet ist wie der Scanner bzw. der Stepper 12.
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Bei der Führung der Elektronenstrahlen 14, 15 kann eine S-förmige Elektronenstrahlführung mit einer U-förmigen Elektronenführung kombiniert werden.
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Ein Beleuchtungssystem der Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst neben der Lichtquelle 2 die Beleuchtungsoptik 5 zur Beleuchtung des Objektfeldes in der Objektebene 4. Die Beleuchtungsoptik 5 ist in der gleichen Gebäudeebene angeordnet wie die EUV-Generationseinrichtung 2b.
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Bei der Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauteils mit der Projektionsbelichtungsanlage 1 werden zunächst das Retikel 8 und der Wafer 10 bereitgestellt. Anschließend wird eine Struktur auf dem Retikel 8 auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers 10 mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Durch Entwicklung der lichtempfindlichen Schicht wird eine Mikro- oder Nanostruktur auf dem Wafer 10 und somit das mikro- oder nanostrukturierte Bauteil hergestellt, beispielsweise ein Halbleiterbauelement in Form eines Speicherchips.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- US 7301972 B2 [0002]
- US 2009/0213356 A1 [0002]
- US 6035015 [0002]
- US 5825847 [0002]
- US 2008/0259303 A1 [0002]
- WO 2009/121438 A1 [0005]
- US 5896438 A [0028]
- US 6498351 B1 [0028]
