JP2008538452A - 投影露光系、このような投影露光系の補助により微細構造の構成部材を製造する方法、このような系において使用するために適応させた偏光光学素子 - Google Patents
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- EUV領域の光を発生させるための光源(18)と、当該光源(18)の光によってマスク(25)を照明するための第1の光学系(19、20、21、22、23、24)と、構成部材(32)に前記マスク(25)を結像するための第2の光学系(26、27、28、29、30)とを備える、特にマイクロリソグラフィ用の投影露光系であって、前記光源(18)と前記構成部材(32)との間のビーム経路にEUV領域用の少なくとも一つの偏光光学素子(1)が配置され、当該少なくとも一つの偏光光学素子が少なくとも一つの反射円錐面(3、7、12、14)を備え、前記光源によって発せられた光に偏光作用を及ぼす、投影露光系。
- 前記偏光光学素子は、
0゜から前記円錐面(3)が偏光作用をもたらす最大傾斜角までの傾斜角αの領域に円錐面の回転対称軸への傾斜角αを下回って入射するEUV光の少なくとも所定の偏光成分に対して反射性を有する外側円錐面(3)を有する少なくとも一つの円錐体(2)を備え、および
前記円錐体(2)の外側円錐面(3)で反射されたEUV光を集束する少なくとも一つの別のEUV光用反射要素(4、11、13)を有する、請求項1に記載の投影露光系。 - 前記偏光光学素子は、
0゜から最大傾斜角までの傾斜角αの領域に別の円錐体(6)の円錐面の回転対称軸への傾斜角αを下回って入射するEUV光の少なくとも所定の偏光成分に対して反射性を有する外側円錐面(3)を有する少なくとも一つの別の円錐体(6)を備え、
両円錐体(2、6)の底面領域が相互に向かい合い、両円錐面(3、7)の回転対称軸が一致している、請求項1または2に記載の投影露光系。 - 前記少なくとも一つの別の要素(4)が中空円筒体として形成され、その内面(5)が反射性を有し、前記中空円筒体の回転対称軸が前記少なくとも一つの円錐体(2、6)の回転対称軸と一致するように配置された、請求項2または3に記載の投影露光系。
- 前記少なくとも一つの偏光光学素子の少なくとも一つの別の反射要素が、0゜から最大傾斜角までの傾斜角αの領域に円錐面の回転対称軸への傾斜角αを下回って入射するEUV光の少なくとも所定の偏光成分に対して反射性を有する二つの内側円錐面(12、14)を有している投影露光系であって、
両内側円錐面(12、14)が相互に向かい合い、両内側円錐面(12、14)の回転対称軸が一致しており、
入射したEUV光が初めに前記偏光外側円錐面(3)によって反射され、その後続いて両内側円錐面(12、14)によって反射され、その後前記別の外側円錐面によって反射されるように前記円錐面(3、7、12、14)が配置された、請求項2または3に記載の投影露光系。 - 前記偏光光学素子の前記外側円錐面(3、7)および前記内側円錐面(12、14)が同一の円錐角を有する、請求項5に記載の投影露光系。
- 前記偏光光学素子の円錐角が45゜である、請求項5に記載の投影露光系。
- EUV領域の光を発生させるための光源(18)と、当該光源(18)の光によってマスク(25)を照明するための第1の光学系(19、20、21、22、23、24)と、構成部材(32)に前記マスク(25)を結像するための第2の光学系(26、27、28、29、30)とを備える、特にマイクロリソグラフィ用の投影露光系であって、前記光源(18)と前記構成部材(32)との間のビーム経路にEUV領域用の少なくとも一つの偏光光学素子(1)が配置され、当該少なくとも一つの偏光光学素子が、
所定の傾斜角αを下回って入射するEUV光の第1の偏光状態に対して少なくとも部分的に透明である基板を有し、
前記基板に配置され、かつEUV光の第2の偏光状態に対して反射性を有する層構造を有する、投影露光系。 - 約45゜のEUV光の入射角αで、透明でかつ反射する光学作用を有するように、前記偏光光学素子の基板および層構造が配置された、請求項8に記載の投影露光系。
- 前記基板が1μm未満の厚さを有し、好ましくはシリコン基板である、請求項8または9に記載の投影露光系。
- 前記偏光光学素子の基板が、当該基板よりも機械的安定性の高い局所的に孔の開いたキャリヤ構成物に配置されている、請求項10に記載の投影露光系。
- 前記層構造が、交互に連続するモリブデン層とシリコン層を備える、請求項8〜11のいずれか一項に記載の投影露光系。
- 前記層構造が交互に連続する複数の層を有する、請求項12に記載の投影露光系。
- 前記偏光光学素子が交互に連続する80層未満の層、好ましくは交互に連続する約40層の層を備える、請求項13に記載の投影露光系。
- 前記偏光光学素子のモリブデン層の層厚が2,478nm/cosαであり、前記偏光光学素子のシリコン層の層厚が4,406nm/cosαである請求項12〜14のいずれか一項に記載の投影露光系。
- EUV光の透過成分の強度が反射成分の強度の少なくとも10%となるように前記偏光光学素子が配置された、請求項8〜15のいずれか一項に記載の投影露光系。
- EUV光の透過成分の強度が反射成分の強度の少なくとも15%となるように前記偏光光学素子が配置された、請求項16に記載の投影露光系。
- EUV光の透過成分の強度が反射成分の強度の少なくとも20%となるように前記偏光光学素子が配置された、請求項17に記載の投影露光系。
- 前記偏光光学素子の層構造が少なくとも一つの不均一な厚さの層を有し、または、
前記層構造の層のうち少なくとも一つがEUV光ビームにさらされる面を有し、その面が相互に傾斜した数個の部分面を有する、請求項8〜18のいずれか一項に記載の投影露光系。 - 偏光されたEUV領域の光によって投影露光系を少なくとも部分的に操作し、構成部材(32)の感光性被膜にマスク(25)を結像する、微細構造の構成部材(32)を製造する方法。
- EUV領域で操作される投影露光系の補助により構成部材(32)の感光性被膜にマスク(25)を結像し、このために用いる光の偏光状態を修正する、微細構造の構成部材(32)を製造する方法。
- 請求項1〜19のいずれか一項に記載の投影露光系で動作するように適応させた、EUV領域用の偏光光学素子。
- 少なくとも一つの構成要素(2、4、6、11、13、16、17)を備え、伝播方向を斜めに空間的に広がる光ビームの偏光状態に及ぼす前記構成要素の作用が光ビームの断面にわたって異なる、請求項21に記載の偏光光学素子。
- 伝播方向を斜めに空間的に広がる光ビームの場合、光ビームの断面にわたって不均一な偏光分布を形成する少なくとも一つの構成要素(2、4、6、11、13、16、17)を備える、請求項21に記載の偏光光学素子。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US67363805P | 2005-04-20 | 2005-04-20 | |
US60/673,638 | 2005-04-20 | ||
PCT/EP2006/003401 WO2006111319A2 (en) | 2005-04-20 | 2006-04-12 | Projection exposure system, method for manufacturing a micro-structured structural member by the aid of such a projection exposure system and polarization-optical element adapted for use in such a system |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011278378A Division JP5480232B2 (ja) | 2005-04-20 | 2011-12-20 | 投影露光系、このような投影露光系の補助により微細構造の構成部材を製造する方法、このような系において使用するために適応させた偏光光学素子 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008538452A true JP2008538452A (ja) | 2008-10-23 |
JP2008538452A5 JP2008538452A5 (ja) | 2009-04-30 |
JP5436853B2 JP5436853B2 (ja) | 2014-03-05 |
Family
ID=36942305
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008506975A Expired - Fee Related JP5436853B2 (ja) | 2005-04-20 | 2006-04-12 | 投影露光系及び偏光光学素子 |
JP2011278378A Active JP5480232B2 (ja) | 2005-04-20 | 2011-12-20 | 投影露光系、このような投影露光系の補助により微細構造の構成部材を製造する方法、このような系において使用するために適応させた偏光光学素子 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011278378A Active JP5480232B2 (ja) | 2005-04-20 | 2011-12-20 | 投影露光系、このような投影露光系の補助により微細構造の構成部材を製造する方法、このような系において使用するために適応させた偏光光学素子 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7982854B2 (ja) |
EP (1) | EP1872176A2 (ja) |
JP (2) | JP5436853B2 (ja) |
WO (1) | WO2006111319A2 (ja) |
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JP5480232B2 (ja) | 2014-04-23 |
US7982854B2 (en) | 2011-07-19 |
WO2006111319A3 (en) | 2007-05-10 |
US8854606B2 (en) | 2014-10-07 |
JP5436853B2 (ja) | 2014-03-05 |
US20110242517A1 (en) | 2011-10-06 |
JP2012060178A (ja) | 2012-03-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080925 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080925 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080925 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090311 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090311 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110620 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110916 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110927 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120924 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20121221 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130104 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130124 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130131 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130225 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130304 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130325 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131125 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131211 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |