DE102013205957A1 - Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage - Google Patents

Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere für den Betrieb im EUV, mit wenigstens zwei Lichtquellen (1, 2, 101, 102, 501a, 501b), einer Spiegelanordnung (200) aus einer Mehrzahl unabhängig voneinander verstellbarer Spiegelelemente, und wenigstens einer strahlablenkenden Anordnung (100), welche eine Gruppe von ersten Reflexionsflächen (11, 12, 111, 112, ...) aufweist, wobei von den Lichtquellen (1, 2, 101, 102, 501a, 501b) erzeugtes Licht über jeweils eine dieser Reflexionsflächen (11, 12, 111, 112, ...) auf die Spiegelanordnung (200) lenkbar ist, wobei die wenigstens zwei Lichtquellen (1, 2, 101, 102, 501a, 501b) im Betrieb des optischen Systems voneinander verschiedene erste Reflexionsflächen (11, 12, 111, 112, ...) mit Licht unterschiedlichen Polarisationszustandes beleuchten.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage.
  • Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD's, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z. B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
  • In für den EUV-Bereich ausgelegten Projektionsobjektiven, d. h. bei Wellenlängen von z. B. etwa 13 nm oder etwa 7 nm, werden mangels Verfügbarkeit geeigneter lichtdurchlässiger refraktiver Materialien Spiegel als optische Komponenten für den Abbildungsprozess verwendet.
  • Im Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage besteht ein Bedarf, in der Beleuchtungseinrichtung zur Optimierung des Abbildungskontrastes gezielt bestimmte Polarisationsverteilungen in der Pupillenebene und/oder im Retikel einzustellen sowie auch eine Änderung der Polarisationsverteilung im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage vornehmen zu können.
  • Zum Stand der Technik hinsichtlich der Änderung der Polarisationsverteilung in für den EUV-Bereich ausgelegten Projektionsbelichtungsanlagen wird lediglich beispielhaft auf DE 10 2008 002 749 A1 , US 2008/0192225 A1 , WO 2006/111319 A2 und US 6,999,172 B2 verwiesen.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage insbesondere für den Betrieb im EUV bereitzustellen, welches eine flexible Einstellung der Polarisationsverteilung in der Projektionsbelichtungsanlage bei vergleichsweise geringem Lichtverlust ermöglicht.
  • Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1 gelöst.
  • Ein erfindungsgemäßes optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere für den Betrieb im EUV, weist auf:
    • – wenigstens zwei Lichtquellen;
    • – eine Spiegelanordnung aus einer Mehrzahl unabhängig voneinander verstellbarer Spiegelelemente; und
    • – wenigstens eine strahlablenkende Anordnung, welche eine Gruppe von ersten Reflexionsflächen aufweist, wobei von den Lichtquellen erzeugtes Licht über jeweils eine dieser Reflexionsflächen auf die Spiegelanordnung lenkbar ist;
    • – wobei die wenigstens zwei Lichtquellen im Betrieb des optischen Systems voneinander verschiedene erste Reflexionsflächen mit Licht unterschiedlichen Polarisationszustandes beleuchten.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt insbesondere das Konzept zugrunde, die flexible Einstellung unterschiedlicher gewünschter polarisierter Beleuchtungssettings dadurch zu realisieren, dass wenigstens zwei kohärente Lichtquellen (z. B. freie Elektronenlaser oder Synchrotrons) verwendet werden, welche von vorneherein Licht unterschiedlicher Polarisationszustände (z. B. linear polarisiertes Licht unterschiedlicher Polarisationsrichtung) in die Beleuchtungseinheit einkoppeln.
  • Dabei macht sich die Erfindung insbesondere die Erkenntnis zu Nutze, dass bei Einsatz kohärenter Lichtquellen wie z. B. freie Elektronenlaser der Lichtleitwert der Lichtquellen praktisch Null beträgt, so dass das bei Verwendung einer ausgedehnten Lichtquelle mit vorgegebener Winkelcharakteristik (wie z. B. einer Plasmaquelle) bestehende Erfordernis wegfällt, bei Einkopplung von Licht unterschiedlicher Lichtquellen dieses Licht in der Beleuchtungseinrichtung an dieselbe Position mit identischer Winkelcharakteristik zu lenken.
  • Vielmehr kann bei Verwendung der besagten kohärenten Lichtquellen das Licht unterschiedlicher Lichtquellen auch an unterschiedliche Orte in der Beleuchtungseinrichtung (insbesondere der Pupillenebene) gelenkt werden. Diese Möglichkeit nutzt die Erfindung nun dahingehend aus, dass Licht unterschiedlicher (d. h. von wenigstens zwei) Lichtquellen, welches von vorneherein mit unterschiedlichen Polarisationszuständen (beispielsweise mit zueinander orthogonalen Polarisationszuständen) in die Beleuchtungseinrichtung eingekoppelt wird, über die im erfindungsgemäßen optischen System vorgesehene strahlablenkende Anordnung aus ersten Reflexionsflächen sowie die nachfolgende Spiegelanordnung mit unabhängig voneinander verstellbaren Spiegelelementen gezielt an unterschiedliche Orte in der Pupillenebene gelenkt werden, wobei diese Orte in flexibler Weise so gewählt werden können, dass sich das gewünschte polarisierte Beleuchtungssetting ergibt.
  • Bei den erfindungsgemäß verwendeten Lichtquellen kann es sich insbesondere um Freie-Elektronen-Laser oder auch Synchrotrons handeln.
  • Die Erfindung ist nicht auf den Einsatz von nur zwei Lichtquellen beschränkt, so dass grundsätzlich auch mehr als mehr als zwei Lichtquellen (etwa ebenfalls zur Erzeugung weiterer Polarisationszustände zum Aufbau des gewünschten polarisierten Beleuchtungssettings) eingesetzt werden können.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist die strahlablenkende Anordnung bzw. die Gruppe von ersten Reflexionsflächen als Streifenspiegeleinheit mit einer Mehrzahl unabhängig voneinander einstellbarer Streifenspiegel ausgebildet. Hierbei kann jeder Streifenspiegel oder auch jeweils einer Gruppe von Streifenspiegeln der Streifenspiegeleinheit mit Licht einer der Lichtquellen bzw. dem entsprechenden Polarisationszustand beaufschlagt werden, wobei die entsprechenden Lichtstrahlen unterschiedlicher Polarisationszustände von den Streifenspiegeln über unterschiedliche Wege in der Beleuchtungseinrichtung zum Aufbau des gewünschten polarisierten Beleuchtungssettings in der Pupillenebene zusammengeführt werden können.
  • Die erfindungsgemäße Ausnutzung mehrerer (d. h. wenigstens zwei) kohärenter Lichtquellen und Bereitstellung unterschiedlicher Polarisationszustände hat insbesondere den Vorteil, dass die zur Erzeugung des gewünschten polarisierten Beleuchtungssettings benötigten unterschiedlichen Polarisationszustände nicht erst noch innerhalb der Beleuchtungseinrichtung durch zusätzliche Reflexionen (etwa unter dem Brewster-Winkel) oder Filterelemente erzeugt werden müssen, so dass ein mit solchen zusätzlichen Reflexionen einhergehender Intensitätsverlust vermieden werden kann.
  • Die Erfindung ist jedoch nicht auf die völlige Vermeidung solcher zusätzlichen Reflexionen beschränkt, da solche weiteren Reflexionen innerhalb der Beleuchtungseinrichtung insbesondere unter dem Brewster-Winkel zusätzlich in vorteilhafter Weise genutzt werden können, um ggf. weitere Polarisationszustände zum Aufbau des gewünschten polarisierten Beleuchtungssettings zu erzeugen. Dabei kann auch der Umstand ausgenutzt werden, dass von vorneherein aufgrund der Verwendung unterschiedlicher Lichtquellen bzw. Polarisationszustände das auf die unter dem Brewster-Winkel reflektierenden Reflexionsflächen auftreffende Licht bereits im Polarisationszustand an den letztlich zu erzeugenden, gewünschten Polarisationszustand angenähert ist, so dass der mit besagter Reflexion unter dem Brewster-Winkel einhergehende Intensitätsverlust (verglichen etwa mit der Verwendung von ursprünglich unpolarisiertem Licht) reduziert ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist die strahlablenkende Anordnung daher ferner eine Gruppe von zweiten Reflexionsflächen auf, wobei im Betrieb des optischen Systems an jeweils einer der Reflexionsflächen reflektiertes Licht über jeweils eine andere der zweiten Reflexionsflächen auf die Spiegelanordnung lenkbar ist. Dabei kann im Betrieb des optischen Systems Licht auf jeweils eine der ersten Reflexionsflächen und/oder der zweiten Reflexionsflächen jeweils mit einem Einfallswinkel θ = θB ± 5° auftreffen, wobei θB den Brewster-Winkel für diese Reflexionsflächen bei einer arbeitswellenlänge des optischen Systems bezeichnet.
  • Gemäß einer Ausführungsform wird im Betrieb des optischen Systems in einer Pupillenebene des optischen Systems eine näherungsweise tangentiale Polarisationsverteilung oder eine näherungsweise radiale Polarisationsverteilung erzeugt.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt betrifft die Erfindung eine Beleuchtungseinrichtung einer für den Betrieb im EUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, wobei die Beleuchtungseinrichtung ein optisches System mit den vorstehend beschriebenen Merkmalen aufweist.
  • Die Erfindung betrifft ferner eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, wobei die Beleuchtungseinrichtung ein optisches System mit den vorstehend beschriebenen Merkmalen aufweist, sowie ein Verfahren zur mikrolithographischen Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente.
  • Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.
  • Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
  • Es zeigen:
  • 1 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des der vorliegenden Erfindung zugrundeliegenden Prinzips;
  • 2 eine schematische Darstellung zur Erläuterung eines grundsätzlich möglichen Aufbaus einer für den Betrieb im EUV ausgelegten Beleuchtungseinrichtung einer Projektionsbelichtungsanlage in einer Ausführungsform der Erfindung;
  • 3 eine schematische Darstellung eines weiteren, erfindungsgemäß einstellbaren polarisierten Beleuchtungssettings; und
  • 4 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des möglichen Aufbaus einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, in welcher die vorliegende Erfindung realisiert werden kann.
  • 4 dient zunächst als lediglich schematische und vereinfachte Darstellung zur Erläuterung des möglichen Aufbaus einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, in welcher die Erfindung realisiert werden kann.
  • Gemäß 4 wird Licht von zwei kohärenten Lichtquellen 501a, 501b (z. B. Freie-Elektronen-Laser oder Synchrotrons) über eine optische Strahlführungs- und -aufweitungseinheit 502 in eine Beleuchtungseinrichtung 503 eingekoppelt, welche wie im Weiteren beschrieben eine strahlablenkende Anordnung 100 (gemäß 2) bzw. 10 (gemäß 1) sowie – in einer optischen Einheit 504 zur Pupillenerzeugung – eine in einer Zwischenfeldebene befindliche Spiegelanordnung 200 aufweist. Eine durch die Beleuchtungseinrichtung 503 beleuchtete Maske (Retikel) 505 befindet sich in der Objektebene eines nachfolgenden Projektionsobjektivs 506, welche die Strukturen auf der Maske 505 auf einen in der Bildebene angeordneten Wafer 507 abbildet.
  • Im Weiteren wird unter Bezugnahme auf 1 das der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Prinzip erläutert.
  • Gemäß 1 weist ein erfindungsgemäßes optisches System wenigstens zwei Lichtquellen 1 und 2 auf, welche jeweils kohärente Lichtquellen (z. B. freie Elektronenlaser oder Synchrotrons) darstellen, so dass das von den Lichtquellen 1 und 2 ausgesandte und in die Beleuchtungseinrichtung eingekoppelte Licht im Wesentlichen einen Lichtleitwert von Null aufweist.
  • Mit „10” ist in 1 eine strahlablenkende Anordnung bezeichnet, welche insbesondere als Streifenspiegeleinheit ausgebildet sein kann, wobei „11” und „12” zwei unterschiedliche Streifenspiegel oder auch Gruppen von Streifenspiegeln darstellen können. Diese Streifenspiegel bzw. ersten Reflexionsflächen 11, 12, ... sind jeweils um zwei zueinander senkrechte Kippachsen (welche im Ausführungsbeispiel in x- bzw. y-Richtung verlaufen) verkippbar, so dass das an den Streifenspiegeln bzw. ersten Reflexionsflächen 11, 12, ... reflektierte Licht je nach Verkippung des jeweiligen Streifenspiegels in unterschiedliche, grundsätzlich beliebig einstellbare Raumwinkel reflektiert werden kann.
  • Das an den einzelnen Reflexionsflächen bzw. Streifenspiegeln der strahlablenkenden Anordnung 10 reflektierte Licht, welches entweder von der ersten Lichtquelle 1 oder der zweiten Lichtquelle 2 stammt und einen entsprechenden, von der betreffenden Lichtquelle 1 bzw. 2 bereitgestellten Polarisationszustand aufweist, wird über eine (in 1 nicht dargestellte, jedoch unter Bezugnahme auf 2 noch beschriebene) Spiegelanordnung mit einer Mehrzahl unabhängig voneinander verstellbarer Spiegelelemente in eine Pupillenebene (z. B. auf einen in der Pupillenebene befindlichen Pupillenfacettenspiegel 250 gemäß 2) gelenkt, in der entsprechend der Ausrichtung der ersten Reflexionsflächen der strahlablenkenden Anordnung 10 sowie der Spiegelelemente der Spiegelanordnung 200 ein gewünschtes polarisiertes Beleuchtungssetting P1 erzeugt wird.
  • Im Beispiel von 1 handelt es sich bei dem gewünschten polarisierten Beleuchtungssetting P1 um ein näherungsweise tangential polarisiertes Beleuchtungssetting (auch als quasitangential polarisiertes Beleuchtungssetting bezeichnet), wobei die in x-Richtung einander gegenüberliegenden Beleuchtungspole linear in y-Richtung polarisiert sind und die in y-Richtung einander gegenüberliegenden Beleuchtungspole in x-Richtung polarisiert sind.
  • Die Realisierung der Erfindung gemäß dem vorstehend anhand von 1 beschriebenen Konzept hat insbesondere den Vorteil, dass das polarisierte Beleuchtungssetting P1 ohne zusätzliche (d. h. eigens zur Erzeugung der für das polarisierte Beleuchtungssetting P1 benötigten Polarisationszustände herbeigeführte) Reflexionen im optischen System erzeugt wird, so dass ein mit solchen zusätzlichen Reflexionen einhergehender Intensitätsverlust vermieden wird.
  • Die Erfindung ist jedoch nicht hierauf beschränkt, so dass – wie im Weiteren unter Bezugnahme auf 2 beschrieben – auch zusätzliche Reflexionen im optischen System eingesetzt werden können, um z. B. weitere (von z. B. reiner x- bzw. y-Polarisation abweichende) Polarisationszustände zu erzeugen und so ein anderes polarisiertes Beleuchtungssetting, beispielsweise das in 3 gezeigte polarisierte Beleuchtungssetting P2 (welches ebenfalls eine quasitangentiale Polarisationsverteilung, jedoch mit feinerer Segmentierung in insgesamt acht Segmente unterschiedlicher Polarisationsvorzugsrichtung aufweist) zu erzeugen. In einer weiteren Ausführungsform kann grundsätzlich das in 3 gezeigte polarisierte Beleuchtungssetting P2 aber auch unter Verwendung von mehr als zwei Lichtquellen (z. B. im Falle des Beispiels von 3 unter Verwendung von vier Lichtquellen) erzeugt werden.
  • Gemäß der schematischen Darstellung von 2 weist eine strahlablenkende Anordnung 10 analog zu 1 zunächst eine Gruppe von ersten Reflexionsflächen 111, 112, ... auf, welche als Streifenspiegeleinheit 110 mit einer Mehrzahl unabhängig voneinander einstellbarer Streifenspiegel ausgebildet ist.
  • Das von der Lichtquelle 101 bzw. 102 ausgesandte, linear polarisierte Licht gelangt jedoch über die ersten Reflexionsflächen 111 bzw. 112 der strahlablenkenden Anordnung 100 zunächst auf zweite Reflexionsflächen 121, 122, ..., wobei das Licht erst von diesen zweiten Reflexionsflächen 121, 122 auf die Spiegelanordnung 200 gelenkt wird. Dabei erfolgt die Reflexion an den ersten Reflexionsflächen 111, 112, ... und/oder an den zweiten Reflexionsflächen 121, 122, ... jeweils mit einem Einfallswinkel, welcher im Wesentlichen dem Brewster-Winkel für diese Reflexionsflächen bei der Arbeitswellenlänge des optischen Systems (z. B. 13.5 nm) entspricht.
  • Infolge der unter dem Brewster-Winkel stattfinden Reflexionen wird bezogen auf die betreffende Reflexionsfläche s-polarisiertes Licht weitestgehend reflektiert, wohingegen bezogen auf die betreffende Reflexionsfläche p-polarisiertes Licht weitestgehend transmittiert oder im Material absorbiert wird. Infolgedessen ist das an der betreffenden Reflexionsfläche reflektierte Licht s-polarisiert bezogen auf die jeweils Reflexionsfläche, so dass die letztlich eingestellte Polarisationsrichtung der linearen Polarisation von der Orientierung der betreffenden zweiten und ersten Reflexionsfläche, an denen das Licht reflektiert worden ist, abhängt. Infolgedessen können in einer Pupillenebene – auch bei Beschränkung auf den Einsatz von zwei Lichtquellen – noch weitere Polarisationszustände und damit beispielsweise eine quasitangentiale Polarisationsverteilung mit noch feinerer Segmentierung (z. B. in insgesamt acht Segmente unterschiedlicher Polarisationsvorzugsrichtung gemäß 3) erzeugt werden.
  • Wie aus 2 ersichtlich ist, treffen die einzelnen Lichtbündel nach Reflexion an den ersten Reflexionsflächen 11, 12, ... auf die (in 1 nicht dargestellte) Spiegelanordnung in Form eines MMA (= „Micro Mirror Array” = Mikrospiegelanordnung), welche (in typischerweise matrixartigem Aufbau) eine Mehrzahl von unabhängig voneinander einstellbaren (insbesondere wiederum um zwei zueinander senkrechte Kippachsen kippbaren) Spiegelelementen aufweist. Dabei wird die Spiegelanordnung 200 vorzugsweise insgesamt durch die Gruppe von zweiten Reflexionsflächen 121, 122, ... vollständig ausgeleuchtet, wobei jede der zweiten Reflexionsflächen 121, 122, ... ihrerseits durch diejenigen, in entsprechendem Kippwinkel orientierten ersten Reflexionsflächen 111, 112, ... beleuchtet werden. Im konkreten Ausführungsbeispiel wird der in 2 untere Bereich 200a der Spiegelanordnung 200 y-polarisiert (d. h. mit in y-Richtung linear polarisiertem Licht, welches vom Bereich 121a der Reflexionsfläche 121 ausgeht) ausgeleuchtet, und der obere Bereich 200b der Spiegelanordnung 200 wird x-polarisiert (d. h. mit in x-Richtung linear polarisiertem Licht) ausgeleuchtet, welches von der Reflexionsfläche 122 ausgeht.
  • Die Spiegelelemente der Spiegelanordnung 200 erfüllen in dem erfindungsgemäßen optischen System zwei Aufgaben: Zum einen wählt jedes Spiegelelement der Spiegelanordnung 200 abhängig von seiner jeweiligen Kippstellung eine Reflexionsflächen der strahlablenkenden Anordnung 10, 100 (und damit zugleich einen bestimmten Polarisationszustand bzw. ggf. eine bestimmte Polarisationsrichtung der linearen Polarisation) aus. Zum anderen lenkt das betreffende Spiegelelement der Spiegelanordnung 200 das von der jeweiligen Reflexionsfläche mit der ausgewählten Polarisationsrichtung aus auf die Spiegelanordnung 200 auftreffende Licht auf einen gewünschten Ort in der Pupillenebene des optischen Systems entsprechend einer vorgegebenen Intensitätsverteilung bzw. einem gewünschten Beleuchtungssetting.
  • Über die unabhängig voneinander verstellbaren Einzelspiegel der Spiegelanordnung 200 kann eine flexible Pupillenformung realisiert werden, indem die auf die Einzelspiegel der Spiegelanordnung 200 auftreffenden Lichtstrahlen jeweils auf einen gewünschten Ort in einer nachfolgenden Pupillenebene des optischen Systems gelenkt werden. Dabei können die Spiegelelemente der Spiegelanordnung 200 insgesamt grundsätzlich jeden beliebigen Punkt in der Pupillenebene adressieren (so dass keine „Pupillenquantisierung” im Sinne einer nur in festen Schritten bzw. Rastern möglichen Pupillenausleuchtung vorliegt). In Verbindung mit dem kleinen bzw. praktisch verschwindenden Lichtleitwert der Lichtquellen wird eine hohe Flexibilität der Pupillenausleuchtung ermöglicht.
  • Gemäß 2 wird das von der Spiegelanordnung 200 ausgehende Licht über einen Spiegel 250 auf eine die Maske M bzw. das Retikel enthaltende Retikelebene gelenkt, wobei sich die vorstehend erwähnte Pupillenebene lediglich beispielhaft auf dem Spiegel 250 oder auch in einer beliebigen anderen Position (beispielsweise auch in der vorderen Brennebene des Spiegels 250) befinden kann.
  • In dem erfindungsgemäßen optischen System wird (unter erneuter Bezugnahme auf 2) im Ergebnis insbesondere ausgehend von der ursprünglich kohärenten und einen kleinen Lichtleitwert aufweisenden Lichtquelle ein Feld 105 aufgespannt, welches die gleiche Form bzw. das gleiche Aspektverhältnis aufweist wie das am Ort der Spiegelanordnung 200 (bzw. letztlich auch in der Retikelebene) erzeugte Beleuchtungsfeld 125. Aus dem zunächst aufgespannten Feld 105 werden somit durch gezielte Auswahl aufeinanderfolgender Reflexionen an den ersten bzw. zweiten Reflexionsflächen innerhalb der polarisationsbeeinflussenden Anordnung 100 mehrere einzelne Felder mit linearer Polarisation unterschiedlicher Polarisationsrichtung erzeugt, welche wiederum am Ort der Spiegelanordnung 200 zusammengeführt werden, die eine entsprechende gewünschte Intensitäts- und Polarisationsverteilung in der Pupillenebene erzeugt.
  • Bei der besagten Polarisationsverteilung kann es sich insbesondere (ohne das die Erfindung hierauf beschränkt wäre) um eine näherungsweise tangentiale Polarisationsverteilung handeln, welche in für sich bekannter Weise eine kontrastreiche Abbildung ermöglicht. Bei der besagten Polarisationsverteilung kann es sich ferner beispielsweise auch um eine zumindest näherungsweise radiale Polarisationsverteilung handeln.
  • Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z. B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102008002749 A1 [0005]
    • US 2008/0192225 A1 [0005]
    • WO 2006/111319 A2 [0005]
    • US 6999172 B2 [0005]

Claims (12)

  1. Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere für den Betrieb im EUV, mit • wenigstens zwei Lichtquellen (1, 2, 101, 102, 501a, 501b); • einer Spiegelanordnung (200) aus einer Mehrzahl unabhängig voneinander verstellbarer Spiegelelemente; und • wenigstens einer strahlablenkenden Anordnung (10, 100), welche eine Gruppe von ersten Reflexionsflächen (11, 12, 111, 112, ...) aufweist, wobei von den Lichtquellen (1, 2, 101, 102, 501a, 501b) erzeugtes Licht über jeweils eine dieser Reflexionsflächen (11, 12, 111, 112, ...) auf die Spiegelanordnung (200) lenkbar ist; • wobei die wenigstens zwei Lichtquellen (1, 2, 101, 102, 501a, 501b) im Betrieb des optischen Systems voneinander verschiedene erste Reflexionsflächen (11, 12, 111, 112, ...) mit Licht unterschiedlichen Polarisationszustandes beleuchten.
  2. Optisches System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Lichtquellen (1, 2, 101, 102, 501a, 501b) im Betrieb des optischen Systems voneinander verschiedene erste Reflexionsflächen (111, 112, ...) mit linear polarisiertem Licht unterschiedlicher Polarisationsrichtung, insbesondere zueinander senkrechter Polarisationsrichtung, beleuchten.
  3. Optisches System nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eine der Lichtquellen (1, 2, 101, 102, 501a, 501b) ein Freie-Elektronen-Laser ist.
  4. Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eine der Lichtquellen (1, 2, 101, 102, 501a, 501b) ein Synchrotron ist.
  5. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Gruppe von ersten Reflexionsflächen (11, 12, 111, 112, ...) als Streifenspiegeleinheit (110) mit einer Mehrzahl unabhängig voneinander einstellbarer Streifenspiegeln ausgebildet ist.
  6. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten Reflexionsflächen (11, 12, 111, 112, ...) unabhängig voneinander, insbesondere um jeweils zwei zueinander senkrechte Kippachsen, verkippbar sind.
  7. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die strahlablenkende Anordnung (100) ferner eine Gruppe von zweiten Reflexionsflächen (121, 122, ...) aufweist, wobei im Betrieb des optischen Systems an jeweils einer der ersten Reflexionsflächen (11, 12, 111, 112, ...) reflektiertes Licht über jeweils eine der zweiten Reflexionsflächen (121, 122, ...) auf die Spiegelanordnung (200) lenkbar ist.
  8. Optisches System nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass im Betrieb des optischen Systems Licht auf jeweils eine der ersten Reflexionsflächen (111, 112, ...) und/oder der zweiten Reflexionsflächen (121, 122, ...) jeweils mit einem Einfallswinkel Θ = ΘB ± 5° auftrifft, wobei ΘB den Brewster-Winkel für diese Reflexionsflächen (111, 112, ...) bei einer Arbeitswellenlänge des optischen Systems bezeichnet.
  9. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass im Betrieb des optischen Systems in einer Pupillenebene des optischen Systems eine näherungsweise tangentiale Polarisationsverteilung oder eine näherungsweise radiale Polarisationsverteilung erzeugt wird.
  10. Beleuchtungseinrichtung einer für den Betrieb im EUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, dadurch gekennzeichnet, dass diese ein optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche aufweist.
  11. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung (503) und einem Projektionsobjektiv (506), dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungseinrichtung (503) nach Anspruch 10 ausgebildet ist.
  12. Verfahren zur mikrolithographischen Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente mit folgenden Schritten: • Bereitstellen eines Substrats, auf das zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist; • Bereitstellen einer Maske (505), die abzubildende Strukturen aufweist; • Bereitstellen einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 11; und • Projizieren wenigstens eines Teils der Maske (505) auf einen Bereich der Schicht mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage.
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