DE102021202847A1

DE102021202847A1 - Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Lithografie

Info

Publication number: DE102021202847A1
Application number: DE102021202847.0A
Authority: DE
Inventors: Michael Patra
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2021-03-24
Filing date: 2021-03-24
Publication date: 2022-09-29
Also published as: TW202238251A; JP2024511446A; KR20230158562A; EP4314949A1; US20240012333A1; WO2022200173A1; CN117099050A

Abstract

Eine Beleuchtungsoptik dient zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Lithografie. Die Beleuchtungsoptik dient zur Führung von Beleuchtungslicht (3) von einer Lichtquelle hinzu einem Objektfeld. Im Objektfeld ist ein strukturiertes Objekt angeordnet. Die Beleuchtungsoptik ist so ausgeführt, dass das von der Beleuchtungsoptik beleuchtete Objektfeld eine Felderstreckung längs einer ersten Feldkoordinate (x) und eine im Vergleich hierzu kürzere Felderstreckung längs einer hierzu senkrechten zweiten Feldkoordinate (y) aufweist. Die Beleuchtungsoptik ist so ausgeführt, dass das Beleuchtungslicht (3), welches das Objektfeld beaufschlagt, längs einer Polarisationsrichtung (24) polarisiert ist, die parallel zur kürzeren Felderstreckung längs der zweiten Feldkoordinate (y) verläuft. Es resultiert eine Beleuchtungsoptik, welche einerseits eine hohe Strukturauflösung bietet und andererseits handhabbare Anforderungen an das optische Design stellt.

Description

Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Lithografie. Ferner betrifft die Erfindung ein optisches System mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen optischen System, ein Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauteils sowie ein mit diesem Verfahren hergestelltes mikro- beziehungsweise nanostrukturiertes Bauteil.
Optische Systeme mit Beleuchtungsoptiken der eingangs genannten Art sind bekannt aus der WO 2019/215 110 A1 , der US 2017/0 336 715 A1 , der WO 2013/156 278 A1 , der DE 10 2019 200 193 B3 , der US 9,304,405 B2 , der WO 2014/131 654 A1 , der US 7,982,854 B2 und der DE 10 2012 208 521 A1 .
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Beleuchtungsoptik der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass sie einerseits eine hohe Strukturauflösung bietet und andererseits handhabbare Anforderungen an das optische Design stellt.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine Beleuchtungsoptik mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.
Erfindungsgemäß wurde zunächst erkannt, dass eine Beleuchtungsoptik, die parallel zur kürzeren Felderstreckung des Objektfeldes polarisiertes Beleuchtungslicht erzeugt, insbesondere zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage geeignet ist, mit der eine Beleuchtung und Abbildung eindimensionaler Objektstrukturen erfolgt. Insbesondere wurde erkannt, dass es hierzu vorteilhaft ist, wenn über die Beleuchtungsoptik eine Polarisation vorgegeben wird, die zur kürzeren Felderstreckung des Objektfeldes parallel ist. Es kann dann eine Beleuchtung mit einer Beleuchtungspupille, die entlang der Querdimension zur Erstreckungsrichtung der eindimensionalen Objektstrukturen ausgedehnt ist, erfolgen, wodurch eine Projektionsbelichtung mit hohem Durchsatz und/oder hoher Strukturauflösung ermöglicht wird. Das Beleuchtungslicht kann insbesondere linear polarisiert sein.
Hierbei wird ausgenützt, dass ein erreichbarer Kontrast einer Abbildung vom Polarisationszustand der Strahlung abhängt. Der Einfluss des Polarisationszustandes ist insbesondere bei feinen abzubildenden Strukturen, also Strukturen mit einer kleinen Periode, stark. Bei gegebener numerischer Apertur ist die abbildbare Strukturgröße eindimensionaler Strukturanordnungen deutlich kleiner als die abbildbare Strukturgröße zweidimensionaler Strukturanordnungen. Eine Kontrolle des Polarisationszustandes ist daher bei einem optischen System, das zur Abbildung eindimensionalen Objektstrukturen ausgelegt ist, besonders wichtig.
Ein Polarisations-Umlenkspiegel nach Anspruch 2 sorgt für eine gewünschte Polarisation des Beleuchtungslichts mit einer Polarisationsrichtung parallel zur Strukturerstreckungsrichtung. Der Umlenkwinkel kann im Bereich zwischen 75° und 95° und kann insbesondere im Bereich zwischen 80° und 90° liegen.
Alternativ oder zusätzlich zu einer Polarisation des Beleuchtungslichts durch eine einfache Strahlumlenkung können auch Polarisationskonzepte genutzt werden, die im Stand der Technik beschrieben sind, beispielsweise in der WO 2013/156 278 A1 , der DE 10 2019 200 193 B3 , der US 9,304,405 B2 , der WO 23014/131 654 A1 , der US 7,982,854 B2 und der DE 10 2012 208 521 A1 .
Eine feste und damit bekannte Strukturerstreckungsorientierung kann vorteilhaft ausgenutzt werden, indem die Geometrie der Strahlumlenkung gemäß Anspruch 3 ausgeführt wird.
Eine Beaufschlagung mindestens eines weiteren Spiegels der Beleuchtungsoptik nach Anspruch 4 ermöglicht eine Reflexion des Beleuchtungslichts mit hoher Effizienz. Zudem kann eine derartige Beaufschlagung mit kleinem Einfallswinkel Anordnungsvorteile bei diesem weiteren Spiegel bieten, beispielsweise dann, wenn es sich bei dem weiteren Spiegel um einen Pupillenspiegel handelt. Der Einfallswinkel des Beleuchtungslichts auf diesem weiteren Spiegel kann kleiner sein als 20°, kann kleiner sein als 15° und kann auch kleiner sein als 10°.
Ausführungen des Polarisations-Umlenkspiegels nach den Ansprüchen 5 bis 7 haben sich als besonders vorteilhaft herausgestellt. Bei der Ausführung nach Anspruch 7 ergibt sich eine Multiplikation der Polarisationswirkungen der beiden Polarisations-Umlenkspiegel.
Die Vorteile des optischen Systems nach Anspruch 8 entsprechen denen, die vorstehend im Zusammenhang mit der Beleuchtungsoptik bereits erläutert wurden. Die Designanforderungen an ein optisches System sind relaxiert, wenn das optische System zur Abbildung eindimensionaler Objektstrukturen ausgelegt wird. Längs einer Strukturerstreckungsrichtung dieser Objektstrukturen ist dann regelmäßig keine anspruchsvolle Auflösung erforderlich, sodass die Abbildungsqualität längs der Strukturerstreckungsrichtung relaxiert ist und entsprechend auch die Designanforderungen an das optische System. Hierbei wurde insbesondere erkannt, dass zur Abbildung eindimensionaler Objektstrukturen eine Beleuchtung des Bildes mit deutlich verschiedenen Winkeln nur längs einer Pupillenerstreckungsrichtung erforderlich ist. Die Austrittspupille der Projektionsoptik kann daher mit einem deutlich von 1 verschiedenen Pupillen-Aspektverhältnis ausgelegt werden, das größer ist als 3 und größer sein kann als 3,5, als 4, als 4,5, als 5, als 5,5, als 6, als 6,5, als 7, als 7,5, als 8, als 8,5, als 9, als 9,5 oder auch größer sein kann als 10. In der Pupillen-Quererstreckungsrichtung müssen dann pupillennahe optische Komponenten der Projektionsoptik des optischen Systems im Vergleich zur Pupillen-Längserstreckungsrichtung nur gering ausgedehnt sein, was die Herstellungskosten der optischen Komponenten verringert und Bauraumerfordernisse reduziert. Für den Fall einer Projektionsoptik mit richtungsunabhängigem Abbildungsmaßstab kann es zudem ausreichend sein, eine Beleuchtung der Objektstrukturen mit deutlich verschiedenen Beleuchtungswinkeln nur längs einer Pupillenerstreckungsrichtung durchzuführen. Die Beleuchtungspupille kann dann mit einem deutlich von 1 verschiedenen Pupillen-Aspektverhältnis ausgelegt werden. In der Pupillen-Quererstreckungsrichtung müssen dann pupillennahe optische Komponenten der Beleuchtungsoptik im Vergleich zur Pupillen-Längserstreckungsrichtung nur gering ausgedehnt sein, was die Herstellungskosten der optischen Komponenten zusätzlich verringert und Bauraumerfordernisse zusätzlich reduziert.
Bei den eindimensionalen Objektstrukturen kann es sich um Linienprofile handeln. Auch ein in anderer Form profiliertes Objekt kann entsprechend abgebildet werden.
Die oben genannten Vorteile gelten besonders für ein optisches System mit einer Orientierung der Objektstrukturen nach Anspruch 9. Insbesondere kann das optische System so ausgeführt sein, dass das Objekt während dessen Abbildung im Projektionsbetrieb nicht verlagert wird.
Orientierungsverhältnisse nach Anspruch 10 führen zu einer optimierten Objektbeleuchtung zur Abbildung entsprechend orientierter Obj ektstrukturen.
Die Vorteile einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 11, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 13 und eines nach Anspruch 14 hergestellten mikro- beziehungsweise nanostrukturierten Bauteils entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf das optische System bereits erläutert wurden. Eine EUV-Lichtquelle ermöglicht aufgrund der kleinen Beleuchtungslicht-Wellenlänge eine besonders hohe Strukturauflösung. Hergestellt werden kann mit der Projektionsbelichtungsanlage ein mikro- beziehungsweise nanostrukturiertes Bauteil, insbesondere ein Halbleiter-Bauteil, beispielsweise ein Speicherchip.
Das optische System kann insbesondere als Scanner ausgeführt sein. Der Objekthalter des optischen Systems muss nicht synchron mit dem Substrathalter angetrieben sein, sondern kann das strukturierte Objekt, das abgebildet werden soll, starr haltern. Hierdurch kann ein Durchsatz der Projektionsbelichtungsanlage bei der Erzeugung strukturierter Bauteile erhöht werden, da insbesondere Scanner-Totzeiten reduziert werden können.
Die Substratverlagerungsrichtung kann längs der kürzeren Felderstreckung des Bildfeldes verlaufen.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:

1 schematisch eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie;
2 schematisch eine Aufsicht einerseits auf ein Bildfeld einer Projektionsoptik der Projektionsbelichtungsanlage mit abgebildeten eindimensionalen Objektstrukturen sowie eine Aufsicht auf einen in einer Pupillenebene vorgenommenen Querschnitt eines Beleuchtungslicht-Bündels des Beleuchtungslichts einschließlich einer Polarisationsrichtung des Beleuchtungslichts, zur Verdeutlichung insbesondere einer Parallelität einerseits der Polarisationsrichtung und andererseits der Strukturerstreckungsrichtung;
3 schematisch eine Aufsicht auf eine schematische Strahlführung des Beleuchtungslichts bei einer Variante einer Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage, dargestellt aus einer Blickrichtung, die derjenigen der 1 entspricht;
4 einen Blick auf Hauptkomponenten der Beleuchtungsoptik, gesehen aus Blickrichtung IV in 3;
5 in einer zu 3 ähnlichen Darstellung eine weitere Ausführung einer Anordnung von Hauptkomponenten einer Ausführung der Beleuchtungsoptik für die Projektionsbelichtungsanlage nach 1;
6 in einer zu 4 ähnlichen Darstellung die Ausführung nach 5, gesehen aus Blickrichtung VI in 5;
7 in einer zu 3 ähnlichen Darstellung eine weitere Ausführung einer Anordnung von Hauptkomponenten einer Ausführung der Beleuchtungsoptik für die Projektionsbelichtungsanlage nach 1; und
8 in einer zu 4 ähnlichen Darstellung die Ausführung nach 7, gesehen aus Blickrichtung VIII in 7.

Eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithografie hat eine Lichtquelle 2 für Beleuchtungslicht beziehungsweise Abbildungslicht 3. Bei der Lichtquelle 2 handelt es sich um eine EUV-Lichtquelle, die Licht in einem Wellenlängenbereich beispielsweise zwischen 5 nm und 30 nm, insbesondere zwischen 5 nm und 15 nm, erzeugt. Bei der Lichtquelle 2 kann es sich um eine plasmabasierte Lichtquelle (lasererzeugtes Plasma (laser-produced plasma, LPP), gasentladungserzeugtes Plasma (gas-discharge produced plasma, GDP)) oder auch um eine synchrotronbasierte Lichtquelle, zum Beispiel einen Freie-Elektronen-Laser (FEL) handeln, wobei eine synchrotronbasierte Lichtquelle insbesondere zirkular polarisiert betrieben sein kann. Bei der Lichtquelle 2 kann es sich insbesondere um eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 13,5 nm oder um eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 6,7 nm handeln. Auch andere EUV-Wellenlängen sind möglich. Generell sind sogar beliebige Wellenlängen, zum Beispiel sichtbare Wellenlängen oder auch andere Wellenlängen, die in der Mikrolithografie Verwendung finden können (zum Beispiel DUV, tiefes Ultraviolett) und für die geeigneten Laserlichtquellen und/oder LED-Lichtquellen zur Verfügung stehen (beispielsweise 365 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm, 129 nm, 109 nm), für das in der Projektionsbelichtungsanlage 1 geführte Beleuchtungslicht 3 möglich. Ein Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 ist in der 1 äußerst schematisch dargestellt.
Zur Führung des Beleuchtungslichts 3 von der Lichtquelle 2 hin zu einem Objektfeld 4 in einer Objektebene 5 dient eine Beleuchtungsoptik 6. Mit einer Projektionsoptik beziehungsweise abbildenden Optik 7 wird das Objektfeld 4 in ein Bildfeld 8 in einer Bildebene 9 mit einem vorgegebenen Verkleinerungsmaßstab abgebildet. Dieser Verkleinerungsmaßstab, auch als Abbildungsmaßstab bezeichnet, kann optional richtungsabhängig sein, in welchem Fall die Projektionsoptik 7 als anamorphotisch bezeichnet wird.
Zur Erleichterung der Beschreibung der Projektionsbelichtungsanlage 1 sowie der verschiedenen Ausführungen der Projektionsoptik 7 ist in der Zeichnung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem angegeben, aus dem sich die jeweilige Lagebeziehung der in den Figuren dargestellten Komponenten ergibt. In der 1 verläuft die x-Richtung senkrecht zur Zeichenebene aus dieser heraus. Die y-Richtung verläuft in der 1 nach rechts und die z-Richtung nach oben.
Das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 können bei der Projektionsoptik 7 gebogen beziehungsweise gekrümmt und insbesondere teilringförmig ausgeführt sein. Ein Krümmungsradius dieser Feldkrümmung kann bildseitig 81 mm betragen. Eine Grundform einer Randkontur des Objektfeldes 4 beziehungsweise des Bildfeldes 8 ist entsprechend gebogen. Ein Ringfeldradius des Bildfeldes 8 beträgt also 81 mm. Details zu diesem Parameter „Ringfeldradius“ finden sich in der WO 2005/098 506 A1 . Eine Definition des Ringfeldradius findet sich in der WO 2009/053 023 A2 . Alternativ ist es möglich, das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 rechteckförmig auszuführen. Eine derartige Ausführung eines rechteckigen Bildfeldes 8 ist in der 2 dargestellt. Das Bildfeld 8 kann durch eine Blende begrenzt sein; der entsprechende begrenzte Bereich des zum Bildfeld 8 konjugierten Objektfeldes 4 wird auch als Scanschlitz bezeichnet. Das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 haben ein xy-Aspektverhältnis größer als 1. Das Objektfeld 4 hat also eine längere Objektfelddimension (Felderstreckung W) in der x-Richtung und eine kürzere Objektfelddimension (Felderstreckung H) in der y-Richtung. Diese Objektfelddimensionen verlaufen längs der Feldkoordinaten x und y.
Das Objektfeld 4 ist dementsprechend aufgespannt von der ersten kartesischen Objektfeldkoordinate x und der zweiten kartesischen Objektfeldkoordinate y. Die dritte kartesische Koordinate z, die senkrecht auf diesen beiden Objektfeldkoordinaten x und y steht, wird nachfolgend auch als Normalkoordinate bezeichnet.
Die Bildebene 9 kann bei der Projektionsoptik 7 parallel zur Objektebene 5 angeordnet sein. Abgebildet wird hierbei ein mit dem Objektfeld 4 zusammenfallender Ausschnitt einer Lithografiemaske 10, die als Reflexionsmaske ausgeführt ist und auch als Retikel bezeichnet wird. Das Retikel 10 wird von einem Retikelhalter 11 getragen. Der Retikelhalter 11 kann von einem Retikelverlagerungsantrieb 12 verlagert werden. Die Verlagerungsrichtung des Retikelverlagerungsantriebs 12, die auch als Scanrichtung bezeichnet wird, ist die y-Richtung. Der Retikelhalter 11 wird auch als Maskenhalter bezeichnet. Der Retikelverlagerungsantrieb 12 wird auch als Maskenverlagerungsantrieb bezeichnet. Bei einer der Ausführungen der Projektionsbelichtungsanlage 1 kann auf den Retikelverlagerungsantrieb 12 auch verzichtet werden. Das Retikel 10 wird dann beim Projektionsbetrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 nicht verlagert.
Das Retikel beziehungsweise die Lithografiemaske 10 trägt eindimensionale Objektstrukturen, die sich längs einer Strukturerstreckungsrichtung erstrecken. Diese Strukturerstreckungsrichtung verläuft längs der y-Richtung. Abgebildet werden diese eindimensionalen Objektstrukturen, die auf dem Retikel 10 vorliegen, auf eindimensionale Bildstrukturen 13 (vergleiche 2), die sich ebenfalls längs der y-Richtung erstrecken.
Beispiele für eindimensionale Objektstrukturen sind dichte Linien, die längs der y-Richtung verlaufen. Beispiele hierfür gibt die WO 2019/215 110 A1 .
Die Abbildung der Objektstrukturen auf dem Retikel 10 durch die Projektionsoptik 7 erfolgt auf die Oberfläche eines Substrats 14 in Form eines Wafers, der von einem Substrathalter 15 getragen wird. Der Substrathalter 15 wird von einem Wafer- beziehungsweise Substratverlagerungsantrieb 16 verlagert (Objektverlagerungsrichtung 16a, vergleiche 2)
In der 1 ist schematisch zwischen dem Retikel 10 und der Projektionsoptik 7 ein in diese einlaufendes Strahlenbündel 17 des Beleuchtungslichts 3 und zwischen der Projektionsoptik 7 und dem Substrat 14 ein aus der Projektionsoptik 7 auslaufendes Strahlenbündel 18 des Beleuchtungslichts 3 dargestellt. Eine objektfeldseitige numerische Apertur (NAo, yz) und eine bildfeldseitige numerische Apertur (NA_I, yz) der Projektionsoptik 7 sind in der 1 nicht maßstäblich wiedergegeben.
Die Projektionsoptik 7 besitzt eine Eintritts-Pupillenebene 21 und eine Austritts-Pupillenebene 21'. Die Eintrittspupille 20 bildet einen durch eine Randkontur begrenzten Bereich der Eintritts-Pupillenebene 21. Analog bildet die Austrittspupille 20' einen durch eine Randkontur begrenzten Bereich der Austritts-Pupillenebene 21'. Die Form der Berandung der Eintrittspupille 20 kann durch das Verhältnis der objektfeldseitigen numerischen Aperturen (NA_o, yz) und (NA_o, xz) beschrieben werden. Die Form der Berandung der Austrittspupille 20' kann durch das Verhältnis der bildfeldseitigen numerischen Aperturen (NA_I, yz) und (NA_I, xz) beschrieben werden.
Die Eintrittspupille 20 und die Austrittspupille 20' sind zueinander optisch konjugiert. Ist die Projektionsoptik 7 anamorphotisch, d.h., ist der Abbildungsmaßstab richtungsabhängig, so unterscheidet sich die Form der Eintrittspupille 20 von der Form der Austrittspupille 20'. Derartige anamorphotische Projektionsoptiken 7 sind zum Beispiel aus der WO 2019/215 110 A1 bekannt.
Die Beleuchtungsoptik 6, der Objekt- beziehungsweise Retikelhalter 11, die Projektionsoptik 7 und der Substrathalter 15 sind Bestandteile eines optischen Systems 19 der Projektionsbelichtungsanlage 1. Das optische System 19 ist zur Abbildung eindimensionaler Objektstrukturen ausgeführt. Ein Kriterium für eine derartige Ausführung ist insbesondere, dass die Austrittspupille 20' nicht kreisförmig ist, sondern entlang einer Orientierung einen viel größeren Durchmesser als entlang einer hierzu orthogonalen Orientierung besitzt.
2 zeigt oben eine Aufsicht auf die Bildstrukturen 13, die im Bildfeld 8 entstehen. Das Substrat 14, auf dem die Bildstrukturen 13 entstehen, wird mit dem Substratverlagerungsantrieb 16 längs der y-Richtung, also längs der Objektverlagerungsrichtung 16a, gescannt. Da die Bildstrukturen 13 gleichförmig längs dieser y-Richtung strukturiert sind, muss das die zugehörigen Objektstrukturen tragende Retikel 10 nicht ebenfalls längs der y-Richtung verlagert werden, sondern kann stationär im Retikelhalter 11 verbleiben, was den Durchsatz der Projektionsbelichtungsanlage 1 erhöht. Eine Orientierung der Bildstrukturen 13 längs der Objektverlagerungsrichtung 16a ist also besonders vorteilhaft und wird im Folgenden ausgenutzt.
Dargestellt sind in der 2 oben auch die Felderstreckungen W in der x-Richtung und H in der y-Richtung des Bildfeldes 8. Entsprechende Felderstreckungen W, H, skaliert um den jeweiligen Abbildungsmaßstab der Projektionsoptik 7, hat das Objektfeld 4.
Entsprechend dem x/y-Aspektverhältnis von Objektfeld 4 und Bildfeld 8 größer als 1 gilt: W > H. Regelmäßig ist die Felderstreckung W mehr als fünfmal oder auch mehr als zehnmal so groß wie die Felderstreckung H. Im Bildfeld 8 kann die Felderstreckung W zum Beispiel 26 mm betragen und die Felderstreckung H kann zum Beispiel im Bereich von 1 mm und 2 mm liegen.
Die 2 unten zeigt in der Mitte eine Randkontur einer Eintrittspupille 20, die insgesamt vom Beleuchtungslicht 3 gefüllt werden kann. Gezeigt ist ein xy-Querschnitt dieser in etwa stadionförmigen Randkontur der Eintrittspupille 20 in einer Eintritts-Pupillenebene 21 der Projektionsoptik 7 (vergleiche 1). Weiterhin zeigt 2 unten rechts eine zugehörige Austrittspupille 20' der Projektionsoptik sowie unten links eine zugehörige Beleuchtungspupille 22 einer Beleuchtungsoptik 6. Die 2 ist insoweit schematisch, als dort sowohl die Bildebene 9 als auch die Eintritts-Pupillenebene 21, die Beleuchtungs-Pupillenebene 23 und die Austritts-Pupillenebene 21' in der Zeichenebene erscheinen, obwohl Eintritts-Pupillenebene, Austritts-Pupillenebene und Bildebene, wie beispielsweise die 1 zeigt, voneinander beabstandet sind.
Die Lage der Eintritts-Pupillenebene 21 und die Lage der Beleuchtungs-Pupillenebene 23 stimmen überein bzw. unterscheiden sich nur geringfügig. Die Beleuchtungsoptik 6 kann zusätzliche interne Pupillenebenen, die zur Beleuchtungs-Pupillenebene 23 konjugiert sind, besitzen. Oftmals stimmen Eintrittspupille 20 und Beleuchtungspupille 22 überein, d.h., sie besitzen identische Form und Lage. Die Beleuchtungspupille 22 kann jedoch sowohl größer als auch kleiner als die Eintrittspupille 20 sein; ersterer Fall wird auch als Dunkelfeldbeleuchtung bezeichnet.
In der Austritts-Pupillenebene 21' hat die Austrittspupille 20' eine Ausdehnung mit einem Pupillen-Aspektverhältnis zwischen einer längeren Pupillenerstreckung in einer zur x-Richtung parallelen Längserstreckungsrichtung und einer kurzen Pupillenerstreckung in einer zur y-Achse parallelen Quererstreckungsrichtung, das größer ist als 3. Eine Projektionsoptik mit einer Austrittspupille 20' mit großem Aspektverhältnis ist beispielsweise aus den 8 bis 10 der WO 2019/215 110 A1 bekannt.
Dieses Aspektverhältnis wird anhand der 2 veranschaulicht, wo die längere Pupillenerstreckung bei L bzw. L' und die kürzere Pupillenerstreckung bei K bzw. K' eingezeichnet ist. Bei der dargestellten Ausführung ergibt sich ein Austrittspupillen-Aspektverhältnis L'/K' von etwa 6:1. In der xz-Ebene werden die Bildstrukturen 13 also mit einer deutlich größeren Einfallswinkel-Bandbreite beaufschlagt, zu der auch größere, also zu der Feldebene 9 schrägere Beleuchtungswinkel gehören, als die kleinere Beleuchtungswinkel-Bandbreite in der Beaufschlagungsebene parallel zur yz-Ebene.
Eintrittspupillenebene 21 und Austrittspupillenebene 21' sind zueinander konjugiert. Ist die Projektionsoptik 7 nicht anamorphotisch ausgestaltet, ist der Abbildungsmaßstab der Projektionsoptik also richtungsunabhängig, so ist das Eintrittspupillen-Aspektverhältnis L/K gleich dem Austrittspupillen-Aspektverhältnis L'/K'. In der xz-Ebene werden die Objektstrukturen und entsprechend die Bildstrukturen 13 in diesem Fall also mit einer deutlich größeren Einfallswinkel-Bandbreite beaufschlagt, zu der auch größere, also zu der Feldebene 5 schrägere Beleuchtungswinkel gehören, als die kleinere Beleuchtungswinkel-Bandbreite in der Beaufschlagungsebene parallel zur yz-Ebene.
Ist die Projektionsoptik 7 anamorphotisch ausgestaltet, ist der Abbildungsmaßstab also richtungsabhängig, so ist das Eintrittspupillen-Aspektverhältnis L/K ungleich dem Austrittspupillen-Aspektverhältnis L'/K'. In diesem Fall gilt für das Austrittspupillen-Aspektverhältnis weiterhin L'/K' > 1, während über das Eintrittspupillen-Aspektverhältnis L/K keine allgemeine Aussage getroffen werden kann. Der Fall einer anamorphotischen Projektionsoptik 7 ist in 2 dadurch angedeutet, dass sich die Form der Eintrittspupille 20 von der Form der Austrittspupille 20' unterscheidet.
Eine Strukturerstreckungsrichtung der Objektstrukturen und der Bildstrukturen 13 verläuft parallel zur Substratverlagerungsrichtung 16a (y-Richtung).
Eine Längserstreckungsrichtung x der Austrittspupille 20' einerseits und eine Normale z auf dem Objektfeld 4 beziehungsweise dem Bildfeld 8 geben eine Ebene xz vor, auf der die Strukturerstreckungsrichtung y senkrecht steht. Für eine nicht-anamorphotische Projektionsoptik 7 kann das xyz-Koordinatensystem auch über die Längserstreckungsrichtung x der Pupillen 20, 22 definiert werden.
In der 2 ist zudem eine Polarisationsrichtung 24 bzw. 24' eingezeichnet, längs der das Beleuchtungslicht 3, welches einerseits über die Beleuchtungspupille 22 das Objektfeld 4 und andererseits über die Eintrittspupille 20 die Projektionsoptik 7 beaufschlagt, polarisiert ist. Das Beleuchtungslicht 3 ist dabei linear polarisiert. Die Polarisationsrichtung 24 bzw. 24' verläuft längs der y-Richtung, also parallel zur Strukturerstreckungsrichtung y. Die weiter oben beschriebene Vorzugsorientierung der Strukturerstreckung führt zu dieser Vorzugsorientierung der Polarisationsrichtung 24. Dieses erlaubt es, die Polarisationsrichtung 24 fest zu wählen, d.h., sie braucht im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 nicht zwingend anpassbar zu sein.
Anhand der 3 bis 8 werden nachfolgend verschiedene Ausführungen der Beleuchtungsoptik beschrieben, die für die Beleuchtungsoptik 6 nach 1 innerhalb der Projektionsbelichtungsanlage 1 zum Einsatz kommen und die der Erzeugung der Polarisationsrichtung 24 parallel zur y-Richtung dienen. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die jeweils vorhergehenden Figuren bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Gemeinsamheit aller Ausführungsbeispiele ist, dass mindestens eine Reflektion mit einer Strahlumlenkung um einen Winkel zwischen 75° und 100° erfolgt, und dass das Beleuchtungslicht 3 bei der Reflektion näherungsweise in der xz-Ebene verläuft. Die y-Achse verläuft also näherungsweise parallel zur Oberfläche des zu dieser Reflektion verwendeten Spiegels. Die y-Achse kann gegenüber der Oberfläche des Spiegels beispielsweise weniger als 15° verdreht sein.
Die Normale eines zur Strahlumlenkung verwendeten Spiegels liegt immer in der Ebene, in der das einfallende und das auslaufende Beleuchtungslicht 3 verlaufen. Die Normale des in den Ausführungsbeispielen zur Strahlumlenkung verwendeten Spiegels liegt also näherungsweise in der xz-Ebene bzw. ist um beispielsweise maximal 15° gegenüber dieser verdreht.
Eine Strahlumlenkung um einen Winkel zwischen 75° und 100° ist für Beleuchtungslicht 3 mit Wellenlängen im EUV-Bereich sinnvoll. Allgemein sollte eine Reflektion mit einer Strahlumlenkung um einen Winkel von näherungsweise dem doppelten Brewster-Winkel erfolgen. Insbesondere für Wellenlängen im DUV-Bereich kann sich der doppelte Brewster-Winkel stark von 90° unterscheiden. Die Strahlumlenkung kann insbesondere um einen Winkel, der maximal 20% vom doppelten Brewster-Winkel abweicht, erfolgen.
3 und 4 zeigen die Beleuchtungsoptik 6 als erste Ausführung, die bei der Projektionsbelichtungsanlage 1 zum Einsatz kommen kann. 3 zeigt dabei eine Ansicht, die in Bezug auf die Beaufschlagung des Objektfeldes 4 der Orientierung nach 1 entspricht, und 4 zeigt eine um die z-Achse um 90° gedrehte Ansicht, sodass die Objektverlagerungsrichtung y auf den Betrachter zu zeigt.
Ausgehend von der Lichtquelle 2 durchtritt das stark schematisch als Einzelstrahl dargestellte Beleuchtungslicht 3 zunächst einen Kollektor 25 und wird dann in einem Zwischenfokus IF gebündelt (vergleiche 4).
Nach Durchtritt durch den Zwischenfokus IF wird das Beleuchtungslicht 3 von einem Feldfacettenspiegel 26 der Beleuchtungsoptik reflektiert und dabei um einen Umlenkwinkel U im Bereich zwischen 75° und 100° umgelenkt. Im Ausführungsbeispiel nach den 3 und 4 ist dieser Umlenkwinkel U etwa bei 90°. Wie 4 zeigt, wird das zunächst längs der x-Richtung propagierende Beleuchtungslicht 3 so umgelenkt, dass es näherungsweise längs der z-Richtung propagiert. Vor und nach der Reflektion am Feldfacettenspiegel 26 der Beleuchtungsoptik 6 verläuft das Beleuchtungslicht 3 also näherungsweise in der xz-Ebene. Wie 3 zeigt, verläuft das Beleuchtungslicht 3 nach der Reflektion am Feldfacettenspiegel 26 nicht exakt längs der z-Richtung, sondern bildet in der yz-Ebene einen Winkel α_z mit der z-Achse. In 3 beträgt der Winkel α_z in etwa 20°. Der Feldfacettenspiegel 26 ist entsprechend um den halben Winkel, in diesem Fall also um in etwa 10°, um die z-Achse verkippt.
Das Beleuchtungslicht 3 wird nach Reflexion am Feldfacettenspiegel 26 an einem Pupillenfacettenspiegel 27 der Beleuchtungsoptik 6 reflektiert.
Aufgrund der 90°-Umlenkung bei der Reflexion am Feldfacettenspiegel 26 wird das Beleuchtungslicht 3 in Bezug auf die Einfallsebene am Feldfacettenspiegel 26 s-polarisiert, hat also dann die Polarisationsrichtung 24 näherungsweise in der y-Richtung. Die nachfolgenden Reflexionen des Beleuchtungslichts 3 haben keine wesentliche Änderung der Polarisationsrichtung 24 zur Folge.
Nach Reflexion am Pupillenfacettenspiegel 27 wird das Beleuchtungslicht 3 hin zum Objektfeld 4 geführt und dort vom Retikel 10 reflektiert entsprechend dem, was vorstehend im Zusammenhang mit den 1 und 2 bereits erläutert wurde.
Beispiele für Konfigurationen der Facettenspiegel 26, 27 der Beleuchtungsoptik sind beispielsweise in der US 9,304,405 B2 beschrieben. Einer der Facettenspiegel kann als spekularer Reflektor ausgeführt sein, wie ebenfalls in der US 9,304,405 B2 im Zusammenhang beispielsweise mit der Ausführung nach den 12, 13 beschrieben.
Der Feldfacettenspiegel 26 kann eine Mehrzahl oder Vielzahl von insbesondere zwischen mehreren Kippstellungen schaltbaren Feldfacetten aufweisen, die in der Zeichnung nicht näher dargestellt sind. Diese Feldfacetten werden über nachfolgende Komponenten der Beleuchtungsoptik 6 in das Objektfeld 4 abgebildet oder nahezu abgebildet. Jede dieser Feldfacetten kann ihrerseits aus einer Mehrzahl von Einzelspiegelchen aufgebaut sein, wobei eine dynamische Zuordnung von Einzelspiegel-Gruppen zu entsprechenden Feldfacetten möglich ist.
Jeder der Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 26 kann eine Pupillenfacette (ebenfalls in der Zeichnung nicht näher dargestellt) des Pupillenfacettenspiegels 27 zugeordnet sein.
Der Feldfacettenspiegel 26 ist im Bereich einer der Objektebene 5 konjugierten Feldebene der Beleuchtungsoptik 6 angeordnet. Der Pupillenfacettenspiegel 27 ist im Bereich einer Pupillenebene des optischen Systems 19 angeordnet, insbesondere in der Beleuchtungs-Pupillenebene 23 oder einer hierzu konjugierten Ebene. Die beleuchteten Pupillenfacetten des Pupillenfacettenspiegels 27 dienen zur Vorgabe einer Beleuchtungswinkelverteilung bei der Beleuchtung des Objektfeldes 4 mit dem Beleuchtungslicht 3. Über eine Verkippbarkeit der Feldfacetten lässt sich auswählen, welche der Pupillenfacetten des Pupillenfacettenspiegels 27 tatsächlich mit dem Beleuchtungslicht 3 beaufschlagt werden. Somit lässt sich die Beleuchtungswinkelverteilung, also das Beleuchtungssetting, vorgeben.
Bei einer alternativen Beleuchtungsoptik 30 nach den 5 und 6 wird die Polarisationsrichtung 24 bei der Reflexion des Beleuchtungslichts 3 am Pupillenfacettenspiegel 27 erzeugt, die bei dieser Ausführung der Beleuchtungsoptik 30 eine Umlenkung von etwa 90° bewirkt. Der Umlenkwinkel bei der Reflexion des Beleuchtungslichts 3 am Pupillenfacettenspiegel 27 liegt im Bereich von etwa 80°.
Die Strahlführung der Beleuchtungsoptik 30 ist (vergleiche 6) zwischen der Lichtquelle 2 und dem Feldfacettenspiegel 26 zunächst vergleichbar zu derjenigen der Beleuchtungsoptik 6 nach den 3 und 4. Wie 6 zeigt, verläuft das Beleuchtungslicht 3 vor der Reflektion am Pupillenfacettenspiegel 27 näherungsweise längs der x-Achse, während es nach der Reflektion am Pupillenfacettenspiegel näherungsweise längs der z-Achse verläuft. Vor und nach der Reflektion am Pupillenfacettenspiegel 27 der Beleuchtungsoptik 6 verläuft das Beleuchtungslicht 3 also näherungsweise in der xz-Ebene.
Das vom Zwischenfokus IF kommende Beleuchtungslicht 3 wird vom Feldfacettenspiegel 26 aus der xz-Ebene herausreflektiert wiederum in die yz-Ebene. Zwischen den Facettenspiegeln 26, 27 verläuft das Beleuchtungslicht 3 nicht exakt längs der x-Achse, sondern unter einem Winkel zu allen drei kartesischen Ebenen xy, yz sowie xz, wobei in den 5 und 6 für diese drei Winkel α_xy, α_yz sowie α_xz Beispiele in den jeweiligen Projektionen auf die yz-Ebene (5) sowie auf die xz-Ebene (vergleiche 6) eingezeichnet sind.
Auch der Umlenkwinkel U des Beleuchtungslichts 3 am Pupillenfacettenspiegel 27 ist in den 5 und 6 jeweils in den Projektionen auf die yz- und auf die xz-Ebene angegeben. Dieser Umlenkwinkel U beträgt etwa 80°.
Erzeugt wird durch die Reflexion am Pupillenfacettenspiegel 27 wiederum die Polarisationsrichtung 24 in etwa längs der y-Richtung.
Bei der Konfiguration nach den 3 und 4 kann der Feldfacettenspiegel 26 der einzige Spiegel der Beleuchtungsoptik 6 sein, der das Beleuchtungslicht 3 mit einem Umlenkwinkel von etwa 90° umlenkt. Die anderen Spiegel können im Vergleich hierzu nahe der senkrechten Inzidenz mit dem Beleuchtungslicht 3 beaufschlagt werden, also mit Einfallswinkeln, die kleiner sind als 25°, kleiner sind als 20°, kleiner sind als 15° und auch kleiner sein können als 10°.
Entsprechend kann bei der Beleuchtungsoptik 30 nach den 5 und 6 der Pupillenfacettenspiegel 27 der einzige Spiegel sein, der das Beleuchtungslicht 3 mit einem Umlenkwinkel im Bereich von 90° umlenkt, wohingegen alle anderen Spiegel der Beleuchtungsoptik 30 in etwa mit senkrechter Inzidenz beaufschlagt werden.
Aufgrund des kleinen Einfallswinkels des Beleuchtungslichts 3 auf den Pupillenfacettenspiegel 27 bei der Ausführung nach den 3 und 4 ergibt sich die Möglichkeit, den Pupillenfacettenspiegel 27 gut angenähert an eine Pupillenebene des optischen Systems 19 anzuordnen. Dies ermöglicht eine Beleuchtung des Objektfeldes 4 aus verschiedenen Beleuchtungsrichtungen ohne unerwünschte Feldabhängigkeit. Jeder Feldpunkt des Objektfeldes 4 kann dann aus den verschiedenen Beleuchtungsrichtungen mit gleicher vorgegebener Beleuchtungslicht-Intensität beleuchtet werden.
7 und 8 zeigen eine weitere Ausführung einer Beleuchtungsoptik 32, die anstelle der Beleuchtungsoptiken 6 beziehungsweise 30 bei der Projektionsbelichtungsanlage 1 zum Einsatz kommen kann.
Bei der Beleuchtungsoptik 32 verläuft das Beleuchtungslicht 3, ausgehend von der Lichtquelle 2 und nach Durchtritt durch den Kollektor 25 durch den Zwischenfokus IF verlaufend, zunächst längs der z-Richtung. Anschließend wird das Beleuchtungslicht 3 vom Feldfacettenspiegel 26 um etwa 90° in der xz-Ebene umgelenkt und verläuft dann in negativer x-Richtung. Anschließend erfolgt eine weitere 90°-Umlenkung in der xz-Ebene, sodass das Beleuchtungslicht 3 anschließend, abgesehen von einem Hauptstrahlwinkel CRA von etwa 6° (vergleiche 7, wo dieser Hauptstrahlwinkel CRA schematisch eingezeichnet ist), wiederum längs der z-Richtung verläuft. Bei der Beleuchtungsoptik 32 verstärkt sich die polarisierende Wirkung zur linearen Polarisation des Beleuchtungslichts 3 längs der Polarisationsrichtung 24 aufgrund der zwei Reflexionen mit Umlenkwinkel U jeweils im Bereich von etwa 90° einerseits am Feldfacettenspiegel und andererseits am Pupillenfacettenspiegel 27.
Bei der Beleuchtungsoptik 32 kann die Lichtquelle 2 in einem Stockwerk unterhalb einer Produktionsetage angeordnet sein, in der das optische System 19 mit der Beleuchtungsoptik 32 und der Projektionsoptik 7 angeordnet ist.
Die Spiegel der verschiedenen Varianten der Beleuchtungsoptiken 6, 30 und 32 können mit einer für das Beleuchtungslicht 3 hochreflektierenden Beschichtung versehen sein. Diese Beschichtung kann als Mehrlagenbeschichtung ausgeführt sein. Die Beschichtung kann als insbesondere periodische Abfolge von Schichten aus zwei oder mehr verschiedenen Materialien gestaltet sein. Bei diesen Materialien kann es sich um Molybdän und Silizium handeln.
Bei einem Umlenkwinkel von etwa 90°, also einem Einfallswinkel von etwa 45°, ergibt sich bei einer derartigen Beschichtung ein großer Unterschied in der Reflexionseffizienz zwischen in Bezug auf die Einfallsebene s-polarisiertem und p-polarisiertem Beleuchtungslicht 3. Das s-polarisierte Beleuchtungslicht 3 wird dabei mit viel höherer Reflektivität reflektiert als das das p-polarisierte Beleuchtungslicht 3. Der entsprechend beschichtete Spiegel mit der 90°-Umlenkung wirkt somit als Polarisator für das Beleuchtungslicht 3. Die beste Polarisationswirkung ergibt sich bei einem Einfall des Beleuchtungslichts 3 unter dem Brewster-Winkel. Bei vielen Materialien liegt bei EUV-Wellenlängen der Brewster-Winkel bei knapp 45° und insbesondere im Bereich zwischen 40° und 45°, z.B. bei 42°.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

WO 2019/215110 A1 [0002, 0027, 0031, 0038]
US 2017/0336715 A1 [0002]
WO 2013/156278 A1 [0002, 0008]
DE 102019200193 B3 [0002, 0008]
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WO 2009/053023 A2 [0023]

Claims

Beleuchtungsoptik (6; 30; 32) für eine Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Lithografie, wobei die Beleuchtungsoptik (6; 30; 32) zur Führung von Beleuchtungslicht (3) von einer EUV-Lichtquelle (2) hin zu einem Objektfeld (4) ausgeführt ist, wobei im Objektfeld (4) ein strukturiertes Objekt (10) anordenbar ist, - wobei die Beleuchtungsoptik (6; 30; 32) so ausgeführt ist, dass das von der Beleuchtungsoptik (6; 30; 32) beleuchtete Objektfeld (4) eine Felderstreckung (W) längs einer ersten Feldkoordinate (x) und eine im Vergleich hierzu kürzere Felderstreckung (H) längs einer hierzu senkrechten zweiten Feldkoordinate (y) aufweist, - wobei die Beleuchtungsoptik (6; 30; 32) so ausgeführt ist, dass das Beleuchtungslicht (3), welches das Objektfeld (4) beaufschlagt, längs einer Polarisationsrichtung (24) polarisiert ist, die parallel zur kürzeren Felderstreckung (H) längs der zweiten Feldkoordinate (y) verläuft.
Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungsoptik (6; 30; 32) mindestens einen Polarisations-Umlenkspiegel (26; 27; 26, 27) aufweist, an dem eine Umlenkung des einfallenden Beleuchtungslichts (3) um einen Umlenkwinkel im Bereich zwischen 75° und 100° erfolgt, wobei die Polarisationsrichtung (24) senkrecht auf einer Einfallebene des Beleuchtungslichts (3) an dem Spiegel (26; 27; 26, 27) steht.
Beleuchtungsoptik nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das einfallende Beleuchtungslicht (3) am mindestens einen Polarisations-Umlenkspiegel (26; 27; 26, 27) in einer Einfallsebene verläuft, die maximal um 15° von der Ebene (xz) abweicht, die vorgegeben ist von der ersten Feldkoordinate (x) und einer Normalen (z) auf dem Objektfeld (4).
Beleuchtungsoptik nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein weiterer Spiegel (27; 26), den die Beleuchtungsoptik (6; 30) neben dem Polarisations-Umlenkspiegel (26; 27) aufweist, mit einem Einfallswinkel des Beleuchtungslichts (3) beaufschlagt wird, der kleiner ist als 25°.
Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Polarisations-Umlenkspiegel (26) als Feldfacettenspiegel ausgebildet ist.
Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Polarisations-Umlenkspiegel (27) als Pupillenfacettenspiegel ausgebildet ist.
Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungsoptik (32) zwei Polarisations-Umlenkspiegel (26, 27) aufweist, an denen eine Umlenkung des einfallenden Beleuchtungslichts (3) um einen Umlenkwinkel im Bereich zwischen 80° und 100° erfolgt, wobei die Einfallsebenen (xz) des Beleuchtungslichts (3) an den Polarisations-Umlenkspiegeln (26, 27) parallel zueinander sind oder zusammenfallen und wobei die Polarisationsrichtung (24) senkrecht auf den Einfallsebenen (xz) des Beleuchtungslichts (3) an den Polarisations-Umlenkspiegeln (26, 27) steht.
Optisches System (19) mit einer Beleuchtungsoptik (6; 30; 32) nach einem der Ansprüche 1 bis 7 und, - mit einer Projektionsoptik (7) zur Führung des Beleuchtungs- und Abbildungslichts (3) vom Objektfeld (4) hin zu einem Bildfeld (8), in dem ein Substrat (14) anordenbar ist, auf welches Objektstrukturen abgebildet werden sollen, - wobei das optische System (19) zur Erzeugung eindimensionaler Bildstrukturen (13) durch Abbildung eindimensionaler Objektstrukturen des Objekts (10) ausgeführt ist, - wobei eine Austrittspupille (20') der Projektionsoptik (7) in einer Pupillenebene (21') eine Ausdehnung mit einem Pupillen-Aspektverhältnis (LVK") zwischen einer längeren Pupillenerstreckung (L') in einer Längserstreckungsrichtung (x) und einer kürzeren Pupillenerstreckung (K') in einer Quererstreckungsrichtung (y) aufweist, das größer ist als 3.
Optisches System nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Bildfeld (8) eine Felderstreckung (W) längs einer ersten Feldkoordinate (x) und eine im Vergleich hierzu kürzeren Felderstreckung (H) längs einer hierzu senkrechten zweiten Feldkoordinate (y) aufweist, wobei das optische System (19) zur Abbildung eindimensionaler Objektstrukturen ausgeführt ist, die sich längs einer Strukturerstreckungsrichtung (y) erstrecken, die parallel zur kürzeren Feldersteckung (H) des Objektfeldes (4) verläuft.
Optisches System nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Längserstreckungsrichtung (x) der Austrittspupille (20') und eine Normale (z) auf dem Objektfeld (4) eine Ebene (xz) vorgeben, auf der eine Erstreckungsrichtung (y) der kürzeren Felderstreckung (H) des Objektfeldes (4) senkrecht seht.
Projektionsbelichtungsanlage mit einem optischen System (19) nach einem der Ansprüche 9 oder 10, mit einem Objekthalter (11) zur Halterung des Objekts (10) und mit einem Substrathalter (15) zur Halterung des Substrats (14), wobei der Substrathalter (15) längs einer Substratverlagerungsrichtung (y) angetrieben verlagerbar ist.
Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 11 mit einer EUV-Lichtquelle (2).
Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauteils mit folgenden Verfahrensschritten: - Bereitstellen eines Retikels (10) und eines Wafers (14), - Projizieren einer Struktur auf dem Retikel (10) auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers (14) mithilfe der Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 11 oder 12, - Erzeugen einer Mikro- und/oder Nanostruktur auf dem Wafer (14).
Strukturiertes Bauteil, hergestellt nach einem Verfahren nach Anspruch 13.